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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 霓机构 | 通道数 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 当前-产出高、低 | 当前 - 高峰 | 上升/下降T(典型值) | 电压 - 正向 (Vf)(典型值) | 当前 - 直流正向 (If)(最大) | 电压-隔离 | 共模瞬态抗扰度(最小) | 传播延迟 tpLH / tpHL(峰值) | 脉冲宽度失真(最大) | 电压 - 输出电源 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FOD3184TSR2 | 2.1518 | ![]() | 8929 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 8-SMD,鸥翼式 | 异物检测3184 | 光耦合器 | UL | 1 | 8贴片 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 700 | 2.5A、2.5A | 3A | 38纳秒、24纳秒 | 1.43V | 25毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 210纳秒, 210纳秒 | 65纳秒 | 15V~30V | ||
![]() | SI8232AB-D-IS1R | 2.2050 | ![]() | 2897 | 0.00000000 | Skyworks解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | SI8232 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UR、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 2A(4周) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 250毫安、500毫安 | 500毫安 | 20ns、20ns(顶部) | - | 2500Vrms | 20kV/μs | 60纳秒, 60纳秒 | 5.6纳秒 | 6.5V~24V | |||||
![]() | 1ED3121MU12HXUMA1 | 3.2800 | ![]() | 6049 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | EiceDriver™ | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 8-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | 1ED3121 | 磁力耦合器 | UL | 1 | PG-DSO-8-66 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 5.5A、5.5A | 5.5A | 15纳秒,15纳秒 | - | 1200Vrms | 200kV/μs | - | - | 10V~35V | |||
![]() | SID1181KQ | 8.4700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 电源集成 | 规模-iDriver™ | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-PowerSOIC(0.350英寸,8.89毫米宽),15插座 | SID1181 | 电容耦合器 | CSA、UL、VDE | 1 | eSOP-R16B | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | 1810-SID1181KQ | EAR99 | 8542.39.0001 | 48 | 3.6A、4A | 8A | 465纳秒、460纳秒 | - | 5000Vrms | 50kV/μs | 340纳秒、330纳秒 | - | 22V~28V | |||
![]() | SI823H7AB-AS1R | 4.2673 | ![]() | 2874 | 0.00000000 | Skyworks解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 2A(4周) | 863-SI823H7AB-AS1RTR | 2,500人 | 4A, 4A | 6A | 12ns、12ns(顶部) | - | 2500Vrms | 125kV/μs | 30纳秒、30纳秒 | 5纳秒 | 5.5V~30V | |||||||
![]() | SI8271AB-ISR | 3.9300 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Skyworks解决方案公司 | 硅827x | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | SI8271 | 射频连接器 | CQC、CSA、UR、VDE | 1 | 8-SOIC | 下载 | 2A(4周) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 1.8A、4A | 4A | 10.5纳秒、13.3纳秒 | - | 2500Vrms | 150kV/μs | 60纳秒, 60纳秒 | 8纳秒 | 4.6V~30V | |||||
SI82397AD-IS | 6.8000 | ![]() | 46 | 0.00000000 | Skyworks解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | SI82397 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UR、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 2A(4周) | 336-3391-5 | EAR99 | 8542.39.0001 | 46 | 2A、4A | 4A | 12ns、12ns(顶部) | - | 5000Vrms | 35kV/μs | 40纳秒, 40纳秒 | 5.6纳秒 | 6.5V~24V | |||||
![]() | SI8271ABD-IS | 2.8938 | ![]() | 8286 | 0.00000000 | Skyworks解决方案公司 | 硅827x | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | SI8271 | 射频连接器 | CQC、CSA、UR、VDE | 1 | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2A(4周) | EAR99 | 8541.49.8000 | 96 | 1.8A、4A | 4A | 10.5纳秒、13.3纳秒 | - | 2500Vrms | 150kV/μs | 75纳秒, 75纳秒 | 8纳秒 | 4.6V~30V | ||||
![]() | SI8275GB-IM1 | 6.0100 | ![]() | 第469章 | 0.00000000 | Skyworks解决方案公司 | 硅827x | 托盘 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-偏氟苯 | SI8275 | 射频连接器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 14-QFN (5x5) | 下载 | 2(1年) | 336-5950 | EAR99 | 8542.39.0001 | 第490章 | 1.8A、4A | 4A | 10.5纳秒、13.3纳秒 | - | 2500Vrms | 150kV/μs | 60纳秒, 60纳秒 | 8纳秒 | 4.2V~30V | ||||
