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光溶剂（（1738）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 频道数量 | 输出类型 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电流 -输出 /通道 | 数据速率 | 上升 /秋季t （典型） | 电压 -输出（最大） | 电压 -向前（ -vf）（类型） | （dc 向前（如果）（）（（最大）） | 电压 -隔离 | 输入 -侧面 -1/侧2 | （（（） | tplh / tphl （最大） | （（（） | （（（） | 打开 /关闭t ty（typ） | （VCE 饱和度（最大） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP293-4 （4LGBTRE | 1.6300 |  | 1661年 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜125°C | 表面安装 | 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） | TLP293 | DC | 4 | 晶体管 | 16件事 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mA | 2µs，3µs | 80V | 1.25V | 50 mA | 3750vrms | 100 @ @ 500µA | 600 @ @ 500µA | 3µs，3µs | 300mv | |||||||
 | TLP626 （MAT-LF2，F） | - | | 9349 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C〜100°C | 通过洞 | 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） | TLP626 | AC，DC | 1 | 晶体管 | 4点 | 下载 | 264-TLP626 （MAT-LF2F） | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mA | 8µs，8µs | 55V | 1.15V | 60 ma | 5000vrm | 100％ @ 1ma | 1200 @ @ 1mA | 10µs，8µs | 400mv | ||||||||
| TLP293-4（v4latpe | 1.6400 | | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜125°C | 表面安装 | 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） | TLP293 | DC | 4 | 晶体管 | 16件事 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mA | 2µs，3µs | 80V | 1.25V | 50 mA | 3750vrms | 50％ @ 500µA | 600 @ @ 500µA | 3µs，3µs | 300mv | |||||||
| 4n35 （短 tp1，f） | - | | 9664 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 4N35 | - | （1 （无限） | 264-4N35（TP1F）TR | Ear99 | 8541.49.8000 | 1,500 | ||||||||||||||||||||||||
| TLP715（d4-tp，f） | - | | 6489 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜100°C | 表面安装 | 6-SOIC （0.268英寸，6.80mm宽度） | TLP715 | DC | 1 | 推扣，图腾柱 | 4.5V〜20V | 6-SDIP鸥翼 | 下载 | 264-TLP715（D4-TPF） | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 ma | 5Mbps | 30ns，30ns | 1.6V | 20mA | 5000vrm | 1/0 | 10kV/µs | 250NS，250NS | ||||||||
| TLP759（d4mbimt1j，f | - | | 3454 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C〜100°C | 通过洞 | 8 点点（0.300英寸，7.62mm） | TLP759 | DC | 1 | 晶体管带有基部 | 8点 | 下载 | 264-TLP759（d4mbimt1jf | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 8mA | - | - | 1.65V | 25 ma | 5000vrm | 20％ @ 16mA | - | - | - | ||||||||
 | TLP620-4（f） | - | | 4048 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜100°C | 通过洞 | 16 浸（0.300英寸，7.62mm） | TLP620 | AC，DC | 4 | 晶体管 | 16二滴 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.49.8000 | 25 | 50mA | 2µs，3µs | 55V | 1.15V | 50 mA | 5000vrm | 50％ @ 5mA | 600 @ 5mA | 3µs，3µs | 400mv | |||||||
| TLP628M （GB-LF1，E。 | 0.9200 | | 5464 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜125°C | 表面安装 | 4-SMD （0.300英寸，7.62mm） | TLP628 | DC | 1 | 晶体管 | 4-SMD | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 5.5µs，10µs | 350V | 1.25V | 50 mA | 5000vrm | 100 @ @ 5mA | 600 @ 5mA | 10µs，10µs | 400mv | ||||||||
| TLP160G siemtpls，f | - | | 8564 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | TLP160 | - | （1 （无限） | 264-TLP160G siemtplsftr | Ear99 | 8541.49.8000 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||
 | TLP550（f） | - | | 6265 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜100°C | 通过洞 | 8 点点（0.300英寸，7.62mm） | TLP550 | DC | 1 | 晶体管 | 8点 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 8mA | - | 15V | 1.65V | 25 ma | 2500vrms | 10％ @ 16mA | - | 300ns，1µs | - | |||||||
| TLP732（d4grh-lf2，f | - | | 1476 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP732 | - | （1 （无限） | 264-TLP732（D4GRH-LF2F | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||
| tlp785f（d4y-t7，f | - | | 5839 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜110°C | 通过洞 | 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） | TLP785 | DC | 1 | 晶体管 | 4点 | 下载 | （1 （无限） | 264-TLP785F（d4y-t7ftr | Ear99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mA | 2µs，3µs | 80V | 1.15V | 60 ma | 5000vrm | 50％ @ 5mA | 150％ @ 5mA | 3µs，3µs | 400mv | |||||||
| TLP550（pp，f） | - | | 9422 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP550 | - | （1 （无限） | 264-TLP550（PPF） | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||
 | tlp385（d4blltl，e | 0.5500 | | 7135 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜110°C | 表面安装 | 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 | TLP385 | DC | 1 | 晶体管 | 6-SO，4领先 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.49.8000 | 3,000 | 50mA | 2µs，3µs | 80V | 1.25V | 50 mA | 5000vrm | 200％ @ 5mA | 400 @ @ 5mA | 3µs，3µs | 300mv | |||||||
| TLP127 sony-tpl，f） | - | | 5109 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C〜100°C | 表面安装 | 6-SMD（4个铅），鸥翼 | TLP127 | DC | 1 | 达灵顿 | 6-MFSOP，4领先 | - | （1 （无限） | 264-TLP127（Sony-TPLF）Tr | Ear99 | 8541.49.8000 | 3,000 | 150mA | 40µs，15µs | 300V | 1.15V | 50 mA | 2500vrms | 1000％ @ 1ma | - | 50µs，15µs | 1.2V | |||||||
