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（ICS）（238）

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MR10Q010VSCR	8.3700	RFQ	8496	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	MR10Q010	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-MR10Q010VSCRTR	Ear99	8542.32.0071	1,000	40 MHz	非易失性	1Mbit	7 ns	内存	128K x 8	Spi -Quad I/O，QPI	-
MR0A08BCSO35R	-	RFQ	1518年	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.295（7.50mm）	MR0A08	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	32-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,000		非易失性	1Mbit	35 ns	内存	128K x 8	平行线	35ns
MR25H256AMDF	11.8300	RFQ	4	Everspin Technologies Inc.	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MR25H256	MRAM （磁磁性 RAM）	2.7V〜3.6V	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-1065	Ear99	8542.32.0071	570	40 MHz	非易失性	256kbit		内存	32K x 8	spi	-
MR5A16ACYS35	80.3300	RFQ	842	Everspin Technologies Inc.	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MR5A16	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	54-TSOP2	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-MR5A16ACYS35	Ear99	8542.32.0071	108		非易失性	32Mbit	35 ns	内存	2m x 16	平行线	35ns
MR0A16AMA35R	13.0950	RFQ	8922	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-LFBGA	MR0A16	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	48-fbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,000		非易失性	1Mbit	35 ns	内存	64k x 16	平行线	35ns
MR256A08BCSO35	-	RFQ	1599年	Everspin Technologies Inc.	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.295（7.50mm）	MR256A08	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	32-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	108		非易失性	256kbit	35 ns	内存	32K x 8	平行线	35ns
MR4A08BMA35R	41.0250	RFQ	6881	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-LFBGA	MR4A08	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	48-fbga（10x10）	下载	rohs3符合条件	5（48）（48））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,500		非易失性	16mbit	35 ns	内存	2m x 8	平行线	35ns
EM008LXQAB313CS1T	15.8270	RFQ	2686	Everspin Technologies Inc.	emxxlx	托盘	积极的	0°C〜70°C	表面安装	24-TBGA		MRAM （磁磁性 RAM）	1.65V〜2V	24-tbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		819-EM008LXQAB313CS1T	Ear99	8542.32.0071	480	200 MHz	非易失性	8mbit		内存	1m x 8	spi -octal I/o	-
MR25H40CDC	22.9800	RFQ	2112	Everspin Technologies Inc.	-	托盘	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MR25H40	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	8-DFN-EP，大国旗（5x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	570	40 MHz	非易失性	4Mbit		内存	512k x 8	spi	-
MR10Q010MB	6.7595	RFQ	8500	Everspin Technologies Inc.	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	24-LBGA	MR10Q010	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	24-BGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-MR10Q010MB	Ear99	8542.32.0071	480	40 MHz	非易失性	1Mbit	7 ns	内存	128K x 8	Spi -Quad I/O，QPI	-
EM016LXQADG13CS1R	19.9500	RFQ	5899	Everspin Technologies Inc.	emxxlx	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C	表面安装	8-vdfn暴露垫		MRAM （磁磁性 RAM）	1.65V〜2V	8-DFN（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		819-EM016LXQADG13CS1RTR	Ear99	8542.32.0071	2,000	200 MHz	非易失性	16mbit		内存	2m x 8	spi -octal I/o	-
MR4A16BMA35R	35.9400	RFQ	2772	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-LFBGA	MR4A16	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	48-fbga（10x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,500		非易失性	16mbit	35 ns	内存	1m x 16	平行线	35ns
MR10Q010CMB	7.6050	RFQ	2089	Everspin Technologies Inc.	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	24-LBGA	MR10Q010	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	24-BGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-MR10Q010CMB	Ear99	8542.32.0071	480	40 MHz	非易失性	1Mbit	7 ns	内存	128K x 8	Spi -Quad I/O，QPI	-
EM008LXOAB320IS1R	20.1000	RFQ	9800	Everspin Technologies Inc.	emxxlx	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	表面安装	24-TBGA		MRAM （磁磁性 RAM）	1.65V〜2V	24-tbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		819-EM008LXOAB320IS1RTR	Ear99	8542.32.0071	4,000	200 MHz	非易失性	8mbit		内存	1m x 8	spi -octal I/o	-
MR0A16AVYS35	14.3608	RFQ	1580	Everspin Technologies Inc.	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	MR0A16	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	44-TSOP2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	135		非易失性	1Mbit	35 ns	内存	64k x 16	平行线	35ns
