SIC
close

光隔离器(1738)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 霓机构 通道数 输出类型 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 电流 - 输出/通道 数据速率 上升/下降T（典型值） 电压 - 输出（最大） 电压 - 正向 (Vf)（典型值） 当前 - 直流正向 (If)（最大） 电压-隔离 电压 - 关闭状态 电流 - 通态 (It (RMS))（峰值） 电流 - 保持 (Ih) 输入 - 侧 1/侧 2 共模瞬态抗扰度（最小） 传播延迟 tpLH / tpHL（峰值） 电流传输率比（最小） 电流传输率比（最大） 打开/关闭T（典型值） Vce 渗透度（最大） 过零电路 静态 dV/dt（简单） 电流 - LED 故障 (Ift)（最大） 开启T
TLP168J(TPR,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP168J(TPR,U,C,F) -
询价
 ECAD 1634 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP168 尿道 1 所在晶闸管 6-MFSOP，4引脚 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 1.4V 20毫安 2500Vrms 600伏 70毫安 600μA（典型值） 是的 200V/微秒 3毫安 -
TLP266J(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J(TPL,E 0.9000
询价
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 TLP 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP266 1 所在晶闸管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 1.27V 30毫安 3750Vrms 600伏 70毫安 600μA（典型值） 是的 200V/微秒 10毫安 30微秒
TLP781F(D4FUNBLL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4FUNBLL,F -
询价
 ECAD 3703 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.400英寸，10.16毫米） TLP781F 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP781F（D4FUNBLLF） EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 200%@5mA 400% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP2630(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2630(TP1,F) -
询价
 ECAD 9395 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 过时的 TLP2630 - 1（无限制） 264-TLP2630(TP1F)TR EAR99 8541.49.8000 1,500人
TLP121(TA-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121(TA-TPR,F) -
询价
 ECAD 4831 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SMD（4端口），鸥翼式 TLP121 直流 1 晶体管 6-MFSOP，4引脚 - 符合RoHS标准 1（无限制） TLP121(TA-TPRF) EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP388(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP388(国标、英 0.7900
询价
 ECAD 8875 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP388 直流 1 晶体管 6-SO，4导联 下载 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 125 50毫安 2微秒、3微秒 350V 1.25V 50毫安 5000Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP291-4(V4GBTPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291-4(V4GBTPE) 1.0600
询价
 ECAD 4931 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 16-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP291 直流 4 晶体管 16-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.2V 50毫安 2500Vrms 100%@5mA 400% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP127(MAT-M-TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(MAT-M-TPL,F -
询价
 ECAD 8990 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SMD（4端口），鸥翼式 TLP127 直流 1 达林顿 6-MFSOP，4引脚 - 1（无限制） 264-TLP127（MAT-M-TPLFTR） EAR99 8541.49.8000 3,000 150毫安 40μs、15μs 300V 1.15V 50毫安 2500Vrms 1000%@1mA - 50μs、15μs 1.2V
TLP160G(TPL,U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G(TPL,U,F) -
询价
 ECAD 5638 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 过时的 TLP160G - 1（无限制） 264-TLP160G(TPLUF)TR EAR99 8541.49.8000 3,000
TLP626(LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626(LF2,F) -
询价
 ECAD 7360 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 通孔 4-DIP（0.400英寸，10.16毫米） TLP626 交流、 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 264-TLP626(LF2F) EAR99 8541.49.8000 1 50毫安 8微秒，8微秒 55V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@1mA 1200%@1mA 10μs、8μs 400毫伏
TLP2770(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2770(TP,E 2.2400
询价
 ECAD 11 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP2770 直流 1 推拉式、图腾柱式 2.7V～5.5V 6-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 1,500人 10毫安 20MBd 1.3纳秒、1纳秒 1.5V 8毫安 5000Vrms 1/0 20kV/μs 60纳秒, 60纳秒
TLP124(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP124(TPR,F) -
询价
 ECAD 5563 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SMD（4端口），鸥翼式 TLP124 直流 1 晶体管 6-MFSOP，4引脚 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 8微秒，8微秒 80V 1.15V 50毫安 3750Vrms 100%@1mA 1200%@1mA 10μs、8μs 400毫伏
TLP160J(V4T7TLUC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160J(V4T7TLUC,F -
询价
 ECAD 6563 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 过时的 TLP160 - 1（无限制） 264-TLP160J(V4T7TLUCFTR) EAR99 8541.49.8000 3,000
TLP385(D4-GRH,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(D4-GRH,E 0.5400
询价
 ECAD 5312 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP385 直流 1 晶体管 6-SO，4导联 下载 符合RoHS标准 1（无限制） TLP385(D4-GRHE) EAR99 8541.49.8000 125 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 5000Vrms 100%@5mA 300% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP160J(V4OM5TRUCF Toshiba Semiconductor and Storage TLP160J(V4OM5TRUCF) -
询价
 ECAD 5428 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 过时的 TLP160J - 1（无限制） 264-TLP160J(V4OM5TRUCFTR) EAR99 8541.49.8000 3,000
