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集成电路 (IC)(238)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 时钟频率 内存类型 内存大小 访QQT 内存格式 记忆组织 内存接口 周期写入T - 字、页
MR20H40CDF Everspin Technologies Inc. MR20H40CDF 25.1400
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 ECAD 2 0.00000000 Everspin技术公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 MR20H40 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 8-DFN-EP，小旗 (5x6) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 819-1043 EAR99 8542.32.0071 第570章 50兆赫 非活跃性 4兆比特 内存 512K×8 SPI -
EM064LXOAB320CS1R Everspin Technologies Inc. EM064LXOAB320CS1R 44.1750
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 ECAD 6779 0.00000000 Everspin技术公司 EMxxLX 卷带式 (TR) 的积极 0℃～70℃ 表面贴装 24-TBGA MRAM（磁阻RAM） 1.65V～2V 24-TBGA (6x8) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） 819-EM064LXOAB320CS1RTR EAR99 8542.32.0071 4,000 200兆赫 非活跃性 64兆比特 内存 8M×8 SPI-八路I/O -
EM032LXQADG13IS1R Everspin Technologies Inc. EM032LXQADG13IS1R 31.4250
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 ECAD 6777 0.00000000 Everspin技术公司 EMxxLX 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 MRAM（磁阻RAM） 1.65V～2V 8-DFN (6x8) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） 819-EM032LXQADG13IS1RTR EAR99 8542.32.0071 2,000 200兆赫 非活跃性 32兆比特 内存 4M×8 SPI-八路I/O -
MR2A08AYS35 Everspin Technologies Inc. MR2A08AYS35 31.5300
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 ECAD 第729章 0.00000000 Everspin技术公司 - 托盘 的积极 0℃～70℃（TA） 表面贴装 44-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽） MR2A08 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 44-TSOP2 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 819-1004 EAR99 8542.32.0071 135 非活跃性 4兆比特 35纳秒 内存 512K×8 平行线 35纳秒
MR2A16AMYS35 Everspin Technologies Inc. MR2A16AMYS35 31.5150
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 ECAD 7756 0.00000000 Everspin技术公司 汽车，AEC-Q100 托盘 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 44-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽） MR2A16 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 44-TSOP2 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.32.0071 135 非活跃性 4兆比特 35纳秒 内存 256K×16 平行线 35纳秒
MR4A08BCYS35 Everspin Technologies Inc. MR4A08BCYS35 53.3300
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 ECAD 98 0.00000000 Everspin技术公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 44-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽） MR4A08 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 44-TSOP2 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.32.0071 135 非活跃性 16兆比特 35纳秒 内存 2M×8 平行线 35纳秒
MR10Q010MB Everspin Technologies Inc. MR10Q010MB 6.7595
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 ECAD 8500 0.00000000 Everspin技术公司 - 托盘 的积极 0℃～70℃（TA） 表面贴装 24-LBGA MR10Q010 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 24-BGA (6x8) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 819-MR10Q010MB EAR99 8542.32.0071 第480章 40兆赫 非活跃性 1兆比特 7纳秒 内存 128K×8 SPI - 四路I/O、QPI -
EM008LXQAB313CS1T Everspin Technologies Inc. EM008LXQAB313CS1T 15.8270
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 ECAD 2686 0.00000000 Everspin技术公司 EMxxLX 托盘 的积极 0℃～70℃ 表面贴装 24-TBGA MRAM（磁阻RAM） 1.65V～2V 24-TBGA (6x8) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） 819-EM008LXQAB313CS1T EAR99 8542.32.0071 第480章 200兆赫 非活跃性 8兆比特 内存 1M×8 SPI-八路I/O -
MR0D08BMA45 Everspin Technologies Inc. MR0D08BMA45 15.7200
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 ECAD 8124 0.00000000 Everspin技术公司 - 托盘 的积极 0℃～70℃（TA） 表面贴装 48-LFBGA MR0D08 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 48-FBGA (8x8) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 819-1031 EAR99 8542.32.0071 第348章 非活跃性 1兆比特 45纳秒 内存 128K×8 平行线 45纳秒
MR20H40DFR Everspin Technologies Inc. MR20H40DFR -
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 ECAD 1326 0.00000000 Everspin技术公司 - 卷带式 (TR) 过时的 0℃～70℃（TA） 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 MR20H40 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 8-DFN-EP，小旗 (5x6) 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.32.0071 4,000 50兆赫 非活跃性 4兆比特 内存 512K×8 SPI -
MR25H128ACDF Everspin Technologies Inc. MR25H128ACDF 5.6100
