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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 霓机构 | 通道数 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 当前-产出高、低 | 当前 - 高峰 | 上升/下降T(典型值) | 电压 - 正向 (Vf)(典型值) | 当前 - 直流正向 (If)(最大) | 电压-隔离 | 共模瞬态抗扰度(最小) | 传播延迟 tpLH / tpHL(峰值) | 脉冲宽度失真(最大) | 电压 - 输出电源 | 年级 | 资质 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PS9531L3-E3-AX | - | ![]() | 6291 | 0.00000000 | 西尔 | - | 卷带式 (TR) | SIC停产 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 8-SMD,鸥翼式 | 光耦合器 | CSA、SEMKO、UL | 1 | 8贴片 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 2A, 2A | 2.5A | 40纳秒, 40纳秒 | 1.56V | 25毫安 | 5000Vrms | 50kV/μs | 175纳秒, 175纳秒 | 75纳秒 | 15V~30V | |||||
![]() | IX332B | - | ![]() | 第1175章 | 0.00000000 | IXYS集成电路事业部 | - | 管子 | 过时的 | -40℃~105℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | IX332 | 光耦合器 | CSA、UL1577 | 2 | 16-SOIC | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 212-IX332B | 过时的 | 50 | 500毫安,500毫安 | 2.5A | 13纳秒、10纳秒 | 1.4V | 20毫安 | 4250Vrms | 50kV/μs | 220纳秒, 220纳秒 | 100纳秒 | 15V~30V | ||||
![]() | 1EDI3030ASXUMA1 | 5.9000 | ![]() | 5302 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | EiceDriver™ | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~150℃ | 表面贴装 | 20-BFSOP(0.295英寸,7.50毫米宽) | 1EDI3030 | 磁力耦合器 | UL、德国电气协会 | 1 | PG-DSO-20-91 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 12A, 12A | 12A | 55ns、45ns(顶部) | - | 5700Vrms | 150kV/μs | 120纳秒, 120纳秒 | 20纳秒 | 3V~5.5V | 汽车 | AEC-Q100 | |||
![]() | SI823H1AB-AM1 | 5.3070 | ![]() | 8770 | 0.00000000 | Skyworks解决方案公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-偏氟苯 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 14-QFN (5x5) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | 863-SI823H1AB-AM1 | 第490章 | 4A, 4A | 6A | 12ns、12ns(顶部) | - | 2500Vrms | 125kV/μs | 30纳秒、30纳秒 | 5纳秒 | 5.5V~30V | 汽车 | AEC-Q100 | ||||||
![]() | SI8273AB-IM1R | 3.2700 | ![]() | 2415 | 0.00000000 | Skyworks解决方案公司 | 硅827x | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-偏氟苯 | SI8273 | 射频连接器 | CQC、CSA、UR、VDE | 2 | 14-QFN (5x5) | 下载 | 3(168小时) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 1.8A、4A | 4A | 10.5纳秒、13.3纳秒 | - | 2500Vrms | 200kV/μs | 75纳秒, 75纳秒 | 8纳秒 | 4.2V~30V | |||||||
SI8238AD-C-IS | - | ![]() | 2383 | 0.00000000 | Skyworks解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 过时的 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | 电容耦合器 | CQC、CSA、UR、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 2A(4周) | EAR99 | 8542.39.0001 | 46 | 2A、4A | 4A | 12ns、12ns(顶部) | - | 5000Vrms | 20kV/μs | 60纳秒, 60纳秒 | 5.6纳秒 | 6.5V~24V | |||||||||
![]() | ACPL-3130-000E | 4.9900 | ![]() | 550 | 0.00000000 | 博通有限公司 | - | 管子 | 的积极 | -40℃~100℃ | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | ACPL-3130 | 光耦合器 | 南航、乌拉圭 | 1 | 8-DIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 2A, 2A | 2.5A | 100纳秒,100纳秒 | 1.5V | 25毫安 | 3750Vrms | 40kV/μs | 500纳秒、500纳秒 | 300纳秒 | 15V~30V | ||||
![]() | SI8751AB-IS | 3.1700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Skyworks解决方案公司 | - | 管子 | 的积极 | -40℃~105℃ | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | SI8751 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UR、VDE | 1 | 8-SOIC | 下载 | 2A(4周) | 336-3796 | EAR99 | 8542.39.0001 | 96 | - | - | - | - | 2500Vrms | 20kV/μs | - | - | - | ||||||
![]() | SI8281EC-IS | 6.5634 | ![]() | 2770 | 0.00000000 | Skyworks解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 20-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 1 | 20-SOIC | 下载 | 3(168小时) | 863-SI8281EC-IS | 38 | 2A、4.1A | 4A | 5.5纳秒、8.5纳秒 | - | 5000Vrms | 125kV/μs | 50纳秒, 50纳秒 | 5纳秒 | 16V~30V | |||||||||
