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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 批准机构 频道数量 输出类型 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出 /通道 上升 /秋季t (典型) 电压 -输出(最大) 电压 -向前( -vf)(类型) (dc 向前(如果)()((最大)) 电压 -隔离 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) 电流 -保持( ih) ((() ((() 打开 /关闭t ty(typ) (VCE 饱和度(最大) 零越过电路 DV/DT (最小) 电流-LED(IFT)(IFT)) t
NTE3084 NTE Electronics, Inc NTE3084 2.5200
RFQ
ECAD 14 0.00000000 NTE Electronics,Inc - 积极的 - 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) DC 1 达灵顿 6浸 下载 rohs3符合条件 2368-NTE3084 Ear99 8541.49.8000 1 - - - 1.5v (最大) 7500VPK 100 @ @ 10mA - - 1V
NTE3092 NTE Electronics, Inc NTE3092 4.9200
RFQ
ECAD 49 0.00000000 NTE Electronics,Inc - 积极的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) DC 1 晶体管带有基部 8点 下载 rohs3符合条件 2368-NTE3092 Ear99 8541.49.8000 1 8mA - 15V 1.65V 25 ma - 19% @ 16mA - 500NS,200NS -
NTE3221 NTE Electronics, Inc NTE3221 3.4800
RFQ
ECAD 152 0.00000000 NTE Electronics,Inc - 积极的 -30°C〜100°C 通过洞 16 浸(0.300英寸,7.62mm) DC 4 晶体管 16二滴 下载 rohs3符合条件 2368-NTE3221 Ear99 8541.49.8000 1 50mA 4µs,3µs 35V 1.2V 50 mA 5000vrm 50% @ 5mA - - 200mv
NTE3083 NTE Electronics, Inc NTE3083 3.5500
RFQ
ECAD 127 0.00000000 NTE Electronics,Inc - 积极的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) DC 1 晶体管 6浸 下载 rohs3符合条件 2368-NTE3083 Ear99 8541.49.8000 1 125mA 80µs,80µs 30V 1.15V 60 ma 3550VDC 200 @ @ 10mA - 200µs,400µs 1.2V
NTE3097 NTE Electronics, Inc NTE3097 5.6300
RFQ
ECAD 42 0.00000000 NTE Electronics,Inc - 积极的 -40°C〜85°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) NTE30 - 1 TRIAC 6浸 下载 rohs3符合条件 2368-NTE3097 Ear99 8541.49.8000 1 1.5v (最大) 60 ma 7500VPK 400 v 100µA 是的 2KV/µS典型(典型) 15mA -
NTE3085 NTE Electronics, Inc NTE3085 6.1000
RFQ
ECAD 431 0.00000000 NTE Electronics,Inc - 积极的 -40°C〜100°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) DC 1 MOSFET 6浸 下载 rohs3符合条件 2368-NTE3085 Ear99 8541.49.8000 1 - - - 1.3V 60 ma 7500VPK - - 25µs,25µs -
FODM3021R3V Fairchild Semiconductor FODM3021R3V -
RFQ
ECAD 8923 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 FODM30 BSI,CSA,UL,VDE 1 TRIAC 4-SMD 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 ma 3750vrms 400 v 70 MA 300µA() 10V/µs ty(typ) 15mA -
4N31SD Fairchild Semiconductor 4N31SD -
RFQ
ECAD 5136 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD,鸥翼 DC 1 达灵顿与基地 6-SMD 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 2,000 150mA - 30V 1.2V 80 ma 5300vrms 50% @ 10mA - 5µs,40µs (最大) 1.2V
MOC8111 Fairchild Semiconductor MOC8111 0.0900
RFQ
ECAD 75 0.00000000 Fairchild半导体 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) DC 1 晶体管 6浸 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 2,000 - 2µs,11µs 70V 1.3V 90 MA 5300vrms 20% @ 10mA - 3µs,18µs 400mv
MCT5201 Fairchild Semiconductor MCT5201 -
RFQ
ECAD 9015 0.00000000 Fairchild半导体 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) DC 1 晶体管带有基部 6浸 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 381 150mA 2.5µs,16µs 30V 1.25V 50 mA 5300vrms 120% @ 5mA - 3µs,12µs 400mv
CNY17F4S Fairchild Semiconductor CNY17F4S 0.2000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Fairchild半导体 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD,鸥翼 DC 1 晶体管 6-SMD 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 1,480 50mA 1µs,2µs 70V 1.35V 100 ma 5300vrms 160 @ @ 10mA 320% @ 10mA 2µs,3µs 300mv
MOC208R2M Fairchild Semiconductor MOC208R2M 0.1700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) DC 1 晶体管带有基部 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 2,500 150mA 3.2µs,4.7µs 70V 1.15V 60 ma 2500vrms 40% @ 10mA 125 @ @ 10mA 7.5µs,5.7µs 400mv
MOC8102W Fairchild Semiconductor MOC8102W -
RFQ
ECAD 5226 0.00000000 Fairchild半导体 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP(0.400英寸,10.16毫米) DC 1 晶体管 6浸 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 1,000 50mA 1µs,2µs 30V 1.15V 100 ma 5300vrms 73 @ @ 10mA 117 @ @ 10mA 2µs,3µs 400mv
MOCD208R2VM Fairchild Semiconductor MOCD208R2VM 0.4800
RFQ
ECAD 7354 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) DC 2 晶体管 8-SOIC - rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 2,500 150mA 3.2µs,4.7µs 70V 1.25V 60 ma 2500vrms 40% @ 10mA 125 @ @ 10mA 7.5µs,5.7µs 400mv
