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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 霓机构 | 通道数 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 当前-产出高、低 | 当前 - 高峰 | 上升/下降T(典型值) | 电压 - 正向 (Vf)(典型值) | 当前 - 直流正向 (If)(最大) | 电压-隔离 | 共模瞬态抗扰度(最小) | 传播延迟 tpLH / tpHL(峰值) | 脉冲宽度失真(最大) | 电压 - 输出电源 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SI82391BB-AS1R | 3.6900 | ![]() | 1314 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 2A(4周) | 863-SI82391BB-AS1RTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 2A、4A | 4A | 12ns、12ns(顶部) | - | 2500Vrms | 35kV/μs | - | 5.6纳秒 | 6.5V~24V | |||||
![]() | UCC23511DWYR | 0.8600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | UCC23511 | 电容耦合器 | CQC、UL、VDE | 1 | 6-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 850 | 1.5A、2A | 2A、1.5A | 28纳秒、25纳秒 | 2.1V | 16毫安 | 5700Vrms | 150kV/μs | 105纳秒, 105纳秒 | 35纳秒 | 14V~33V | ||
![]() | SI823H8CD-IS3 | 7.1900 | ![]() | 56 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 硅823Hx | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | SI823 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 1 | 14-SOIC | 下载 | 3(168小时) | EAR99 | 8542.39.0001 | 46 | 4A, 4A | 6A | 12ns、12ns(顶部) | - | 5000Vrms | 125kV/μs | 30纳秒、30纳秒 | 5纳秒 | 5.5V~30V | |||||
![]() | PS9308L2-AX | 2.0610 | ![]() | 4326 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 条 | 不适合新设计 | -40℃~110℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) | PS9308 | 光耦合器 | CSA、SEMKO、UL | 1 | 6-SDIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 559-1621 | EAR99 | 8541.49.8000 | 20 | 1.5A、1.5A | 2A | 50纳秒, 50纳秒 | 1.56V | 25毫安 | 5000Vrms | 25kV/微秒 | 250纳秒, 250纳秒 | 100纳秒 | 15V~30V | |
![]() | PS9331L-E3-AX | 5.1900 | ![]() | 3978 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) | PS9331 | 光耦合器 | CSA、SEMKO、UL | 1 | 6-SDIP鸥翼 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 2A, 2A | 2.5A | 40纳秒, 40纳秒 | 1.56V | 25毫安 | 5000Vrms | 50kV/μs | 175纳秒, 175纳秒 | 75纳秒 | 15V~30V | ||
![]() | PS9505L2-AX | - | ![]() | 3929 | 0.00000000 | 西尔 | - | 大部分 | SIC停产 | -40℃~110℃ | 表面贴装 | 8-SMD,鸥翼式 | 光耦合器 | CSA、SEMKO、UL | 1 | 8-DIP鸥翼型 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | PS9505L2AX | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 2A, 2A | 2.5A | 50纳秒, 50纳秒 | 1.56V | 25毫安 | 5000Vrms | 25kV/微秒 | 250纳秒, 250纳秒 | 100纳秒 | 15V~30V | ||
![]() | IS314P | 1.9500 | ![]() | 511 | 0.00000000 | Isocom组件2004有限公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~105℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) | IS314 | 光耦合器 | 1 | 6-SO 牵引 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 800毫安,800毫安 | 1A | 35纳秒, 35纳秒 | 1.37V | 25毫安 | 5000Vrms | 20kV/微秒 | 200纳秒、200纳秒 | 70纳秒 | 10V~30V | |||
| TLP5214A(D4,E | 7.6200 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 的积极 | -40℃~110℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | TLP5214 | 光耦合器 | CSA、cUL、UL、VDE | 1 | 16-SO | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 4A, 4A | 4A | 32纳秒、18纳秒 | 1.7V | 25毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 150纳秒, 150纳秒 | 50纳秒 | 15V~30V | |||||
![]() | SI823H5BB-IM1R | 4.0650 | ![]() | 4369 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 硅823Hx | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-偏氟苯 | SI823 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 14-QFN (5x5) | 下载 | 3(168小时) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 4A, 4A | 6A | 12ns、12ns(顶部) | - | 2500Vrms | 125kV/μs | 30纳秒、30纳秒 | 5纳秒 | 5.5V~30V | |||||