![]() | SI8281CC-ASR | 5.4267 | ![]() | 5074 | 0.00000000 | Skyworks解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 20-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 1 | 20-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | 863-SI8281CC-ASRTR | 1,250人 | 2A、4.1A | 4A | 5.5纳秒、8.5纳秒 | - | 5000Vrms | 125kV/μs | 50纳秒, 50纳秒 | 5纳秒 | 13.2V~30V | ||||||||
SI8230BB-D-IS | 3.8200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Skyworks解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | SI8230 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UR、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 2A(4周) | -SI8230BB-D | EAR99 | 8542.39.0001 | 46 | 250毫安、500毫安 | 500毫安 | 20ns、20ns(顶部) | - | 2500Vrms | 20kV/μs | 60纳秒, 60纳秒 | 5.6纳秒 | 9.4V~24V | |||||||
![]() | UCC23313BQDWYQ1 | 1.1917 | ![]() | 2062 | 0.00000000 | Texas Instruments | 汽车、AEC-Q100、功能安全(FuSa) | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | UCC23313 | 电容耦合器 | UL、德国电气协会 | 1 | 6-SOIC | - | 不适用 | 2(1年) | EAR99 | 8542.39.0001 | 100 | 3A、3.5A | 4.5A、5.3A | 28ns、25ns(顶部) | 2.1V | 25毫安 | 3750Vrms | 150kV/μs | 105纳秒, 105纳秒 | 35纳秒 | 14V~33V | |||||
![]() | SI82521BD-AS3R | 4.4996 | ![]() | 5156 | 0.00000000 | Skyworks解决方案公司 | 汽车、AEC-Q100、Si8252x | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 1 | 14-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | 863-SI82521BD-AS3RTR | 1,250人 | 4A, 4A | 4A、6A | 12ns、12ns(顶部) | - | 5000Vrms | 125kV/μs | 30纳秒、30纳秒 | 5.6纳秒 | 5.5V~30V | ||||||||
![]() | VO3150A-X017T | 2.0600 | ![]() | 931 | 0.00000000 | Vishay 半导体光电部门 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~110℃ | 表面贴装 | 8-SMD,鸥翼式 | VO3150 | 光耦合器 | CU、UR、VDE | 1 | 8贴片 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 500毫安,500毫安 | 500毫安 | 100纳秒,100纳秒 | 1.3V | 25毫安 | 5300Vrms | 25kV/微秒 | 400纳秒, 400纳秒 | 200纳秒 | 15V~32V | |||||
![]() | FOD8343R2 | 3.3200 | ![]() | 42 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) | FOD8343 | 光耦合器 | 尿道 | 1 | 6-SOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 3A、3A | 4A | 38纳秒、24纳秒 | 1.5V | 25毫安 | 5000Vrms | 50kV/μs | 210纳秒, 210纳秒 | 65纳秒 | 10V~30V | ||||
![]() | PS9308L2-E3-AX | 1.7335 | ![]() | 4633 | 0.00000000 | 瑞萨电子美国公司 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | -40℃~110℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) | PS9308 | 光耦合器 | CSA、SEMKO、UL | 1 | 6-SDIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 559-1622-2 | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 1.5A、1.5A | 2A | 50纳秒, 50纳秒 | 1.56V | 25毫安 | 5000Vrms | 25kV/微秒 | 250纳秒, 250纳秒 | 100纳秒 | 15V~30V | |||
![]() | SI8275BBD-AM1R | 3.5714 | ![]() | 5497 | 0.00000000 | Skyworks解决方案公司 | 汽车、AEC-Q100、SI827x | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-偏氟苯 | SI8275 | 射频连接器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 14-DFN (5x5) | 下载 | 2(1年) | 863-SI8275BBD-AM1RTR | 2,500人 | 1.8A、4A | 4A | 10.5纳秒、13.3纳秒 | - | 2500Vrms | 200kV/μs | 75纳秒, 75纳秒 | 8纳秒 | 4.2V~30V | ||||||||
![]() | ACPL-302J-000E | 8.9300 | ![]() | 9914 | 0.00000000 | 博通有限公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40℃~105℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | ACPL-302 | 光耦合器 | CSA、IEC/EN/DIN、UR | 1 | 16-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 45 | 750毫安,1安 | 2.5A | 70纳秒、35纳秒 | 1.55V | 20毫安 | 5000Vrms | 30kV/μs | 250纳秒, 250纳秒 | 140纳秒 | 18V~22V | ||||
![]() | TLP250(D4INV-LF1,F | - | ![]() | 1415 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP250 | - | 1(无限制) | 264-TLP250(D4INV-LF1F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||
