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光隔离器(1738)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 霓机构 通道数 输出类型 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 电流 - 输出/通道 数据速率 上升/下降T（典型值） 电压 - 输出（最大） 电压 - 正向 (Vf)（典型值） 当前 - 直流正向 (If)（最大） 电压-隔离 电压 - 关闭状态 电流 - 通态 (It (RMS))（峰值） 电流 - 保持 (Ih) 输入 - 侧面 1/侧面 2 共模瞬态抗扰度（最小） 传播延迟 tpLH / tpHL（峰值） 电流传输率比（最小） 电流传输率比（最大） 打开/关闭T（典型值） Vce 渗透度（最大） 过零电路 静态 dV/dt（简单） 电流 - LED 故障 (Ift)（最大） 开启T
TLP3031(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3031(S、C、F) -
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 ECAD 8120 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - 通孔 6-DIP（0.300英寸，7.62毫米），5插座 TLP3031 塞姆科，乌尔 1 所在晶闸管 6-DIP（切割），5插座 - 符合RoHS标准 1（无限制） TLP3031(SCF) EAR99 8541.49.8000 50 - 5000Vrms 250伏 100毫安 - 是的 - 15毫安 -
TLP331(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP331(LF5,F) -
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 ECAD 1127 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP331 - 1（无限制） 264-TLP331(LF5F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP160G(SIEMTPLS,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G(SIEMTPLS,F -
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 ECAD 8564 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 过时的 TLP160 - 1（无限制） 264-TLP160G（SIEMTPLSFTR） EAR99 8541.49.8000 3,000
TLP182(Y-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182(Y-TPL,E 0.5500
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP182 交流、 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP2116(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2116(女) -
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 ECAD 6702 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40℃～100℃ 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） TLP2116 直流 2 推拉式、图腾柱式 4.5V~5.5V 8-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） TLP2116F EAR99 8541.49.8000 100 10毫安 15MBd 15纳秒，15纳秒 1.65V 20毫安 2500Vrms 2/0 10kV/μs 75纳秒, 75纳秒
TLP781(DLT-HR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(DLT-HR,F) -
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 ECAD 9568 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP781 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP781(DLT-HRF) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP513(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP513(LF1,F) -
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 ECAD 2728 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP513 - 1（无限制） 264-TLP513(LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP719(D4FA-TPS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719(D4FA-TPS,F) -
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 ECAD 7188 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.268英寸，6.80毫米宽） 直流 1 晶体管 6-SDIP鸥翼 - 264-TLP719(D4FA-TPSF) EAR99 8541.49.8000 1 8毫安 - 20V 1.65V 25毫安 5000Vrms 20%@16mA - 800ns、800ns（顶部） -
TLP631(BL-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631(BL-LF1,F) -
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 ECAD 6060 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP631 - 1（无限制） 264-TLP631(BL-LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP552(MAT,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP552(垫,F) -
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 ECAD 3433 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP552 - 1（无限制） 264-TLP552（MATF） EAR99 8541.49.8000 50
TLP2270(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2270(LF4,E 3.0900
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 ECAD 8042 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 8-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP2270 交流、 直流 2 推拉式、图腾柱式 2.7V～5.5V 8-SO 下载 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 75 10毫安 20MBd 1.3纳秒、1纳秒 1.5V 8毫安 5000Vrms 2/0 20kV/μs 60纳秒, 60纳秒
TLP126TPRF Toshiba Semiconductor and Storage TLP126TPRF -
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 ECAD 2305 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SMD（4端口），鸥翼式 TLP126 交流、 直流 1 晶体管 6-MFSOP，4引脚 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 8微秒，8微秒 80V 1.15V 50毫安 3750Vrms 100%@1mA 1200%@1mA 10μs、8μs 400毫伏
TLP626(SANYD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626(三一重工,F) -
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 ECAD 1971年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 通孔 4-DIP（0.300英寸，7.62毫米） 交流、 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 264-TLP626（三一） EAR99 8541.49.8000 1 50毫安 8微秒，8微秒 55V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@1mA 1200%@1mA 10μs、8μs 400毫伏
TLP781(D4-GR-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4-GR-TP6,F -
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 ECAD 8326 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SMD，鸥翼式 TLP781 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1（无限制） 264-TLP781(D4-GR-TP6FTR) EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 300% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP2955(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2955(女) 1.8500
