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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QQT | 内存格式 | 记忆组织 | 内存接口 | 周期写入T - 字、页 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MR2A08ACMA35R | 23.6740 | ![]() | 6138 | 0.00000000 | Everspin技术公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 48-LFBGA | MR2A08 | MRAM(磁阻RAM) | 3V~3.6V | 48-FBGA (8x8) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 非活跃性 | 4兆比特 | 35纳秒 | 内存 | 512K×8 | 平行线 | 35纳秒 | ||||
![]() | MR4A16购买45R | 47.0550 | ![]() | 3140 | 0.00000000 | Everspin技术公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 54-TSOP(0.400英寸,10.16毫米宽) | MR4A16 | MRAM(磁阻RAM) | 3V~3.6V | 54-TSOP2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 819-MR4A16购买45RTR | EAR99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 非活跃性 | 16兆比特 | 45纳秒 | 内存 | 1M×16 | 平行线 | 45纳秒 | ||
| MR0A08BCMA35 | 1995年13月 | ![]() | 7847 | 0.00000000 | Everspin技术公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 48-LFBGA | MR0A08 | MRAM(磁阻RAM) | 3V~3.6V | 48-FBGA (8x8) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 819-1035 | EAR99 | 8542.32.0071 | 第348章 | 非活跃性 | 1兆比特 | 35纳秒 | 内存 | 128K×8 | 平行线 | 35纳秒 | |||
| MR0A08BCSO35 | - | ![]() | 9529 | 0.00000000 | Everspin技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 32-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | MR0A08 | MRAM(磁阻RAM) | 3V~3.6V | 32-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.32.0071 | 108 | 非活跃性 | 1兆比特 | 35纳秒 | 内存 | 128K×8 | 平行线 | 35纳秒 | ||||
| MR4A08BCMA35R | 46.9950 | ![]() | 2126 | 0.00000000 | Everspin技术公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 48-LFBGA | MR4A08 | MRAM(磁阻RAM) | 3V~3.6V | 48-FBGA (10x10) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 5(48小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.32.0071 | 2,500人 | 非活跃性 | 16兆比特 | 35纳秒 | 内存 | 2M×8 | 平行线 | 35纳秒 | ||||
| MR0A08BSO35 | - | ![]() | 7913 | 0.00000000 | Everspin技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 32-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | MR0A08 | MRAM(磁阻RAM) | 3V~3.6V | 32-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 819-1027 | EAR99 | 8542.32.0071 | 108 | 非活跃性 | 1兆比特 | 35纳秒 | 内存 | 128K×8 | 平行线 | 35纳秒 | |||
| MR25H128AMDFR | 8.8200 | ![]() | 2186 | 0.00000000 | Everspin技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 8-VDFN 裸露焊盘 | MR25H128 | MRAM(磁阻RAM) | 2.7V~3.6V | 8-DFN-EP,小旗 (5x6) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 819-MR25H128AMDFRTR | EAR99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 40兆赫 | 非活跃性 | 128Kbit | 内存 | 16K×8 | SPI | - | |||
| EM064LXQADG13IS1T | 44.9250 | ![]() | 9870 | 0.00000000 | Everspin技术公司 | EMxxLX | 托盘 | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 8-VDFN 裸露焊盘 | MRAM(磁阻RAM) | 1.65V~2V | 8-DFN (6x8) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | 819-EM064LXQADG13IS1T | EAR99 | 8542.32.0071 | 290 | 200兆赫 | 非活跃性 | 64兆比特 | 内存 | 8M×8 | SPI-八路I/O | - | |||||
| MR5A16AUMA45 | 77.7900 | ![]() | 2907 | 0.00000000 | Everspin技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 48-LFBGA | MR5A16 | MRAM(磁阻RAM) | 3V~3.6V | 48-FBGA (10x10) | - | 符合ROHS3标准 | 6(标签上的T) | REACH 不出行 | 819-MR5A16AUMA45 | EAR99 | 8542.32.0071 | 240 | 非活跃性 | 32兆比特 | 45纳秒 | 内存 | 2M×16 | 平行线 | 45纳秒 | |||
