集成电路 (IC)(238)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	SIC	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	时钟频率	内存类型	内存大小	访QQT	内存格式	记忆组织	内存接口	周期写入T - 字、页
MR256A08BCSO35	-	询价	1599	Everspin技术公司	-	托盘	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	32-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	MR256A08	MRAM（磁阻RAM）		3V～3.6V	32-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0071	108		非活跃性	256Kbit	35纳秒	内存	32K×8	平行线	35纳秒
MR25H256APDFR	7.2219	询价	7247	Everspin技术公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	MR25H256	MRAM（磁阻RAM）		2.7V~3.6V	8-DFN-EP，小旗 (5x6)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	819-MR25H256APDFRTR	EAR99	8542.32.0071	4,000	40兆赫	非活跃性	256Kbit	9纳秒	内存	32K×8	SPI	-
EMD3D256M16G2-150CBS1R	54.6364	询价	3816	Everspin技术公司	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～85℃（温控）	表面贴装	96-TFBGA		MRAM（磁阻RAM）		1.425V～1.575V	96-BGA (10x13)	-	符合ROHS3标准			819-EMD3D256M16G2-150CBS1RTR			2,000	667兆赫	非活跃性	256兆比特	14纳秒	内存	16M×16	平行线	-
MR4A08BCYS35R	44.7600	询价	8843	Everspin技术公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	44-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽）	MR4A08	MRAM（磁阻RAM）		3V～3.6V	44-TSOP2	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0071	1,500人		非活跃性	16兆比特	35纳秒	内存	2M×8	平行线	35纳秒
MR2A08ACYS35	32.1800	询价	626	Everspin技术公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	44-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽）	MR2A08	MRAM（磁阻RAM）		3V～3.6V	44-TSOP2	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	819-1003	EAR99	8542.32.0071	135		非活跃性	4兆比特	35纳秒	内存	512K×8	平行线	35纳秒
MR4A16BCMA35	55.8900	询价	850	Everspin技术公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	48-LFBGA	MR4A16	MRAM（磁阻RAM）		3V～3.6V	48-FBGA (8x8)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	819-1016	EAR99	8542.32.0071	240		非活跃性	16兆比特	35纳秒	内存	1M×16	平行线	35纳秒
MR0D08BMA45	15.7200	询价	8124	Everspin技术公司	-	托盘	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	48-LFBGA	MR0D08	MRAM（磁阻RAM）		3V～3.6V	48-FBGA (8x8)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	819-1031	EAR99	8542.32.0071	第348章		非活跃性	1兆比特	45纳秒	内存	128K×8	平行线	45纳秒
MR5A16AYS35R	64.0950	询价	5139	Everspin技术公司	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	54-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽）	MR5A16	MRAM（磁阻RAM）		3V～3.6V	54-TSOP2	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	819-MR5A16AYS35RTR	EAR99	8542.32.0071	1,000		非活跃性	32兆比特	35纳秒	内存	2M×16	平行线	35纳秒
EM032LXQADG13IS1T	31.4250	询价	2431	Everspin技术公司	EMxxLX	托盘	的积极	-40℃～85℃	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘		MRAM（磁阻RAM）		1.65V～2V	8-DFN (6x8)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）		819-EM032LXQADG13IS1T	EAR99	8542.32.0071	290	200兆赫	非活跃性	32兆比特		内存	4M×8	SPI-八路I/O	-
MR4A08BMA35R	41.0250	询价	6881	Everspin技术公司	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	48-LFBGA	MR4A08	MRAM（磁阻RAM）		3V～3.6V	48-FBGA (10x10)	下载	符合ROHS3标准	5（48小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0071	2,500人		非活跃性	16兆比特	35纳秒	内存	2M×8	平行线	35纳秒
MR256A08BYS35	9.9100	询价	第934章	Everspin技术公司	-	托盘	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	44-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽）	MR256A08	MRAM（磁阻RAM）		3V～3.6V	44-TSOP2	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	819-1024	EAR99	8542.32.0071	135		非活跃性	256Kbit	35纳秒	内存	32K×8	平行线	35纳秒
MR2A16AMA35	29.4900	询价	第489章	Everspin技术公司	-	托盘	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	48-LFBGA	MR2A16	MRAM（磁阻RAM）		3V～3.6V	48-FBGA (8x8)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	819-1018	EAR99	8542.32.0071	第348章		非活跃性	4兆比特	35纳秒	内存	256K×16	平行线	35纳秒
MR256A08BCMA35	11.7600	询价	696	Everspin技术公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	48-LFBGA	MR256A08	MRAM（磁阻RAM）		3V～3.6V	48-FBGA (8x8)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	819-1036	EAR99	8542.32.0071	第348章		非活跃性	256Kbit	35纳秒	内存	32K×8	平行线	35纳秒
MR3A16ACYS35R	31.3650	询价	6440	Everspin技术公司	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	54-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽）	MR3A16	MRAM（磁阻RAM）		3V～3.6V	54-TSOP2	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	819-MR3A16ACYS35RTR	EAR99	8542.32.0071	1,000		非活跃性	8兆比特	35纳秒	内存	512K×16	平行线	35纳秒
EM008LXQAB313CS1T	15.8270	询价	2686	Everspin技术公司	EMxxLX	托盘	的积极	0℃～70℃	表面贴装	24-TBGA		MRAM（磁阻RAM）		1.65V～2V	24-TBGA (6x8)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）		819-EM008LXQAB313CS1T	EAR99	8542.32.0071	第480章	200兆赫	非活跃性	8兆比特		内存	1M×8	SPI-八路I/O	-
