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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MR4A08BCYS35R Everspin Technologies Inc. MR4A08BCYS35R 44.7600
RFQ
ECAD 8843 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) MR4A08 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 44-TSOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 1,500 非易失性 16mbit 35 ns 内存 2m x 8 平行线 35ns
MR0A16AYS35 Everspin Technologies Inc. MR0A16AYS35 17.4100
RFQ
ECAD 7789 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) MR0A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 44-TSOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 135 非易失性 1Mbit 35 ns 内存 64k x 16 平行线 35ns
MR25H40DF Everspin Technologies Inc. MR25H40DF 16.3200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 MR25H40 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 8-DFN-EP,小国旗(5x6) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR25H40DF Ear99 8542.32.0071 570 40 MHz 非易失性 4Mbit 内存 512k x 8 spi -
MR25H256MDCR Everspin Technologies Inc. MR25H256MDCR 11.4450
RFQ
ECAD 2541 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-tdfn暴露垫 MR25H256 MRAM (磁磁性 RAM) 2.7V〜3.6V 8-DFN(5x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 4,000 40 MHz 非易失性 256kbit 内存 32K x 8 spi -
EM064LXQAB313CS1T Everspin Technologies Inc. EM064LXQAB313CS1T 42.0000
RFQ
ECAD 9568 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 托盘 积极的 0°C〜70°C 表面安装 24-TBGA MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 24-tbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM064LXQAB313CS1T Ear99 8542.32.0071 480 200 MHz 非易失性 64mbit 内存 8m x 8 spi -octal I/o -
MR5A16AYS35R Everspin Technologies Inc. MR5A16AYS35R 64.0950
RFQ
ECAD 5139 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MR5A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 54-TSOP2 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR5A16AYS35RTR Ear99 8542.32.0071 1,000 非易失性 32Mbit 35 ns 内存 2m x 16 平行线 35ns
MR2A08AYS35 Everspin Technologies Inc. MR2A08AYS35 31.5300
RFQ
ECAD 729 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) MR2A08 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 44-TSOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-1004 Ear99 8542.32.0071 135 非易失性 4Mbit 35 ns 内存 512k x 8 平行线 35ns
MR25H10CDCR Everspin Technologies Inc. MR25H10CDCR 8.1000
RFQ
ECAD 5273 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-tdfn暴露垫 MR25H10 MRAM (磁磁性 RAM) 2.7V〜3.6V 8-DFN-EP,大国旗(5x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 4,000 40 MHz 非易失性 1Mbit 内存 128K x 8 spi -
MR2A16AMA35 Everspin Technologies Inc. MR2A16AMA35 29.4900
RFQ
ECAD 489 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-LFBGA MR2A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 48-fbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-1018 Ear99 8542.32.0071 348 非易失性 4Mbit 35 ns 内存 256K x 16 平行线 35ns
MR2A16ACMA35R Everspin Technologies Inc. MR2A16ACMA35R 23.4479
RFQ
ECAD 6482 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-LFBGA MR2A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 48-fbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 非易失性 4Mbit 35 ns 内存 256K x 16 平行线 35ns
MR2A08AMYS35 Everspin Technologies Inc. MR2A08AMYS35 31.5750
RFQ
ECAD 4318 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) MR2A08 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 44-TSOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-1026 Ear99 8542.32.0071 135 非易失性 4Mbit 35 ns 内存 512k x 8 平行线 35ns
EM008LXOAB320CS1R Everspin Technologies Inc. EM008LXOAB320CS1R 18.7500
RFQ
ECAD 4820 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C 表面安装 24-TBGA MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 24-tbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM008LXOAB320CS1RTR Ear99 8542.32.0071 4,000 200 MHz 非易失性 8mbit 内存 1m x 8 spi -octal I/o -
MR5A16ACYS35R Everspin Technologies Inc. MR5A16ACYS35R 60.3421
RFQ
ECAD 9523 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MR5A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 54-TSOP2 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR5A16ACYS35RTR Ear99 8542.32.0071 1,000 非易失性 32Mbit 35 ns 内存 2m x 16 平行线 35ns
MR3A16AMA35 Everspin Technologies Inc. MR3A16AMA35 24.5941
RFQ
ECAD 2619 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 48-LFBGA MR3A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 48-fbga(10x10) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR3A16AMA35 Ear99 8542.32.0071 240 非易失性 8mbit 35 ns 内存 512k x 16 平行线 35ns
MR2A08AMYS35R Everspin Technologies Inc. MR2A08AMYS35R 31.9200
RFQ
ECAD 6008 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) MR2A08 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 44-TSOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 1,500 非易失性 4Mbit 35 ns 内存 512k x 8 平行线 35ns
EM016LXOAB320CS1R Everspin Technologies Inc. EM016LXOAB320CS1R 18.6200
RFQ
