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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出 /通道 数据速率 上升 /秋季t (典型) 电压 -输出(最大) 电压 -向前( -vf)(类型) (dc 向前(如果)()((最大)) 电压 -隔离 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) 电流 -保持( ih) 输入 -侧面 -1/侧2 ((() tplh / tphl (最大) ((() ((() 打开 /关闭t ty(typ) (VCE 饱和度(最大) 零越过电路 DV/DT (最小) 电流-LED(IFT)(IFT)) t
TLP620-2(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2(gr,f) -
RFQ
ECAD 6523 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) TLP620 AC,DC 2 晶体管 8点 下载 264-TLP620-2(GRF) Ear99 8541.49.8000 1 50mA 2µs,3µs 55V 1.15V 50 mA 5000vrm 50% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP620-2(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2(d4-tp1,f) -
RFQ
ECAD 7918 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 8-SMD,鸥翼 AC,DC 2 晶体管 8-SMD 下载 264-TLP620-2(D4-TP1F) Ear99 8541.49.8000 1 50mA 2µs,3µs 55V 1.15V 50 mA 5000vrm 50% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP291(BLL-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(bll-tp,se 0.6100
RFQ
ECAD 6152 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4- 材料(0.179英寸,4.55mm) TLP291 DC 1 晶体管 4-so 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 200% @ 5mA 400 @ @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP190B(C20TL,UC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP190B(c20TL,UC,f -
RFQ
ECAD 1639年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 6-SMD(4个铅),鸥翼 DC 1 光伏 6-MFSOP,4领先 下载 264-TLP190B (C20TLUCF Ear99 8541.49.8000 1 - - 8V 1.4V 50 mA 2500vrms - - 200µs,1ms -
TLP2361(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp2361(v4,e 1.0400
RFQ
ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.179英寸,4.55毫米宽),5个铅 TLP2361 DC 1 推扣,图腾柱 2.7V〜5.5V 6-SO,5领先 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 125 10 MA 15MBD 3NS,3NS 1.5V 10mA 3750vrms 1/0 20kV/µs 80n,80n
6N136F Toshiba Semiconductor and Storage 6n136f -
RFQ
ECAD 2215 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) 6n136 DC 1 晶体管带有基部 8点 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 50 8mA - 15V 1.65V 25 ma 2500vrms 19% @ 16mA - 200NS,500NS -
TLP2630(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2630(lf1,f) -
RFQ
ECAD 7720 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP2630 - (1 (无限) 264-TLP2630(LF1F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP190B(COSTPLUC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP190B(COSTPLUC,f -
RFQ
ECAD 3149 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 6-SMD(4个铅),鸥翼 TLP190 DC 1 光伏 6-MFSOP,4领先 下载 264-TLP190B(costplucf Ear99 8541.49.8000 1 12µA - 8V 1.4V 50 mA 2500vrms - - 200µs,1ms -
TLP188(GB-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP188 (GB-TPL,E。 0.8300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP188 DC 1 晶体管 6 sop 下载 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs,3µs 350V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP124F Toshiba Semiconductor and Storage TLP124F -
RFQ
ECAD 4843 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD(4个铅),鸥翼 TLP124F DC 1 晶体管 6-MFSOP,4领先 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) TLP124(f) Ear99 8541.49.8000 150 50mA 8µs,8µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 100% @ 1ma 1200 @ @ 1mA 10µs,8µs 400mv
TLX9185(PEDGBTLF(O Toshiba Semiconductor and Storage tlx9185(gedgbtlf(o -
RFQ
ECAD 2766 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLX9185(gedgbtlf(o Ear99 8541.49.8000 1
TLP127(ITO-TPR,U,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp127(ito-tpr,u,f -
RFQ
ECAD 3744 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD(4个铅),鸥翼 TLP127 DC 1 达灵顿 6-MFSOP,4领先 - (1 (无限) 264-TLP127 (ITO-TPRUFTR Ear99 8541.49.8000 3,000 150mA 40µs,15µs 300V 1.15V 50 mA 2500vrms 1000% @ 1ma - 50µs,15µs 1.2V
TLP182(Y-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp182 y-tpl,e 0.5500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP182 AC,DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP550(Y-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550 Y-LF1,F) -
RFQ
ECAD 4671 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP550 - (1 (无限) 264-TLP550(Y-LF1F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP127(TEE-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(te-tpr,f) -
RFQ
ECAD 8429 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD(4个铅),鸥翼 TLP127 DC 1 达灵顿 6-MFSOP,4领先 - (1 (无限) 264-TLP127(TEE-TPRF)TR Ear99 8541.49.8000 3,000 150mA 40µs,15µs 300V 1.15V 50 mA 2500vrms 1000% @ 1ma - 50µs,15µs 1.2V