MR0A16AMA35R	13.0950	询价	8922	Everspin技术公司	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	48-LFBGA	MR0A16	MRAM（磁阻RAM）		3V～3.6V	48-FBGA (8x8)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0071	2,000		非活跃性	1兆比特	35纳秒	内存	64K×16	平行线	35纳秒
MR256A08BSO35R	-	询价	4555	Everspin技术公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	32-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	MR256A08	MRAM（磁阻RAM）		3V～3.6V	32-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0071	1,000		非活跃性	256Kbit	35纳秒	内存	32K×8	平行线	35纳秒
MR0A16AYS35	17.4100	询价	7789	Everspin技术公司	-	托盘	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	44-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽）	MR0A16	MRAM（磁阻RAM）		3V～3.6V	44-TSOP2	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0071	135		非活跃性	1兆比特	35纳秒	内存	64K×16	平行线	35纳秒
EM008LXQADG13CS1R	15.8270	询价	9500	Everspin技术公司	EMxxLX	卷带式 (TR)	的积极	0℃～70℃	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘		MRAM（磁阻RAM）		1.65V～2V	8-DFN (6x8)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）		819-EM008LXQADG13CS1RTR	EAR99	8542.32.0071	2,000	200兆赫	非活跃性	8兆比特		内存	1M×8	SPI-八路I/O	-
MR2A16AMYS35R	31.8450	询价	8902	Everspin技术公司	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	44-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽）	MR2A16	MRAM（磁阻RAM）		3V～3.6V	44-TSOP2	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0071	1,500人		非活跃性	4兆比特	35纳秒	内存	256K×16	平行线	35纳秒
EM064LXQAB313IS1R	44.9250	询价	3962	Everspin技术公司	EMxxLX	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～85℃	表面贴装	24-TBGA		MRAM（磁阻RAM）		1.65V～2V	24-TBGA (6x8)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）		819-EM064LXQAB313IS1RTR	EAR99	8542.32.0071	4,000	200兆赫	非活跃性	64兆比特		内存	8M×8	SPI-八路I/O	-
EM016LXQAB313IS1R	18.8860	询价	3100	Everspin技术公司	EMxxLX	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～85℃	表面贴装	24-TBGA		MRAM（磁阻RAM）	未验证	1.65V～2V	24-TBGA (6x8)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）		819-EM016LXQAB313IS1RTR	EAR99	8542.32.0071	4,000	200兆赫	非活跃性	16兆比特		内存	2M×8	SPI-八路I/O	-
MR0A08BMA35	13.0680	询价	6185	Everspin技术公司	-	托盘	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	48-LFBGA	MR0A08	MRAM（磁阻RAM）		3V～3.6V	48-FBGA (8x8)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	819-1030	EAR99	8542.32.0071	第348章		非活跃性	1兆比特	35纳秒	内存	128K×8	平行线	35纳秒
MR2A16ACYS35R	26.3400	询价	6652	Everspin技术公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	44-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽）	MR2A16	MRAM（磁阻RAM）		3V～3.6V	44-TSOP2	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0071	1,500人		非活跃性	4兆比特	35纳秒	内存	256K×16	平行线	35纳秒
MR10Q010CMB	7.6050	询价	2089	Everspin技术公司	-	托盘	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	24-LBGA	MR10Q010	MRAM（磁阻RAM）		3V～3.6V	24-BGA (6x8)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	819-MR10Q010CMB	EAR99	8542.32.0071	第480章	40兆赫	非活跃性	1兆比特	7纳秒	内存	128K×8	SPI - 四路I/O、QPI	-
MR0A16AVYS35	14.3608	询价	1580	Everspin技术公司	-	托盘	的积极	-40℃～105℃（TA）	表面贴装	44-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽）	MR0A16	MRAM（磁阻RAM）		3V～3.6V	44-TSOP2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0071	135		非活跃性	1兆比特	35纳秒	内存	64K×16	平行线	35纳秒
EM016LXOAB320IS1T	22.4250	询价	5298	Everspin技术公司	EMxxLX	托盘	的积极	-40℃～85℃	表面贴装	24-TBGA		MRAM（磁阻RAM）		1.65V～2V	24-TBGA (6x8)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）		819-EM016LXOAB320IS1T	EAR99	8542.32.0071	第480章	200兆赫	非活跃性	16兆比特		内存	2M×8	SPI-八路I/O	-
EM032LXQAB313CS1R	29.4000	询价	7519	Everspin技术公司	EMxxLX	卷带式 (TR)	的积极	0℃～70℃	表面贴装	24-TBGA		MRAM（磁阻RAM）		1.65V～2V	24-TBGA (6x8)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）		819-EM032LXQAB313CS1RTR	EAR99	8542.32.0071	4,000	200兆赫	非活跃性	32兆比特		内存	4M×8	SPI-八路I/O	-
MR5A16ACYS35	80.3300	询价	第842章	Everspin技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	54-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽）	MR5A16	MRAM（磁阻RAM）		3V～3.6V	54-TSOP2	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	819-MR5A16ACYS35	EAR99	8542.32.0071	108		非活跃性	32兆比特	35纳秒	内存	2M×16	平行线	35纳秒
MR5A16AUYS45R	77.9850	询价	6318	Everspin技术公司	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	54-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽）	MR5A16	MRAM（磁阻RAM）		3V～3.6V	54-TSOP2	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	819-MR5A16AUYS45RTR	EAR99	8542.32.0071	1,000		非活跃性	32兆比特	45纳秒	内存	2M×16	平行线	45纳秒

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

集成电路 (IC)(238)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²