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晶体管，光伏输出光溶剂（，11252）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 频道数量 输出类型 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出 /通道 上升 /秋季t （典型） 电压-输出（最大） 电压 -向前（ -vf）（类型） （dc 向前（如果）（）（（最大）） 电压 -隔离 （（（） （（（） 打开 /关闭t ty（typ） （VCE 饱和度（最大）
TLP632(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP632（Y，F） -
RFQ
 ECAD 2810 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP632 - （1 （无限） 264-tlp632（yf） Ear99 8541.49.8000 50
MOC8106300 Fairchild Semiconductor MOC8106300 0.0900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Fairchild半导体 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm） DC 1 晶体管 六点 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 1,000 50mA 1µs，2µs 70V 1.15V 100 ma 5300vrms 50％ @ 10mA 150％ @ 10mA 2µs，3µs 400mv
VOA300-FG-X007T Vishay Semiconductor Opto Division VOA300-FG-X007T -
RFQ
 ECAD 5421 0.00000000 Vishay半导体光电部 汽车，AEC-Q102 大部分 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 8-SMD，鸥翼 VOA300 DC 3 光伏，线性化 8-SMD 下载 751-VOA300-FG-X007T Ear99 8541.49.8000 1,000 - 800NS，800NS - 1.4V 60 ma 5300vrms - - - -
TLP734(M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734 （M，F） -
RFQ
 ECAD 1483 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP734 - （1 （无限） 264-TLP734（MF） Ear99 8541.49.8000 50
TLP781F(D4-YH,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F（d4-yh，f） -
RFQ
 ECAD 5200 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP781F DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP781F（D4-YHF） Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 75 @ @ 5mA 150％ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
EL814S1(TA) Everlight Electronics Co Ltd EL814S1（TA） -
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 ECAD 3718 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 AC，DC 1 晶体管 4-SMD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 - 7µs，11µs 80V 1.2V 60 ma 5000vrm 20％ @ 1ma 300 @ @ 1ma - 200mv
TLP291(GR-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291（gr-tp，e） -
RFQ
 ECAD 7257 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4- 材料（0.179英寸，4.55mm） TLP291 DC 1 晶体管 4-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 4µs，7µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 7µs，7µs 300mv
TLP781F(D4GRT7FD,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp781f（d4grt7fd，f -
RFQ
 ECAD 4341 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP781F DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP781F（d4grt7fdftr Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP759(D4MB3F4,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 （D4MB3F4，J，f -
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 ECAD 6129 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） TLP759 DC 1 晶体管带有基部 8点 下载 264-TLP759（D4MB3F4JF Ear99 8541.49.8000 1 8mA - - 1.65V 25 ma 5000vrm 20％ @ 16mA - - -
TLP628M(LF5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M（lf5，e 0.9100
RFQ
 ECAD 9981 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP628 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 （1 （无限） 264-TLP628M（lf5e Ear99 8541.49.8000 100 50mA 5.5µs，10µs 350V 1.25V 50 mA 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 10µs，10µs 400mv
H11A3 Fairchild Semiconductor H11A3 0.0900
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 ECAD 3666 0.00000000 Fairchild半导体 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm） DC 1 晶体管带有基部 六点 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 25 - - 80V 1.2V 60 ma 5000vrm 20％ @ 10mA - 3µs，3µs 400mv
TLP785F(D4TEET7F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F（d4teet7f -
RFQ
 ECAD 5501 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP785F（d4teet7ftr Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP127(SONY-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 sony-tpl，f） -
RFQ
 ECAD 5109 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP127 DC 1 达灵顿 6-MFSOP，4领先 - （1 （无限） 264-TLP127（Sony-TPLF）Tr Ear99 8541.49.8000 3,000 150mA 40µs，15µs 300V 1.15V 50 mA 2500vrms 1000％ @ 1ma - 50µs，15µs 1.2V
TLP626(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626（lf5，f） -
RFQ
 ECAD 2264 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP626 AC，DC 1 晶体管 4点 下载 264-TLP626（LF5F） Ear99 8541.49.8000 1 50mA 8µs，8µs 55V 1.15V 60 ma 5000vrm 100％ @ 1ma 1200 @ @ 1mA 10µs，8µs 400mv
LTV-814-A Lite-On Inc. LTV-814-A 0.1695
