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光隔离器(1738)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 霓机构 通道数 输出类型 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 电流 - 输出/通道 数据速率 上升/下降T（典型值） 电压 - 输出（最大） 电压 - 正向 (Vf)（典型值） 当前 - 直流正向 (If)（最大） 电压-隔离 电压 - 关闭状态 电流 - 通态 (It (RMS))（峰值） 电流 - 保持 (Ih) 输入 - 侧 1/侧 2 共模瞬态抗扰度（最小） 传播延迟 tpLH / tpHL（峰值） 电流传输率比（最小） 电流传输率比（最大） 打开/关闭T（典型值） Vce 渗透度（最大） 过零电路 静态 dV/dt（简单） 电流 - LED 故障 (Ift)（最大） 开启T
TLP785(D4GB-F6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(D4GB-F6,F -
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 ECAD 5280 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP785 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP785(D4GB-F6F EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP2301(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2301(TPL,E 0.6000
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 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP2301 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 - 40V 1.25V 50毫安 3750Vrms 50%@1mA 600%@1mA - 300毫伏
TLP750(D4-O-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750(D4-O-TP1,F) -
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 ECAD 5978 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP750 - 1（无限制） 264-TLP750(D4-O-TP1F) EAR99 8541.49.8000 1,500人
TLP5772(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772(D4,E 2.4500
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 ECAD 4839 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP5772 直流 1 推拉式、图腾柱式 10V～30V 6-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） TLP5772（D4E） EAR99 8541.49.8000 125 - 15纳秒、8纳秒 1.65V 8毫安 5000Vrms 1/0 35kV/μs 150纳秒, 150纳秒
TLP2200(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2200(LF1,F) -
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 ECAD 4746 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP2200 - 1（无限制） 264-TLP2200(LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP768J(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP768J(S、C、F) -
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 ECAD 7613 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - - - TLP768 - - - - 符合RoHS标准 1（无限制） TLP768J(SCF) EAR99 8541.49.8000 50 - - - - - -
TLP714F(4HWTP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP714F(4HWTP,F -
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 ECAD 7589 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.268英寸，6.80毫米宽） TLP714 直流 1 集电极开路 4.5V～30V 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP714F(4HWTPF) EAR99 8541.49.8000 1 15毫安 1Mbps - 1.55V 20毫安 5000Vrms 1/0 20kV/μs 550纳秒、400纳秒
TLP183(Y,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(Y,E 0.5100
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 ECAD 20 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP183 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） TLP183(叶 EAR99 8541.49.8000 125 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 150% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP265J(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J(V4-TPL,E 0.8400
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 ECAD 2042 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP265 CQC、cUR、UR、VDE 1 所在晶闸管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 1.27V 50毫安 3750Vrms 600伏 70毫安 1mA（典型值） 不 500V/μs（典型值） 10毫安 20微秒
TLP2348(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2348(E 1.1200
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 ECAD 75 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP2348 直流 1 推拉式、图腾柱式 4.5V～30V 6-SO，5铅 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） 264-TLP2348（E） EAR99 8541.49.8000 125 50毫安 10Mbps 3纳秒、3纳秒 1.55V 15毫安 3750Vrms 1/0 30kV/μs 120纳秒, 120纳秒
TLP620-4(D4GB-F1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-4(D4GB-F1,F -
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 ECAD 4840 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 通孔 16-DIP（0.300英寸，7.62毫米） 交流、 直流 4 晶体管 16-DIP 下载 264-TLP620-4(D4GB-F1F EAR99 8541.49.8000 1 50毫安 2微秒、3微秒 55V 1.15V 50毫安 5000Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP785(YH,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(YH,F -
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 ECAD 8103 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP785 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP785(YHF EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP2958(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2958(女) -
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 ECAD 3778 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～125℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） 直流 1 推拉式、图腾柱式 3V～20V 8-DIP 下载 264-TLP2958(女) EAR99 8541.49.8000 1 25毫安 5Mbps 15纳秒、10纳秒 1.55V 25毫安 5000Vrms 1/0 20kV/μs 250纳秒, 250纳秒
TLP3073(TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3073(TP1,F 2.0100
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 ECAD 2537 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SMD（5坐标），鸥翼式 TLP3073 CQC、cUR、UR 1 所在晶闸管 6-SO，5铅 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 1,500人 1.15V 50毫安 5000Vrms 800V 100毫安 1mA（典型值） 不 2kV/μs（典型值） 5毫安 -
TLP754(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP754(D4,F) -
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 ECAD 8939 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～125℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） 直流 1 集电极开路，肖特基钳位 4.5V～30V 8-DIP 下载 264-TLP754(D4F) EAR99 8541.49.8000 1 15毫安 1Mbps - 1.55V 20毫安 5000Vrms 1/0 20kV/μs 550纳秒、400纳秒