![]() | SI8236BA-C-IM | - | ![]() | 1125 | 0.00000000 | Skyworks解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 过时的 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-VFLGA | 电容耦合器 | CQC、CSA、UR、VDE | 2 | 14-LGA (5x5) | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 60 | 2A、4A | 4A | 12ns、12ns(顶部) | - | 1000Vrms | 20kV/μs | 60纳秒, 60纳秒 | 5.6纳秒 | 9.4V~24V | ||||||
![]() | TLP250(发那科、F) | - | ![]() | 第1462章 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP250 | - | 1(无限制) | 264-TLP250(发那科) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||
![]() | SI82398AD-AS3 | 6.5841 | ![]() | 2865 | 0.00000000 | Skyworks解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 14-SOIC | 下载 | 3(168小时) | 863-SI82398AD-AS3 | EAR99 | 8542.39.0001 | 46 | 2A、4A | 4A | 12ns、12ns(顶部) | - | 3250Vrms | 35kV/μs | 135纳秒、95纳秒 | 5.6纳秒 | 6.5V~24V | |||||
![]() | SI8231AB-D-IS1 | 3.5060 | ![]() | 第1562章 | 0.00000000 | Skyworks解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | SI8231 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UR、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 2A(4周) | EAR99 | 8542.39.0001 | 48 | 250毫安、500毫安 | 500毫安 | 20ns、20ns(顶部) | - | 2500Vrms | 20kV/μs | 60纳秒, 60纳秒 | 5.6纳秒 | 6.5V~24V | |||||
ADUM3223CRZ | 7.3000 | ![]() | 950 | 0.00000000 | 模拟器件公司 | iCoupler® | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | ADUM3223 | 磁力耦合器 | CSA、UR、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 48 | - | 4A | 12纳秒, 12纳秒 | - | 3000Vrms | 50kV/μs | 54纳秒, 54纳秒 | - | 11.5V~18V | ||||
![]() | SI82521BB-IM1 | 5.5697 | ![]() | 4794 | 0.00000000 | Skyworks解决方案公司 | 硅8252x | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-偏氟苯 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 1 | 14-DFN (5x5) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | 863-SI82521BB-IM1 | 60 | 4A, 4A | 4A、6A | 12ns、12ns(顶部) | - | 2500Vrms | 125kV/μs | 30纳秒、30纳秒 | 5.6纳秒 | 5.5V~30V | ||||||
![]() | SI823H1AB-AS1R | 4.2673 | ![]() | 2156 | 0.00000000 | Skyworks解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 2A(4周) | 863-SI823H1AB-AS1RTR | 2,500人 | 4A, 4A | 6A | 12ns、12ns(顶部) | - | 2500Vrms | 125kV/μs | 30纳秒、30纳秒 | 5纳秒 | 5.5V~30V | |||||||
![]() | SI82398CD-IS3 | 6.8000 | ![]() | 2911 | 0.00000000 | Skyworks解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | SI82398 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UR、VDE | 2 | 14-SOIC | 下载 | 符合RoHS标准 | 3(168小时) | 336-SI82398CD-IS3 | EAR99 | 8542.39.0001 | 46 | 2A、4A | 4A | 12ns、12ns(顶部) | - | 3250Vrms | 35kV/μs | 55纳秒、40纳秒 | 5.6纳秒 | 12.8V~24V | |||
![]() | SI82390CD-ASR | 4.5450 | ![]() | 6521 | 0.00000000 | Skyworks解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 2A(4周) | 863-SI82390CD-ASRTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,250人 | 2A、4A | 4A | 12ns、12ns(顶部) | - | 2500Vrms | 35kV/μs | - | 5.6纳秒 | 6.5V~24V | |||||
![]() | TPSI3052SQDWZRQ1 | 6.6600 | ![]() | 992 | 0.00000000 | Texas Instruments | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 8-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | 电容耦合器 | UL、德国电气协会 | 1 | 8-SOIC | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 1.5A、3A | 1.5A、3A | - | - | 37毫安 | 5000Vrms | 100V/纳秒 | - | - | 3V~5.5V | |||
![]() | SI8231BB-AS | 4.1737 | ![]() | 6037 | 0.00000000 | Skyworks解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 2A(4周) | 863-SI8231BB-AS | EAR99 | 8542.39.0001 | 46 | 250毫安、500毫安 | 500毫安 | 20ns、20ns(顶部) | - | 2500Vrms | 20kV/μs | 45纳秒, 45纳秒 | 5.6纳秒 | 6.5V~24V | |||||
