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MR2A08ACMA35R Everspin Technologies Inc. MR2A08ACMA35R 23.6740
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ECAD 6138 0.00000000 Everspin技术公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 48-LFBGA MR2A08 MRAM(磁阻RAM) 3V~3.6V 48-FBGA (8x8) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.32.0071 2,000 非活跃性 4兆比特 35纳秒 内存 512K×8 平行线 35纳秒
MR4A16BUYS45R Everspin Technologies Inc. MR4A16购买45R 47.0550
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ECAD 3140 0.00000000 Everspin技术公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 54-TSOP(0.400英寸,10.16毫米宽) MR4A16 MRAM(磁阻RAM) 3V~3.6V 54-TSOP2 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 819-MR4A16购买45RTR EAR99 8542.32.0071 1,000 非活跃性 16兆比特 45纳秒 内存 1M×16 平行线 45纳秒
MR0A08BCMA35 Everspin Technologies Inc. MR0A08BCMA35 1995年13月
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ECAD 7847 0.00000000 Everspin技术公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 48-LFBGA MR0A08 MRAM(磁阻RAM) 3V~3.6V 48-FBGA (8x8) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 819-1035 EAR99 8542.32.0071 第348章 非活跃性 1兆比特 35纳秒 内存 128K×8 平行线 35纳秒
MR0A08BCSO35 Everspin Technologies Inc. MR0A08BCSO35 -
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ECAD 9529 0.00000000 Everspin技术公司 - 托盘 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 32-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) MR0A08 MRAM(磁阻RAM) 3V~3.6V 32-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.32.0071 108 非活跃性 1兆比特 35纳秒 内存 128K×8 平行线 35纳秒
MR4A08BCMA35R Everspin Technologies Inc. MR4A08BCMA35R 46.9950
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ECAD 2126 0.00000000 Everspin技术公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 48-LFBGA MR4A08 MRAM(磁阻RAM) 3V~3.6V 48-FBGA (10x10) 下载 符合ROHS3标准 5(48小时) REACH 不出行 EAR99 8542.32.0071 2,500人 非活跃性 16兆比特 35纳秒 内存 2M×8 平行线 35纳秒
MR0A08BSO35 Everspin Technologies Inc. MR0A08BSO35 -
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ECAD 7913 0.00000000 Everspin技术公司 - 托盘 过时的 0℃~70℃(TA) 表面贴装 32-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) MR0A08 MRAM(磁阻RAM) 3V~3.6V 32-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 819-1027 EAR99 8542.32.0071 108 非活跃性 1兆比特 35纳秒 内存 128K×8 平行线 35纳秒
MR25H128AMDFR Everspin Technologies Inc. MR25H128AMDFR 8.8200
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ECAD 2186 0.00000000 Everspin技术公司 汽车,AEC-Q100 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 MR25H128 MRAM(磁阻RAM) 2.7V~3.6V 8-DFN-EP,小旗 (5x6) - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 819-MR25H128AMDFRTR EAR99 8542.32.0071 4,000 40兆赫 非活跃性 128Kbit 内存 16K×8 SPI -
EM064LXQADG13IS1T Everspin Technologies Inc. EM064LXQADG13IS1T 44.9250
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ECAD 9870 0.00000000 Everspin技术公司 EMxxLX 托盘 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 MRAM(磁阻RAM) 1.65V~2V 8-DFN (6x8) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) 819-EM064LXQADG13IS1T EAR99 8542.32.0071 290 200兆赫 非活跃性 64兆比特 内存 8M×8 SPI-八路I/O -
MR5A16AUMA45 Everspin Technologies Inc. MR5A16AUMA45 77.7900
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ECAD 2907 0.00000000 Everspin技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 48-LFBGA MR5A16 MRAM(磁阻RAM) 3V~3.6V 48-FBGA (10x10) - 符合ROHS3标准 6(标签上的T) REACH 不出行 819-MR5A16AUMA45 EAR99 8542.32.0071 240 非活跃性 32兆比特 45纳秒 内存 2M×16 平行线 45纳秒
MR4A16BUYS45 Everspin Technologies Inc. MR4A16购买45 46.6050
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ECAD 9488 0.00000000 Everspin技术公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 54-TSOP(0.400英寸,10.16毫米宽) MR4A16 MRAM(磁阻RAM) 3V~3.6V 54-TSOP2 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 819-MR4A16购买45 EAR99 8542.32.0071 108 非活跃性 16兆比特 45纳秒 内存 1M×16 平行线 45纳秒
