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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 霓机构 | 通道数 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 当前-产出高、低 | 当前 - 高峰 | 上升/下降T(典型值) | 电压 - 正向 (Vf)(典型值) | 当前 - 直流正向 (If)(最大) | 电压隔离 | 共模瞬态抗扰度(最小) | 传播延迟 tpLH / tpHL(峰值) | 脉冲宽度失真(最大) | 电压 - 输出电源 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SI82391CD-AS | 6.5841 | ![]() | 3323 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 2A(4周) | 863-SI82391CD-AS | EAR99 | 8542.39.0001 | 46 | 2A、4A | 4A | 12ns、12ns(顶部) | - | 2500Vrms | 35kV/μs | - | 5.6纳秒 | 6.5V~24V | |||||
![]() | SI8261AAD-C-ISR | 2.1112 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | SI8261 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UR、VDE | 1 | 6-SDIP鸥翼 | 下载 | 3(168小时) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 400毫安、600毫安 | 600毫安 | 5.5纳秒、8.5纳秒 | 2.8V(最大) | 30毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 60纳秒、50纳秒 | 28纳秒 | 6.5V~30V | ||||
| TLP5751(D4-TP,E | 0.9707 | ![]() | 4574 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~110℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | TLP5751 | 光耦合器 | CQC、CSA、cUL、UL、VDE | 1 | 6-SO | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | 1A、1A | 1A | 15纳秒、8纳秒 | 1.55V | 20毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 150纳秒, 150纳秒 | 50纳秒 | 15V~30V | ||||
![]() | TLP523(SHRP-MA,F) | - | ![]() | 8785 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP523 | - | 1(无限制) | 264-TLP523(SHRP-MAF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||
![]() | FOD3120SD | 2.6800 | ![]() | 8554 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 8-SMD,鸥翼式 | FOD3120 | 光耦合器 | UL | 1 | 8贴片 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 2A, 2A | 3A | 60纳秒, 60纳秒 | 1.5V | 25毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 400纳秒, 400纳秒 | 100纳秒 | 15V~30V | ||
![]() | SI8274GB4D-IMR | - | ![]() | 5687 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 硅827x | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-VFLGA | SI8274 | 射频连接器 | CQC、CSA、UR、VDE | 2 | 14-LGA (5x5) | 下载 | 3(168小时) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 1.8A、4A | 4A | 10.5纳秒、13.3纳秒 | - | 2500Vrms | 200kV/μs | 105纳秒、75纳秒 | 47纳秒 | 4.2V~30V | |||||
![]() | SI823H7BB-AS1R | 4.2673 | ![]() | 5777 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 2A(4周) | 863-SI823H7BB-AS1RTR | 2,500人 | 4A, 4A | 6A | 12ns、12ns(顶部) | - | 2500Vrms | 125kV/μs | 30纳秒、30纳秒 | 5纳秒 | 5.5V~30V | |||||||
![]() | SI8233BB-D-IS1 | 5.3800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | SI8233 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UR、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 2A(4周) | 336-3066 | EAR99 | 8542.39.0001 | 48 | 2A、4A | 4A | 12ns、12ns(顶部) | - | 2500Vrms | 20kV/μs | 60纳秒, 60纳秒 | 5.6纳秒 | 9.4V~24V | ||||
![]() | ACNW3430-300E | 3.1067 | ![]() | 2400 | 0.00000000 | 博通有限公司 | - | 管子 | 的积极 | -40℃~105℃ | 表面贴装 | 8-SMD,鸥翼式 | ACNW3430 | 光耦合器 | CSA、IEC/EN/DIN、UR | 1 | 8-SMD鸥翼 | 下载 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 42 | 4A, 4A | 5A | 20纳秒、10纳秒 | 1.45V | 25毫安 | 5000Vrms | 100kV/μs | 150纳秒, 150纳秒 | 80纳秒 | 15V~30V | ||||
![]() | SI8261ABC-C-IP | 3.0290 | ![]() | 2607 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 8-SMD,鸥翼式 | SI8261 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UR、VDE | 1 | 8-DIP鸥翼型 | 下载 | 3(168小时) | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | 400毫安、600毫安 | 600毫安 | 5.5纳秒、8.5纳秒 | 2.8V(最大) | 30毫安 | 3750Vrms | 35kV/μs | 60纳秒、50纳秒 | 28纳秒 | 9.4V~30V | ||||
