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集成电路 (IC)(238)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 时钟频率 内存类型 内存大小 访QQT 内存格式 记忆组织 内存接口 周期写入T - 字、页
MR0DL08BMA45R Everspin Technologies Inc. MR0DL08BMA45R 15.0290
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 ECAD 5791 0.00000000 Everspin技术公司 - 卷带式 (TR) 的积极 0℃～70℃（TA） 表面贴装 48-LFBGA MR0DL08 MRAM（磁阻RAM） 2.7V~3.6V 48-FBGA (8x8) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.32.0071 2,000 非活跃性 1兆比特 45纳秒 内存 128K×8 平行线 45纳秒
MR25H40VDFR Everspin Technologies Inc. MR25H40VDFR 20.1096
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 ECAD 4604 0.00000000 Everspin技术公司 汽车，AEC-Q100 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～105℃（TA） 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 MR25H40 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 8-DFN-EP，小旗 (5x6) - 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 819-MR25H40VDFFRTR EAR99 8542.32.0071 4,000 40兆赫 非活跃性 4兆比特 9纳秒 内存 512K×8 SPI -
MR4A08BUYS45 Everspin Technologies Inc. MR4A08购买45 48.3600
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 ECAD 6499 0.00000000 Everspin技术公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 44-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽） MR4A08 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 44-TSOP2 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 819-MR4A08购买45 EAR99 8542.32.0071 135 非活跃性 16兆比特 45纳秒 内存 2M×8 平行线 45纳秒
MR0A08BCMA35R Everspin Technologies Inc. MR0A08BCMA35R 12.7946
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 ECAD 6202 0.00000000 Everspin技术公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 48-LFBGA MR0A08 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 48-FBGA (8x8) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.32.0071 2,000 非活跃性 1兆比特 35纳秒 内存 128K×8 平行线 35纳秒
EM008LXOAB320CS1R Everspin Technologies Inc. EM008LXOAB320CS1R 18.7500
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 ECAD 4820 0.00000000 Everspin技术公司 EMxxLX 卷带式 (TR) 的积极 0℃～70℃ 表面贴装 24-TBGA MRAM（磁阻RAM） 1.65V～2V 24-TBGA (6x8) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） 819-EM008LXOAB320CS1RTR EAR99 8542.32.0071 4,000 200兆赫 非活跃性 8兆比特 内存 1M×8 SPI-八路I/O -
MR0A08BCYS35 Everspin Technologies Inc. MR0A08BCYS35 15.9720
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 ECAD 3577 0.00000000 Everspin技术公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 44-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽） MR0A08 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 44-TSOP2 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 819-1000 EAR99 8542.32.0071 135 非活跃性 1兆比特 35纳秒 内存 128K×8 平行线 35纳秒
EM032LXOAB320IS1R Everspin Technologies Inc. EM032LXOAB320IS1R 33.0750
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 ECAD 8531 0.00000000 Everspin技术公司 EMxxLX 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 24-TBGA MRAM（磁阻RAM） 1.65V～2V 24-TBGA (6x8) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） 819-EM032LXOAB320IS1RTR EAR99 8542.32.0071 4,000 200兆赫 非活跃性 32兆比特 内存 4M×8 SPI-八路I/O -
MR256A08BCMA35R Everspin Technologies Inc. MR256A08BCMA35R 8.9250
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 ECAD 5799 0.00000000 Everspin技术公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 48-LFBGA MR256A08 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 48-FBGA (8x8) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.32.0071 2,000 非活跃性 256Kbit 35纳秒 内存 32K×8 平行线 35纳秒
MR1A16AVMA35 Everspin Technologies Inc. MR1A16AVMA35 19.8450
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 ECAD 4123 0.00000000 Everspin技术公司 汽车，AEC-Q100 托盘 的积极 -40℃～105℃（TA） 表面贴装 48-LFBGA MR1A16 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 48-FBGA (8x8) - 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 819-MR1A​​​​16AVMA35 EAR99 8542.32.0071 第348章 非活跃性 2兆比特 35纳秒 内存 128K×16 平行线 35纳秒
EM032LXQADG13CS1R Everspin Technologies Inc. EM032LXQADG13CS1R 29.4000
