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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 霓机构 | 通道数 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 当前-产出高、低 | 当前 - 高峰 | 上升/下降T(典型值) | 电压 - 正向 (Vf)(典型值) | 当前 - 直流正向 (If)(最大) | 电压-隔离 | 共模瞬态抗扰度(最小) | 传播延迟 tpLH / tpHL(峰值) | 脉冲宽度失真(最大) | 电压 - 输出电源 | 年级 | 资质 | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | SI8235BD-D-IS3R | 4.1400 |  | 4549 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | SI8235 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UR、VDE | 2 | 14-SOIC | 下载 | 3(168小时) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,250人 | 2A、4A | 4A | 12纳秒, 12纳秒 | - | 5000Vrms | 45kV/μs | 60纳秒, 60纳秒 | 5.6纳秒 | 6.5V~24V | |||||||
|  | SI823H3CB-AM1R | 4.4511 |  | 8362 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-偏氟苯 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 14-QFN (5x5) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | 863-SI823H3CB-AM1RTR | 2,500人 | 4A, 4A | 6A | 12ns、12ns(顶部) | - | 2500Vrms | 125kV/μs | 116纳秒, 116纳秒 | 5纳秒 | 5.5V~30V | ||||||||
|  | SI8235BB-AM1 | 4.0551 |  | 7461 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-偏氟苯 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 14-QFN (5x5) | 下载 | 2(1年) | 863-SI8235BB-AM1 | EAR99 | 8542.39.0001 | 第490章 | 2A、4A | 4A | 12ns、12ns(顶部) | - | 2500Vrms | 20kV/μs | 45纳秒, 45纳秒 | 5.6纳秒 | 6.5V~24V | |||||||
|  | SI823H2CD-AS3 | 8.5600 |  | 46 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 14-SOIC | 下载 | 3(168小时) | 863-SI823H2CD-AS3 | 46 | 4A, 4A | 6A | 12ns、12ns(顶部) | - | 5000Vrms | 125kV/μs | 30纳秒、30纳秒 | 5纳秒 | 5.5V~30V | |||||||||
|  | TLP705AF(女) | - |  | 4091 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) | TLP705 | 光耦合器 | CSA、cUL、UL、VDE | 1 | 6-SDIP鸥翼 | 下载 | 264-TLP705AF(女) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 600毫安,600毫安 | 600毫安 | 35纳秒、15纳秒 | 1.57V | 25毫安 | 5000Vrms | 20kV/μs | 200纳秒、200纳秒 | 50纳秒 | 10V~30V | ||||||
|  | SI8274GA1D-AM1R | 3.1702 |  | 9946 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-偏氟苯 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 14-DFN (5x5) | - | 2(1年) | 863-SI8274GA1D-AM1RTR | 2,500人 | 1.8A、4A | 4A | 10.5纳秒、13.3纳秒 | - | 1000Vrms | 200kV/μs | 105纳秒、75纳秒 | 47纳秒 | 4.2V~30V | 汽车 | AEC-Q100 | |||||||
| SI82398BD-ISR | 3.4219 |  | 7254 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | SI82398 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UR、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 2A(4周) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,250人 | 2A、4A | 4A | 12ns、12ns(顶部) | - | 5000Vrms | 35kV/μs | 40纳秒, 40纳秒 | 5.6纳秒 | 10V~24V | ||||||||
|  | FOD3181S | - |  | 9458 | 0.00000000 | onsemi | - | 大部分 | 过时的 | -20℃~85℃ | 表面贴装 | 8-SMD,鸥翼式 | 异物检测318 | 光耦合器 | UL、UL | 1 | 8贴片 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 500毫安,500毫安 | 1.5A | 75纳秒、55纳秒 | 1.5V | 25毫安 | 5000Vrms | 10kV/微秒 | 500纳秒、500纳秒 | - | 10V~20V | |||||
|  | SI8273ABD-AM1 | 4.2582 |  | 3272 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车、AEC-Q100、SI827x | 托盘 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-偏氟苯 | SI8273 | 射频连接器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 14-DFN (5x5) | 下载 | 2(1年) | 863-SI8273ABD-AM1 | 第490章 | 1.8A、4A | 4A | 10.5纳秒、13.3纳秒 | - | 2500Vrms | 200kV/μs | 75纳秒, 75纳秒 | 8纳秒 | 4.2V~30V | ||||||||