![]() | FDA215 | 4.0400 | ![]() | 100 | 0.00000000 | IXYS集成电路事业部 | - | 管子 | 的积极 | -40℃~85℃ | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | FDA21 | 光耦合器 | EN、IEC、TUV | 2 | 8-DIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | - | - | - | 1.2V | 100毫安 | 3750Vrms | - | 5毫秒,5毫秒 | - | - | ||
![]() | NCP51561DADWR2G | 4.0700 | ![]() | 815 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | 电容耦合器 | CQC、UL、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 9A、4.5A | 4.5A、9A | 11纳秒、10纳秒 | - | 5000Vrms | 200V/纳秒 | 58纳秒, 58纳秒 | 5纳秒 | 18.5V~30V | ||||
![]() | SI82521CD-IS3R | 3.9814 | ![]() | 5504 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | * | 卷带式 (TR) | 的积极 | SI82521 | - | 3(168小时) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,250人 | |||||||||||||||||||||
![]() | FOD8334R2 | 8.6500 | ![]() | 3362 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | FOD8334 | 光耦合器 | UL | 1 | 16-SO | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 750 | 3A、3A | 4A | 50纳秒, 50纳秒 | 1.45V | 25毫安 | 4243Vrms | 35kV/μs | 250纳秒, 250纳秒 | 100纳秒 | 3V~15V | ||
![]() | TLP523-4(F) | - | ![]() | 7813 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP523 | - | 1(无限制) | 264-TLP523-4(F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||
![]() | SI8283CC-IS | 7.3481 | ![]() | 8202 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 24-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | SI8283 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 1 | 24-SOIC | 下载 | 3(168小时) | 336-5071 | EAR99 | 8542.39.0001 | 32 | 2.5A、3A | 4A | 5.5纳秒、8.5纳秒 | - | 5000Vrms | 35kV/μs | 50纳秒, 50纳秒 | 5纳秒 | 2.8V~5.5V | ||||
![]() | ACPL-W341-500E | 3.2200 | ![]() | 4119 | 0.00000000 | 博通有限公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~105℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) | ACPL-W341 | 光耦合器 | 南航、乌拉圭 | 1 | 6-SO 牵引 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 2.5A、2.5A | 3A | 43纳秒、40纳秒 | 1.55V | 25毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 200纳秒、200纳秒 | 70纳秒 | 15V~30V | ||
| FOD3180TV | 3.2300 | ![]() | 985 | 0.00000000 | onsemi | - | 管子 | 的积极 | -40℃~100℃ | 通孔 | 8-DIP(0.400英寸,10.16毫米) | FOD3180 | 光耦合器 | cUL、UL、VDE | 1 | 8-MDIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 2A, 2A | 2.5A | 75纳秒、55纳秒 | 1.43V | 25毫安 | 5000Vrms | 15kV/微秒 | 200纳秒、200纳秒 | 65纳秒 | 10V~20V | |||
![]() | HCPL-3140-560E | 1.1708 | ![]() | 5678 | 0.00000000 | 博通有限公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 8-SMD,鸥翼式 | HCPL-3140 | 光耦合器 | CSA、IEC/EN/DIN、UR | 1 | 8-DIP鸥翼型 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 400毫安、400毫安 | 600毫安 | 50纳秒, 50纳秒 | 1.5V | 25毫安 | 3750Vrms | 25kV/微秒 | 700纳秒, 700纳秒 | - | 10V~30V | ||
![]() | PS9306L2-AX | - | ![]() | 2681 | 0.00000000 | 西尔 | - | 大部分 | SIC停产 | -40℃~110℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) | 光耦合器 | CSA、SEMKO、UL | 1 | 6-SDIP鸥翼 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | PS9306L2AX | EAR99 | 8541.49.8000 | 20 | 400毫安、400毫安 | 600毫安 | 50纳秒, 50纳秒 | 1.56V | 25毫安 | 5000Vrms | 25kV/微秒 | 400纳秒, 400纳秒 | 250纳秒 | 10V~30V | ||
