集成电路 (IC)(238)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	时钟频率	内存类型	内存大小	访QQT	内存格式	记忆组织	内存接口	周期写入T - 字、页
MR0A16AVMA35	15.8700	询价	8376	Everspin技术公司	-	托盘	的积极	-40℃～105℃（TA）	表面贴装	48-LFBGA	MR0A16	MRAM（磁阻RAM）	3V～3.6V	48-FBGA (8x8)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	819-1023	EAR99	8542.32.0071	第348章		非活跃性	1兆比特	35纳秒	内存	64K×16	平行线	35纳秒
MR25H256MDC	15.0800	询价	8182	Everspin技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	不适合新设计	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-TDFN 裸露焊盘	MR25H256	MRAM（磁阻RAM）	2.7V~3.6V	8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0071	第570章	40兆赫	非活跃性	256Kbit		内存	32K×8	SPI	-
MR2A16AVYS35	36.9500	询价	32	Everspin技术公司	-	托盘	的积极	-40℃～105℃（TA）	表面贴装	44-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽）	MR2A16	MRAM（磁阻RAM）	3V～3.6V	44-TSOP2	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0071	135		非活跃性	4兆比特	35纳秒	内存	256K×16	平行线	35纳秒
MR10Q010VMB	8.6100	询价	5203	Everspin技术公司	-	托盘	的积极	-40℃～105℃（TA）	表面贴装	24-LBGA	MR10Q010	MRAM（磁阻RAM）	3V～3.6V	24-BGA (6x8)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	819-MR10Q010VMB	EAR99	8542.32.0071	第480章	40兆赫	非活跃性	1兆比特	7纳秒	内存	128K×8	SPI - 四路I/O、QPI	-
MR25H256MDF	11.6100	询价	4219	Everspin技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	不适合新设计	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	MR25H256	MRAM（磁阻RAM）	2.7V~3.6V	8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	819-1041	EAR99	8542.32.0071	第570章	40兆赫	非活跃性	256Kbit		内存	32K×8	SPI	-
MR3A16AMA35R	28.0050	询价	2006年	Everspin技术公司	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	48-LFBGA	MR3A16	MRAM（磁阻RAM）	3V～3.6V	48-FBGA (10x10)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	819-MR3A16AMA35RTR	EAR99	8542.32.0071	2,500人		非活跃性	8兆比特	35纳秒	内存	512K×16	平行线	35纳秒
MR2A16ACMA35	31.7700	询价	7621	Everspin技术公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	48-LFBGA	MR2A16	MRAM（磁阻RAM）	3V～3.6V	48-FBGA (8x8)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	819-1020	EAR99	8542.32.0071	第348章		非活跃性	4兆比特	35纳秒	内存	256K×16	平行线	35纳秒
MR10Q010SC	6.7595	询价	1005	Everspin技术公司	-	托盘	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	MR10Q010	MRAM（磁阻RAM）	3V～3.6V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	819-MR10Q010SC	EAR99	8542.32.0071	第480章	40兆赫	非活跃性	1兆比特	7纳秒	内存	128K×8	SPI - 四路I/O、QPI	-
MR5A16AMA35R	64.0950	询价	6044	Everspin技术公司	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	48-LFBGA	MR5A16	MRAM（磁阻RAM）	3V～3.6V	48-FBGA (10x10)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	819-MR5A16AMA35RTR	EAR99	8542.32.0071	2,500人		非活跃性	32兆比特	35纳秒	内存	2M×16	平行线	35纳秒
MR10Q010CSCR	7.1939	询价	9696	Everspin技术公司	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	MR10Q010	MRAM（磁阻RAM）	3V～3.6V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	819-MR10Q010CSCRTR	EAR99	8542.32.0071	1,000	40兆赫	非活跃性	1兆比特	7纳秒	内存	128K×8	SPI - 四路I/O、QPI	-
MR4A08购买45R	48.8400	询价	5792	Everspin技术公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	44-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽）	MR4A08	MRAM（磁阻RAM）	3V～3.6V	44-TSOP2	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	819-MR4A08购买45RTR	EAR99	8542.32.0071	1,500人		非活跃性	16兆比特	45纳秒	内存	2M×8	平行线	45纳秒
EM004LXQBDH13CS1T	15.2500	询价	1233	Everspin技术公司	EMxxLX	托盘	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘		MRAM（磁阻RAM）	1.65V～2V	8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）		819-EM004LXQBDH13CS1T			第570章	200兆赫	非活跃性	4兆比特	7纳秒	内存	512K×8	SPI——四路I/O	-
EM004LXOBB320IS1T	1900年17月	询价	第480章	Everspin技术公司	EMxxLX	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	24-TBGA		MRAM（磁阻RAM）	1.65V～2V	24-TBGA (6x8)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）		819-EM004LXOBB320IS1T	EAR99	8542.32.0071	第480章	200兆赫	非活跃性	4兆比特	7纳秒	内存	512K×8	SPI-八路I/O	-
MR25H256AMDFR	8.5386	询价	9234	Everspin技术公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	MR25H256	MRAM（磁阻RAM）	2.7V~3.6V	8-DFN-EP，小旗 (5x6)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	819-MR25H256AMDFRTR	EAR99	8542.32.0071	4,000	40兆赫	非活跃性	256Kbit	9纳秒	内存	32K×8	SPI	-
MR10Q010MBR	7.0944	询价	8048	Everspin技术公司	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	24-LBGA	MR10Q010	MRAM（磁阻RAM）	3V～3.6V	24-BGA (6x8)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	819-MR10Q010MBRTR	EAR99	8542.32.0071	1,000	40兆赫	非活跃性	1兆比特	7纳秒	内存	128K×8	SPI - 四路I/O、QPI	-