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 ECAD 916 0.00000000 Everspin技术公司 汽车，AEC-Q100 托盘 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 MR25H128 MRAM（磁阻RAM） 2.7V~3.6V 8-DFN-EP，小旗 (5x6) - 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 819-MR25H128ACDF EAR99 8542.32.0071 第570章 40兆赫 非活跃性 128Kbit 内存 16K×8 SPI -
MR1A16AVYS35R Everspin Technologies Inc. MR1A16AVYS35R 17.2900
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 ECAD 6487 0.00000000 Everspin技术公司 汽车，AEC-Q100 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～105℃（TA） 表面贴装 44-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽） MR1A16 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 44-TSOP2 - 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 819-MR1A​​​​16AVYS35RTR EAR99 8542.32.0071 1,500人 非活跃性 2兆比特 35纳秒 内存 128K×16 平行线 35纳秒
MR0A16AVMA35R Everspin Technologies Inc. MR0A16AVMA35R 14.4172
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 ECAD 2611 0.00000000 Everspin技术公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～105℃（TA） 表面贴装 48-LFBGA MR0A16 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 48-FBGA (8x8) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.32.0071 2,000 非活跃性 1兆比特 35纳秒 内存 64K×16 平行线 35纳秒
MR25H256MDFR Everspin Technologies Inc. MR25H256MDFR 11.7600
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 ECAD 2087 0.00000000 Everspin技术公司 汽车，AEC-Q100 卷带式 (TR) 不适合新设计 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 MR25H256 MRAM（磁阻RAM） 2.7V~3.6V 8-DFN (5x6) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.32.0071 4,000 40兆赫 非活跃性 256Kbit 内存 32K×8 SPI -
MR5A16AUYS45 Everspin Technologies Inc. MR5A16AUYS45 77.7900
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 ECAD 4191 0.00000000 Everspin技术公司 汽车，AEC-Q100 托盘 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 54-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽） MR5A16 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 54-TSOP2 - 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 819-MR5A16AUYS45 EAR99 8542.32.0071 108 非活跃性 32兆比特 45纳秒 内存 2M×16 平行线 45纳秒
MR1A16AMA35R Everspin Technologies Inc. MR1A16AMA35R 15.1221
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 ECAD 9053 0.00000000 Everspin技术公司 汽车，AEC-Q100 卷带式 (TR) 的积极 0℃～70℃（TA） 表面贴装 48-LFBGA MR1A16 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 48-FBGA (8x8) - 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 819-MR1A​​​​16AMA35RTR EAR99 8542.32.0071 2,000 非活跃性 2兆比特 35纳秒 内存 128K×16 平行线 35纳秒
MR4A08BCMA35 Everspin Technologies Inc. MR4A08BCMA35 56.1100
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 ECAD 第393章 0.00000000 Everspin技术公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 48-LFBGA MR4A08 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 48-FBGA (10x10) 下载 符合ROHS3标准 5（48小时） REACH 不出行 EAR99 8542.32.0071 240 非活跃性 16兆比特 35纳秒 内存 2M×8 平行线 35纳秒
MR0DL08BMA45 Everspin Technologies Inc. MR0DL08BMA45 15.1871
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 ECAD 1792年 0.00000000 Everspin技术公司 - 托盘 的积极 0℃～70℃（TA） 表面贴装 48-LFBGA MR0DL08 MRAM（磁阻RAM） 2.7V~3.6V 48-FBGA (8x8) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 819-1060 EAR99 8542.32.0071 第349章 非活跃性 1兆比特 45纳秒 内存 128K×8 平行线 45纳秒
MR5A16ACYS35R Everspin Technologies Inc. MR5A16ACYS35R 60.3421
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 ECAD 9523 0.00000000 Everspin技术公司 汽车，AEC-Q100 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 54-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽） MR5A16 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 54-TSOP2 - 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 819-MR5A16ACYS35RTR EAR99 8542.32.0071 1,000 非活跃性 32兆比特 35纳秒 内存 2M×16 平行线 35纳秒
MR256D08BMA45 Everspin Technologies Inc. MR256D08BMA45 9.6400
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 ECAD 4960 0.00000000 Everspin技术公司 - 托盘 的积极 0℃～70℃（TA） 表面贴装 48-LFBGA MR256D08 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 48-FBGA (8x8) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 819-1033 EAR99 8542.32.0071 第348章 非活跃性 256Kbit 45纳秒 内存 32K×8 平行线 45纳秒
MR1A16ACYS35 Everspin Technologies Inc. MR1A16ACYS35 23.5300
