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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 霓机构 通道数 输出类型 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 电流 - 输出/通道 数据速率 上升/下降T(典型值) 电压 - 输出(最大) 电压 - 正向 (Vf)(典型值) 当前 - 直流正向 (If)(最大) 电压隔离 电压 - 关闭状态 电流 - 通态 (It (RMS))(峰值) 电流 - 保持 (Ih) 输入 - 侧面 1/侧面 2 共模瞬态抗扰度(最小) 传播延迟 tpLH / tpHL(峰值) 电流传输率比(最小) 电流传输率比(最大) 打开/关闭T(典型值) Vce 渗透度(最大) 过零电路 静态 dV/dt(简单) 电流 - LED 故障 (Ift)(最大) 开启T
TLP9104(SND-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104(SND-TPL,F) -
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ECAD 5940 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9104(SND-TPLF) EAR99 8541.49.8000 1
4N38(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N38(短,女) -
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ECAD 1929年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃~100℃ 通孔 6-DIP(0.300英寸,7.62毫米) 4N38 直流 1 带基极晶体管 6-DIP 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.49.8000 50 100毫安 - 80V 1.15V 80毫安 2500Vrms 10%@10mA - 3微秒、3微秒 1V
TLP624-2(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP624-2(F) -
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ECAD 3253 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃~100℃ 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) TLP624 直流 2 晶体管 8-DIP 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.49.8000 50 50毫安 8微秒,8微秒 55V 1.15V 50毫安 5000Vrms 100%@1mA 1200%@1mA 10μs、8μs 400毫伏
TLP785(GB-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(GB-LF6,F 0.6400
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ECAD 79 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 的积极 -55℃~110℃ 表面贴装 4-SMD,鸥翼式 TLP785 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 符合RoHS标准 不适用 TLP785(GB-LF6F) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP620-2(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2(D4-TP1,F) -
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ECAD 7918 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃~100℃ 表面贴装 8-SMD,鸥翼式 交流、 直流 2 晶体管 8贴片 下载 264-TLP620-2(D4-TP1F) EAR99 8541.49.8000 1 50毫安 2微秒、3微秒 55V 1.15V 50毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP383(GB-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP383(GB-TPL,E -
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ECAD 4079 0.00000000 东芝半导体和存储 - 盒子 的积极 -55℃~125℃ 表面贴装 6-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽),4引脚 直流 1 晶体管 6-SO,4导联 下载 EAR99 8541.49.8000 1 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 5000Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP551(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP551(Y,F) -
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ECAD 6910 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃~100℃ 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) TLP551 直流 1 带基极晶体管 8-DIP - 符合RoHS标准 不适用 TLP551(YF) EAR99 8541.49.8000 125 8毫安 - 15V 1.65V 25毫安 2500Vrms 10%@16mA - 300纳秒、1微秒 -
TLP185(GB,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(国标、英) -
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ECAD 5085 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃~110℃ 表面贴装 6-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽),4引脚 TLP185 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.49.8000 125 50毫安 5微秒、9微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 400% @ 5mA 9微秒,9微秒 300毫伏
TLP2955(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2955(女) 1.8500
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ECAD 第579章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 最后一次购买 -40℃~125℃ 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) TLP2955 直流 1 推拉式、图腾柱式 3V~20V 8-DIP 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.49.8000 50 25毫安 - 16纳秒、14纳秒 1.55V 25毫安 5000Vrms 1/0 20kV/μs 250纳秒, 250纳秒
TLP5772(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772(TP,E 2.4000
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ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~110℃ 表面贴装 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) TLP5772 直流 1 推拉式、图腾柱式 10V~30V 6-SO 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.49.8000 1,500人 - 15纳秒、8纳秒 1.65V 8毫安 5000Vrms 1/0 35kV/μs 150纳秒, 150纳秒
TLP121(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121(女) -
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ECAD 7773 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃~100℃ 表面贴装 6-SMD(4端口),鸥翼式 TLP121 直流 1 晶体管 6-MFSOP,4引脚 - 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.49.8000 50 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP2958F(TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2958F(TP4,F) -
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ECAD 9421 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃~125℃ 表面贴装 8-SMD,鸥翼式 直流 1 推拉式、图腾柱式 3V~20V 8贴片 下载 264-TLP2958F(TP4F) EAR99 8541.49.8000 1 25毫安 5Mbps 15纳秒、10纳秒 1.55V 25毫安 5000Vrms 1/0 20kV/μs 250纳秒, 250纳秒
TLP2368(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2368(TPL,E 1.8100
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ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~125℃ 表面贴装 6-SOIC(0.179英寸,4.55毫米宽),5引脚 TLP2368 直流 1 集电极开路 2.7V~5.5V 6-SO,5铅 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.49.8000 3,000 25毫安 20MBd 30纳秒、30纳秒 1.55V 25毫安 3750Vrms 1/0 20kV/μs 60纳秒, 60纳秒
TLP161J(V4T5TRUC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J(V4T5TRUC,F -
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ECAD 7918 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 过时的 TLP161 - 1(无限制) 264-TLP161J(V4T5TRUCFTR) EAR99 8541.49.8000 3,000
TLP2361(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2361(V4,E 1.0400