TLP120(GB-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120 (GB-TPR,F) -
RFQ
ECAD 6747 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD(4个铅),鸥翼 TLP120 AC,DC 1 晶体管 6-MFSOP,4领先 - Rohs符合条件 (1 (无限) TLP120(GB-TPRF) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP759(D4MB3F4,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (D4MB3F4,J,f -
RFQ
ECAD 6129 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) TLP759 DC 1 晶体管带有基部 8点 下载 264-TLP759(D4MB3F4JF Ear99 8541.49.8000 1 8mA - - 1.65V 25 ma 5000vrm 20% @ 16mA - - -
TLP781F(GRL-TP7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(grl-tp7,f) -
RFQ
ECAD 2158 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 TLP781F DC 1 晶体管 4-SMD 下载 (1 (无限) 264-TLP781F(GRL-TP7F)TR Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 200% @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP552(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP552(lf1,f) -
RFQ
ECAD 3526 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP552 - (1 (无限) 264-TLP552(LF1F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP183(GRL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(grl-tpl,e 0.5100
RFQ
ECAD 6712 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP183 DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 200% @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP2770(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2770(tp,e 2.2400
RFQ
ECAD 11 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材(0.295英寸,宽度为7.50mm) TLP2770 DC 1 推扣,图腾柱 2.7V〜5.5V 6-so 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 1,500 10 MA 20MBD 1.3NS,1NS 1.5V 8mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 60n,60n
TLP160G(DT-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G dt-TPL,F) -
RFQ
ECAD 8423 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴((tr) 过时的 TLP160G - (1 (无限) 264-TLP160G(DT-TPLF)TR Ear99 8541.49.8000 3,000
TLP266J(V4T7TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J(v4t7tr,e 0.9300
RFQ
ECAD 2986 0.00000000 东芝半导体和存储 TLP 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP266 1 TRIAC 6 sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 1.27V 30 ma 3750vrms 600 v 70 MA 600µA() 是的 200V/µs 10mA 30µs
TLP781F(Y-TP7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F Y-TP7,F) -
RFQ
ECAD 1764年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 TLP781F DC 1 晶体管 4-SMD 下载 (1 (无限) 264-TLP781F(Y-TP7F)TR Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP719(D4FA1TPS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719(d4fa1tps,f) -
RFQ
ECAD 4873 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SOIC (0.268英寸,6.80mm宽度) TLP719 DC 1 晶体管带有基部 6-SDIP鸥翼 - 264-TLP719(d4fa1tpsf) Ear99 8541.49.8000 1 8mA - 20V 1.65V 25 ma 5000vrm 20% @ 16mA - - -
TLP2768F(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2768F(d4-tp,f) -
RFQ
ECAD 4795 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜125°C 表面安装 6-SOIC (0.268英寸,6.80mm宽度) TLP2768 DC 1 打开收藏首页 2.7V〜5.5V 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP2768F(D4-TPF) Ear99 8541.49.8000 1 25 ma 20MBD 30ns,30ns 1.55V 25mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 60n,60n
TLP131(GB-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP131 (GB-TPL,F) -
RFQ
ECAD 8605 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-Soic (0.173英寸,4.40mm宽),5条线索 TLP131 DC 1 晶体管带有基部 6-MFSOP,5领先 - Rohs符合条件 (1 (无限) TLP131(GB-TPLF) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP733F(GB,M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733F (GB,M,F) -
RFQ
ECAD 2930 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP733 - (1 (无限) 264-TLP733F(GBMF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP734(D4-C172,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734(D4-C172,F) -
RFQ
ECAD 4589 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜100°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) TLP734 DC 1 晶体管 6浸 - Rohs符合条件 (1 (无限) TLP734(D4-C172F) Ear99 8541.49.8000 1,500 50mA 2µs,3µs 55V 1.15V 60 ma 4000vrm 50% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP2362(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2362(v4-tpl,e 1.0500
RFQ
ECAD 9559 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C - - TLP2362 DC 1 打开收藏首页 2.7V〜5.5V - 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 25 ma 10MBD 30ns,30ns 1.55V 25mA 3750vrms 1/0 20kV/µs 100NS,100NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库