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（ICS）（238）

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MR4A16BUYS45	46.6050	RFQ	9488	Everspin Technologies Inc.	-	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MR4A16	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	54-TSOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-MR4A16BUYS45	Ear99	8542.32.0071	108		非易失性	16mbit	45 ns	内存	1m x 16	平行线	45ns
MR10Q010MBR	7.0944	RFQ	8048	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	24-LBGA	MR10Q010	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	24-BGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-MR10Q010MBRTR	Ear99	8542.32.0071	1,000	40 MHz	非易失性	1Mbit	7 ns	内存	128K x 8	Spi -Quad I/O，QPI	-
MR4A16BUYS45R	47.0550	RFQ	3140	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MR4A16	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	54-TSOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-MR4A16BUYS45RTR	Ear99	8542.32.0071	1,000		非易失性	16mbit	45 ns	内存	1m x 16	平行线	45ns
MR4A08BUYS45R	48.8400	RFQ	5792	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	MR4A08	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	44-TSOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-MR4A08BUYS45RTR	Ear99	8542.32.0071	1,500		非易失性	16mbit	45 ns	内存	2m x 8	平行线	45ns
MR25H256ACDFR	4.5000	RFQ	7266	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MR25H256	MRAM （磁磁性 RAM）	2.7V〜3.6V	8-DFN-EP，小国旗（5x6）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-MR25H256ACDFRTR	Ear99	8542.32.0071	4,000	40 MHz	非易失性	256kbit	9 ns	内存	32K x 8	spi	-
EMD3D256M08G1-150CBS1R	54.6364	RFQ	2545	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		MRAM （磁磁性 RAM）	1.425V〜1.575V	78-BGA（10x13）	-	rohs3符合条件			819-EMD3D256M08G1-150CBS1RTR			2,000	667 MHz	非易失性	256Mbit	14 ns	内存	32m x 8	平行线	-
EM004LXOBB320IS1T	17.1900	RFQ	480	Everspin Technologies Inc.	emxxlx	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA		MRAM （磁磁性 RAM）	1.65V〜2V	24-tbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		819-EM004LXOBB320IS1T	Ear99	8542.32.0071	480	200 MHz	非易失性	4Mbit	7 ns	内存	512k x 8	spi -octal I/o	-
EM004LXQBDH13CS1T	15.2500	RFQ	1233	Everspin Technologies Inc.	emxxlx	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫		MRAM （磁磁性 RAM）	1.65V〜2V	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））		819-EM004LXQBDH13CS1T			570	200 MHz	非易失性	4Mbit	7 ns	内存	512k x 8	Spi -Quad I/O。	-
MR25H10CDF	9.7900	RFQ	3	Everspin Technologies Inc.	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MR25H10	MRAM （磁磁性 RAM）	2.7V〜3.6V	8-DFN-EP，小国旗（5x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-1039	Ear99	8542.32.0071	570	40 MHz	非易失性	1Mbit		内存	128K x 8	spi	-
MR25H40CDF	21.0200	RFQ	8	Everspin Technologies Inc.	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MR25H40	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	8-DFN-EP，小国旗（5x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-1040	Ear99	8542.32.0071	570	40 MHz	非易失性	4Mbit		内存	512k x 8	spi	-
MR25H256MDC	15.0800	RFQ	8182	Everspin Technologies Inc.	汽车，AEC-Q100	托盘	不适合新设计	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-tdfn暴露垫	MR25H256	MRAM （磁磁性 RAM）	2.7V〜3.6V	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	570	40 MHz	非易失性	256kbit		内存	32K x 8	spi	-
MR4A08BCMA35R	46.9950	RFQ	2126	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-LFBGA	MR4A08	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	48-fbga（10x10）	下载	rohs3符合条件	5（48）（48））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,500		非易失性	16mbit	35 ns	内存	2m x 8	平行线	35ns
MR4A16BMA35	42.7400	RFQ	960	Everspin Technologies Inc.	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-LFBGA	MR4A16	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	48-fbga（10x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	240		非易失性	16mbit	35 ns	内存	1m x 16	平行线	35ns
MR0A08BCSO35	-	RFQ	9529	Everspin Technologies Inc.	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.295（7.50mm）	MR0A08	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	32-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	108		非易失性	1Mbit	35 ns	内存	128K x 8	平行线	35ns
MR25H256MDF	11.6100	RFQ	4219	Everspin Technologies Inc.	汽车，AEC-Q100	托盘	不适合新设计	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MR25H256	MRAM （磁磁性 RAM）	2.7V〜3.6V	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-1041	Ear99	8542.32.0071	570	40 MHz	非易失性	256kbit		内存	32K x 8	spi	-
