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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 霓机构 | 通道数 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 当前-产出高、低 | 当前 - 高峰 | 上升/下降T(典型值) | 电压 - 正向 (Vf)(典型值) | 当前 - 直流正向 (If)(最大) | 电压-隔离 | 共模瞬态抗扰度(最小) | 传播延迟 tpLH / tpHL(峰值) | 脉冲宽度失真(最大) | 电压 - 输出电源 | 年级 | 资质 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SI82521CB-AM1 | 6.2737 | ![]() | 3245 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 硅8252x | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-偏氟苯 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 1 | 14-DFN (5x5) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 6(标签上的T) | 863-SI82521CB-AM1 | 60 | 4A, 4A | 4A、6A | 12ns、12ns(顶部) | - | 2500Vrms | 125kV/μs | 30纳秒、30纳秒 | 5.6纳秒 | 5.5V~30V | 汽车 | AEC-Q100 | ||||||
![]() | SI823H8CB-IS1R | 3.9000 | ![]() | 5469 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | SI823 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 3(168小时) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 4A, 4A | 6A | 12纳秒, 12纳秒 | - | 2500Vrms | 125kV/μs | 30纳秒、58纳秒 | 5纳秒 | 5.5V~30V | |||||||
![]() | PS9402-AX | 15.7863 | ![]() | 8282 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 大部分 | 不适合新设计 | -40℃~110℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | PS9402 | 光耦合器 | 加拿大标准协会、美国UL | 1 | 16-SSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 10 | 2A, 2A | 2.5A | 50纳秒, 50纳秒 | 1.56V | 25毫安 | 5000Vrms | 25kV/微秒 | 200纳秒、200纳秒 | 100纳秒 | 15V~30V | ||||
![]() | SI8275ABD-AM1 | 4.2582 | ![]() | 5315 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车、AEC-Q100、SI827x | 托盘 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-偏氟苯 | SI8275 | 射频连接器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 14-DFN (5x5) | 下载 | 2(1年) | 863-SI8275ABD-AM1 | 第490章 | 1.8A、4A | 4A | 10.5纳秒、13.3纳秒 | - | 2500Vrms | 200kV/μs | 75纳秒, 75纳秒 | 8纳秒 | 4.2V~30V | ||||||||
![]() | SI8283ED-AS | 9.5866 | ![]() | 9105 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 24-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 1 | 24-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | 863-SI8283ED-AS | 32 | 2A、4.1A | 4A | 5.5纳秒、8.5纳秒 | - | 5000Vrms | 125kV/μs | 50纳秒, 50纳秒 | 5纳秒 | 16V~30V | ||||||||
![]() | NCV57530DWKR2G | 4.8200 | ![]() | 4530 | 0.00000000 | onsemi | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽),14个引脚 | 电容耦合器 | VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 6.5A、6.5A | 6.5A | 12纳秒、10纳秒 | - | 5000Vrms | 100kV/μs | 90纳秒, 90纳秒 | 20纳秒 | 32V | ||||||
![]() | SI8261BAA-C-IS | - | ![]() | 1873年 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | - | - | SI8261 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UR、VDE | 1 | - | - | 3(168小时) | EAR99 | 8542.39.0001 | 96 | 500毫安,1.2安 | 4A | 5.5纳秒、8.5纳秒 | 2.8V(最大) | 30毫安 | - | 35kV/μs | 60纳秒、50纳秒 | 10ns(典型值) | 6.3V~30V | ||||||
![]() | ACPL-K342-060E | 1.7371 | ![]() | 2322 | 0.00000000 | 博通有限公司 | - | 管子 | 的积极 | -40℃~105℃ | 表面贴装 | 8-SOIC(0.268英寸,6.81毫米宽) | ACPL-K342 | 光耦合器 | CSA、IEC/EN/DIN、UR | 1 | 8-SO 牵引 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 80 | 2A, 2A | 2.5A | 22纳秒、18纳秒 | 1.55V | 25毫安 | 5000Vrms | 25kV/微秒 | 350纳秒、250纳秒 | - | 15V~30V | ||||
![]() | SI8282DC-ISR | 4.3223 | ![]() | 3707 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 20-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 1 | 20-SOIC | 下载 | 3(168小时) | 863-SI8282DC-ISRTR | 1,250人 | 2A、4.1A | 4A | 5.5纳秒、8.5纳秒 | - | 5000Vrms | 125kV/μs | 50纳秒, 50纳秒 | 5纳秒 | 14V~30V | |||||||||