TLP785F(BL-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(BL-LF7,F -
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 ECAD 7849 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.400英寸，10.16毫米） TLP785 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP785F(BL-LF7F) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 200%@5mA 400% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP785F(GRL-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(GRL-T7,F -
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 ECAD 8075 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.400英寸，10.16毫米） TLP785 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP785F(GRL-T7FTR) EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 200%@5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP2631(MBS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2631(MBS,F) -
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 ECAD 第1475章 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP2631 - 1（无限制） 264-TLP2631（MBSF） EAR99 8541.49.8000 50
TLP9148J(ND-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9148J(ND-TL,F) -
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 ECAD 第2452章 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9148J(ND-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP785F(LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(LF7,F -
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 ECAD 9999 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SMD，鸥翼式 TLP785 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1（无限制） 264-TLP785F(LF7F) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP627-4(HITOMK,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP627-4(HITOMK,F) -
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 ECAD 2239 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP627 - 1（无限制） 264-TLP627-4(HITOMKF) EAR99 8541.49.8000 25
TLP785(Y-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(Y-LF6,F -
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 ECAD 6945 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP785 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP785(Y-LF6F) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP185(GRH-TR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GRH-TR,SE -
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 ECAD 1163 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP185 直流 1 带基极晶体管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） TLP185(GRH-TRSE) EAR99 8541.49.8000 2,500人 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 150% @ 5mA 300% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP2745(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2745(E -
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 ECAD 9400 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP2745 直流 1 推拉式、图腾柱式 4.5V～30V 6-SO - 1（无限制） 264-TLP2745（E） EAR99 8541.49.8000 125 50毫安 - 3纳秒、3纳秒 1.55V 15毫安 5000Vrms 1/0 30kV/μs 120纳秒, 120纳秒
TLP628M(GB-LF1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M(GB-LF1,E 0.9200
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 ECAD 5464 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 4-SMD（0.300英寸，7.62毫米） TLP628 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 5.5μs、10μs 350V 1.25V 50毫安 5000Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 10μs, 10μs 400毫伏
TLP293-4(4LGBTRE Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4(4LGBTRE 1.6300
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 ECAD 1661 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 16-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP293 直流 4 晶体管 16-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@500μA 600%@500μA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP781F(D4-Y-FD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4-Y-FD,F) -
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 ECAD 5912 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.400英寸，10.16毫米） TLP781F 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP781F(D4-Y-FDF) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP630(GB-FANUC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP630(GB-发那科、F) -
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 ECAD 7207 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 通孔 6-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP630 交流、 直流 1 带基极晶体管 6-DIP 下载 264-TLP630(GB-发那科) EAR99 8541.49.8000 1 50毫安 2微秒、3微秒 55V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP732(D4GRH-TP5,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP732(D4GRH-TP5,F -
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 ECAD 9844 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP732 - 1（无限制） 264-TLP732(D4GRH-TP5F) EAR99 8541.49.8000 1,500人
TLP550(Y-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550(Y-LF1,F) -
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 ECAD 4671 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP550 - 1（无限制） 264-TLP550(Y-LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
  • Daily average RFQ Volume

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    30,000,000

    标准产品单位

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    全球制造商

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