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（ICS）（238）

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EM032LXQADG13IS1T	31.4250	RFQ	2431	Everspin Technologies Inc.	emxxlx	托盘	积极的	-40°C〜85°C	表面安装	8-vdfn暴露垫		MRAM （磁磁性 RAM）	1.65V〜2V	8-DFN（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		819-EM032LXQADG13IS1T	Ear99	8542.32.0071	290	200 MHz	非易失性	32Mbit		内存	4m x 8	spi -octal I/o	-
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EMD3D256M16G2-150CBS1	55.9878	RFQ	2717	Everspin Technologies Inc.	-	托盘	积极的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		MRAM （磁磁性 RAM）	1.425V〜1.575V	96-BGA（10x13）	-	rohs3符合条件			819-EMD3D256M16G2-150CBS1			190	667 MHz	非易失性	256Mbit	14 ns	内存	16m x 16	平行线	-
EMD4E001G16G2-150CAS2R	106.4000	RFQ	4256	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		MRAM （磁磁性 RAM）	1.14v〜1.26v	96-BGA（10x13）	-	rohs3符合条件			819-EMD4E001G16G2-150CAS2RTR			2,000	667 MHz	非易失性	1Gbit	18 ns	内存	128m x 8	平行线	15ns
EM004LXQBDH13IS1T	16.3600	RFQ	2114	Everspin Technologies Inc.	emxxlx	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫		MRAM （磁磁性 RAM）	1.65V〜2V	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））		819-EM004LXQBDH13IS1T			570	200 MHz	非易失性	4Mbit	7 ns	内存	512k x 8	Spi -Quad I/O。	-
EM004LXOBB320CS1T	16.5600	RFQ	9928	Everspin Technologies Inc.	emxxlx	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	24-TBGA		MRAM （磁磁性 RAM）	1.65V〜2V	24-tbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		819-EM004LXOBB320CS1T			480	200 MHz	非易失性	4Mbit	7 ns	内存	512k x 8	spi -octal I/o	-
MR4A16BCMA35	55.8900	RFQ	850	Everspin Technologies Inc.	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-LFBGA	MR4A16	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	48-fbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-1016	Ear99	8542.32.0071	240		非易失性	16mbit	35 ns	内存	1m x 16	平行线	35ns
MR2A16AMA35	29.4900	RFQ	489	Everspin Technologies Inc.	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-LFBGA	MR2A16	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	48-fbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-1018	Ear99	8542.32.0071	348		非易失性	4Mbit	35 ns	内存	256K x 16	平行线	35ns
MR0A16AMA35	12.8563	RFQ	1611	Everspin Technologies Inc.	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-LFBGA	MR0A16	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	48-fbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-1019	Ear99	8542.32.0071	348		非易失性	1Mbit	35 ns	内存	64k x 16	平行线	35ns
MR0A16ACMA35	13.7789	RFQ	8904	Everspin Technologies Inc.	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-LFBGA	MR0A16	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	48-fbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-1021	Ear99	8542.32.0071	348		非易失性	1Mbit	35 ns	内存	64k x 16	平行线	35ns
MR256A08BYS35	9.9100	RFQ	934	Everspin Technologies Inc.	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	MR256A08	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	44-TSOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-1024	Ear99	8542.32.0071	135		非易失性	256kbit	35 ns	内存	32K x 8	平行线	35ns
MR0A08BMA35	13.0680	RFQ	6185	Everspin Technologies Inc.	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-LFBGA	MR0A08	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	48-fbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-1030	Ear99	8542.32.0071	348		非易失性	1Mbit	35 ns	内存	128K x 8	平行线	35ns
MR0D08BMA45	15.7200	RFQ	8124	Everspin Technologies Inc.	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-LFBGA	MR0D08	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	48-fbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-1031	Ear99	8542.32.0071	348		非易失性	1Mbit	45 ns	内存	128K x 8	平行线	45ns
MR256A08BCMA35	11.7600	RFQ	696	Everspin Technologies Inc.	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-LFBGA	MR256A08	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	48-fbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-1036	Ear99	8542.32.0071	348		非易失性	256kbit	35 ns	内存	32K x 8	平行线	35ns
MR25H256MDCR	11.4450	RFQ	2541	Everspin Technologies Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-tdfn暴露垫	MR25H256	MRAM （磁磁性 RAM）	2.7V〜3.6V	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	4,000	40 MHz	非易失性	256kbit		内存	32K x 8	spi	-
MR25H10MDCR	10.2900	RFQ	3277	Everspin Technologies Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-tdfn暴露垫	MR25H10	MRAM （磁磁性 RAM）	2.7V〜3.6V	8-DFN-EP，大国旗（5x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	4,000	40 MHz	非易失性	1Mbit		内存	128K x 8	spi	-
MR25H10CDCR	8.1000	RFQ	5273	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-tdfn暴露垫	MR25H10	MRAM （磁磁性 RAM）	2.7V〜3.6V	8-DFN-EP，大国旗（5x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	4,000	40 MHz	非易失性	1Mbit		内存	128K x 8	spi	-
MR25H40CDCR	18.9000	RFQ	6979	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MR25H40	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	8-DFN-EP，大国旗（5x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	4,000	40 MHz	非易失性	4Mbit		内存	512k x 8	spi	-
MR0A08BMA35R	11.8769	RFQ	3063	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-LFBGA	MR0A08	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	48-fbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,000		非易失性	1Mbit	35 ns	内存	128K x 8	平行线	35ns
MR2A08AMA35R	24.4950	RFQ	1369	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-LFBGA	MR2A08	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	48-fbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,000		非易失性	4Mbit	35 ns	内存	512k x 8	平行线	35ns
MR256A08BSO35R	-	RFQ	4555	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.295（7.50mm）	MR256A08	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	32-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,000		非易失性	256kbit	35 ns	内存	32K x 8	平行线	35ns
MR0A08BSO35R	-	RFQ	8909	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.295（7.50mm）	MR0A08	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	32-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,000		非易失性	1Mbit	35 ns	内存	128K x 8	平行线	35ns
MR256A08BCYS35R	7.6211	RFQ	6733	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	MR256A08	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	44-TSOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,500		非易失性	256kbit	35 ns	内存	32K x 8	平行线	35ns
MR2A08ACYS35R	23.6208	RFQ	9287	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	MR2A08	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	44-TSOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,500		非易失性	4Mbit	35 ns	内存	512k x 8	平行线	35ns
MR2A16ACMA35R	23.4479	RFQ	6482	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-LFBGA	MR2A16	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	48-fbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,000		非易失性	4Mbit	35 ns	内存	256K x 16	平行线	35ns
MR0A16AMA35R	13.0950	RFQ	8922	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-LFBGA	MR0A16	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	48-fbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,000		非易失性	1Mbit	35 ns	内存	64k x 16	平行线	35ns
MR4A16BMA35R	35.9400	RFQ	2772	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-LFBGA	MR4A16	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	48-fbga（10x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,500		非易失性	16mbit	35 ns	内存	1m x 16	平行线	35ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（238）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²