TLP290(BLL-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP290(BLL-TP,E) -
询价
 ECAD 2482 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP290 交流、 直流 1 晶体管 4-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 2,500人 50毫安 4微秒、7微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 200%@5mA 400% @ 5mA 7微秒, 7微秒 300毫伏
TLP719(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719(D4-TP,F) -
询价
 ECAD 7485 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.268英寸，6.80毫米宽） 直流 1 晶体管 6-SDIP鸥翼 - 264-TLP719(D4-TPF) EAR99 8541.49.8000 1 8毫安 - 20V 1.65V 25毫安 5000Vrms 20%@16mA - 800ns、800ns（顶部） -
TLP292-4(LA-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(LA-TP,E 1.7900
询价
 ECAD 1266 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 16-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP292 交流、 直流 4 晶体管 16-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 50%@500μA 600%@500μA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP781(D4GRL-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4GRL-LF6,F -
询价
 ECAD 8041 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SMD，鸥翼式 TLP781 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1（无限制） 264-TLP781(D4GRL-LF6F) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 200%@5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP525GF Toshiba Semiconductor and Storage TLP525GF 1.1600
询价
 ECAD 29 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40℃～100℃ 通孔 4-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP525 尿道 1 所在晶闸管 4-DIP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） TLP525G(女) EAR99 8541.49.8000 100 1.15V 50毫安 2500Vrms 400V 100毫安 200μA（典型值） 不 200V/微秒 10毫安 -
TLP2366(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2366(TPR,E 0.4841
询价
 ECAD 第1284章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP2366 直流 1 推拉式、图腾柱式 2.7V～5.5V 6-SO，5铅 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 10毫安 20MBd 15纳秒，15纳秒 1.61V 25毫安 3750Vrms 1/0 20kV/μs 40纳秒, 40纳秒
TLP388(D4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP388(D4-TPL,E 0.7900
询价
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP388 直流 1 晶体管 6-SO，4导联 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 350V 1.25V 50毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP2348(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2348(E 1.1200
询价
 ECAD 75 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP2348 直流 1 推拉式、图腾柱式 4.5V～30V 6-SO，5铅 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） 264-TLP2348（E） EAR99 8541.49.8000 125 50毫安 10Mbps 3纳秒、3纳秒 1.55V 15毫安 3750Vrms 1/0 30kV/μs 120纳秒, 120纳秒
TLP290(TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP290(TP,SE 0.5100
询价
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP290 交流、 直流 1 晶体管 4-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 2,500人 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP385(BLL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(BLL,E 0.5500
询价
 ECAD 第1556章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP385 直流 1 晶体管 6-SO，4导联 下载 符合RoHS标准 1（无限制） TLP385(BLLE EAR99 8541.49.8000 125 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 5000Vrms 200%@5mA 400% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP2368(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2368(中) 1.7500
询价
 ECAD 第322章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP2368 直流 1 集电极开路 2.7V～5.5V 6-SO，5铅 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 125 25毫安 20MBd 30纳秒、30纳秒 1.55V 25毫安 3750Vrms 1/0 20kV/μs 60纳秒, 60纳秒
TLP385(GRH-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(GRH-TPL,E 0.5600
询价
 ECAD 8469 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP385 直流 1 晶体管 6-SO，4导联 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 5000Vrms 150% @ 5mA 300% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP185(TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(TPL,SE 0.6000
询价
 ECAD 9189 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP185 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP130(GB-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP130(GB-TPR,F) -
询价
 ECAD 9661 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），5引脚 TLP130 交流、 直流 1 带基极晶体管 6-MFSOP，5引脚 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP630(TA,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP630(TA,F) -
询价
 ECAD 4822 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 通孔 6-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP630 交流、 直流 1 带基极晶体管 6-DIP 下载 264-TLP630(TAF) EAR99 8541.49.8000 1 50毫安 2微秒、3微秒 55V 1.15V 60毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

询价列表 (0 项)
购物车列表 (0 件)
Wishlist愿望清单 (0 件)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

数量：1

比较列表 (0 项)
按 Enter 进行搜索或按 ESC 关闭