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 ECAD 4663 0.00000000 Everspin技术公司 EMxxLX 卷带式 (TR) 的积极 0℃～70℃ 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 MRAM（磁阻RAM） 1.65V～2V 8-DFN (6x8) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） 819-EM032LXQADG13CS1RTR EAR99 8542.32.0071 2,000 200兆赫 非活跃性 32兆比特 内存 4M×8 SPI-八路I/O -
MR1A16ACYS35R Everspin Technologies Inc. MR1A16ACYS35R 16.0398
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 ECAD 7354 0.00000000 Everspin技术公司 汽车，AEC-Q100 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 44-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽） MR1A16 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 44-TSOP2 - 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 819-MR1A​​​​16ACYS35RTR EAR99 8542.32.0071 1,500人 非活跃性 2兆比特 35纳秒 内存 128K×16 平行线 35纳秒
MR25H10MDF Everspin Technologies Inc. MR25H10MDF 12.4100
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 ECAD 1 0.00000000 Everspin技术公司 汽车，AEC-Q100 托盘 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 MR25H10 MRAM（磁阻RAM） 2.7V~3.6V 8-DFN-EP，小旗 (5x6) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 819-1042 EAR99 8542.32.0071 第570章 40兆赫 非活跃性 1兆比特 内存 128K×8 SPI -
MR5A16AUMA45R Everspin Technologies Inc. MR5A16AUMA45R 77.9850
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 ECAD 2331 0.00000000 Everspin技术公司 汽车，AEC-Q100 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 48-LFBGA MR5A16 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 48-FBGA (10x10) - 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 819-MR5A16AUMA45RTR EAR99 8542.32.0071 2,500人 非活跃性 32兆比特 45纳秒 内存 2M×16 平行线 45纳秒
MR0A08BYS35R Everspin Technologies Inc. MR0A08BYS35R 11.9700
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 ECAD 1033 0.00000000 Everspin技术公司 - 卷带式 (TR) 的积极 0℃～70℃（TA） 表面贴装 44-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽） MR0A08 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 44-TSOP2 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.32.0071 1,500人 非活跃性 1兆比特 35纳秒 内存 128K×8 平行线 35纳秒
EM016LXOAB320IS1R Everspin Technologies Inc. EM016LXOAB320IS1R 22.4250
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 ECAD 4070 0.00000000 Everspin技术公司 EMxxLX 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 24-TBGA MRAM（磁阻RAM） 1.65V～2V 24-TBGA (6x8) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） 819-EM016LXOAB320IS1RTR EAR99 8542.32.0071 4,000 200兆赫 非活跃性 16兆比特 内存 2M×8 SPI-八路I/O -
MR3A16AYS35 Everspin Technologies Inc. MR3A16AYS35 24.9685
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 ECAD 3561 0.00000000 Everspin技术公司 汽车，AEC-Q100 托盘 的积极 0℃～70℃（TA） 表面贴装 54-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽） MR3A16 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 54-TSOP2 - 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 819-MR3A16AYS35 EAR99 8542.32.0071 108 非活跃性 8兆比特 35纳秒 内存 512K×16 平行线 35纳秒
MR10Q010VMBR Everspin Technologies Inc. MR10Q010VMBR 8.8950
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 ECAD 4354 0.00000000 Everspin技术公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～105℃（TA） 表面贴装 24-LBGA MR10Q010 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 24-BGA (6x8) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 819-MR10Q010VMBRTR EAR99 8542.32.0071 1,000 40兆赫 非活跃性 1兆比特 7纳秒 内存 128K×8 SPI - 四路I/O、QPI -
EM064LXQADG13CS1R Everspin Technologies Inc. EM064LXQADG13CS1R 42.0000
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 ECAD 8541 0.00000000 Everspin技术公司 EMxxLX 卷带式 (TR) 的积极 0℃～70℃ 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 MRAM（磁阻RAM） 1.65V～2V 8-DFN (6x8) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） 819-EM064LXQADG13CS1RTR EAR99 8542.32.0071 2,000 200兆赫 非活跃性 64兆比特 内存 8M×8 SPI-八路I/O -
MR3A16AMA35 Everspin Technologies Inc. MR3A16AMA35 24.5941
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 ECAD 2619 0.00000000 Everspin技术公司 汽车，AEC-Q100 托盘 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 48-LFBGA MR3A16 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 48-FBGA (10x10) - 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 819-MR3A16AMA35 EAR99 8542.32.0071 240 非活跃性 8兆比特 35纳秒 内存 512K×16 平行线 35纳秒
