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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MR4A08BYS35 Everspin Technologies Inc. MR4A08BYS35 37.6200
RFQ
ECAD 8937 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) MR4A08 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 44-TSOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 135 非易失性 16mbit 35 ns 内存 2m x 8 平行线 35ns
MR0A08BCSO35R Everspin Technologies Inc. MR0A08BCSO35R -
RFQ
ECAD 1518年 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 32-SOIC(0.295(7.50mm) MR0A08 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 32-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 1,000 非易失性 1Mbit 35 ns 内存 128K x 8 平行线 35ns
MR256A08BCSO35 Everspin Technologies Inc. MR256A08BCSO35 -
RFQ
ECAD 1599年 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 32-SOIC(0.295(7.50mm) MR256A08 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 32-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 108 非易失性 256kbit 35 ns 内存 32K x 8 平行线 35ns
MR25H40MDF Everspin Technologies Inc. MR25H40MDF 36.6700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 MR25H40 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 8-DFN-EP,小国旗(5x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 570 40 MHz 非易失性 4Mbit 内存 512k x 8 spi -
MR2A16AMYS35 Everspin Technologies Inc. MR2A16AMYS35 31.5150
RFQ
ECAD 7756 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) MR2A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 44-TSOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 135 非易失性 4Mbit 35 ns 内存 256K x 16 平行线 35ns
MR2A16AMYS35R Everspin Technologies Inc. MR2A16AMYS35R 31.8450
RFQ
ECAD 8902 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) MR2A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 44-TSOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 1,500 非易失性 4Mbit 35 ns 内存 256K x 16 平行线 35ns
MR1A16AMYS35R Everspin Technologies Inc. MR1A16AMYS35R 20.0564
RFQ
ECAD 7145 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) MR1A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 44-TSOP2 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR1A​​ 16AMYS35RTR Ear99 8542.32.0071 1,500 非易失性 2Mbit 35 ns 内存 128K x 16 平行线 35ns
MR25H40DF Everspin Technologies Inc. MR25H40DF 16.3200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 MR25H40 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 8-DFN-EP,小国旗(5x6) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR25H40DF Ear99 8542.32.0071 570 40 MHz 非易失性 4Mbit 内存 512k x 8 spi -
MR5A16AYS35R Everspin Technologies Inc. MR5A16AYS35R 64.0950
RFQ
ECAD 5139 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MR5A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 54-TSOP2 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR5A16AYS35RTR Ear99 8542.32.0071 1,000 非易失性 32Mbit 35 ns 内存 2m x 16 平行线 35ns
MR5A16AUYS45R Everspin Technologies Inc. MR5A16AUYS45R 77.9850
RFQ
ECAD 6318 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MR5A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 54-TSOP2 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR5A16AUYS45RTR Ear99 8542.32.0071 1,000 非易失性 32Mbit 45 ns 内存 2m x 16 平行线 45ns
MR5A16ACYS35 Everspin Technologies Inc. MR5A16ACYS35 80.3300
RFQ
ECAD 842 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MR5A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 54-TSOP2 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR5A16ACYS35 Ear99 8542.32.0071 108 非易失性 32Mbit 35 ns 内存 2m x 16 平行线 35ns
MR3A16ACMA35R Everspin Technologies Inc. MR3A16ACMA35R 32.1600
RFQ
ECAD 6879 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-LFBGA MR3A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 48-fbga(10x10) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR3A16ACMA35RTR Ear99 8542.32.0071 2,500 非易失性 8mbit 35 ns 内存 512k x 16 平行线 35ns
MR3A16ACYS35R Everspin Technologies Inc. MR3A16ACYS35R 31.3650
RFQ
ECAD 6440 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MR3A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 54-TSOP2 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR3A16ACYS35RTR Ear99 8542.32.0071 1,000 非易失性 8mbit 35 ns 内存 512k x 16 平行线 35ns
MR25H40DFR Everspin Technologies Inc. MR25H40DFR 11.8769
RFQ
ECAD 2376 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 MR25H40 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 8-DFN-EP,小国旗(5x6) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR25H40DFRTR Ear99 8542.32.0071 4,000 40 MHz 非易失性 4Mbit 内存 512k x 8 spi -
MR1A16AVMA35R Everspin Technologies Inc. MR1A16AVMA35R 20.2350
RFQ
ECAD 9490 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 48-LFBGA MR1A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 48-fbga(8x8) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR1A​​ 16AVMA35RTR Ear99 8542.32.0071 2,000 非易失性 2Mbit 35 ns 内存 128K x 16 平行线 35ns
MR10Q010CMBR Everspin Technologies Inc. MR10Q010CMBR 7.1939
RFQ
ECAD 9460 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 24-LBGA MR10Q010 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 24-BGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR10Q010CMBRTR Ear99 8542.32.0071 1,000 40 MHz 非易失性 1Mbit 7 ns 内存 128K x 8 Spi -Quad I/O,QPI -