![]() | FOD8333V | 1.0000 | ![]() | 3829 | 0.00000000 | 仙童 | - | 大部分 | 的积极 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | 光耦合器 | IEC/EN/DIN、UL | 1 | 16-SO | 下载 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 2.5A、2.5A | 3A | 50纳秒, 50纳秒 | 1.45V | 25毫安 | 4243Vrms | 35kV/μs | 250纳秒, 250纳秒 | 100纳秒 | 3V~15V | ||||||||
![]() | TLP523(SHRP-MA,F) | - | ![]() | 8785 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP523 | - | 1(无限制) | 264-TLP523(SHRP-MAF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||
![]() | FOD3120SD | 2.6800 | ![]() | 8554 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 8-SMD,鸥翼式 | FOD3120 | 光耦合器 | UL | 1 | 8贴片 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 2A, 2A | 3A | 60纳秒, 60纳秒 | 1.5V | 25毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 400纳秒, 400纳秒 | 100纳秒 | 15V~30V | ||||
| TLP5751(D4-TP,E | 0.9707 | ![]() | 4574 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~110℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | TLP5751 | 光耦合器 | CQC、CSA、cUL、UL、VDE | 1 | 6-SO | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | 1A、1A | 1A | 15纳秒、8纳秒 | 1.55V | 20毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 150纳秒, 150纳秒 | 50纳秒 | 15V~30V | ||||||
![]() | ACNW3430-300E | 3.1067 | ![]() | 2400 | 0.00000000 | 博通有限公司 | - | 管子 | 的积极 | -40℃~105℃ | 表面贴装 | 8-SMD,鸥翼式 | ACNW3430 | 光耦合器 | CSA、IEC/EN/DIN、UR | 1 | 8-SMD鸥翼 | 下载 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 42 | 4A, 4A | 5A | 20纳秒、10纳秒 | 1.45V | 25毫安 | 5000Vrms | 100kV/μs | 150纳秒, 150纳秒 | 80纳秒 | 15V~30V | ||||||
![]() | SI8261ABC-C-IP | 3.0290 | ![]() | 2607 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 8-SMD,鸥翼式 | SI8261 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UR、VDE | 1 | 8-DIP鸥翼型 | 下载 | 3(168小时) | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | 400毫安、600毫安 | 600毫安 | 5.5纳秒、8.5纳秒 | 2.8V(最大) | 30毫安 | 3750Vrms | 35kV/μs | 60纳秒、50纳秒 | 28纳秒 | 9.4V~30V | ||||||
![]() | SI823H7BB-AS1R | 4.2673 | ![]() | 5777 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 2A(4周) | 863-SI823H7BB-AS1RTR | 2,500人 | 4A, 4A | 6A | 12ns、12ns(顶部) | - | 2500Vrms | 125kV/μs | 30纳秒、30纳秒 | 5纳秒 | 5.5V~30V | |||||||||
![]() | SI82521CD-IS3R | 3.9814 | ![]() | 5504 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | * | 卷带式 (TR) | 的积极 | SI82521 | - | 3(168小时) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,250人 | |||||||||||||||||||||||
![]() | SI8233BB-D-IS1 | 5.3800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | SI8233 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UR、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 2A(4周) | 336-3066 | EAR99 | 8542.39.0001 | 48 | 2A、4A | 4A | 12ns、12ns(顶部) | - | 2500Vrms | 20kV/微秒 | 60纳秒, 60纳秒 | 5.6纳秒 | 9.4V~24V | ||||||
![]() | NCP51561DADWR2G | 4.0700 | ![]() | 815 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | 电容耦合器 | CQC、UL、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 9A、4.5A | 4.5A、9A | 11纳秒、10纳秒 | - | 5000Vrms | 200V/纳秒 | 58纳秒, 58纳秒 | 5纳秒 | 18.5V~30V | ||||||
![]() | SI82394AD4-IS3R | 3.6300 | ![]() | 4714 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | SI82394 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UR、VDE | 2 | 14-SOIC | 下载 | 符合RoHS标准 | 336-SI82394AD4-IS3RTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,250人 | 2A、4A | 4A | 12ns、12ns(顶部) | - | 3250Vrms | 35kV/μs | 135纳秒、95纳秒 | 5.6纳秒 | 6.5V~24V | ||||||