![]() | SI823H7AD-IS3R | 4.2750 | ![]() | 5955 | 0.00000000 | Skyworks解决方案公司 | 硅823Hx | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | SI823 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 14-SOIC | 下载 | 3(168小时) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,250人 | 4A, 4A | 6A | 12ns、12ns(顶部) | - | 5000Vrms | 125kV/μs | 30纳秒、30纳秒 | 5纳秒 | 5.5V~30V | |||||
![]() | PS9307L-AX | - | ![]() | 第1462章 | 0.00000000 | 西尔 | 尼普奥克 | 大部分 | SIC停产 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) | 光耦合器 | CSA、SEMKO、UL | 1 | 6-SDIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 20 | 400毫安、400毫安 | 600毫安 | 30纳秒、30纳秒 | 1.56V | 25毫安 | 5000Vrms | 50kV/μs | 175纳秒, 175纳秒 | 90纳秒 | 10V~30V | |||
PC928J00000F | - | ![]() | 6138 | 0.00000000 | 夏普微电子 | 海外私人投资公司™ | 管子 | 过时的 | -25℃~80℃ | 表面贴装 | 14-SOIC(0.256英寸,6.50毫米宽) | 光耦合器 | 尿道 | 1 | 14-SMT | 下载 | 1(无限制) | 425-2209-5 | EAR99 | 8541.49.8000 | 500 | - | 400毫安 | 200纳秒、200纳秒 | 1.2V | 25毫安 | 4000Vrms | 1.5kV/微秒 | 2微秒、2微秒 | - | 15V~30V | |||||
![]() | SI823H8AD-AS3R | 4.0769 | ![]() | 8559 | 0.00000000 | Skyworks解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 14-SOIC | 下载 | 3(168小时) | 863-SI823H8AD-AS3RTR | 1,250人 | 4A, 4A | 6A | 12ns、12ns(顶部) | - | 5000Vrms | 125kV/μs | 58纳秒、30纳秒 | 5纳秒 | 5.5V~30V | |||||||
![]() | SI823H2AB-IS1 | 5.6498 | ![]() | 4598 | 0.00000000 | Skyworks解决方案公司 | - | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | SI823 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 3(168小时) | EAR99 | 8542.39.0001 | 48 | 4A, 4A | 6A | 12纳秒, 12纳秒 | - | 2500Vrms | 125kV/μs | 30纳秒、58纳秒 | 5纳秒 | 5.5V~30V | |||||
SI8235AD-D-IS | 6.3300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Skyworks解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | SI8235 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UR、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 2A(4周) | -SI8235AD-D | EAR99 | 8542.39.0001 | 46 | 2A、4A | 4A | 12ns、12ns(顶部) | - | 5000Vrms | 20kV/μs | 60纳秒, 60纳秒 | 5.6纳秒 | 6.5V~24V | |||||
![]() | ACPL-P347-060E | 1.5819 | ![]() | 3953 | 0.00000000 | 博通有限公司 | - | 管子 | 的积极 | -40℃~105℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) | ACPL-P347 | 光耦合器 | CSA、IEC/EN/DIN、UR | 1 | 6-SO 牵引 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 800毫安,800毫安 | 1A | 8纳秒,8纳秒 | 1.55V | 25毫安 | 3750Vrms | 50kV/μs | 110纳秒, 110纳秒 | 40纳秒 | 15V~30V | ||
![]() | SI823H2CD-IS3 | 7.1900 | ![]() | 67 | 0.00000000 | Skyworks解决方案公司 | 硅823Hx | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | SI823 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 1 | 14-SOIC | 下载 | 3(168小时) | EAR99 | 8542.39.0001 | 46 | 4A, 4A | 6A | 12ns、12ns(顶部) | - | 5000Vrms | 125kV/μs | 30纳秒、30纳秒 | 5纳秒 | 5.5V~30V | |||||
![]() | ACPL-5161-200 | 183.2381 | ![]() | 6445 | 0.00000000 | 博通有限公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55℃~125℃ | 通孔 | 16-DIP(0.311英寸,7.90毫米) | ACPL-5161 | 光耦合器 | - | 1 | 16-DIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 2A, 2A | 2.5A | 100纳秒,100纳秒 | - | 1500VDC | 9kV/微秒 | 500纳秒、500纳秒 | 300纳秒 | 15V~30V | |||
![]() | PS9307AL2-E3-AX | - | ![]() | 2755 | 0.00000000 | 西尔 | - | 卷带式 (TR) | SIC停产 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) | 光耦合器 | - | 1 | 6-SMD | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 400毫安、400毫安 | 600毫安 | 30纳秒、30纳秒 | 1.56V | 25毫安 | 5000Vrms | 50kV/μs | 150纳秒, 150纳秒 | 50纳秒 | 10V~30V |
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