![]() | TLP701H(GEHC,F) | - | ![]() | 第1375章 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 最后一次购买 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) | 光耦合器 | CSA、cUL、UL、VDE | 2 | 6-SDIP | 下载 | 1 | 400毫安、400毫安 | 200毫安 | 50纳秒, 50纳秒 | 1.57V | 25毫安 | 5000Vrms | 20kV/微秒 | 700纳秒, 700纳秒 | 500纳秒 | 10V~30V | ||||||||
| TLP5752(D4,E | 2.5900 | ![]() | 19 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 的积极 | -40℃~110℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | TLP5752 | 光耦合器 | CQC、CSA、cUL、UL、VDE | 1 | 6-SO | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 2.5A、2.5A | 2.5A | 15纳秒、8纳秒 | 1.55V | 20毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 150纳秒, 150纳秒 | 50纳秒 | 15V~30V | ||||
![]() | FOD3150SDV | - | ![]() | 2973 | 0.00000000 | 仙童 | - | 大部分 | 的积极 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 8-SMD,鸥翼式 | 光耦合器 | 国际电工委员会、美国UL | 1 | 8贴片 | 下载 | EAR99 | 8541.49.8000 | 第322章 | 1A、1A | 1.5A | 60纳秒, 60纳秒 | 1.5V | 25毫安 | 5000Vrms | 20kV/微秒 | 500纳秒、500纳秒 | 300纳秒 | 15V~30V | ||||||
![]() | SI82398BD4-IS3R | 3.6300 | ![]() | 4383 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | SI82398 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UR、VDE | 2 | 14-SOIC | 下载 | 符合RoHS标准 | 336-SI82398BD4-IS3RTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,250人 | 2A、4A | 4A | 12ns、12ns(顶部) | - | 3250Vrms | 35kV/μs | 135纳秒、95纳秒 | 5.6纳秒 | 10V~24V | ||||
![]() | SI8275GBD-AS1R | 3.3045 | ![]() | 8137 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车、AEC-Q100、SI827x | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | SI8275 | 射频连接器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 2A(4周) | 863-SI8275GBD-AS1RTR | 2,500人 | 1.8A、4A | 4A | 10.5纳秒、13.3纳秒 | - | 2500Vrms | 200kV/μs | 75纳秒, 75纳秒 | 8纳秒 | 4.2V~30V | ||||||
![]() | PSDM-00O9-0001 | - | ![]() | 1307 | 0.00000000 | 舒尔特公司 | * | 大部分 | 过时的 | - | 符合ROHS3标准 | 供应商未定义 | REACH 不出行 | EAR99 | 8536.30.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | PS9332L2-V-E3-AX | 4.1400 | ![]() | 1511 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 8-SOIC(0.268英寸,6.81毫米宽) | PS9332 | 光耦合器 | CSA、SEMKO、UL、VDE | 1 | 8-SDIP鸥翼 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 1.5A、1.5A | 2A | 17纳秒, 17纳秒 | 1.56V | 25毫安 | 5000Vrms | 50kV/μs | 200纳秒、200纳秒 | 75纳秒 | 15V~30V | ||
![]() | FOD8480V | - | ![]() | 4583 | 0.00000000 | onsemi | - | 管子 | 的积极 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) | FOD8480 | 光耦合器 | IEC/EN/DIN、UL、VDE | 1 | 6-SOP | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 488-FOD8480V | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 2.5毫安、2.5毫安 | - | 15纳秒、10纳秒 | 1.4V | 20毫安 | 5000Vrms | 20kV/微秒 | 300纳秒、300纳秒 | 250纳秒 | 4.5V~30V | |
![]() | STGAP2SICSTR | 3.1900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 意法半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 8-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | STGAP2 | 电容耦合器 | UL | 1 | 8-SO | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1,000 | 4A, 4A | 4A | 30纳秒、30纳秒 | - | 5000Vrms | 100V/纳秒 | 90纳秒, 90纳秒 | 20纳秒 | 3V~5.5V | |||||
![]() | SI8281DC-ISR | 4.3223 | ![]() | 8900 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 20-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 1 | 20-SOIC | 下载 | 3(168小时) | 863-SI8281DC-ISRTR | 1,250人 | 2A、4.1A | 4A | 5.5纳秒、8.5纳秒 | - | 5000Vrms | 125kV/μs | 50纳秒, 50纳秒 | 5纳秒 | 14V~30V | |||||||