MOC3021 Texas Instruments MOC3021 0.2700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Texas Instruments - 管子 过时的 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) MOC302 1 TRIAC 6浸 下载 Rohs不合规 Ear99 8541.49.8000 50 50 mA 5300vrms 400 v 100µA 15mA
FODM3062 Fairchild Semiconductor FODM3062 0.7600
RFQ
ECAD 6597 0.00000000 Fairchild半导体 - 盒子 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 FODM30 Cul,Ul 1 TRIAC 4-SMD 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 21 1.5v (最大) 60 ma 3750vrms 600 v 70 MA 300µA() 是的 600V/µs 10mA -
CNY171 Fairchild Semiconductor CNY171 -
RFQ
ECAD 3015 0.00000000 Fairchild半导体 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) DC 1 晶体管带有基部 6浸 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 1,000 50mA 1µs,2µs 70V 1.35V 100 ma 5300vrms 40% @ 10mA 80% @ 10mA 2µs,3µs 300mv
MOC3021FM Fairchild Semiconductor MOC3021FM 0.3300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Fairchild半导体 - 管子 过时的 - 表面安装 6-SMD,鸥翼 MOC302 - 1 TRIAC 6-SMD 下载 不适用 Ear99 8541.49.8000 1,000 - 60 ma 7500VPK 400 v 100µA((100µA) - 15mA -
TLP127(MAT-M-TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (MAT-M-TPL,f -
RFQ
ECAD 8990 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD(4个铅),鸥翼 TLP127 DC 1 达灵顿 6-MFSOP,4领先 - (1 (无限) 264-TLP127(MAT-M-TPLFTR Ear99 8541.49.8000 3,000 150mA 40µs,15µs 300V 1.15V 50 mA 2500vrms 1000% @ 1ma - 50µs,15µs 1.2V
TLP127(TOKUD-TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp127(tokud-tpl,f -
RFQ
ECAD 2831 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD(4个铅),鸥翼 TLP127 DC 1 达灵顿 6-MFSOP,4领先 - (1 (无限) 264-TLP127(tokud-tplftr Ear99 8541.49.8000 3,000 150mA 40µs,15µs 300V 1.15V 50 mA 2500vrms 1000% @ 1ma - 50µs,15µs 1.2V
TLP127(SONY-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 sony-tpl,f) -
RFQ
ECAD 5109 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD(4个铅),鸥翼 TLP127 DC 1 达灵顿 6-MFSOP,4领先 - (1 (无限) 264-TLP127(Sony-TPLF)Tr Ear99 8541.49.8000 3,000 150mA 40µs,15µs 300V 1.15V 50 mA 2500vrms 1000% @ 1ma - 50µs,15µs 1.2V
TLP127(CANO-U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(cano-u,f) -
RFQ
ECAD 6413 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD(4个铅),鸥翼 TLP127 DC 1 达灵顿 6-MFSOP,4领先 - (1 (无限) 264-tlp127(uno-uf) Ear99 8541.49.8000 1 150mA 40µs,15µs 300V 1.15V 50 mA 2500vrms 1000% @ 1ma - 50µs,15µs 1.2V
TLP127(NS-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 ns-tpl,f) -
RFQ
ECAD 2554 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD(4个铅),鸥翼 TLP127 DC 1 达灵顿 6-MFSOP,4领先 - (1 (无限) 264-TLP127(NS-TPLF)TR Ear99 8541.49.8000 3,000 150mA 40µs,15µs 300V 1.15V 50 mA 2500vrms 1000% @ 1ma - 50µs,15µs 1.2V
03062 Vicor Corporation 03062 -
RFQ
ECAD 7107 0.00000000 Vicor Corporation * 大部分 过时的 - 不适用 1102-03062 过时的 1
FOD617B3S Fairchild Semiconductor FOD617B3S -
RFQ
ECAD 7358 0.00000000 Fairchild半导体 - 盒子 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 300 50mA 4µs,3µs 70V 1.35V 50 mA 5000vrm 63 @ @ 10mA 125 @ @ 10mA - 400mv
H11B3 Fairchild Semiconductor H11B3 0.1000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Fairchild半导体 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) DC 1 达灵顿与基地 6浸 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 2,000 - - 55V 1.2V 60 ma 5000vrm 100% @ 1ma - 25µs,18µs 1V
CNY17F13SD Fairchild Semiconductor CNY17F13SD 0.2200
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD,鸥翼 DC 1 晶体管 6-SMD 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 1,000 50mA 1µs,2µs 70V 1.35V 100 ma 5300vrms 40% @ 10mA 80% @ 10mA 2µs,3µs 300mv
CNY173 Fairchild Semiconductor CNY173 0.1900
RFQ
ECAD 1639年 0.00000000 Fairchild半导体 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) DC 1 晶体管带有基部 6浸 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 300 50mA 1µs,2µs 70V 1.35V 100 ma 5300vrms 100 @ @ 10mA 200 @ @ 10mA 2µs,3µs 300mv
FOD817CW Fairchild Semiconductor FOD817CW 0.1000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Fairchild半导体 - 盒子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸( 0.400英寸,10.16毫米) DC 1 晶体管 4点 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 4µs,3µs 70V 1.2V 50 mA 5000vrm 200% @ 5mA 400 @ @ 5mA - 200mv
FODM3021R2 Fairchild Semiconductor FODM3021R2 0.4000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 FODM30 BSI,CSA,UL 1 TRIAC 4-SMD 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 2,500 1.2V 60 ma 3750vrms 400 v 70 MA 300µA() 10V/µs ty(typ) 15mA -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库