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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 sic可编程 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MR0D08BMA45 Everspin Technologies Inc. MR0D08BMA45 15.7200
RFQ
ECAD 8124 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-LFBGA MR0D08 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 48-fbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-1031 Ear99 8542.32.0071 348 非易失性 1Mbit 45 ns 内存 128K x 8 平行线 45ns
MR25H10MDCR Everspin Technologies Inc. MR25H10MDCR 10.2900
RFQ
ECAD 3277 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-tdfn暴露垫 MR25H10 MRAM (磁磁性 RAM) 2.7V〜3.6V 8-DFN-EP,大国旗(5x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 4,000 40 MHz 非易失性 1Mbit 内存 128K x 8 spi -
MR0A16ACYS35R Everspin Technologies Inc. MR0A16ACYS35R 12.5286
RFQ
ECAD 2172 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) MR0A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 44-TSOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 1,500 非易失性 1Mbit 35 ns 内存 64k x 16 平行线 35ns
EM016LXQAB313IS1R Everspin Technologies Inc. EM016LXQAB313IS1R 18.8860
RFQ
ECAD 3100 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 24-TBGA MRAM (磁磁性 RAM) 未行业行业经验证 1.65V〜2V 24-tbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM016LXQAB313IS1RTR Ear99 8542.32.0071 4,000 200 MHz 非易失性 16mbit 内存 2m x 8 spi -octal I/o -
MR256A08BCYS35R Everspin Technologies Inc. MR256A08BCYS35R 7.6211
RFQ
ECAD 6733 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) MR256A08 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 44-TSOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 1,500 非易失性 256kbit 35 ns 内存 32K x 8 平行线 35ns
MR2A16ACMA35R Everspin Technologies Inc. MR2A16ACMA35R 23.4479
RFQ
ECAD 6482 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-LFBGA MR2A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 48-fbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 非易失性 4Mbit 35 ns 内存 256K x 16 平行线 35ns
MR0A08BMA35 Everspin Technologies Inc. MR0A08BMA35 13.0680
RFQ
ECAD 6185 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-LFBGA MR0A08 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 48-fbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-1030 Ear99 8542.32.0071 348 非易失性 1Mbit 35 ns 内存 128K x 8 平行线 35ns
MR25H256AMDF Everspin Technologies Inc. MR25H256AMDF 11.8300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 MR25H256 MRAM (磁磁性 RAM) 2.7V〜3.6V 8-DFN(5x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-1065 Ear99 8542.32.0071 570 40 MHz 非易失性 256kbit 内存 32K x 8 spi -
MR5A16ACYS35 Everspin Technologies Inc. MR5A16ACYS35 80.3300
RFQ
ECAD 842 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MR5A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 54-TSOP2 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR5A16ACYS35 Ear99 8542.32.0071 108 非易失性 32Mbit 35 ns 内存 2m x 16 平行线 35ns
MR4A08BMA35R Everspin Technologies Inc. MR4A08BMA35R 41.0250
RFQ
ECAD 6881 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-LFBGA MR4A08 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 48-fbga(10x10) 下载 rohs3符合条件 5(48)(48)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,500 非易失性 16mbit 35 ns 内存 2m x 8 平行线 35ns
EM008LXQAB313CS1T Everspin Technologies Inc. EM008LXQAB313CS1T 15.8270
RFQ
ECAD 2686 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 托盘 积极的 0°C〜70°C 表面安装 24-TBGA MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 24-tbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM008LXQAB313CS1T Ear99 8542.32.0071 480 200 MHz 非易失性 8mbit 内存 1m x 8 spi -octal I/o -
MR10Q010MB Everspin Technologies Inc. MR10Q010MB 6.7595
RFQ
ECAD 8500 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 24-LBGA MR10Q010 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 24-BGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR10Q010MB Ear99 8542.32.0071 480 40 MHz 非易失性 1Mbit 7 ns 内存 128K x 8 Spi -Quad I/O,QPI -
MR4A16BMA35R Everspin Technologies Inc. MR4A16BMA35R 35.9400
RFQ
ECAD 2772 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-LFBGA MR4A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 48-fbga(10x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,500 非易失性 16mbit 35 ns 内存 1m x 16 平行线 35ns
MR10Q010CMB Everspin Technologies Inc. MR10Q010CMB 7.6050
RFQ
ECAD 2089 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 24-LBGA MR10Q010 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 24-BGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR10Q010CMB Ear99 8542.32.0071 480 40 MHz 非易失性 1Mbit 7 ns 内存 128K x 8 Spi -Quad I/O,QPI -
EM064LXQAB313CS1R Everspin Technologies Inc. EM064LXQAB313CS1R 42.0000
RFQ
ECAD 3713 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C 表面安装 24-TBGA MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 24-tbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM064LXQAB313CS1RTR Ear99 8542.32.0071 4,000 200 MHz 非易失性 64mbit 内存 8m x 8 spi -octal I/o -
EM032LXQADG13IS1T Everspin Technologies Inc. EM032LXQADG13IS1T 31.4250
