SIC
close

光溶剂（（1738）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 批准机构 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出 /通道 数据速率 上升 /秋季t （典型） 电压 -输出（最大） 电压 -向前（ -vf）（类型） （dc 向前（如果）（）（（最大）） 电压 -隔离 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） 电流 -保持（ ih） 输入 -侧面 -1/侧2 （（（） tplh / tphl （最大） （（（） （（（） 打开 /关闭t ty（typ） （VCE 饱和度（最大） 零越过电路 DV/DT （最小） 电流-LED（IFT）（IFT）） t
TLP2662(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2662（tp1，f） 1.8800
RFQ
 ECAD 8329 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 8-SMD，鸥翼 TLP2662 DC 2 打开收藏首页 2.7V〜5.5V 8-SMD 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 25 ma 10MBD 12n，3ns 1.55V 20mA 5000vrm 2/0 20kV/µs 75NS，75NS
TLP732(D4GRH-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP732（d4grh-lf2，f -
RFQ
 ECAD 1476 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP732 - （1 （无限） 264-TLP732（D4GRH-LF2F Ear99 8541.49.8000 50
TLP292(GR-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292（gr-tpl，e 0.5600
RFQ
 ECAD 2009 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 4- 材料（0.179英寸，4.55mm） TLP292 AC，DC 1 晶体管 4-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP265J(V4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J（v4-tpr，e 0.8500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP265 CQC，Cur，Ur，Vde 1 TRIAC 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 1.27V 50 mA 3750vrms 600 v 70 MA 1ma （典型） 不 500V/µs （典型） 10mA 20µs
TLP2766(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2766（f） -
RFQ
 ECAD 5844 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜125°C 表面安装 6-SOIC （0.268英寸，6.80mm宽度） TLP2766 DC 1 推扣，图腾柱 2.7V〜5.5V 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP2766（f） Ear99 8541.49.8000 1 10 MA 20MBD 15ns，15ns 1.55V 25mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 55NS，55NS
TLP293-4(LGBTR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4（lgbtr，e 1.6300
RFQ
 ECAD 8340 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） TLP293 DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 500µA 600 @ @ 500µA 3µs，3µs 300mv
TLP293-4(4LGBTRE Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 （4LGBTRE 1.6300
RFQ
 ECAD 1661年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） TLP293 DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 500µA 600 @ @ 500µA 3µs，3µs 300mv
TLP3905(E Toshiba Semiconductor and Storage tlp3905（e 1.8000
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP3905 DC 1 光伏 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 125 （30µA）（） - 7V 1.65V 30 ma 3750vrms - - 300µs，1ms -
TLP155E(TPL,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP155E（E），E） 1.0800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP155 DC 1 推扣，图腾柱 10v〜30v 6-SO，5领先 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 - 35ns，15ns 1.55V 20mA 3750vrms 1/0 15kV/µs 170NS，170NS
TLP631(GB-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631 （GB-LF1，F） -
RFQ
 ECAD 9501 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP631 - （1 （无限） 264-TLP631（GB-LF1F） Ear99 8541.49.8000 50
TLP291-4(V4GBTPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291-4（V4GBTPE 1.0600
RFQ
 ECAD 4931 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） TLP291 DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.2V 50 mA 2500vrms 100 @ @ 5mA 400 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP719(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719（D4-TP，F） -
RFQ
 ECAD 7485 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SOIC （0.268英寸，6.80mm宽度） DC 1 晶体管 6-SDIP鸥翼 - 264-TLP719（D4-TPF） Ear99 8541.49.8000 1 8mA - 20V 1.65V 25 ma 5000vrm 20％ @ 16mA - 800NS，800NS （最大） -
TLP626-4(HITOMK,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp626-4（荷马克，f） -
RFQ
 ECAD 8644 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP626 AC，DC 4 晶体管 16二滴 下载 264-TLP626-4（hitomkf） Ear99 8541.49.8000 1 50mA 8µs，8µs 55V 1.15V 50 mA 5000vrm 100％ @ 1ma 1200 @ @ 1mA 10µs，8µs 400mv
TLP292-4(V4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4（v4-tp，e 1.7900
RFQ
 ECAD 1944年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） TLP292 AC，DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP190B(TPL,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp190b（tpl，u，c，f） -
RFQ
