电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MR4A16BCYS35 | 46.7700 | ![]() | 7130 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | MR4A16 | MRAM (磁磁性 RAM) | 3v〜3.6V | 54-TSOP2 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 819-1017 | Ear99 | 8542.32.0071 | 108 | 非易失性 | 16mbit | 35 ns | 内存 | 1m x 16 | 平行线 | 35ns | ||
MR5A16ACMA35 | 80.3300 | ![]() | 5224 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-LFBGA | MR5A16 | MRAM (磁磁性 RAM) | 3v〜3.6V | 48-fbga(10x10) | - | rohs3符合条件 | 6(6) | 到达不受影响 | 819-MR5A16ACMA35 | Ear99 | 8542.32.0071 | 240 | 非易失性 | 32Mbit | 35 ns | 内存 | 2m x 16 | 平行线 | 35ns | |||
MR5A16AUMA45 | 77.7900 | ![]() | 2907 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 48-LFBGA | MR5A16 | MRAM (磁磁性 RAM) | 3v〜3.6V | 48-fbga(10x10) | - | rohs3符合条件 | 6(6) | 到达不受影响 | 819-MR5A16AUMA45 | Ear99 | 8542.32.0071 | 240 | 非易失性 | 32Mbit | 45 ns | 内存 | 2m x 16 | 平行线 | 45ns | |||
![]() | MR3A16AUYS45 | 38.6700 | ![]() | 8305 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | MR3A16 | MRAM (磁磁性 RAM) | 3v〜3.6V | 54-TSOP2 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 819-MR3A16AUYS45 | Ear99 | 8542.32.0071 | 108 | 非易失性 | 8mbit | 45 ns | 内存 | 512k x 16 | 平行线 | 35ns | ||
MR3A16ACMA35 | 40.7800 | ![]() | 334 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-LFBGA | MR3A16 | MRAM (磁磁性 RAM) | 3v〜3.6V | 48-fbga(10x10) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 819-MR3A16ACMA35 | Ear99 | 8542.32.0071 | 240 | 非易失性 | 8mbit | 35 ns | 内存 | 512k x 16 | 平行线 | 35ns | |||
MR1A16AYS35R | 17.2350 | ![]() | 6299 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | MR1A16 | MRAM (磁磁性 RAM) | 3v〜3.6V | 44-TSOP2 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 819-mr1a 16ays35rtr | Ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 非易失性 | 2Mbit | 35 ns | 内存 | 128K x 16 | 平行线 | 35ns | |||
![]() | MR25H128APDFR | 7.3200 | ![]() | 8547 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | MR25H128 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | ||||||||||||||||
![]() | MR25H128APDF | 7.0792 | ![]() | 8788 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 托盘 | 积极的 | MR25H128 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 570 | ||||||||||||||||
MR1A16ACMA35 | 23.3400 | ![]() | 1738年 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-LFBGA | MR1A16 | MRAM (磁磁性 RAM) | 3v〜3.6V | 48-fbga(8x8) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 819-MR1A 16ACMA35 | Ear99 | 8542.32.0071 | 348 | 非易失性 | 2Mbit | 35 ns | 内存 | 128K x 16 | spi | 35ns | |||
MR1A16AMA35 | 15.3663 | ![]() | 7734 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 48-LFBGA | MR1A16 | MRAM (磁磁性 RAM) | 3v〜3.6V | 48-fbga(8x8) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 819-MR1A 16AMA35 | Ear99 | 8542.32.0071 | 348 | 非易失性 | 2Mbit | 35 ns | 内存 | 128K x 16 | 平行线 | 35ns | |||
MR25H128AMDFR | 8.8200 | ![]() | 2186 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | MR25H128 | MRAM (磁磁性 RAM) | 2.7V〜3.6V | 8-DFN-EP,小国旗(5x6) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 819-MR25H128AMDFRTR | Ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 40 MHz | 非易失性 | 128kbit | 内存 | 16k x 8 | spi | - | |||
MR1A16AMYS35 | 22.4606 | ![]() | 2309 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | MR1A16 | MRAM (磁磁性 RAM) | 3v〜3.6V | 44-TSOP2 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 819-MR1A 16AMYS35 | Ear99 | 8542.32.0071 | 135 | 非易失性 | 2Mbit | 35 ns | 内存 | 128K x 16 | 平行线 | 35ns | |||
MR5A16AMA35 | 63.9000 | ![]() | 8661 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 48-LFBGA | MR5A16 | MRAM (磁磁性 RAM) | 3v〜3.6V | 48-fbga(10x10) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 819-MR5A16AMA35 | Ear99 | 8542.32.0071 | 240 | 非易失性 | 32Mbit | 35 ns | 内存 | 2m x 16 | 平行线 | 35ns | |||
![]() | MR3A16ACYS35 | 39.7500 | ![]() | 2040 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | MR3A16 | MRAM (磁磁性 RAM) | 3v〜3.6V | 54-TSOP2 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 819-MR3A16ACYS35 | Ear99 | 8542.32.0071 | 108 | 非易失性 | 8mbit | 35 ns | 内存 | 512k x 16 | 平行线 | 35ns | ||
MR3A16AMA35R | 28.0050 | ![]() | 2006 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 48-LFBGA | MR3A16 | MRAM (磁磁性 RAM) | 3v〜3.6V | 48-fbga(10x10) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 819-MR3A16AMA35RTR | Ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 非易失性 | 8mbit | 35 ns | 内存 | 512k x 16 | 平行线 | 35ns | |||
![]() | MR25H256APDF | 7.1663 | ![]() | 5076 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | MR25H256 | MRAM (磁磁性 RAM) | 2.7V〜3.6V | 8-DFN-EP,小国旗(5x6) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 819-MR25H256APDF | Ear99 | 8542.32.0071 | 570 | 40 MHz | 非易失性 | 256kbit | 9 ns | 内存 | 32K x 8 | spi | - | |
