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![]() | MR4A08BUYS45R | 48.8400 | ![]() | 5792 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | MR4A08 | MRAM (磁磁性 RAM) | 3v〜3.6V | 44-TSOP2 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 819-MR4A08BUYS45RTR | Ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 非易失性 | 16mbit | 45 ns | 内存 | 2m x 8 | 平行线 | 45ns | ||
EM004LXQBDH13CS1T | 15.2500 | ![]() | 1233 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | emxxlx | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | MRAM (磁磁性 RAM) | 1.65V〜2V | 8-DFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 819-EM004LXQBDH13CS1T | 570 | 200 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 7 ns | 内存 | 512k x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | ||||||
MR1A16AYS35R | 17.2350 | ![]() | 6299 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | MR1A16 | MRAM (磁磁性 RAM) | 3v〜3.6V | 44-TSOP2 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 819-mr1a 16ays35rtr | Ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 非易失性 | 2Mbit | 35 ns | 内存 | 128K x 16 | 平行线 | 35ns | |||
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![]() | MR10Q010VMB | 8.6100 | ![]() | 5203 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-LBGA | MR10Q010 | MRAM (磁磁性 RAM) | 3v〜3.6V | 24-BGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 819-MR10Q010VMB | Ear99 | 8542.32.0071 | 480 | 40 MHz | 非易失性 | 1Mbit | 7 ns | 内存 | 128K x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | - | |
MR5A16AMA35 | 63.9000 | ![]() | 8661 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 48-LFBGA | MR5A16 | MRAM (磁磁性 RAM) | 3v〜3.6V | 48-fbga(10x10) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 819-MR5A16AMA35 | Ear99 | 8542.32.0071 | 240 | 非易失性 | 32Mbit | 35 ns | 内存 | 2m x 16 | 平行线 | 35ns | |||
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MR5A16ACMA35 | 80.3300 | ![]() | 5224 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-LFBGA | MR5A16 | MRAM (磁磁性 RAM) | 3v〜3.6V | 48-fbga(10x10) | - | rohs3符合条件 | 6(6) | 到达不受影响 | 819-MR5A16ACMA35 | Ear99 | 8542.32.0071 | 240 | 非易失性 | 32Mbit | 35 ns | 内存 | 2m x 16 | 平行线 | 35ns | |||
MR0A16AVYS35R | 15.5400 | ![]() | 1896年 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | MR0A16 | MRAM (磁磁性 RAM) | 3v〜3.6V | 44-TSOP2 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 非易失性 | 1Mbit | 35 ns | 内存 | 64k x 16 | 平行线 | 35ns | ||||
MR3A16ACMA35 | 40.7800 | ![]() | 334 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-LFBGA | MR3A16 | MRAM (磁磁性 RAM) | 3v〜3.6V | 48-fbga(10x10) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 819-MR3A16ACMA35 | Ear99 | 8542.32.0071 | 240 | 非易失性 | 8mbit | 35 ns | 内存 | 512k x 16 | 平行线 | 35ns | |||
MR0A08BCSO35 | - | ![]() | 9529 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-SOIC(0.295(7.50mm) | MR0A08 | MRAM (磁磁性 RAM) | 3v〜3.6V | 32-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 108 | 非易失性 | 1Mbit | 35 ns | 内存 | 128K x 8 | 平行线 | 35ns | ||||
![]() | MR10Q010SCR | 7.0944 | ![]() | 5497 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | MR10Q010 | MRAM (磁磁性 RAM) | 3v〜3.6V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 819-MR10Q010SCRTR | Ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 40 MHz | 非易失性 | 1Mbit | 7 ns | 内存 | 128K x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | - | |
MR0A08BCMA35 | 1995年年1月13日 | ![]() | 7847 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-LFBGA | MR0A08 | MRAM (磁磁性 RAM) | 3v〜3.6V | 48-fbga(8x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 819-1035 | Ear99 | 8542.32.0071 | 348 | 非易失性 | 1Mbit | 35 ns | 内存 | 128K x 8 | 平行线 | 35ns | |||
EM064LXQADG13IS1T | 44.9250 | ![]() | 9870 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | emxxlx | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | MRAM (磁磁性 RAM) | 1.65V〜2V | 8-DFN(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 819-EM064LXQADG13IS1T | Ear99 | 8542.32.0071 | 290 | 200 MHz | 非易失性 | 64mbit | 内存 | 8m x 8 | spi -octal I/o | - | |||||