![]() | SI823H6CD-IS3R | 4.2750 | ![]() | 9394 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 硅823Hx | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | SI823 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 14-SOIC | 下载 | 3(168小时) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,250人 | 4A, 4A | 6A | 12ns、12ns(顶部) | - | 5000Vrms | 125kV/μs | 30纳秒、30纳秒 | 5纳秒 | 5.5V~30V | |||||||
![]() | UCC21540DWR | 0.8017 | ![]() | 4046 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | UCC21540 | 电容耦合器 | CQC、UL、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | REACH 不出行 | 296-UCC21540DWRTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 4A、6A | 4A、6A | 5纳秒、6纳秒 | - | 5700Vrms | 100V/纳秒 | 40纳秒, 40纳秒 | 5.5纳秒 | 9.2V~18V | ||||
![]() | VO3150A-X007T | 3.0500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay 半导体光电部门 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~110℃ | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | VO3150 | 光耦合器 | 实际情况, 实际情况 | 1 | 8-DIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 500毫安,500毫安 | 500毫安 | 100纳秒,100纳秒 | 1.3V | 25毫安 | 5300Vrms | 25kV/微秒 | 400纳秒, 400纳秒 | 200纳秒 | 15V~32V | |||||
| PS9332L-AX | 10.4700 | ![]() | 360 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 条 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 8-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) | PS9332L | 光耦合器 | CSA、UL、VDE | 1 | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 20 | 1.5A、1.5A | 2A | 17纳秒, 17纳秒 | 1.56V | 25毫安 | 5000Vrms | 50kV/μs | 200纳秒、200纳秒 | 75纳秒 | 15V~30V | |||||
![]() | TLP352(TP1,S) | - | ![]() | 1790 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 卷带式 (TR) | 过时的 | TLP352 | - | 1(无限制) | 264-TLP352(TP1S)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1EDC20I12MHXUMA1 | 3.6900 | ![]() | 第748章 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | EiceDriver™ | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | 1EDC20 | 磁力耦合器 | 1 | PG-DSO-8-59 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | 10纳秒、9纳秒 | - | 2500Vrms | - | - | 13V~35V | ||||||||
| SI82391CD-IS | 5.7717 | ![]() | 4203 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | SI82391 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UR、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 2A(4周) | 336-3381-5 | EAR99 | 8542.39.0001 | 46 | 2A、4A | 4A | 12ns、12ns(顶部) | - | 5000Vrms | 35kV/μs | 40纳秒, 40纳秒 | 5.6纳秒 | 12.8V~24V | |||||||
![]() | UCC21755QDWRQ1 | 6.8700 | ![]() | 810 | 0.00000000 | Texas Instruments | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | UCC21755 | 电容耦合器 | UL、德国电气协会 | 1 | 16-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 10A、10A | 10A | 33纳秒、27纳秒 | - | 5700Vrms | 150V/纳秒 | 130纳秒, 130纳秒 | 30纳秒 | 13V~33V | |||||
![]() | SI8286BD-AS | 4.2724 | ![]() | 2175 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | SI8286 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UR、VDE | 1 | 16-SOIC | 下载 | 3(168小时) | 863-SI8286BD-AS | 46 | 2A、4.1A | 4A | 5.5纳秒、8.5纳秒 | - | 5000Vrms | 125kV/μs | 50纳秒, 50纳秒 | 5纳秒 | 10V~30V | ||||||||
![]() | ADUM4221-2ARIZ-RL | 8.2700 | ![]() | 2927 | 0.00000000 | 模拟器件公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | ADUM4221 | 磁力耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | 4A | 25纳秒, 25纳秒 | - | 5700Vrms | 150kV/μs | 33纳秒、44纳秒 | 16纳秒 | 4.5V~35V |

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