![]() | MR10Q010SCR | 7.0944 | ![]() | 5497 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | MR10Q010 | MRAM (磁磁性 RAM) | 3v〜3.6V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 819-MR10Q010SCRTR | Ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 40 MHz | 非易失性 | 1Mbit | 7 ns | 内存 | 128K x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | - | |
![]() | MR10Q010VMB | 8.6100 | ![]() | 5203 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-LBGA | MR10Q010 | MRAM (磁磁性 RAM) | 3v〜3.6V | 24-BGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 819-MR10Q010VMB | Ear99 | 8542.32.0071 | 480 | 40 MHz | 非易失性 | 1Mbit | 7 ns | 内存 | 128K x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | - | |
![]() | MR10Q010SC | 6.7595 | ![]() | 1005 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | MR10Q010 | MRAM (磁磁性 RAM) | 3v〜3.6V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 819-MR10Q010SC | Ear99 | 8542.32.0071 | 480 | 40 MHz | 非易失性 | 1Mbit | 7 ns | 内存 | 128K x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | - | |
![]() | MR10Q010CSCR | 7.1939 | ![]() | 9696 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | MR10Q010 | MRAM (磁磁性 RAM) | 3v〜3.6V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 819-MR10Q010CSCRTR | Ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 40 MHz | 非易失性 | 1Mbit | 7 ns | 内存 | 128K x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | - | |
![]() | MR25H256AMDFR | 8.5386 | ![]() | 9234 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | MR25H256 | MRAM (磁磁性 RAM) | 2.7V〜3.6V | 8-DFN-EP,小国旗(5x6) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 819-MR25H256AMDFRTR | Ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 40 MHz | 非易失性 | 256kbit | 9 ns | 内存 | 32K x 8 | spi | - | |
![]() | MR4A16BUYS45 | 46.6050 | ![]() | 9488 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | MR4A16 | MRAM (磁磁性 RAM) | 3v〜3.6V | 54-TSOP2 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 819-MR4A16BUYS45 | Ear99 | 8542.32.0071 | 108 | 非易失性 | 16mbit | 45 ns | 内存 | 1m x 16 | 平行线 | 45ns | ||
![]() | MR10Q010MBR | 7.0944 | ![]() | 8048 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 24-LBGA | MR10Q010 | MRAM (磁磁性 RAM) | 3v〜3.6V | 24-BGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 819-MR10Q010MBRTR | Ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 40 MHz | 非易失性 | 1Mbit | 7 ns | 内存 | 128K x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | - | |
![]() | MR4A16BUYS45R | 47.0550 | ![]() | 3140 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | MR4A16 | MRAM (磁磁性 RAM) | 3v〜3.6V | 54-TSOP2 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 819-MR4A16BUYS45RTR | Ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 16mbit | 45 ns | 内存 | 1m x 16 | 平行线 | 45ns | ||
![]() | MR4A08BUYS45R | 48.8400 | ![]() | 5792 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | MR4A08 | MRAM (磁磁性 RAM) | 3v〜3.6V | 44-TSOP2 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 819-MR4A08BUYS45RTR | Ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 非易失性 | 16mbit | 45 ns | 内存 | 2m x 8 | 平行线 | 45ns | ||
![]() | MR25H256ACDFR | 4.5000 | ![]() | 7266 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | MR25H256 | MRAM (磁磁性 RAM) | 2.7V〜3.6V | 8-DFN-EP,小国旗(5x6) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 819-MR25H256ACDFRTR | Ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 40 MHz | 非易失性 | 256kbit | 9 ns | 内存 | 32K x 8 | spi | - | |
EM008LXQADG13CS1T | 16.3999 | ![]() | 7382 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | emxxlx | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | MRAM (磁磁性 RAM) | 1.65V〜2V | 8-DFN(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 819-EM008LXQADG13CS1T | Ear99 | 8542.32.0071 | 290 | 200 MHz | 非易失性 | 8mbit | 内存 | 1m x 8 | spi -octal I/o | - | |||||
EM008LXQADG13IS1T | 19.0500 | ![]() | 3932 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | emxxlx | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | MRAM (磁磁性 RAM) | 1.65V〜2V | 8-DFN(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 819-EM008LXQADG13IS1T | Ear99 | 8542.32.0071 | 290 | 200 MHz | 非易失性 | 8mbit | 内存 | 1m x 8 | spi -octal I/o | - | |||||
EM064LXOAB320IS1R | 47.2500 | ![]() | 3653 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | emxxlx | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 24-TBGA | MRAM (磁磁性 RAM) | 1.65V〜2V | 24-tbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 819-EM064LXOAB320IS1RTR | Ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 200 MHz | 非易失性 | 64mbit | 内存 | 8m x 8 | spi -octal I/o | - | |||||
EM016LXQAB313CS1T | 26.3900 | ![]() | 480 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | emxxlx | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 24-TBGA | MRAM (磁磁性 RAM) | 1.65V〜2V | 24-tbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 819-EM016LXQAB313CS1T | Ear99 | 8542.32.0071 | 480 | 200 MHz | 非易失性 | 16mbit | 内存 | 2m x 8 | spi -octal I/o | - |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库