ECAD 2388 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C 表面安装 24-TBGA MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 24-tbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM016LXOAB320CS1RTR Ear99 8542.32.0071 4,000 200 MHz 非易失性 16mbit 内存 2m x 8 spi -octal I/o -
MR1A16AVYS35R Everspin Technologies Inc. MR1A16AVYS35R 17.2900
RFQ
ECAD 6487 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) MR1A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 44-TSOP2 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR1A16AVYS35RTR Ear99 8542.32.0071 1,500 非易失性 2Mbit 35 ns 内存 128K x 16 平行线 35ns
MR1A16ACYS35R Everspin Technologies Inc. MR1A16ACYS35R 16.0398
RFQ
ECAD 7354 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) MR1A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 44-TSOP2 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR1A16ACYS35RTR Ear99 8542.32.0071 1,500 非易失性 2Mbit 35 ns 内存 128K x 16 平行线 35ns
MR25H128ACDFR Everspin Technologies Inc. MR25H128ACDFR 4.0200
RFQ
ECAD 8142 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 MR25H128 MRAM (磁磁性 RAM) 2.7V〜3.6V 8-DFN-EP,小国旗(5x6) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR25H128ACDFRTR Ear99 8542.32.0071 4,000 40 MHz 非易失性 128kbit 内存 16k x 8 spi -
MR256A08BCSO35R Everspin Technologies Inc. MR256A08BCSO35R -
RFQ
ECAD 7149 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 32-SOIC(0.295(7.50mm) MR256A08 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 32-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 1,000 非易失性 256kbit 35 ns 内存 32K x 8 平行线 35ns
EM008LXOAB320IS1T Everspin Technologies Inc. EM008LXOAB320IS1T 20.1000
RFQ
ECAD 4685 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 托盘 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 24-TBGA MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 24-tbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM008LXOAB320IS1T Ear99 8542.32.0071 480 200 MHz 非易失性 8mbit 内存 1m x 8 spi -octal I/o -
MR4A16BCMA35R Everspin Technologies Inc. MR4A16BCMA35R 46.8750
RFQ
ECAD 5795 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-LFBGA MR4A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 48-fbga(10x10) 下载 rohs3符合条件 5(48)(48)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,500 非易失性 16mbit 35 ns 内存 1m x 16 平行线 35ns
MR256A08BCYS35 Everspin Technologies Inc. MR256A08BCYS35 7.7613
RFQ
ECAD 5982 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) MR256A08 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 44-TSOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-1025 Ear99 8542.32.0071 135 非易失性 256kbit 35 ns 内存 32K x 8 平行线 35ns
EM064LXQADG13IS1R Everspin Technologies Inc. EM064LXQADG13IS1R 44.9250
RFQ
ECAD 9213 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 8-vdfn暴露垫 MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 8-DFN(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM064LXQADG13IS1RTR Ear99 8542.32.0071 2,000 200 MHz 非易失性 64mbit 内存 8m x 8 spi -octal I/o -
MR4A08BCMA35 Everspin Technologies Inc. MR4A08BCMA35 56.1100
RFQ
ECAD 393 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-LFBGA MR4A08 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 48-fbga(10x10) 下载 rohs3符合条件 5(48)(48)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 240 非易失性 16mbit 35 ns 内存 2m x 8 平行线 35ns
EM032LXQAB313IS1R Everspin Technologies Inc. EM032LXQAB313IS1R 31.4250
RFQ
ECAD 5991 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 24-TBGA MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 24-tbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM032LXQAB313IS1RTR Ear99 8542.32.0071 4,000 200 MHz 非易失性 32Mbit 内存 4m x 8 spi -octal I/o -
MR25H40MDFR Everspin Technologies Inc. MR25H40MDFR 30.6750
RFQ
ECAD 6246 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 MR25H40 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 8-DFN-EP,小国旗(5x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 4,000 40 MHz 非易失性 4Mbit 内存 512k x 8 spi -
EM064LXQADG13CS1R Everspin Technologies Inc. EM064LXQADG13CS1R 42.0000
RFQ
ECAD 8541 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C 表面安装 8-vdfn暴露垫 MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 8-DFN(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM064LXQADG13CS1RTR Ear99 8542.32.0071 2,000 200 MHz 非易失性 64mbit 内存 8m x 8 spi -octal I/o -
MR3A16AUYS45R Everspin Technologies Inc. MR3A16AUYS45R 39.1200
RFQ
ECAD 2537 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MR3A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 54-TSOP2 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR3A16AUYS45RTR Ear99 8542.32.0071 1,000 非易失性 8mbit 45 ns 内存 512k x 16 平行线 35ns
MR25H40CDFR Everspin Technologies Inc. MR25H40CDFR 17.3550
RFQ
ECAD 4788 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 MR25H40 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 8-DFN-EP,小国旗(5x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 4,000 40 MHz 非易失性 4Mbit 内存 512k x 8 spi -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库