RFQ
ECAD 2431 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 托盘 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 8-vdfn暴露垫 MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 8-DFN(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM032LXQADG13IS1T Ear99 8542.32.0071 290 200 MHz 非易失性 32Mbit 内存 4m x 8 spi -octal I/o -
EM064LXQAB313IS1R Everspin Technologies Inc. EM064LXQAB313IS1R 44.9250
RFQ
ECAD 3962 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 24-TBGA MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 24-tbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM064LXQAB313IS1RTR Ear99 8542.32.0071 4,000 200 MHz 非易失性 64mbit 内存 8m x 8 spi -octal I/o -
EM064LXQAB313CS1T Everspin Technologies Inc. EM064LXQAB313CS1T 42.0000
RFQ
ECAD 9568 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 托盘 积极的 0°C〜70°C 表面安装 24-TBGA MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 24-tbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM064LXQAB313CS1T Ear99 8542.32.0071 480 200 MHz 非易失性 64mbit 内存 8m x 8 spi -octal I/o -
MR1A16AMYS35R Everspin Technologies Inc. MR1A16AMYS35R 20.0564
RFQ
ECAD 7145 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) MR1A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 44-TSOP2 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR1A16AMYS35RTR Ear99 8542.32.0071 1,500 非易失性 2Mbit 35 ns 内存 128K x 16 平行线 35ns
MR0A16AVYS35 Everspin Technologies Inc. MR0A16AVYS35 14.3608
RFQ
ECAD 1580 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) MR0A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 44-TSOP2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 135 非易失性 1Mbit 35 ns 内存 64k x 16 平行线 35ns
MR5A16AYS35R Everspin Technologies Inc. MR5A16AYS35R 64.0950
RFQ
ECAD 5139 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MR5A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 54-TSOP2 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR5A16AYS35RTR Ear99 8542.32.0071 1,000 非易失性 32Mbit 35 ns 内存 2m x 16 平行线 35ns
MR2A16AMA35 Everspin Technologies Inc. MR2A16AMA35 29.4900
RFQ
ECAD 489 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-LFBGA MR2A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 48-fbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-1018 Ear99 8542.32.0071 348 非易失性 4Mbit 35 ns 内存 256K x 16 平行线 35ns
MR2A08AYS35 Everspin Technologies Inc. MR2A08AYS35 31.5300
RFQ
ECAD 729 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) MR2A08 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 44-TSOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-1004 Ear99 8542.32.0071 135 非易失性 4Mbit 35 ns 内存 512k x 8 平行线 35ns
MR2A16AMYS35R Everspin Technologies Inc. MR2A16AMYS35R 31.8450
RFQ
ECAD 8902 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) MR2A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 44-TSOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 1,500 非易失性 4Mbit 35 ns 内存 256K x 16 平行线 35ns
EMD3D256M16G2-150CBS1 Everspin Technologies Inc. EMD3D256M16G2-150CBS1 55.9878
RFQ
ECAD 2717 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 托盘 积极的 0°C〜85°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MRAM (磁磁性 RAM) 1.425V〜1.575V 96-BGA(10x13) - rohs3符合条件 819-EMD3D256M16G2-150CBS1 190 667 MHz 非易失性 256Mbit 14 ns 内存 16m x 16 平行线 -
EM064LXOAB320CS1R Everspin Technologies Inc. EM064LXOAB320CS1R 44.1750
RFQ
ECAD 6779 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C 表面安装 24-TBGA MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 24-tbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM064LXOAB320CS1RTR Ear99 8542.32.0071 4,000 200 MHz 非易失性 64mbit 内存 8m x 8 spi -octal I/o -
MR20H40CDF Everspin Technologies Inc. MR20H40CDF 25.1400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 MR20H40 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 8-DFN-EP,小国旗(5x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-1043 Ear99 8542.32.0071 570 50 MHz 非易失性 4Mbit 内存 512k x 8 spi -
MR256A08BCSO35 Everspin Technologies Inc. MR256A08BCSO35 -
RFQ
ECAD 1599年 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 32-SOIC(0.295(7.50mm) MR256A08 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 32-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 108 非易失性 256kbit 35 ns 内存 32K x 8 平行线 35ns
EM016LXQADG13CS1R Everspin Technologies Inc. EM016LXQADG13CS1R 19.9500
RFQ
ECAD 5899 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C 表面安装 8-vdfn暴露垫 MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 8-DFN(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM016LXQADG13CS1RTR Ear99 8542.32.0071 2,000 200 MHz 非易失性 16mbit 内存 2m x 8 spi -octal I/o -
MR25H10CDC Everspin Technologies Inc. MR25H10CDC 9.9800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 托盘 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 MR25H10 MRAM (磁磁性 RAM) 2.7V〜3.6V 8-DFN-EP,大国旗(5x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-1014 Ear99 8542.32.0071 570 40 MHz 非易失性 1Mbit 内存 128K x 8 spi -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库