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ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃~125℃ 表面贴装 6-SOIC(0.179英寸,4.55毫米宽),5引脚 TLP2361 直流 1 推拉式、图腾柱式 2.7V~5.5V 6-SO,5铅 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.49.8000 125 10毫安 15MBd 3纳秒、3纳秒 1.5V 10毫安 3750Vrms 1/0 20kV/μs 80纳秒, 80纳秒
TLP631(GB-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631(GB-TP1,F) -
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ECAD 7347 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 过时的 TLP631 - 1(无限制) 264-TLP631(GB-TP1F)TR EAR99 8541.49.8000 1,500人
TLP2958(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2958(女) -
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ECAD 3778 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃~125℃ 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) 直流 1 推拉式、图腾柱式 3V~20V 8-DIP 下载 264-TLP2958(女) EAR99 8541.49.8000 1 25毫安 5Mbps 15纳秒、10纳秒 1.55V 25毫安 5000Vrms 1/0 20kV/μs 250纳秒, 250纳秒
TLP160G(MBS-TR,U,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G(MBS-TR,U,F -
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ECAD 9680 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 过时的 TLP160G - 1(无限制) 264-TLP160G(MBS-TRUFTR) EAR99 8541.49.8000 3,000
TLP3033(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3033(S、C、F) -
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ECAD 3200 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - 通孔 6-DIP(0.300英寸,7.62毫米),5插座 TLP3033 塞姆科,乌尔 1 所在晶闸管 6-DIP(切割),5插座 - 符合RoHS标准 1(无限制) TLP3033(SCF) EAR99 8541.49.8000 50 - 5000Vrms 250伏 100毫安 - 是的 - 5毫安 -
TLP3042SCF Toshiba Semiconductor and Storage TLP3042SCF -
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ECAD 8672 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40℃~100℃ 通孔 6-DIP(0.300英寸,7.62毫米),5插座 TLP3042 BSI、SEMKO、UR 1 所在晶闸管 6-DIP(切割),5插座 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.49.8000 50 1.15V 50毫安 5000Vrms 400V 100毫安 600μA(典型值) 是的 200V/微秒 10毫安 -
TLP5702H(D4TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702H(D4TP4,E 1.8300
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ECAD 8950 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~125℃ 表面贴装 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) TLP5702 直流 1 推拉式、图腾柱式 15V~30V 6-SO 下载 1(无限制) EAR99 8541.49.8000 1,500人 - 37纳秒、50纳秒 1.55V 20毫安 5000Vrms 1/0 50kV/μs 200纳秒、200纳秒
TLP161J(U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J(U、C、F) -
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ECAD 3279 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40℃~100℃ 表面贴装 6-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽),4引脚 TLP161J 尿道 1 所在晶闸管 6-MFSOP,4引脚 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.49.8000 150 1.15V 50毫安 2500Vrms 600伏 70毫安 600μA(典型值) 是的 200V/微秒 10毫安 -
TLP120(GR-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120(GR-TPL,F) -
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ECAD 第1372章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃~100℃ 表面贴装 6-SMD(4端口),鸥翼式 TLP120 交流、 直流 1 晶体管 6-MFSOP,4引脚 - 符合RoHS标准 1(无限制) TLP120(GR-TPLF) EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP9121A(YSKGBTL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9121A(YSKGBTL,F -
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ECAD 5286 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9121A(YSKGBTLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP781F(GRL-TP7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(GRL-TP7,F) -
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ECAD 2158 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃~110℃ 表面贴装 4-SMD,鸥翼式 TLP781F 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1(无限制) 264-TLP781F(GRL-TP7F)TR EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 200%@5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP781F(YH-TP7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(YH-TP7,F) -
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ECAD 6978 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃~110℃ 表面贴装 4-SMD,鸥翼式 TLP781F 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1(无限制) 264-TLP781F(YH-TP7F)TR EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP2370(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2370(TPR,E 1.7700
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ECAD 1016 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~125℃ 表面贴装 6-SOIC(0.179英寸,4.55毫米宽),5引脚 TLP2370 直流 1 推拉式、图腾柱式 2.7V~5.5V 6-SO,5铅 下载 1(无限制) EAR99 8541.49.8000 3,000 10毫安 20Mbps 3纳秒、2纳秒 1.5V 8毫安 3750Vrms 1/0 20kV/μs 60纳秒, 60纳秒
4N36(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N36(短,F) -
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ECAD 2266 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃~100℃ 通孔 6-DIP(0.300英寸,7.62毫米) 4N36 直流 1 带基极晶体管 6-DIP 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.49.8000 50 100毫安 - 30V 1.15V 60毫安 2500Vrms 40%@10mA - 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP127(SONY-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(索尼-TPL,F) -
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ECAD 5109 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃~100℃ 表面贴装 6-SMD(4端口),鸥翼式 TLP127 直流 1 达林顿 6-MFSOP,4引脚 - 1(无限制) 264-TLP127(索尼-TPLF)TR EAR99 8541.49.8000 3,000 150毫安 40μs、15μs 300V 1.15V 50毫安 2500Vrms 1000%@1mA - 50μs、15μs 1.2V
TLP781F(D4GRL-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4GRL-T7,F -
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ECAD 2410 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃~110℃ 通孔 4-DIP(0.400英寸,10.16毫米) TLP781F 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1(无限制) 264-TLP781F(D4GRL-T7FTR) EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 200%@5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库