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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MR5A16ACMA35R Everspin Technologies Inc. MR5A16ACMA35R 60.3421
RFQ
ECAD 1168 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-LFBGA MR5A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 48-fbga(10x10) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR5A16ACMA35RTR Ear99 8542.32.0071 2,500 非易失性 32Mbit 35 ns 内存 2m x 16 平行线 35ns
MR5A16AYS35 Everspin Technologies Inc. MR5A16AYS35 63.9000
RFQ
ECAD 2389 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MR5A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 54-TSOP2 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR5A16AYS35 Ear99 8542.32.0071 108 非易失性 32Mbit 35 ns 内存 2m x 16 平行线 35ns
MR1A16ACYS35R Everspin Technologies Inc. MR1A16ACYS35R 16.0398
RFQ
ECAD 7354 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) MR1A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 44-TSOP2 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR1A​​ 16ACYS35RTR Ear99 8542.32.0071 1,500 非易失性 2Mbit 35 ns 内存 128K x 16 平行线 35ns
MR25H128ACDF Everspin Technologies Inc. MR25H128ACDF 5.6100
RFQ
ECAD 916 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 MR25H128 MRAM (磁磁性 RAM) 2.7V〜3.6V 8-DFN-EP,小国旗(5x6) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR25H128ACDF Ear99 8542.32.0071 570 40 MHz 非易失性 128kbit 内存 16k x 8 spi -
MR3A16AYS35 Everspin Technologies Inc. MR3A16AYS35 24.9685
RFQ
ECAD 3561 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MR3A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 54-TSOP2 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR3A16AYS35 Ear99 8542.32.0071 108 非易失性 8mbit 35 ns 内存 512k x 16 平行线 35ns
MR5A16AUYS45 Everspin Technologies Inc. MR5A16AUYS45 77.7900
RFQ
ECAD 4191 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MR5A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 54-TSOP2 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR5A16AUYS45 Ear99 8542.32.0071 108 非易失性 32Mbit 45 ns 内存 2m x 16 平行线 45ns
MR3A16AMA35 Everspin Technologies Inc. MR3A16AMA35 24.5941
RFQ
ECAD 2619 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 48-LFBGA MR3A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 48-fbga(10x10) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR3A16AMA35 Ear99 8542.32.0071 240 非易失性 8mbit 35 ns 内存 512k x 16 平行线 35ns
MR25H128ACDFR Everspin Technologies Inc. MR25H128ACDFR 4.0200
RFQ
ECAD 8142 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 MR25H128 MRAM (磁磁性 RAM) 2.7V〜3.6V 8-DFN-EP,小国旗(5x6) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR25H128ACDFRTR Ear99 8542.32.0071 4,000 40 MHz 非易失性 128kbit 内存 16k x 8 spi -
MR3A16AYS35R Everspin Technologies Inc. MR3A16AYS35R 23.8203
RFQ
ECAD 7002 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MR3A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 54-TSOP2 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR3A16AYS35RTR Ear99 8542.32.0071 1,000 非易失性 8mbit 35 ns 内存 512k x 16 平行线 35ns
MR5A16AUMA45R Everspin Technologies Inc. MR5A16AUMA45R 77.9850
RFQ
ECAD 2331 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 48-LFBGA MR5A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 48-fbga(10x10) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR5A16AUMA45RTR Ear99 8542.32.0071 2,500 非易失性 32Mbit 45 ns 内存 2m x 16 平行线 45ns
MR10Q010VMBR Everspin Technologies Inc. MR10Q010VMBR 8.8950
RFQ
ECAD 4354 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 24-LBGA MR10Q010 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 24-BGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR10Q010VMBRTR Ear99 8542.32.0071 1,000 40 MHz 非易失性 1Mbit 7 ns 内存 128K x 8 Spi -Quad I/O,QPI -
MR25H40VDFR Everspin Technologies Inc. MR25H40VDFR 20.1096
RFQ
ECAD 4604 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 MR25H40 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 8-DFN-EP,小国旗(5x6) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR25H40VDFRTR Ear99 8542.32.0071 4,000 40 MHz 非易失性 4Mbit 9 ns 内存 512k x 8 spi -
MR10Q010VSC Everspin Technologies Inc. MR10Q010VSC 8.1000
RFQ
ECAD 2501 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) MR10Q010 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR10Q010VSC Ear99 8542.32.0071 480 40 MHz 非易失性 1Mbit 7 ns 内存 128K x 8 Spi -Quad I/O,QPI -
MR4A08BUYS45 Everspin Technologies Inc. MR4A08BUYS45 48.3600
RFQ
ECAD 6499 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 托盘 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) MR4A08 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 44-TSOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR4A08BUYS45 Ear99 8542.32.0071 135 非易失性 16mbit 45 ns 内存 2m x 8 平行线 45ns
MR10Q010CSC Everspin Technologies Inc. MR10Q010CSC 7.6050
RFQ