EM064LXQAB313CS1R	42.0000	RFQ	3713	Everspin Technologies Inc.	emxxlx	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C	表面安装	24-TBGA		MRAM （磁磁性 RAM）	1.65V〜2V	24-tbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		819-EM064LXQAB313CS1RTR	Ear99	8542.32.0071	4,000	200 MHz	非易失性	64mbit		内存	8m x 8	spi -octal I/o	-
EM032LXQADG13IS1T	31.4250	RFQ	2431	Everspin Technologies Inc.	emxxlx	托盘	积极的	-40°C〜85°C	表面安装	8-vdfn暴露垫		MRAM （磁磁性 RAM）	1.65V〜2V	8-DFN（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		819-EM032LXQADG13IS1T	Ear99	8542.32.0071	290	200 MHz	非易失性	32Mbit		内存	4m x 8	spi -octal I/o	-
EM064LXQAB313IS1R	44.9250	RFQ	3962	Everspin Technologies Inc.	emxxlx	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	表面安装	24-TBGA		MRAM （磁磁性 RAM）	1.65V〜2V	24-tbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		819-EM064LXQAB313IS1RTR	Ear99	8542.32.0071	4,000	200 MHz	非易失性	64mbit		内存	8m x 8	spi -octal I/o	-
EM064LXQAB313CS1T	42.0000	RFQ	9568	Everspin Technologies Inc.	emxxlx	托盘	积极的	0°C〜70°C	表面安装	24-TBGA		MRAM （磁磁性 RAM）	1.65V〜2V	24-tbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		819-EM064LXQAB313CS1T	Ear99	8542.32.0071	480	200 MHz	非易失性	64mbit		内存	8m x 8	spi -octal I/o	-
MR4A16BCMA35	55.8900	RFQ	850	Everspin Technologies Inc.	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-LFBGA	MR4A16	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	48-fbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-1016	Ear99	8542.32.0071	240		非易失性	16mbit	35 ns	内存	1m x 16	平行线	35ns
MR4A08BCYS35R	44.7600	RFQ	8843	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	MR4A08	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	44-TSOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,500		非易失性	16mbit	35 ns	内存	2m x 8	平行线	35ns
MR0A08BYS35	17.5300	RFQ	769	Everspin Technologies Inc.	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	MR0A08	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	44-TSOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-1002	Ear99	8542.32.0071	135		非易失性	1Mbit	35 ns	内存	128K x 8	平行线	35ns
EM016LXOAB320IS1T	22.4250	RFQ	5298	Everspin Technologies Inc.	emxxlx	托盘	积极的	-40°C〜85°C	表面安装	24-TBGA		MRAM （磁磁性 RAM）	1.65V〜2V	24-tbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		819-EM016LXOAB320IS1T	Ear99	8542.32.0071	480	200 MHz	非易失性	16mbit		内存	2m x 8	spi -octal I/o	-
MR25H256MDCR	11.4450	RFQ	2541	Everspin Technologies Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-tdfn暴露垫	MR25H256	MRAM （磁磁性 RAM）	2.7V〜3.6V	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	4,000	40 MHz	非易失性	256kbit		内存	32K x 8	spi	-
MR4A08BYS35	37.6200	RFQ	8937	Everspin Technologies Inc.	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	MR4A08	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	44-TSOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	135		非易失性	16mbit	35 ns	内存	2m x 8	平行线	35ns
MR0A16AYS35	17.4100	RFQ	7789	Everspin Technologies Inc.	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	MR0A16	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	44-TSOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	135		非易失性	1Mbit	35 ns	内存	64k x 16	平行线	35ns
MR2A08AYS35	31.5300	RFQ	729	Everspin Technologies Inc.	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	MR2A08	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	44-TSOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-1004	Ear99	8542.32.0071	135		非易失性	4Mbit	35 ns	内存	512k x 8	平行线	35ns
EMD3D256M16G2-150CBS1	55.9878	RFQ	2717	Everspin Technologies Inc.	-	托盘	积极的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		MRAM （磁磁性 RAM）	1.425V〜1.575V	96-BGA（10x13）	-	rohs3符合条件			819-EMD3D256M16G2-150CBS1			190	667 MHz	非易失性	256Mbit	14 ns	内存	16m x 16	平行线	-
MR25H40MDF	36.6700	RFQ	4	Everspin Technologies Inc.	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MR25H40	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	8-DFN-EP，小国旗（5x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	570	40 MHz	非易失性	4Mbit		内存	512k x 8	spi	-
EM004LXOBB320CS1T	16.5600	RFQ	9928	Everspin Technologies Inc.	emxxlx	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	24-TBGA		MRAM （磁磁性 RAM）	1.65V〜2V	24-tbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		819-EM004LXOBB320CS1T			480	200 MHz	非易失性	4Mbit	7 ns	内存	512k x 8	spi -octal I/o	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（238）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²