MR1A16AMA35 Everspin Technologies Inc. MR1A16AMA35 15.3663
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ECAD 7734 0.00000000 Everspin技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 的积极 0℃~70℃(TA) 表面贴装 48-LFBGA MR1A16 MRAM(磁阻RAM) 3V~3.6V 48-FBGA (8x8) - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 819-MR1A​​​​16AMA35 EAR99 8542.32.0071 第348章 非活跃性 2兆比特 35纳秒 内存 128K×16 平行线 35纳秒
EM064LXQAB313IS1T Everspin Technologies Inc. EM064LXQAB313IS1T 44.9250
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ECAD 3357 0.00000000 Everspin技术公司 EMxxLX 托盘 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 24-TBGA MRAM(磁阻RAM) 1.65V~2V 24-TBGA (6x8) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) 819-EM064LXQAB313IS1T EAR99 8542.32.0071 第480章 200兆赫 非活跃性 64兆比特 内存 8M×8 SPI-八路I/O -
MR25H10CDF Everspin Technologies Inc. MR25H10CDF 9.7900
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ECAD 3 0.00000000 Everspin技术公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 MR25H10 MRAM(磁阻RAM) 2.7V~3.6V 8-DFN-EP,小旗 (5x6) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 819-1039 EAR99 8542.32.0071 第570章 40兆赫 非活跃性 1兆比特 内存 128K×8 SPI -
MR25H128APDFR Everspin Technologies Inc. MR25H128APDFR 7.3200
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ECAD 8547 0.00000000 Everspin技术公司 - 卷带式 (TR) 的积极 MR25H128 - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.32.0071 4,000
MR3A16ACMA35 Everspin Technologies Inc. MR3A16ACMA35 40.7800
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ECAD 第334章 0.00000000 Everspin技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 48-LFBGA MR3A16 MRAM(磁阻RAM) 3V~3.6V 48-FBGA (10x10) - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 819-MR3A16ACMA35 EAR99 8542.32.0071 240 非活跃性 8兆比特 35纳秒 内存 512K×16 平行线 35纳秒
EM004LXQBDH13CS1T Everspin Technologies Inc. EM004LXQBDH13CS1T 15.2500
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ECAD 1233 0.00000000 Everspin技术公司 EMxxLX 托盘 的积极 0℃~70℃(TA) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 MRAM(磁阻RAM) 1.65V~2V 8-DFN (5x6) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) 819-EM004LXQBDH13CS1T 第570章 200兆赫 非活跃性 4兆比特 7纳秒 内存 512K×8 SPI——四路I/O -
MR1A16AYS35R Everspin Technologies Inc. MR1A16AYS35R 17.2350
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ECAD 6299 0.00000000 Everspin技术公司 汽车,AEC-Q100 卷带式 (TR) 的积极 0℃~70℃(TA) 表面贴装 44-TSOP(0.400英寸,10.16毫米宽) MR1A16 MRAM(磁阻RAM) 3V~3.6V 44-TSOP2 - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 819-MR1A​​​​16AYS35RTR EAR99 8542.32.0071 1,500人 非活跃性 2兆比特 35纳秒 内存 128K×16 平行线 35纳秒
EM016LXQADG13IS1T Everspin Technologies Inc. EM016LXQADG13IS1T 19.5696
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ECAD 4890 0.00000000 Everspin技术公司 EMxxLX 托盘 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 MRAM(磁阻RAM) 1.65V~2V 8-DFN (6x8) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) 819-EM016LXQADG13IS1T EAR99 8542.32.0071 290 200兆赫 非活跃性 16兆比特 内存 2M×8 SPI-八路I/O -
EM032LXQAB313IS1T Everspin Technologies Inc. EM032LXQAB313IS1T 31.4250
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ECAD 8182 0.00000000 Everspin技术公司 EMxxLX 托盘 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 24-TBGA MRAM(磁阻RAM) 1.65V~2V 24-TBGA (6x8) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) 819-EM032LXQAB313IS1T EAR99 8542.32.0071 第480章 200兆赫 非活跃性 32兆比特 内存 4M×8 SPI-八路I/O -
EM032LXOAB320CS1R Everspin Technologies Inc. EM032LXOAB320CS1R 30.9000
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ECAD 第1283章 0.00000000 Everspin技术公司 EMxxLX 卷带式 (TR) 的积极 0℃~70℃ 表面贴装 24-TBGA MRAM(磁阻RAM) 1.65V~2V 24-TBGA (6x8) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) 819-EM032LXOAB320CS1RTR EAR99 8542.32.0071 4,000 200兆赫 非活跃性 32兆比特 内存 4M×8 SPI-八路I/O -