![]() | TLP5774H(TP,E | 2.5100 | ![]() | 第975章 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | TLP5774 | 电容耦合器 | CQC、CSA、cUL、UL、VDE | 1 | 6-SO | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | 4A, 4A | 4A | 56纳秒、25纳秒 | 1.65V | 8毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 150纳秒, 150纳秒 | 50纳秒 | 10V~30V | ||||
![]() | SI8232BB-D-IS1 | 4.1300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | SI8232 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UR、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 2A(4周) | EAR99 | 8542.39.0001 | 48 | 250毫安、500毫安 | 500毫安 | 20ns、20ns(顶部) | - | 2500Vrms | 20kV/微秒 | 60纳秒, 60纳秒 | 5.6纳秒 | 9.4V~24V | |||||
![]() | TLP701(GEHC,F) | - | ![]() | 4621 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) | TLP701 | 光耦合器 | CSA、cUL、UL、VDE | 1 | 6-SDIP鸥翼 | 下载 | 264-TLP701(GEHCF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 600毫安,600毫安 | 600毫安 | 50纳秒, 50纳秒 | 1.55V | 20毫安 | 5000Vrms | 10kV/微秒 | 700纳秒, 700纳秒 | - | 10V~30V | ||||
![]() | HCPL-5151-100 | 147.9181 | ![]() | 9234 | 0.00000000 | 博通有限公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55℃~125℃ | 表面贴装 | 8-SMD对接 | HCPL-5151 | 光耦合器 | - | 1 | 8-DIP 对接接头 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 500毫安,500毫安 | 600毫安 | 100纳秒,100纳秒 | 1.5V | 25毫安 | 1500VDC | 10kV/微秒 | 500纳秒、500纳秒 | 300纳秒 | 15V~30V | ||
![]() | HCPL-5121-300 | 157.9338 | ![]() | 4946 | 0.00000000 | 博通有限公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55℃~125℃ | 表面贴装 | 8-CSMD,鸥翼 | HCPL-5121 | 光耦合器 | - | 1 | 8-DIP鸥翼型 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 2A, 2A | 2.5A | 100纳秒,100纳秒 | 1.5V | 25毫安 | 1500VDC | 10kV/微秒 | 500纳秒、500纳秒 | 300纳秒 | 15V~30V | ||
![]() | SI8238BB-D-YS1 | 4.4769 | ![]() | 1180 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 硅823Hx | 管子 | 不适合新设计 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 16-SOIC | - | 符合ROHS3标准 | 2A(4周) | 863-SI8238BB-D-YS1 | 48 | 2A、4A | 4A | 12ns、12ns(顶部) | - | 2500Vrms | 20kV/微秒 | 45纳秒, 45纳秒 | 5.6纳秒 | 6.5V~24V | ||||||
![]() | SI82395AD-ASR | 4.5450 | ![]() | 3499 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 2A(4周) | 863-SI82395AD-ASRTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,250人 | 2A、4A | 4A | 12ns、12ns(顶部) | - | 2500Vrms | 35kV/μs | 135纳秒、95纳秒 | 5.6纳秒 | 6.5V~24V | |||||
![]() | HCPL-3140#500 | - | ![]() | 1824年 | 0.00000000 | 博通有限公司 | - | 卷带式 (TR) | SIC停产 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 8-SMD,鸥翼式 | 光耦合器 | 南航、乌拉圭 | 1 | 8-DIP鸥翼型 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 400毫安、400毫安 | 600毫安 | 50纳秒, 50纳秒 | 1.5V | 25毫安 | 3750Vrms | 25kV/微秒 | 700纳秒, 700纳秒 | - | 10V~30V | |||
![]() | TLP352F(D4-TP4,S) | - | ![]() | 6364 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 卷带式 (TR) | 过时的 | TLP352F | - | 1(无限制) | 264-TLP352F(D4-TP4S)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | ||||||||||||||||||||
![]() | HCPL-5150-100 | 129.9880 | ![]() | 4229 | 0.00000000 | 博通有限公司 | - | 管子 | 的积极 | -55℃~125℃ | 表面贴装 | 8-SMD对接 | HCPL-5150 | 光耦合器 | - | 1 | 8-DIP 对接接头 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 500毫安,500毫安 | 600毫安 | 100纳秒,100纳秒 | 1.5V | 25毫安 | 1500VDC | 10kV/微秒 | 500纳秒、500纳秒 | 300纳秒 | 15V~30V | ||
![]() | SI8283BC-ISR | 8.7800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 24-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | SI8283 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 1 | 24-SOIC | 下载 | 3(168小时) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,250人 | 2.5A、3A | 4A | 5.5纳秒、8.5纳秒 | - | 5000Vrms | 35kV/μs | 50纳秒, 50纳秒 | 5纳秒 | 2.8V~5.5V |

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