|  | 1EDI20H12AHXUMA1 | 2.9200 |  | 2333 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | EiceDriver™ | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | 1EDI20 | 磁力耦合器 | 1 | PG-DSO-8-59 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | 10纳秒、9纳秒 | - | - | - | 13V~35V | |||||||||
|  | ADUM4120-1ARIZ | 6.4900 |  | 69 | 0.00000000 | 模拟器件公司 | iCoupler® | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | ADUM4120 | 磁力耦合器 | CSA、UR、VDE | 1 | 6-SOIC-IC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 100 | - | 2.3A | 18纳秒, 18纳秒 | - | 5000Vrms | 150kV/μs | 42纳秒、58纳秒 | 16.5纳秒 | 4.5V~35V | |||||
|  | FOD3150V | 0.7900 |  | 1 | 0.00000000 | 仙童 | - | 大部分 | 的积极 | -40℃~100℃ | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | 光耦合器 | 国际电工委员会、美国UL | 1 | 8-DIP | 下载 | EAR99 | 8541.49.8000 | 第378章 | 1A、1A | 1.5A | 60纳秒, 60纳秒 | 1.5V | 25毫安 | 5000Vrms | 20kV/μs | 500纳秒、500纳秒 | 300纳秒 | 15V~30V | ||||||||
|  | SI823H7AB-IS1 | 5.6498 |  | 5500 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | - | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | SI823 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 3(168小时) | EAR99 | 8542.39.0001 | 48 | 4A, 4A | 6A | 12纳秒, 12纳秒 | - | 2500Vrms | 125kV/μs | 30纳秒、58纳秒 | 5纳秒 | 5.5V~30V | |||||||
|  | SI823H3BB-AM1R | 4.4511 |  | 1928年 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-偏氟苯 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 14-QFN (5x5) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | 863-SI823H3BB-AM1RTR | 2,500人 | 4A, 4A | 6A | 12ns、12ns(顶部) | - | 2500Vrms | 125kV/μs | 116纳秒, 116纳秒 | 5纳秒 | 5.5V~30V | ||||||||
|  | SI82398BD4-ASR | 4.5450 |  | 7572 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 2A(4周) | 863-SI82398BD4-ASRTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,250人 | 2A、4A | 4A | 12ns、12ns(顶部) | - | 2500Vrms | 35kV/μs | 135纳秒、95纳秒 | 5.6纳秒 | 6.5V~24V | |||||||
|  | PS9531L2-V-AX | 3.9200 |  | 910 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 8-SMD,鸥翼式 | PS9531 | 光耦合器 | CSA、SEMKO、UL、VDE | 1 | 8贴片 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 2A, 2A | 2.5A | 40纳秒, 40纳秒 | 1.56V | 25毫安 | 5000Vrms | 50kV/μs | 175纳秒, 175纳秒 | 75纳秒 | 15V~30V | ||||
|  | SI8261ABA-C-ISR | - |  | 3340 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | - | - | SI8261 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UR、VDE | 1 | - | - | 3(168小时) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 500毫安,1.2安 | 600毫安 | 5.5纳秒、8.5纳秒 | 2.8V(最大) | 30毫安 | - | 35kV/μs | 60纳秒、50纳秒 | 10ns(典型值) | 9.4V~30V | ||||||
|  | SI8233BB-AM | 4.0551 |  | 9214 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-VFLGA | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 14-LGA (5x5) | 下载 | 3(168小时) | 863-SI8233BB-AM | EAR99 | 8542.39.0001 | 第490章 | 2A、4A | 4A | 12ns、12ns(顶部) | - | 2500Vrms | 20kV/μs | 45纳秒, 45纳秒 | 5.6纳秒 | 6.5V~24V | |||||||
|  | SI8261AAD-C-ISR | 2.1112 |  | 1 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | SI8261 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UR、VDE | 1 | 6-SDIP鸥翼 | 下载 | 3(168小时) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 400毫安、600毫安 | 600毫安 | 5.5纳秒、8.5纳秒 | 2.8V(最大) | 30毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 60纳秒、50纳秒 | 28纳秒 | 6.5V~30V | ||||||