MR1A16AYS35 Everspin Technologies Inc. MR1A16AYS35 22.4000
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ECAD 265 0.00000000 Everspin技术公司 - 托盘 的积极 0℃~70℃(TA) 表面贴装 44-TSOP(0.400英寸,10.16毫米宽) MR1A16 MRAM(磁阻RAM) 3V~3.6V 44-TSOP2 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.32.0071 135 非活跃性 2兆比特 35纳秒 内存 128K×16 平行线 35纳秒
MR25H256AMDFR Everspin Technologies Inc. MR25H256AMDFR 8.5386
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ECAD 9234 0.00000000 Everspin技术公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 MR25H256 MRAM(磁阻RAM) 2.7V~3.6V 8-DFN-EP,小旗 (5x6) - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 819-MR25H256AMDFRTR EAR99 8542.32.0071 4,000 40兆赫 非活跃性 256Kbit 9纳秒 内存 32K×8 SPI -
MR25H256ACDF Everspin Technologies Inc. MR25H256ACDF 5.9100
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ECAD 16 0.00000000 Everspin技术公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 MR25H256 MRAM(磁阻RAM) 2.7V~3.6V 8-DFN (5x6) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 819-1064 EAR99 8542.32.0071 第570章 40兆赫 非活跃性 256Kbit 内存 32K×8 SPI -
MR10Q010SCR Everspin Technologies Inc. MR10Q010SCR 7.0944
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ECAD 5497 0.00000000 Everspin技术公司 - 卷带式 (TR) 的积极 0℃~70℃(TA) 表面贴装 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) MR10Q010 MRAM(磁阻RAM) 3V~3.6V 16-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 819-MR10Q010SCRTR EAR99 8542.32.0071 1,000 40兆赫 非活跃性 1兆比特 7纳秒 内存 128K×8 SPI - 四路I/O、QPI -
EM008LXQAB313IS1T Everspin Technologies Inc. EM008LXQAB313IS1T 19.0500
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ECAD 5387 0.00000000 Everspin技术公司 EMxxLX 托盘 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 24-TBGA MRAM(磁阻RAM) 1.65V~2V 24-TBGA (6x8) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) 819-EM008LXQAB313IS1T EAR99 8542.32.0071 第480章 200兆赫 非活跃性 8兆比特 内存 1M×8 SPI-八路I/O -
MR256D08BMA45R Everspin Technologies Inc. MR256D08BMA45R 7.2300
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ECAD 8464 0.00000000 Everspin技术公司 - 卷带式 (TR) 的积极 0℃~70℃(TA) 表面贴装 48-LFBGA MR256D08 MRAM(磁阻RAM) 3V~3.6V 48-FBGA (8x8) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.32.0071 2,000 非活跃性 256Kbit 45纳秒 内存 32K×8 平行线 45纳秒
EM064LXOAB320IS1T Everspin Technologies Inc. EM064LXOAB320IS1T 60.6700
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ECAD 第475章 0.00000000 Everspin技术公司 EMxxLX 托盘 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 24-TBGA MRAM(磁阻RAM) 1.65V~2V 24-TBGA (6x8) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) 819-EM064LXOAB320IS1T EAR99 8542.32.0071 第480章 200兆赫 非活跃性 64兆比特 内存 8M×8 SPI-八路I/O -
EM008LXQADG13CS1T Everspin Technologies Inc. EM008LXQADG13CS1T 16.3999
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ECAD 7382 0.00000000 Everspin技术公司 EMxxLX 托盘 的积极 0℃~70℃ 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 MRAM(磁阻RAM) 1.65V~2V 8-DFN (6x8) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) 819-EM008LXQADG13CS1T EAR99 8542.32.0071 290 200兆赫 非活跃性 8兆比特 内存 1M×8 SPI-八路I/O -
MR25H128APDF Everspin Technologies Inc. MR25H128APDF 7.0792
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ECAD 8788 0.00000000 Everspin技术公司 - 托盘 的积极 MR25H128 - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.32.0071 第570章
MR0A16ACYS35 Everspin Technologies Inc. MR0A16ACYS35 17.3800
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ECAD 5583 0.00000000 Everspin技术公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 44-TSOP(0.400英寸,10.16毫米宽) MR0A16 MRAM(磁阻RAM) 3V~3.6V 44-TSOP2 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8542.32.0071 135 非活跃性 1兆比特 35纳秒 内存 64K×16 平行线 35纳秒
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