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 ECAD 7539 0.00000000 Lite-On Inc. LTV-8X4 管子 积极的 -50°C〜110°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） LTV-814 AC，DC 1 晶体管 4点 下载 rohs3符合条件 160-LTV-814-A Ear99 8541.49.8000 100 50mA 4µs，3µs 35V 1.2V 50 mA 5000vrm 20％ @ 1ma 300 @ @ 1ma - 200mv
TLP785(D4-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785（d4-lf6，f -
RFQ
 ECAD 5826 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP785（d4-lf6f Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP750(NEMIC-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP750（necial-lf2，f -
RFQ
 ECAD 4421 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP750 - （1 （无限） 264-TLP750（nepic-LF2F Ear99 8541.49.8000 50
RF-817M*-*-C Refond RF -817M * - * - C 0.3100
RFQ
 ECAD 5634 0.00000000 改进 - 管子 积极的 通过洞 4点 - rohs3符合条件 （1 （无限） 4784 -RF -817M * - * - C 100 5000vrm
TLP734F(D4-C173,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734F（d4-C173，f） -
RFQ
 ECAD 6004 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP734 - （1 （无限） 264-TLP734F（D4-C173F） Ear99 8541.49.8000 50
TLP785(BLL-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp785（bll-lf6，f -
RFQ
 ECAD 2699 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP785 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 （1 （无限） 264-TLP785（bll-lf6f Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 200％ @ 5mA 400 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
SFH6156-2T-LB Vishay Semiconductor Opto Division SFH6156-2T-LB -
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 ECAD 5939 0.00000000 Vishay半导体光电部 SFH6156 大部分 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 DC 1 晶体管 4-SMD - 到达不受影响 751-SFH6156-2T-LB Ear99 8541.49.8000 1,000 50mA 3µs，14µs 70V 1.25V 60 ma 5300vrms 63 @ @ 10mA 125 @ @ 10mA 4.2µs，23µs 400mv
TLP630(GB-FANUC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP630（gb-fanuc，f） -
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 ECAD 7207 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm） TLP630 AC，DC 1 晶体管带有基部 六点 下载 264-TLP630（GB-FANUCF） Ear99 8541.49.8000 1 50mA 2µs，3µs 55V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
CNY17F-4X Isocom Components 2004 LTD CNY17F-4X 0.5700
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 ECAD 1 0.00000000 Isocom组件2004 Ltd - 管子 积极的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm） CNY17 DC 1 晶体管 六点 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 65 50mA 2µs，2µs 70V 1.2V 60 ma 5300vrms 160 @ @ 10mA 320％ @ 10mA 3µs，2.3µs 400mv
TLP750(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750（d4-tp1，f） -
RFQ
 ECAD 8800 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP750 - （1 （无限） 264-TLP750（D4-TP1F） Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP127(CANO-U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127（cano-u，f） -
RFQ
 ECAD 6413 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP127 DC 1 达灵顿 6-MFSOP，4领先 - （1 （无限） 264-tlp127（uno-uf） Ear99 8541.49.8000 1 150mA 40µs，15µs 300V 1.15V 50 mA 2500vrms 1000％ @ 1ma - 50µs，15µs 1.2V
4N28X Isocom Components 2004 LTD 4N28X 0.5700
RFQ
 ECAD 3664 0.00000000 Isocom组件2004 Ltd - 管子 积极的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm） DC 1 晶体管带有基部 六点 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 65 50mA 2µs，2µs 30V 1.2V 60 ma 5300vrms 10％ @ 10mA - - 500mv
TLP750(D4-O-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750（D4-O-TP1，F） -
RFQ
 ECAD 5978 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP750 - （1 （无限） 264-TLP750（D4-O-TP1F） Ear99 8541.49.8000 1,500
CNY17F4300 Fairchild Semiconductor CNY17F4300 0.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild半导体 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm） DC 1 晶体管 六点 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 1,000 50mA 1µs，2µs 70V 1.35V 100 ma 5300vrms 160 @ @ 10mA 320％ @ 10mA 2µs，3µs 300mv
TLP552(MAT,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP552（垫，F） -
RFQ
 ECAD 3433 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP552 - （1 （无限） 264-TLP552（MATF） Ear99 8541.49.8000 50
ISP817DXSMT/R Isocom Components 2004 LTD ISP817DXSMT/r 0.5100
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 ECAD 12 0.00000000 Isocom组件2004 Ltd - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -30°C〜100°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 ISP817 DC 1 晶体管 - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 1,000 50mA 4µs，3µs 80V 1.2V 50 mA 5300vrms 300 @ @ 5mA 600 @ 5mA - 200mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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