 | tlp785（bll-tp6，f | - | | 3089 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜110°C | 表面安装 | 4-SMD，鸥翼 | TLP785 | DC | 1 | 晶体管 | 4-SMD | 下载 | （1 （无限） | 264-TLP785（bll-tp6ftr | Ear99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mA | 2µs，3µs | 80V | 1.15V | 60 ma | 5000vrm | 200％ @ 5mA | 400 @ @ 5mA | 3µs，3µs | 400mv | |||||||
| TLP292-4（v4-la，e | 1.7900 | | 3649 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜125°C | 表面安装 | 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） | TLP292 | AC，DC | 4 | 晶体管 | 16件事 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 2µs，3µs | 80V | 1.25V | 50 mA | 3750vrms | 50％ @ 500µA | 600 @ @ 500µA | 3µs，3µs | 300mv | |||||||
| TLP781F（grl-lf7，f） | - | | 3243 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜110°C | 表面安装 | 4-SMD，鸥翼 | TLP781F | DC | 1 | 晶体管 | 4-SMD | 下载 | （1 （无限） | 264-TLP781F（GRL-LF7F） | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2µs，3µs | 80V | 1.15V | 60 ma | 5000vrm | 100 @ @ 5mA | 200％ @ 5mA | 3µs，3µs | 400mv | |||||||
| tlp292-4（la，e | 1.7900 | | 5078 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜125°C | 表面安装 | 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） | TLP292 | AC，DC | 4 | 晶体管 | 16件事 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 2µs，3µs | 80V | 1.25V | 50 mA | 3750vrms | 50％ @ 500µA | 600 @ @ 500µA | 3µs，3µs | 300mv | |||||||
| TLP785 YH，f | - | | 8103 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜110°C | 通过洞 | 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） | TLP785 | DC | 1 | 晶体管 | 4点 | 下载 | （1 （无限） | 264-TLP785（YHF | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2µs，3µs | 80V | 1.15V | 60 ma | 5000vrm | 75 @ @ 5mA | 150％ @ 5mA | 3µs，3µs | 400mv | |||||||
 | TLP5701（e | 1.2600 | | 125 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜110°C | 表面安装 | 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） | TLP5701 | DC | 1 | 推扣，图腾柱 | 10v〜30v | 6-so | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 600 MA | - | 50n，50n | 1.57V | 25mA | 5000vrm | 1/0 | 20kV/µs | 500NS，500NS | |||||||
| TLP785F（d4-gr，f | - | | 1238 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜110°C | 通过洞 | 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） | TLP785 | DC | 1 | 晶体管 | 4点 | 下载 | （1 （无限） | 264-TLP785F（d4-grf | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2µs，3µs | 80V | 1.15V | 60 ma | 5000vrm | 100 @ @ 5mA | 300 @ @ 5mA | 3µs，3µs | 400mv | |||||||
| tlp388（tpl，e | 0.7900 | | 3550 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜125°C | 表面安装 | 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 | TLP388 | DC | 1 | 晶体管 | 6-SO，4领先 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.49.8000 | 3,000 | 50mA | 2µs，3µs | 350V | 1.25V | 50 mA | 5000vrm | 50％ @ 5mA | 600 @ 5mA | 3µs，3µs | 400mv | |||||||
 | TLP751（lf2，f） | - | | 5641 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C〜100°C | 通过洞 | 8 点点（0.300英寸，7.62mm） | TLP751 | DC | 1 | 晶体管带有基部 | 8点 | - | Rohs符合条件 | 不适用 | TLP751（LF2F） | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 8mA | - | 15V | 1.65V | 25 ma | 5000vrm | 10％ @ 16mA | - | 200NS，1µs | - | ||||||
 | tlp2310（tpl，e | 1.5500 | | 8032 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜125°C | 表面安装 | 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 | TLP2310 | DC | 1 | 推扣，图腾柱 | 2.7V〜5.5V | 6-SO，5领先 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.49.8000 | 3,000 | 10 MA | 5Mbps | 11n，13ns | 1.53V | 8mA | 3750vrms | 1/0 | 25kV/µs | 250NS，250NS | |||||||
| TLP785F（d4y-f7，f | - | | 8840 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜110°C | 通过洞 | 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） | TLP785 | DC | 1 | 晶体管 | 4点 | 下载 | （1 （无限） | 264-TLP785F（d4y-f7f | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2µs，3µs | 80V | 1.15V | 60 ma | 5000vrm | 50％ @ 5mA | 150％ @ 5mA | 3µs，3µs | 400mv | |||||||
| TLP785 Y-LF6，f | - | | 6945 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜110°C | 通过洞 | 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） | TLP785 | DC | 1 | 晶体管 | 4点 | 下载 | （1 （无限） | 264-TLP785 Y-LF6F | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2µs，3µs | 80V | 1.15V | 60 ma | 5000vrm | 50％ @ 5mA | 150％ @ 5mA | 3µs，3µs | 400mv | |||||||
| tlp734f（d4-grl，m，f | - | | 4173 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP734 | - | （1 （无限） | 264-TLP734F（d4-grlmf | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||
| TLP734F（d4-C173，f） | - | | 6004 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP734 | - | （1 （无限） | 264-TLP734F（D4-C173F） | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||
| TLP121 （GB，F） | - | | 3007 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C〜100°C | 表面安装 | 6-SMD（4个铅），鸥翼 | TLP121 | DC | 1 | 晶体管 | 6-MFSOP，4领先 | - | Rohs符合条件 | （1 （无限） | TLP121（GBF） | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 2µs，3µs | 80V | 1.15V | 50 mA | 3750vrms | 100 @ @ 5mA | 600 @ 5mA | 3µs，3µs | 400mv |
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