ECAD 7812 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) MR10Q010 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR10Q010CSC Ear99 8542.32.0071 480 40 MHz 非易失性 1Mbit 7 ns 内存 128K x 8 Spi -Quad I/O,QPI -
MR25H40VDF Everspin Technologies Inc. MR25H40VDF 22.2750
RFQ
ECAD 8155 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 MR25H40 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 8-DFN-EP,小国旗(5x6) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR25H40VDF Ear99 8542.32.0071 570 40 MHz 非易失性 4Mbit 9 ns 内存 512k x 8 spi -
EM016LXQAB313CS1R Everspin Technologies Inc. EM016LXQAB313CS1R 19.9500
RFQ
ECAD 4126 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C 表面安装 24-TBGA MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 24-tbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM016LXQAB313CS1RTR Ear99 8542.32.0071 4,000 200 MHz 非易失性 16mbit 内存 2m x 8 spi -octal I/o -
EM008LXOAB320CS1R Everspin Technologies Inc. EM008LXOAB320CS1R 18.7500
RFQ
ECAD 4820 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C 表面安装 24-TBGA MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 24-tbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM008LXOAB320CS1RTR Ear99 8542.32.0071 4,000 200 MHz 非易失性 8mbit 内存 1m x 8 spi -octal I/o -
EM064LXQADG13IS1R Everspin Technologies Inc. EM064LXQADG13IS1R 44.9250
RFQ
ECAD 9213 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 8-vdfn暴露垫 MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 8-DFN(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM064LXQADG13IS1RTR Ear99 8542.32.0071 2,000 200 MHz 非易失性 64mbit 内存 8m x 8 spi -octal I/o -
EM032LXQAB313CS1T Everspin Technologies Inc. EM032LXQAB313CS1T 29.4000
RFQ
ECAD 3186 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 托盘 积极的 0°C〜70°C 表面安装 24-TBGA MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 24-tbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM032LXQAB313CS1T Ear99 8542.32.0071 480 200 MHz 非易失性 32Mbit 内存 4m x 8 spi -octal I/o -
EM032LXQADG13CS1R Everspin Technologies Inc. EM032LXQADG13CS1R 29.4000
RFQ
ECAD 4663 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C 表面安装 8-vdfn暴露垫 MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 8-DFN(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM032LXQADG13CS1RTR Ear99 8542.32.0071 2,000 200 MHz 非易失性 32Mbit 内存 4m x 8 spi -octal I/o -
EM016LXOAB320IS1R Everspin Technologies Inc. EM016LXOAB320IS1R 22.4250
RFQ
ECAD 4070 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 24-TBGA MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 24-tbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM016LXOAB320IS1RTR Ear99 8542.32.0071 4,000 200 MHz 非易失性 16mbit 内存 2m x 8 spi -octal I/o -
EM032LXOAB320IS1T Everspin Technologies Inc. EM032LXOAB320IS1T 42.4700
RFQ
ECAD 480 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 托盘 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 24-TBGA MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 24-tbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM032LXOAB320IS1T Ear99 8542.32.0071 480 200 MHz 非易失性 32Mbit 内存 4m x 8 spi -octal I/o -
EM032LXQAB313IS1R Everspin Technologies Inc. EM032LXQAB313IS1R 31.4250
RFQ
ECAD 5991 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 24-TBGA MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 24-tbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM032LXQAB313IS1RTR Ear99 8542.32.0071 4,000 200 MHz 非易失性 32Mbit 内存 4m x 8 spi -octal I/o -
EM032LXOAB320IS1R Everspin Technologies Inc. EM032LXOAB320IS1R 33.0750
RFQ
ECAD 8531 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 24-TBGA MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 24-tbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM032LXOAB320IS1RTR Ear99 8542.32.0071 4,000 200 MHz 非易失性 32Mbit 内存 4m x 8 spi -octal I/o -
EM064LXQADG13CS1R Everspin Technologies Inc. EM064LXQADG13CS1R 42.0000
RFQ
ECAD 8541 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C 表面安装 8-vdfn暴露垫 MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 8-DFN(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM064LXQADG13CS1RTR Ear99 8542.32.0071 2,000 200 MHz 非易失性 64mbit 内存 8m x 8 spi -octal I/o -
EM016LXOAB320CS1R Everspin Technologies Inc. EM016LXOAB320CS1R 18.6200
RFQ
ECAD 2388 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C 表面安装 24-TBGA MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 24-tbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM016LXOAB320CS1RTR Ear99 8542.32.0071 4,000 200 MHz 非易失性 16mbit 内存 2m x 8 spi -octal I/o -
EM008LXOAB320IS1T Everspin Technologies Inc. EM008LXOAB320IS1T 20.1000
RFQ
ECAD 4685 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 托盘 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 24-TBGA MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 24-tbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM008LXOAB320IS1T Ear99 8542.32.0071 480 200 MHz 非易失性 8mbit 内存 1m x 8 spi -octal I/o -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库