![]() | MR4A16购买45 | 46.6050 | ![]() | 9488 | 0.00000000 | Everspin技术公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 54-TSOP(0.400英寸,10.16毫米宽) | MR4A16 | MRAM(磁阻RAM) | 3V~3.6V | 54-TSOP2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 819-MR4A16购买45 | EAR99 | 8542.32.0071 | 108 | 非活跃性 | 16兆比特 | 45纳秒 | 内存 | 1M×16 | 平行线 | 45纳秒 | ||
| MR1A16AMA35 | 15.3663 | ![]() | 7734 | 0.00000000 | Everspin技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 48-LFBGA | MR1A16 | MRAM(磁阻RAM) | 3V~3.6V | 48-FBGA (8x8) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 819-MR1A16AMA35 | EAR99 | 8542.32.0071 | 第348章 | 非活跃性 | 2兆比特 | 35纳秒 | 内存 | 128K×16 | 平行线 | 35纳秒 | |||
| EM064LXQAB313IS1T | 44.9250 | ![]() | 3357 | 0.00000000 | Everspin技术公司 | EMxxLX | 托盘 | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 24-TBGA | MRAM(磁阻RAM) | 1.65V~2V | 24-TBGA (6x8) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | 819-EM064LXQAB313IS1T | EAR99 | 8542.32.0071 | 第480章 | 200兆赫 | 非活跃性 | 64兆比特 | 内存 | 8M×8 | SPI-八路I/O | - | |||||
![]() | MR25H10CDF | 9.7900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Everspin技术公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 8-VDFN 裸露焊盘 | MR25H10 | MRAM(磁阻RAM) | 2.7V~3.6V | 8-DFN-EP,小旗 (5x6) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 819-1039 | EAR99 | 8542.32.0071 | 第570章 | 40兆赫 | 非活跃性 | 1兆比特 | 内存 | 128K×8 | SPI | - | ||
![]() | MR25H128APDFR | 7.3200 | ![]() | 8547 | 0.00000000 | Everspin技术公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | MR25H128 | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.32.0071 | 4,000 | ||||||||||||||||
| MR3A16ACMA35 | 40.7800 | ![]() | 第334章 | 0.00000000 | Everspin技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 48-LFBGA | MR3A16 | MRAM(磁阻RAM) | 3V~3.6V | 48-FBGA (10x10) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 819-MR3A16ACMA35 | EAR99 | 8542.32.0071 | 240 | 非活跃性 | 8兆比特 | 35纳秒 | 内存 | 512K×16 | 平行线 | 35纳秒 | |||
| EM004LXQBDH13CS1T | 15.2500 | ![]() | 1233 | 0.00000000 | Everspin技术公司 | EMxxLX | 托盘 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 8-VDFN 裸露焊盘 | MRAM(磁阻RAM) | 1.65V~2V | 8-DFN (5x6) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | 819-EM004LXQBDH13CS1T | 第570章 | 200兆赫 | 非活跃性 | 4兆比特 | 7纳秒 | 内存 | 512K×8 | SPI——四路I/O | - | ||||||
| MR1A16AYS35R | 17.2350 | ![]() | 6299 | 0.00000000 | Everspin技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 44-TSOP(0.400英寸,10.16毫米宽) | MR1A16 | MRAM(磁阻RAM) | 3V~3.6V | 44-TSOP2 | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 819-MR1A16AYS35RTR | EAR99 | 8542.32.0071 | 1,500人 | 非活跃性 | 2兆比特 | 35纳秒 | 内存 | 128K×16 | 平行线 | 35纳秒 | |||
| EM016LXQADG13IS1T | 19.5696 | ![]() | 4890 | 0.00000000 | Everspin技术公司 | EMxxLX | 托盘 | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 8-VDFN 裸露焊盘 | MRAM(磁阻RAM) | 1.65V~2V | 8-DFN (6x8) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | 819-EM016LXQADG13IS1T | EAR99 | 8542.32.0071 | 290 | 200兆赫 | 非活跃性 | 16兆比特 | 内存 | 2M×8 | SPI-八路I/O | - | |||||
| EM032LXQAB313IS1T | 31.4250 | ![]() | 8182 | 0.00000000 | Everspin技术公司 | EMxxLX | 托盘 | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 24-TBGA | MRAM(磁阻RAM) | 1.65V~2V | 24-TBGA (6x8) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | 819-EM032LXQAB313IS1T | EAR99 | 8542.32.0071 | 第480章 | 200兆赫 | 非活跃性 | 32兆比特 | 内存 | 4M×8 | SPI-八路I/O | - | |||||
| EM032LXOAB320CS1R | 30.9000 | ![]() | 第1283章 | 0.00000000 | Everspin技术公司 | EMxxLX | 卷带式 (TR) | 的积极 | 0℃~70℃ | 表面贴装 | 24-TBGA | MRAM(磁阻RAM) | 1.65V~2V | 24-TBGA (6x8) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | 819-EM032LXOAB320CS1RTR | EAR99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 200兆赫 | 非活跃性 | 32兆比特 | 内存 | 4M×8 | SPI-八路I/O | - | |||||