![]() | SI823H4BD-AS3R | 4.0769 | ![]() | 8810 | 0.00000000 | Skyworks解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 14-SOIC | 下载 | 3(168小时) | 863-SI823H4BD-AS3RTR | 1,250人 | 4A, 4A | 6A | 12ns、12ns(顶部) | - | 5000Vrms | 125kV/μs | 58纳秒、30纳秒 | 5纳秒 | 5.5V~30V | |||||||||
ADUM3223WCRZ-RL7 | 3.7001 | ![]() | 8768 | 0.00000000 | 模拟器件公司 | 汽车 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | ADUM3223 | 磁力耦合器 | CSA、UR、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | 4A | 12纳秒, 12纳秒 | - | 3000Vrms | 50kV/μs | 54纳秒, 54纳秒 | - | 11.5V~18V | ||||||
![]() | SI8284CC-IS | 8.3700 | ![]() | 52 | 0.00000000 | Skyworks解决方案公司 | - | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 24-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | SI8284 | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 1 | 24-SOIC | 下载 | 3(168小时) | 336-5075 | EAR99 | 8542.39.0001 | 32 | 2.5A、3A | 4A | 5.5纳秒、8.5纳秒 | - | 5000Vrms | 35kV/μs | 50纳秒, 50纳秒 | 5纳秒 | 2.8V~5.5V | 汽车 | AEC-Q100 | ||||
![]() | SI823H6AB-AS1R | 4.2673 | ![]() | 4285 | 0.00000000 | Skyworks解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 2A(4周) | 863-SI823H6AB-AS1RTR | 2,500人 | 4A, 4A | 6A | 12ns、12ns(顶部) | - | 2500Vrms | 125kV/μs | 30纳秒、30纳秒 | 5纳秒 | 5.5V~30V | |||||||||
ADUM3224WARZ-RL7 | 3.8424 | ![]() | 6856 | 0.00000000 | 模拟器件公司 | 汽车 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | ADUM3224 | 磁力耦合器 | - | 2 | 16-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | 4A | 12纳秒, 12纳秒 | - | 3000Vrms | 25kV/微秒 | 54纳秒, 54纳秒 | - | 4.5V~18V | ||||||
![]() | FOD3182TSR2 | - | ![]() | 9912 | 0.00000000 | 仙童 | - | 大部分 | 的积极 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 8-SMD,鸥翼式 | 光耦合器 | UL、德国电气协会 | 1 | 8贴片 | 下载 | 不适用 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.49.8000 | 195 | 2.5A、2.5A | 3A | 38纳秒、24纳秒 | 1.43V | 25毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 210纳秒, 210纳秒 | 65纳秒 | 10V~30V | |||||
TLP5751(TP,E | 0.9645 | ![]() | 6141 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~110℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | TLP5751 | 光耦合器 | CQC、CSA、cUL、UL | 1 | 6-SO | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | 1A、1A | 1A | 15纳秒、8纳秒 | 1.55V | 20毫安 | 5000Vrms | 35kV/μs | 150纳秒, 150纳秒 | 50纳秒 | 15V~30V | ||||||
![]() | SI823H8AB-AS1R | 4.2673 | ![]() | 9425 | 0.00000000 | Skyworks解决方案公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 电容耦合器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 2A(4周) | 863-SI823H8AB-AS1RTR | 2,500人 | 4A, 4A | 6A | 12ns、12ns(顶部) | - | 2500Vrms | 125kV/μs | 58纳秒、30纳秒 | 5纳秒 | 5.5V~30V | |||||||||
![]() | SI8275DBD-AM1 | 4.2582 | ![]() | 7402 | 0.00000000 | Skyworks解决方案公司 | 汽车、AEC-Q100、SI827x | 托盘 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 14-偏氟苯 | SI8275 | 射频连接器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 14-DFN (5x5) | 下载 | 2(1年) | 863-SI8275DBD-AM1 | 第490章 | 1.8A、4A | 4A | 10.5纳秒、13.3纳秒 | - | 2500Vrms | 200kV/μs | 75纳秒, 75纳秒 | 8纳秒 | 4.2V~30V | ||||||||
![]() | STGAP2SMTR | 2.5100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 意法半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | STGAP2 | 磁力耦合器 | - | 1 | 8-SO | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 497-18290-6 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 4A, 4A | - | 30纳秒、30纳秒 | - | 1700VDC | 100V/纳秒 | 100纳秒,100纳秒 | 20纳秒 | 3V~5.5V | ||||
![]() | SI8274DB4D-IS1 | 5.5300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Skyworks解决方案公司 | 硅827x | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | SI8274 | 射频连接器 | CQC、CSA、UL、VDE | 2 | 16-SOIC | 下载 | 2(1年) | 336-5939 | EAR99 | 8542.39.0001 | 48 | 1.8A、4A | 4A | 10.5纳秒、13.3纳秒 | - | 2500Vrms | 200kV/μs | 105纳秒、75纳秒 | 47纳秒 | 4.2V~30V |
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