EM032LXQAB313CS1T Everspin Technologies Inc. EM032LXQAB313CS1T 29.4000
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 ECAD 3186 0.00000000 Everspin技术公司 EMxxLX 托盘 的积极 0℃～70℃ 表面贴装 24-TBGA MRAM（磁阻RAM） 1.65V～2V 24-TBGA (6x8) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） 819-EM032LXQAB313CS1T EAR99 8542.32.0071 第480章 200兆赫 非活跃性 32兆比特 内存 4M×8 SPI-八路I/O -
MR25H128ACDFR Everspin Technologies Inc. MR25H128ACDFR 4.0200
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 ECAD 8142 0.00000000 Everspin技术公司 汽车，AEC-Q100 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 MR25H128 MRAM（磁阻RAM） 2.7V~3.6V 8-DFN-EP，小旗 (5x6) - 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 819-MR25H128ACDFRTR EAR99 8542.32.0071 4,000 40兆赫 非活跃性 128Kbit 内存 16K×8 SPI -
MR3A16AYS35R Everspin Technologies Inc. MR3A16AYS35R 23.8203
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 ECAD 7002 0.00000000 Everspin技术公司 汽车，AEC-Q100 卷带式 (TR) 的积极 0℃～70℃（TA） 表面贴装 54-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽） MR3A16 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 54-TSOP2 - 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 819-MR3A16AYS35RTR EAR99 8542.32.0071 1,000 非活跃性 8兆比特 35纳秒 内存 512K×16 平行线 35纳秒
EM008LXOAB320IS1T Everspin Technologies Inc. EM008LXOAB320IS1T 20.1000
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 ECAD 4685 0.00000000 Everspin技术公司 EMxxLX 托盘 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 24-TBGA MRAM（磁阻RAM） 1.65V～2V 24-TBGA (6x8) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） 819-EM008LXOAB320IS1T EAR99 8542.32.0071 第480章 200兆赫 非活跃性 8兆比特 内存 1M×8 SPI-八路I/O -
MR25H40MDFR Everspin Technologies Inc. MR25H40MDFR 30.6750
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 ECAD 6246 0.00000000 Everspin技术公司 汽车，AEC-Q100 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 MR25H40 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 8-DFN-EP，小旗 (5x6) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.32.0071 4,000 40兆赫 非活跃性 4兆比特 内存 512K×8 SPI -
MR20H40DF Everspin Technologies Inc. MR20H40DF -
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 ECAD 3792 0.00000000 Everspin技术公司 - 托盘 过时的 0℃～70℃（TA） 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 MR20H40 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 8-DFN-EP，小旗 (5x6) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.32.0071 第570章 50兆赫 非活跃性 4兆比特 内存 512K×8 SPI -
MR25H256CDFR Everspin Technologies Inc. MR25H256CDFR 6.9900
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 ECAD 8089 0.00000000 Everspin技术公司 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 MR25H256 MRAM（磁阻RAM） 2.7V~3.6V 8-DFN (5x6) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.32.0071 4,000 40兆赫 非活跃性 256Kbit 内存 32K×8 SPI -
MR256A08BCYS35 Everspin Technologies Inc. MR256A08BCYS35 7.7613
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 ECAD 5982 0.00000000 Everspin技术公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 44-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽） MR256A08 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 44-TSOP2 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 819-1025 EAR99 8542.32.0071 135 非活跃性 256Kbit 35纳秒 内存 32K×8 平行线 35纳秒
MR256A08BMA35R Everspin Technologies Inc. MR256A08BMA35R 7.1953
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 ECAD 7680 0.00000000 Everspin技术公司 - 卷带式 (TR) 的积极 0℃～70℃（TA） 表面贴装 48-LFBGA MR256A08 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 48-FBGA (8x8) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.32.0071 2,000 非活跃性 256Kbit 35纳秒 内存 32K×8 平行线 35纳秒
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    日平均询价量

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    标准产品单位

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    全球制造商

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    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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