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 ECAD 第579章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 最后一次购买 -40℃～125℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP2955 直流 1 推拉式、图腾柱式 3V～20V 8-DIP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 50 25毫安 - 16纳秒、14纳秒 1.55V 25毫安 5000Vrms 1/0 20kV/μs 250纳秒, 250纳秒
TLP2309(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2309(中) 1.2600
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 ECAD 229 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP2309 直流 1 晶体管 6-SO，5铅 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 125 8毫安 - 20V 1.55V 25毫安 3750Vrms 15%@16mA - 1μs、1μs（顶部） -
TLP628M(GB-TP1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M(GB-TP1,E 0.9100
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 ECAD 4514 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 4-SMD（0.300英寸，7.62毫米） TLP628 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 1,500人 50毫安 5.5μs、10μs 350V 1.25V 50毫安 5000Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 10μs、10μs 400毫伏
TLP291(GR-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(GR-TP,E) -
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 ECAD 7257 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP291 直流 1 晶体管 4-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 2,500人 50毫安 4微秒、7微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 300% @ 5mA 7微秒, 7微秒 300毫伏
TLP785F(D4TELS,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4TELS,F -
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 ECAD 6633 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.400英寸，10.16毫米） TLP785 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP785F(D4TELSF) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP137(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP137(TPL,F) -
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 ECAD 4538 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），5引脚 TLP137 直流 1 带基极晶体管 6-MFSOP，5引脚 - 符合RoHS标准 1（无限制） TLP137(TPLF) EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 8微秒，8微秒 80V 1.15V 50毫安 3750Vrms 100%@1mA 1200%@1mA 10μs、8μs 400毫伏
TLP718F(D4-FA-TP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP718F(D4-FA-TP,F -
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 ECAD 5186 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.268英寸，6.80毫米宽） 直流 1 推拉式、图腾柱式 4.5V～20V 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP718F(D4-FA-TPF EAR99 8541.49.8000 1 5Mbps - - - 5000Vrms 1/0 10kV/μs 250纳秒, 250纳秒
TLP627(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP627(TP1,F) -
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 ECAD 2664 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 4-SMD，鸥翼式 TLP627 直流 1 达林顿 4-SMD 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 1,500人 150毫安 40μs、15μs 300V 1.15V 60毫安 5000Vrms 1000%@1mA - 50μs、15μs 1.2V
TLP385(D4-BLL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(D4-BLL,E 0.5500
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 ECAD 5999 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP385 直流 1 晶体管 6-SO，4导联 下载 符合RoHS标准 1（无限制） TLP385(D4-BLLE EAR99 8541.49.8000 125 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 5000Vrms 200%@5mA 400% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP651(O,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP651(O,F) -
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 ECAD 4853 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～100℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP651 直流 1 带基极晶体管 8-DIP - 符合RoHS标准 不适用 TLP651(OF) EAR99 8541.49.8000 50 8毫安 - 15V 1.65V 25毫安 5000Vrms 19% @ 16mA - 300纳秒、500纳秒 -
TLP550(FANUC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550(发那科、F) -
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 ECAD 6079 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP550 - 1（无限制） 264-TLP550(发那科) EAR99 8541.49.8000 50
TLP733F(GB,M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733F(国标、M、F) -
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 ECAD 2930 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP733 - 1（无限制） 264-TLP733F(GBMF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2368(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2368(TPR,E 0.6028
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 ECAD 2105 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP2368 直流 1 集电极开路 2.7V～5.5V 6-SO，5铅 下载 符合RoHS标准 1（无限制） TLP2368(TPRE EAR99 8541.49.8000 3,000 25毫安 20MBd 30纳秒、30纳秒 1.55V 25毫安 3750Vrms 1/0 20kV/μs 60纳秒, 60纳秒
TLP785(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(国标、F) 0.6400
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP785 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP731(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP731(GR,F) -
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 ECAD 7253 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP731 - 1（无限制） 264-TLP731(GRF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP9104A(ND-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104A(ND-TL,F) -
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 ECAD 9141 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9104A(ND-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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