MR0A08BCMA35	1995年13月	询价	7847	Everspin技术公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	48-LFBGA	MR0A08	MRAM（磁阻RAM）	3V～3.6V	48-FBGA (8x8)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	819-1035	EAR99	8542.32.0071	第348章		非活跃性	1兆比特	35纳秒	内存	128K×8	平行线	35纳秒
MR25H256ACDF	5.9100	询价	16	Everspin技术公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	MR25H256	MRAM（磁阻RAM）	2.7V~3.6V	8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	819-1064	EAR99	8542.32.0071	第570章	40兆赫	非活跃性	256Kbit		内存	32K×8	SPI	-
MR2A08ACMA35R	23.6740	询价	6138	Everspin技术公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	48-LFBGA	MR2A08	MRAM（磁阻RAM）	3V～3.6V	48-FBGA (8x8)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0071	2,000		非活跃性	4兆比特	35纳秒	内存	512K×8	平行线	35纳秒
MR10Q010SCR	7.0944	询价	5497	Everspin技术公司	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	MR10Q010	MRAM（磁阻RAM）	3V～3.6V	16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	819-MR10Q010SCRTR	EAR99	8542.32.0071	1,000	40兆赫	非活跃性	1兆比特	7纳秒	内存	128K×8	SPI - 四路I/O、QPI	-
MR25H10MDFR	9.9150	询价	9546	Everspin技术公司	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	MR25H10	MRAM（磁阻RAM）	2.7V~3.6V	8-DFN-EP，小旗 (5x6)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0071	4,000	40兆赫	非活跃性	1兆比特		内存	128K×8	SPI	-
MR0A16ACMA35	13.7789	询价	8904	Everspin技术公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	48-LFBGA	MR0A16	MRAM（磁阻RAM）	3V～3.6V	48-FBGA (8x8)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	819-1021	EAR99	8542.32.0071	第348章		非活跃性	1兆比特	35纳秒	内存	64K×16	平行线	35纳秒
EM004LXQBDH13IS1T	16.3600	询价	2114	Everspin技术公司	EMxxLX	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘		MRAM（磁阻RAM）	1.65V～2V	8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）		819-EM004LXQBDH13IS1T			第570章	200兆赫	非活跃性	4兆比特	7纳秒	内存	512K×8	SPI——四路I/O	-
MR0A08BSO35R	-	询价	8909	Everspin技术公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	32-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	MR0A08	MRAM（磁阻RAM）	3V～3.6V	32-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0071	1,000		非活跃性	1兆比特	35纳秒	内存	128K×8	平行线	35纳秒
MR25H256AMDF	11.8300	询价	4	Everspin技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	MR25H256	MRAM（磁阻RAM）	2.7V~3.6V	8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	819-1065	EAR99	8542.32.0071	第570章	40兆赫	非活跃性	256Kbit		内存	32K×8	SPI	-
MR4A16BMA35R	35.9400	询价	2772	Everspin技术公司	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	48-LFBGA	MR4A16	MRAM（磁阻RAM）	3V～3.6V	48-FBGA (10x10)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0071	2,500人		非活跃性	16兆比特	35纳秒	内存	1M×16	平行线	35纳秒
EM064LXQAB313IS1R	44.9250	询价	3962	Everspin技术公司	EMxxLX	卷带式 (TR)	的积极	-40℃～85℃	表面贴装	24-TBGA		MRAM（磁阻RAM）	1.65V～2V	24-TBGA (6x8)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）		819-EM064LXQAB313IS1RTR	EAR99	8542.32.0071	4,000	200兆赫	非活跃性	64兆比特		内存	8M×8	SPI-八路I/O	-
EMD4E001G16G2-150CAS2R	106.4000	询价	4256	Everspin技术公司	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～85℃（温控）	表面贴装	96-TFBGA		MRAM（磁阻RAM）	1.14V～1.26V	96-BGA (10x13)	-	符合ROHS3标准			819-EMD4E001G16G2-150CAS2RTR			2,000	667兆赫	非活跃性	1Gbit	18纳秒	内存	128M×8	平行线	15纳秒
MR256A08BSO35R	-	询价	4555	Everspin技术公司	-	卷带式 (TR)	过时的	0℃～70℃（TA）	表面贴装	32-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	MR256A08	MRAM（磁阻RAM）	3V～3.6V	32-SOIC	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0071	1,000		非活跃性	256Kbit	35纳秒	内存	32K×8	平行线	35纳秒
MR0A16AMA35R	13.0950	询价	8922	Everspin技术公司	-	卷带式 (TR)	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	48-LFBGA	MR0A16	MRAM（磁阻RAM）	3V～3.6V	48-FBGA (8x8)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8542.32.0071	2,000		非活跃性	1兆比特	35纳秒	内存	64K×16	平行线	35纳秒
MR5A16AYS35R	64.0950	询价	5139	Everspin技术公司	汽车，AEC-Q100	卷带式 (TR)	的积极	0℃～70℃（TA）	表面贴装	54-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽）	MR5A16	MRAM（磁阻RAM）	3V～3.6V	54-TSOP2	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	819-MR5A16AYS35RTR	EAR99	8542.32.0071	1,000		非活跃性	32兆比特	35纳秒	内存	2M×16	平行线	35纳秒

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

集成电路 (IC)(238)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²