| MR1A16AYS35 | 22.4000 | ![]() | 265 | 0.00000000 | Everspin技术公司 | - | 托盘 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 44-TSOP(0.400英寸,10.16毫米宽) | MR1A16 | MRAM(磁阻RAM) | 3V~3.6V | 44-TSOP2 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.32.0071 | 135 | 非活跃性 | 2兆比特 | 35纳秒 | 内存 | 128K×16 | 平行线 | 35纳秒 | ||||
![]() | MR25H256AMDFR | 8.5386 | ![]() | 9234 | 0.00000000 | Everspin技术公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 8-VDFN 裸露焊盘 | MR25H256 | MRAM(磁阻RAM) | 2.7V~3.6V | 8-DFN-EP,小旗 (5x6) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 819-MR25H256AMDFRTR | EAR99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 40兆赫 | 非活跃性 | 256Kbit | 9纳秒 | 内存 | 32K×8 | SPI | - | |
![]() | MR25H256ACDF | 5.9100 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Everspin技术公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 8-VDFN 裸露焊盘 | MR25H256 | MRAM(磁阻RAM) | 2.7V~3.6V | 8-DFN (5x6) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 819-1064 | EAR99 | 8542.32.0071 | 第570章 | 40兆赫 | 非活跃性 | 256Kbit | 内存 | 32K×8 | SPI | - | ||
![]() | MR10Q010SCR | 7.0944 | ![]() | 5497 | 0.00000000 | Everspin技术公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | MR10Q010 | MRAM(磁阻RAM) | 3V~3.6V | 16-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 819-MR10Q010SCRTR | EAR99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 40兆赫 | 非活跃性 | 1兆比特 | 7纳秒 | 内存 | 128K×8 | SPI - 四路I/O、QPI | - | |
| EM008LXQAB313IS1T | 19.0500 | ![]() | 5387 | 0.00000000 | Everspin技术公司 | EMxxLX | 托盘 | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 24-TBGA | MRAM(磁阻RAM) | 1.65V~2V | 24-TBGA (6x8) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | 819-EM008LXQAB313IS1T | EAR99 | 8542.32.0071 | 第480章 | 200兆赫 | 非活跃性 | 8兆比特 | 内存 | 1M×8 | SPI-八路I/O | - | |||||
| MR256D08BMA45R | 7.2300 | ![]() | 8464 | 0.00000000 | Everspin技术公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 48-LFBGA | MR256D08 | MRAM(磁阻RAM) | 3V~3.6V | 48-FBGA (8x8) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 非活跃性 | 256Kbit | 45纳秒 | 内存 | 32K×8 | 平行线 | 45纳秒 | ||||
| EM064LXOAB320IS1T | 60.6700 | ![]() | 第475章 | 0.00000000 | Everspin技术公司 | EMxxLX | 托盘 | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 24-TBGA | MRAM(磁阻RAM) | 1.65V~2V | 24-TBGA (6x8) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | 819-EM064LXOAB320IS1T | EAR99 | 8542.32.0071 | 第480章 | 200兆赫 | 非活跃性 | 64兆比特 | 内存 | 8M×8 | SPI-八路I/O | - | |||||
| EM008LXQADG13CS1T | 16.3999 | ![]() | 7382 | 0.00000000 | Everspin技术公司 | EMxxLX | 托盘 | 的积极 | 0℃~70℃ | 表面贴装 | 8-VDFN 裸露焊盘 | MRAM(磁阻RAM) | 1.65V~2V | 8-DFN (6x8) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | 819-EM008LXQADG13CS1T | EAR99 | 8542.32.0071 | 290 | 200兆赫 | 非活跃性 | 8兆比特 | 内存 | 1M×8 | SPI-八路I/O | - | |||||
![]() | MR25H128APDF | 7.0792 | ![]() | 8788 | 0.00000000 | Everspin技术公司 | - | 托盘 | 的积极 | MR25H128 | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.32.0071 | 第570章 | ||||||||||||||||
| MR0A16ACYS35 | 17.3800 | ![]() | 5583 | 0.00000000 | Everspin技术公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 44-TSOP(0.400英寸,10.16毫米宽) | MR0A16 | MRAM(磁阻RAM) | 3V~3.6V | 44-TSOP2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.32.0071 | 135 | 非活跃性 | 1兆比特 | 35纳秒 | 内存 | 64K×16 | 平行线 | 35纳秒 |

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