MR25H10MDFR	9.9150	RFQ	9546	Everspin Technologies Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MR25H10	MRAM （磁磁性 RAM）	2.7V〜3.6V	8-DFN-EP，小国旗（5x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	4,000	40 MHz	非易失性	1Mbit		内存	128K x 8	spi	-
MR20H40CDFR	20.6850	RFQ	5963	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MR20H40	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	8-DFN-EP，小国旗（5x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	4,000	50 MHz	非易失性	4Mbit		内存	512k x 8	spi	-
MR25H256ACDF	5.9100	RFQ	16	Everspin Technologies Inc.	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MR25H256	MRAM （磁磁性 RAM）	2.7V〜3.6V	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-1064	Ear99	8542.32.0071	570	40 MHz	非易失性	256kbit		内存	32K x 8	spi	-
EM016LXQADG13IS1R	18.8860	RFQ	2719	Everspin Technologies Inc.	emxxlx	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	表面安装	8-vdfn暴露垫		MRAM （磁磁性 RAM）	1.65V〜2V	8-DFN（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		819-EM016LXQADG13IS1RTR	Ear99	8542.32.0071	2,000	200 MHz	非易失性	16mbit		内存	2m x 8	spi -octal I/o	-
MR5A16AMA35R	64.0950	RFQ	6044	Everspin Technologies Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-LFBGA	MR5A16	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	48-fbga（10x10）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-MR5A16AMA35RTR	Ear99	8542.32.0071	2,500		非易失性	32Mbit	35 ns	内存	2m x 16	平行线	35ns
MR20H40CDF	25.1400	RFQ	2	Everspin Technologies Inc.	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MR20H40	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	8-DFN-EP，小国旗（5x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	819-1043	Ear99	8542.32.0071	570	50 MHz	非易失性	4Mbit		内存	512k x 8	spi	-
MR25H40MDF	36.6700	RFQ	4	Everspin Technologies Inc.	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	MR25H40	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	8-DFN-EP，小国旗（5x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	570	40 MHz	非易失性	4Mbit		内存	512k x 8	spi	-
MR2A16AMYS35	31.5150	RFQ	7756	Everspin Technologies Inc.	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	MR2A16	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	44-TSOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	135		非易失性	4Mbit	35 ns	内存	256K x 16	平行线	35ns
MR2A16AMYS35R	31.8450	RFQ	8902	Everspin Technologies Inc.	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	MR2A16	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	44-TSOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,500		非易失性	4Mbit	35 ns	内存	256K x 16	平行线	35ns
MR25H10MDC	12.7500	RFQ	2	Everspin Technologies Inc.	汽车，AEC-Q100	托盘	不适合新设计	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-tdfn暴露垫	MR25H10	MRAM （磁磁性 RAM）	2.7V〜3.6V	8-DFN-EP，大国旗（5x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	570	40 MHz	非易失性	1Mbit		内存	128K x 8	spi	-
MR4A08BCYS35	53.3300	RFQ	98	Everspin Technologies Inc.	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	MR4A08	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	44-TSOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	135		非易失性	16mbit	35 ns	内存	2m x 8	平行线	35ns
MR4A08BMA35R	41.0250	RFQ	6881	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-LFBGA	MR4A08	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	48-fbga（10x10）	下载	rohs3符合条件	5（48）（48））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,500		非易失性	16mbit	35 ns	内存	2m x 8	平行线	35ns
MR4A08BYS35	37.6200	RFQ	8937	Everspin Technologies Inc.	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	MR4A08	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	44-TSOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	135		非易失性	16mbit	35 ns	内存	2m x 8	平行线	35ns
MR0A08BCSO35R	-	RFQ	1518年	Everspin Technologies Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.295（7.50mm）	MR0A08	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	32-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,000		非易失性	1Mbit	35 ns	内存	128K x 8	平行线	35ns
MR256A08BCSO35	-	RFQ	1599年	Everspin Technologies Inc.	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.295（7.50mm）	MR256A08	MRAM （磁磁性 RAM）	3v〜3.6V	32-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	108		非易失性	256kbit	35 ns	内存	32K x 8	平行线	35ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（238）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²