| TLP5751(D4-TP,E | 0.9707 |  | 4574 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~110℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | TLP5751 | 光耦合器 | CQC、CSA、cUL、UL、VDE | 1 | 6-SO | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | 1A、1A | 1A | 15纳秒、8纳秒 | 1.55V | 20毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 150纳秒, 150纳秒 | 50纳秒 | 15V~30V | ||||||
|  | TLP523(SHRP-MA,F) | - |  | 8785 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP523 | - | 1(无限制) | 264-TLP523(SHRP-MAF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||
|  | FOD3120SD | 2.6800 |  | 8554 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 8-SMD,鸥翼式 | FOD3120 | 光耦合器 | UL | 1 | 8贴片 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 2A, 2A | 3A | 60纳秒, 60纳秒 | 1.5V | 25毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 400纳秒, 400纳秒 | 100纳秒 | 15V~30V | ||||
|  | SI8274GB4D-IMR | - |  | 5687 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 硅827x | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-VFLGA | SI8274 | 射频连接器 | CQC、CSA、UR、VDE | 2 | 14-LGA (5x5) | 下载 | 3(168小时) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 1.8A、4A | 4A | 10.5纳秒、13.3纳秒 | - | 2500Vrms | 200kV/μs | 105纳秒、75纳秒 | 47纳秒 | 4.2V~30V | |||||||
|  | SI823H7BB-AS1R | 4.2673 |  | 5777 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 2A(4周) | 863-SI823H7BB-AS1RTR | 2,500人 | 4A, 4A | 6A | 12ns、12ns(顶部) | - | 2500Vrms | 125kV/μs | 30纳秒、30纳秒 | 5纳秒 | 5.5V~30V | |||||||||
|  | SI8233BB-D-IS1 | 5.3800 |  | 4 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | SI8233 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UR、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 2A(4周) | 336-3066 | EAR99 | 8542.39.0001 | 48 | 2A、4A | 4A | 12ns、12ns(顶部) | - | 2500Vrms | 20kV/μs | 60纳秒, 60纳秒 | 5.6纳秒 | 9.4V~24V | ||||||
|  | SI8261ABC-C-IP | 3.0290 |  | 2607 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 8-SMD,鸥翼式 | SI8261 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UR、VDE | 1 | 8-DIP鸥翼型 | 下载 | 3(168小时) | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | 400毫安、600毫安 | 600毫安 | 5.5纳秒、8.5纳秒 | 2.8V(最大) | 30毫安 | 3750Vrms | 35kV/μs | 60纳秒、50纳秒 | 28纳秒 | 9.4V~30V | ||||||
|  | FDA215 | 4.0400 |  | 100 | 0.00000000 | IXYS集成电路事业部 | - | 管子 | 的积极 | -40℃~85℃ | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | FDA21 | 光耦合器 | EN、IEC、TUV | 2 | 8-DIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | - | - | - | 1.2V | 100毫安 | 3750Vrms | - | 5毫秒,5毫秒 | - | - | ||||
|  | NCP51561DADWR2G | 4.0700 |  | 815 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | 电容耦合器 | CQC、UL、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 9A、4.5A | 4.5A、9A | 11纳秒、10纳秒 | - | 5000Vrms | 200V/纳秒 | 58纳秒, 58纳秒 | 5纳秒 | 18.5V~30V | ||||||
|  | SI82521CD-IS3R | 3.9814 |  | 5504 | 0.00000000 | Skyworks 解决方案公司 | * | 卷带式 (TR) | 的积极 | SI82521 | - | 3(168小时) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,250人 | |||||||||||||||||||||||
|  | FOD8334R2 | 8.6500 |  | 3362 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | FOD8334 | 光耦合器 | UL | 1 | 16-SO | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 750 | 3A、3A | 4A | 50纳秒, 50纳秒 | 1.45V | 25毫安 | 4243Vrms | 35kV/μs | 250纳秒, 250纳秒 | 100纳秒 | 3V~15V | 

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