![]() | SI82391AB-IS1R | 2.9550 | ![]() | 2455 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | SI82391 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UR、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 2A(4周) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 2A、4A | 4A | 12ns、12ns(顶部) | - | 2500Vrms | 35kV/μs | 40纳秒, 40纳秒 | 5.6纳秒 | 6.5V~24V | |||||
![]() | SI8273BB-IS1R | 5.2700 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 硅827x | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | SI8273 | 射频连接器 | CQC、CSA、UR、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 2A(4周) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 1.8A、4A | 4A | 10.5纳秒、13.3纳秒 | - | 2500Vrms | 200kV/μs | 75纳秒, 75纳秒 | 8纳秒 | 9.6V~30V | |||||
![]() | STGAP2单片机 | 1.2036 | ![]() | 9515 | 0.00000000 | 意法半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | STGAP2 | 磁力耦合器 | - | 1 | 8-SO | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 4A, 4A | - | 30纳秒、30纳秒 | - | 1700VDC | 100V/纳秒 | 100纳秒,100纳秒 | 20纳秒 | 3V~5.5V | |||
| TLP5212(TP,E | 5.4900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~110℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | TLP5212 | 光耦合器 | CQC、CSA、cUL、UL、VDE | 1 | 16-SO | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | 2A, 2A | 2.5A | 57纳秒、56纳秒 | 1.67V | 25毫安 | 5000Vrms | 25kV/微秒 | 250纳秒, 250纳秒 | 50纳秒 | 15V~30V | |||||
![]() | UCC21530BQDWKRQ1 | 3.2220 | ![]() | 5304 | 0.00000000 | Texas Instruments | 汽车、AEC-Q100、功能安全(FuSa) | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | UCC21530 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 14-SOIC | - | 不适用 | 3(168小时) | 296-UCC21530BQDWKRQ1TR | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 4A、6A | 4A、6A | 6纳秒、7纳秒 | - | 5700Vrms | 100V/纳秒 | 30纳秒、30纳秒 | 6纳秒 | 14.7V~25V | |||
| TLP5751(E | 2.3800 | ![]() | 64 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 的积极 | -40℃~110℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | TLP5751 | 光耦合器 | CQC、CSA、cUL、UL | 1 | 6-SO | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 1A、1A | 1A | 15纳秒、8纳秒 | 1.55V | 20毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 150纳秒, 150纳秒 | 50纳秒 | 15V~30V | ||||
![]() | UCC21542ADWKR | 4.4500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | UCC21542 | 电容耦合器 | CQC、UL、VDE | 2 | 14-SOIC | 下载 | 不适用 | 2(1年) | 296-UCC21542ADWKRTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 4A、6A | 4A | 5纳秒、6纳秒 | - | 1.85kV有效值 | 100V/纳秒 | 40纳秒, 40纳秒 | 5.5纳秒 | 6V~18V | |||
![]() | SI823H5AD-IS3R | 4.2750 | ![]() | 2600 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 硅823Hx | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | SI823 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 14-SOIC | 下载 | 3(168小时) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,250人 | 4A, 4A | 6A | 12ns、12ns(顶部) | - | 5000Vrms | 125kV/μs | 30纳秒、30纳秒 | 5纳秒 | 5.5V~30V | |||||
![]() | SI82391CB-AS1R | 3.6900 | ![]() | 4210 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 2A(4周) | 863-SI82391CB-AS1RTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 2A、4A | 4A | 12ns、12ns(顶部) | - | 2500Vrms | 35kV/μs | - | 5.6纳秒 | 6.5V~24V | |||||
![]() | UCC5350MCDR | 2.0900 | ![]() | 2176 | 0.00000000 | Texas Instruments | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | UCC5350 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UR、VDE | 1 | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 5A、5A | - | 10纳秒,10纳秒 | - | 3000Vrms | 100kV/μs | 65纳秒, 65纳秒 | 20纳秒 | 13.2V~33V |

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