 ECAD 7752 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP190 DC 1 光伏 6-MFSOP，4领先 下载 264-TLP190B（TPLUCF） Ear99 8541.49.8000 1 12µA - 8V 1.4V 50 mA 2500vrms - - 200µs，1ms -
TLP291(GB,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 （GB，E） -
RFQ
 ECAD 3061 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4- 材料（0.179英寸，4.55mm） TLP291 DC 1 晶体管 4-so 下载 Ear99 8541.49.8000 175 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP185(GB-TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 （GB-TPR，SE 0.6000
RFQ
 ECAD 2461 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP185 DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP9104A(ND-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104A（nd-tl，f） -
RFQ
 ECAD 9141 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9104A（ND-TLF） Ear99 8541.49.8000 1
TLP750(D4SHR-OT4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP750（d4shr-ot4，f -
RFQ
 ECAD 6109 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP750 - （1 （无限） 264-TLP750（D4SHR-OT4F Ear99 8541.49.8000 50
TLP290(GB,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP290 （GB，SE 0.5100
RFQ
 ECAD 2539 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 不适合新设计 -55°C〜110°C 表面安装 4- 材料（0.179英寸，4.55mm） TLP290 AC，DC 1 晶体管 4-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 175 50mA 4µs，7µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 400 @ @ 5mA 7µs，7µs 300mv
TLP781F(D4GRT7FD,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp781f（d4grt7fd，f -
RFQ
 ECAD 4341 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP781F DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP781F（d4grt7fdftr Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP525GF Toshiba Semiconductor and Storage TLP525GF 1.1600
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40°C〜100°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP525 ur 1 TRIAC 4点 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP525G（f） Ear99 8541.49.8000 100 1.15V 50 mA 2500vrms 400 v 100 ma 200µA（200µa） 不 200V/µs 10mA -
TLP183(Y,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 Y Y，E。 0.5100
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP183 DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） tlp183（ Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 150％ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP185(GRL-TL,SE Toshiba Semiconductor and Storage tlp185（grl-tl，se 0.6000
RFQ
 ECAD 4835 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP185 DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 200％ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP281(GB-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP281 （GB-TP，F） -
RFQ
 ECAD 2615 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 4- 材料（0.173“，4.40mm宽度） TLP281 DC 1 晶体管 4 SOP 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 50 mA 2500vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP781(DLT-HR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781（dlt-hr，f） -
RFQ
 ECAD 9568 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP781 DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP781（DLT-HRF） Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP785F(D4B-F7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F（d4b-f7，f -
RFQ
 ECAD 8709 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP785F（d4b-f7f Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP2116(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2116（f） -
RFQ
 ECAD 6702 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TLP2116 DC 2 推扣，图腾柱 4.5V〜5.5V 8-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP2116F Ear99 8541.49.8000 100 10 MA 15MBD 15ns，15ns 1.65V 20mA 2500vrms 2/0 10kV/µs 75NS，75NS
TLP250H(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250H（d4-tp1，f） 1.7900
RFQ
 ECAD 7192 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 8-SMD，鸥翼 TLP250 DC 1 推扣，图腾柱 10v〜30v 8-SMD 下载 Rohs符合条件 不适用 Ear99 8541.49.8000 1,500 2.5 a - 50n，50n 1.57V 20mA 3750vrms 1/0 40kV/µs 500NS，500NS
TLP182(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182 （GB，E。 0.5600
RFQ
 ECAD 2272 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP182 AC，DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP182（gbe Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