MR25H256APDFR Everspin Technologies Inc. MR25H256APDFR 7.2219
RFQ
ECAD 7247 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 MR25H256 MRAM (磁磁性 RAM) 2.7V〜3.6V 8-DFN-EP,小国旗(5x6) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR25H256APDFRTR Ear99 8542.32.0071 4,000 40 MHz 非易失性 256kbit 9 ns 内存 32K x 8 spi -
MR10Q010CMB Everspin Technologies Inc. MR10Q010CMB 7.6050
RFQ
ECAD 2089 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 24-LBGA MR10Q010 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 24-BGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR10Q010CMB Ear99 8542.32.0071 480 40 MHz 非易失性 1Mbit 7 ns 内存 128K x 8 Spi -Quad I/O,QPI -
MR10Q010MB Everspin Technologies Inc. MR10Q010MB 6.7595
RFQ
ECAD 8500 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 24-LBGA MR10Q010 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 24-BGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR10Q010MB Ear99 8542.32.0071 480 40 MHz 非易失性 1Mbit 7 ns 内存 128K x 8 Spi -Quad I/O,QPI -
MR10Q010VSCR Everspin Technologies Inc. MR10Q010VSCR 8.3700
RFQ
ECAD 8496 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) MR10Q010 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR10Q010VSCRTR Ear99 8542.32.0071 1,000 40 MHz 非易失性 1Mbit 7 ns 内存 128K x 8 Spi -Quad I/O,QPI -
EM008LXQAB313IS1R Everspin Technologies Inc. EM008LXQAB313IS1R 19.0500
RFQ
ECAD 2122 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 24-TBGA MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 24-tbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM008LXQAB313IS1RTR Ear99 8542.32.0071 4,000 200 MHz 非易失性 8mbit 内存 1m x 8 spi -octal I/o -
EM064LXQAB313CS1R Everspin Technologies Inc. EM064LXQAB313CS1R 42.0000
RFQ
ECAD 3713 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C 表面安装 24-TBGA MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 24-tbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM064LXQAB313CS1RTR Ear99 8542.32.0071 4,000 200 MHz 非易失性 64mbit 内存 8m x 8 spi -octal I/o -
EM016LXQADG13CS1T Everspin Technologies Inc. EM016LXQADG13CS1T 19.9500
RFQ
ECAD 8815 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 托盘 积极的 0°C〜70°C 表面安装 8-vdfn暴露垫 MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 8-DFN(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM016LXQADG13CS1T Ear99 8542.32.0071 290 200 MHz 非易失性 16mbit 内存 2m x 8 spi -octal I/o -
EM008LXQADG13CS1R Everspin Technologies Inc. EM008LXQADG13CS1R 15.8270
RFQ
ECAD 9500 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C 表面安装 8-vdfn暴露垫 MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 8-DFN(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM008LXQADG13CS1RTR Ear99 8542.32.0071 2,000 200 MHz 非易失性 8mbit 内存 1m x 8 spi -octal I/o -
EM064LXQAB313CS1T Everspin Technologies Inc. EM064LXQAB313CS1T 42.0000
RFQ
ECAD 9568 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 托盘 积极的 0°C〜70°C 表面安装 24-TBGA MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 24-tbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM064LXQAB313CS1T Ear99 8542.32.0071 480 200 MHz 非易失性 64mbit 内存 8m x 8 spi -octal I/o -
EM064LXQAB313IS1R Everspin Technologies Inc. EM064LXQAB313IS1R 44.9250
RFQ
ECAD 3962 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 24-TBGA MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 24-tbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM064LXQAB313IS1RTR Ear99 8542.32.0071 4,000 200 MHz 非易失性 64mbit 内存 8m x 8 spi -octal I/o -
EM032LXQAB313CS1R Everspin Technologies Inc. EM032LXQAB313CS1R 29.4000
RFQ
ECAD 7519 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C 表面安装 24-TBGA MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 24-tbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM032LXQAB313CS1RTR Ear99 8542.32.0071 4,000 200 MHz 非易失性 32Mbit 内存 4m x 8 spi -octal I/o -
EM008LXOAB320IS1R Everspin Technologies Inc. EM008LXOAB320IS1R 20.1000
RFQ
ECAD 9800 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 24-TBGA MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 24-tbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM008LXOAB320IS1RTR Ear99 8542.32.0071 4,000 200 MHz 非易失性 8mbit 内存 1m x 8 spi -octal I/o -
EM064LXOAB320CS1T Everspin Technologies Inc. EM064LXOAB320CS1T 44.1750
RFQ
ECAD 4138 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 托盘 积极的 0°C〜70°C 表面安装 24-TBGA MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 24-tbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM064LXOAB320CS1T Ear99 8542.32.0071 480 200 MHz 非易失性 64mbit 内存 8m x 8 spi -octal I/o -
EM008LXQAB313CS1T Everspin Technologies Inc. EM008LXQAB313CS1T 15.8270
RFQ
ECAD 2686 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 托盘 积极的 0°C〜70°C 表面安装 24-TBGA MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 24-tbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM008LXQAB313CS1T Ear99 8542.32.0071 480 200 MHz 非易失性 8mbit 内存 1m x 8 spi -octal I/o -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库