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 ECAD 5207 0.00000000 Everspin技术公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 44-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽） MR1A16 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 44-TSOP2 - 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.32.0071 135 非活跃性 2兆比特 35纳秒 内存 128K×16 平行线 35纳秒
MR2A08AMYS35 Everspin Technologies Inc. MR2A08AMYS35 31.5750
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 ECAD 4318 0.00000000 Everspin技术公司 汽车，AEC-Q100 托盘 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 44-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽） MR2A08 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 44-TSOP2 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 819-1026 EAR99 8542.32.0071 135 非活跃性 4兆比特 35纳秒 内存 512K×8 平行线 35纳秒
MR10Q010CSC Everspin Technologies Inc. MR10Q010CSC 7.6050
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 ECAD 7812 0.00000000 Everspin技术公司 - 托盘 的积极 0℃～70℃（TA） 表面贴装 16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） MR10Q010 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 16-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 819-MR10Q010CSC EAR99 8542.32.0071 第480章 40兆赫 非活跃性 1兆比特 7纳秒 内存 128K×8 SPI - 四路I/O、QPI -
EM016LXQAB313CS1R Everspin Technologies Inc. EM016LXQAB313CS1R 19.9500
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 ECAD 4126 0.00000000 Everspin技术公司 EMxxLX 卷带式 (TR) 的积极 0℃～70℃ 表面贴装 24-TBGA MRAM（磁阻RAM） 1.65V～2V 24-TBGA (6x8) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） 819-EM016LXQAB313CS1RTR EAR99 8542.32.0071 4,000 200兆赫 非活跃性 16兆比特 内存 2M×8 SPI-八路I/O -
MR25H256CDCR Everspin Technologies Inc. MR25H256CDCR 7.0650
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 ECAD 7486 0.00000000 Everspin技术公司 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 8-TDFN 裸露焊盘 MR25H256 MRAM（磁阻RAM） 2.7V~3.6V 8-DFN (5x6) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.32.0071 4,000 40兆赫 非活跃性 256Kbit 内存 32K×8 SPI -
MR25H10MDF Everspin Technologies Inc. MR25H10MDF 12.4100
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 ECAD 1 0.00000000 Everspin技术公司 汽车，AEC-Q100 托盘 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 MR25H10 MRAM（磁阻RAM） 2.7V~3.6V 8-DFN-EP，小旗 (5x6) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 819-1042 EAR99 8542.32.0071 第570章 40兆赫 非活跃性 1兆比特 内存 128K×8 SPI -
EM032LXOAB320IS1R Everspin Technologies Inc. EM032LXOAB320IS1R 33.0750
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 ECAD 8531 0.00000000 Everspin技术公司 EMxxLX 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 24-TBGA MRAM（磁阻RAM） 1.65V～2V 24-TBGA (6x8) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） 819-EM032LXOAB320IS1RTR EAR99 8542.32.0071 4,000 200兆赫 非活跃性 32兆比特 内存 4M×8 SPI-八路I/O -
MR25H256CDF Everspin Technologies Inc. MR25H256CDF 8.9300
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 ECAD 3 0.00000000 Everspin技术公司 - 托盘 不适合新设计 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 MR25H256 MRAM（磁阻RAM） 2.7V~3.6V 8-DFN (5x6) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 819-1038 EAR99 8542.32.0071 第570章 40兆赫 非活跃性 256Kbit 内存 32K×8 SPI -
MR2A16AVYS35R Everspin Technologies Inc. MR2A16AVYS35R 31.0800
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 ECAD 7540 0.00000000 Everspin技术公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～105℃（TA） 表面贴装 44-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽） MR2A16 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 44-TSOP2 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 MR2A16AVYS35REV EAR99 8542.32.0071 1,500人 非活跃性 4兆比特 35纳秒 内存 256K×16 平行线 35纳秒
MR25H10CDFR Everspin Technologies Inc. MR25H10CDFR 7.9950
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 ECAD 7598 0.00000000 Everspin技术公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 MR25H10 MRAM（磁阻RAM） 2.7V~3.6V 8-DFN-EP，小旗 (5x6) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.32.0071 4,000 40兆赫 非活跃性 1兆比特 内存 128K×8 SPI -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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    全球制造商

  • In-stock Warehouse

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    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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