MR2A16AMA35R | 24.5550 | ![]() | 5908 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 48-LFBGA | MR2A16 | MRAM (磁磁性 RAM) | 3v〜3.6V | 48-fbga(8x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 非易失性 | 4Mbit | 35 ns | 内存 | 256K x 16 | 平行线 | 35ns | ||||
MR3A16AMA35R | 28.0050 | ![]() | 2006 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 48-LFBGA | MR3A16 | MRAM (磁磁性 RAM) | 3v〜3.6V | 48-fbga(10x10) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 819-MR3A16AMA35RTR | Ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 非易失性 | 8mbit | 35 ns | 内存 | 512k x 16 | 平行线 | 35ns | |||
MR25H128AMDFR | 8.8200 | ![]() | 2186 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | MR25H128 | MRAM (磁磁性 RAM) | 2.7V〜3.6V | 8-DFN-EP,小国旗(5x6) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 819-MR25H128AMDFRTR | Ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 40 MHz | 非易失性 | 128kbit | 内存 | 16k x 8 | spi | - | |||
EM008LXQADG13CS1T | 16.3999 | ![]() | 7382 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | emxxlx | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | MRAM (磁磁性 RAM) | 1.65V〜2V | 8-DFN(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 819-EM008LXQADG13CS1T | Ear99 | 8542.32.0071 | 290 | 200 MHz | 非易失性 | 8mbit | 内存 | 1m x 8 | spi -octal I/o | - | |||||
![]() | MR3A16ACYS35 | 39.7500 | ![]() | 2040 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | MR3A16 | MRAM (磁磁性 RAM) | 3v〜3.6V | 54-TSOP2 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 819-MR3A16ACYS35 | Ear99 | 8542.32.0071 | 108 | 非易失性 | 8mbit | 35 ns | 内存 | 512k x 16 | 平行线 | 35ns | ||
MR2A08AMA35 | 24.0600 | ![]() | 1906年 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 48-LFBGA | MR2A08 | MRAM (磁磁性 RAM) | 3v〜3.6V | 48-fbga(8x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 819-1029 | Ear99 | 8542.32.0071 | 348 | 非易失性 | 4Mbit | 35 ns | 内存 | 512k x 8 | 平行线 | 35ns | |||
![]() | MR25H256MDF | 11.6100 | ![]() | 4219 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 不适合新设计 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | MR25H256 | MRAM (磁磁性 RAM) | 2.7V〜3.6V | 8-DFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 819-1041 | Ear99 | 8542.32.0071 | 570 | 40 MHz | 非易失性 | 256kbit | 内存 | 32K x 8 | spi | - | ||
![]() | MR25H256MDC | 15.0800 | ![]() | 8182 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 不适合新设计 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-tdfn暴露垫 | MR25H256 | MRAM (磁磁性 RAM) | 2.7V〜3.6V | 8-DFN(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 570 | 40 MHz | 非易失性 | 256kbit | 内存 | 32K x 8 | spi | - | |||
EM064LXQAB313IS1T | 44.9250 | ![]() | 3357 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | emxxlx | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 24-TBGA | MRAM (磁磁性 RAM) | 1.65V〜2V | 24-tbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 819-EM064LXQAB313IS1T | Ear99 | 8542.32.0071 | 480 | 200 MHz | 非易失性 | 64mbit | 内存 | 8m x 8 | spi -octal I/o | - | |||||
EM016LXQAB313CS1T | 26.3900 | ![]() | 480 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | emxxlx | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 24-TBGA | MRAM (磁磁性 RAM) | 1.65V〜2V | 24-tbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 819-EM016LXQAB313CS1T | Ear99 | 8542.32.0071 | 480 | 200 MHz | 非易失性 | 16mbit | 内存 | 2m x 8 | spi -octal I/o | - | |||||
![]() | MR3A16AUYS45 | 38.6700 | ![]() | 8305 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | MR3A16 | MRAM (磁磁性 RAM) | 3v〜3.6V | 54-TSOP2 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 819-MR3A16AUYS45 | Ear99 | 8542.32.0071 | 108 | 非易失性 | 8mbit | 45 ns | 内存 | 512k x 16 | 平行线 | 35ns | ||
![]() | MR25H40CDF | 21.0200 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | MR25H40 | MRAM (磁磁性 RAM) | 3v〜3.6V | 8-DFN-EP,小国旗(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 819-1040 | Ear99 | 8542.32.0071 | 570 | 40 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 内存 | 512k x 8 | spi | - |
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