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集成电路 (IC)(238)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 时钟频率 内存类型 内存大小 访QQT 内存格式 记忆组织 内存接口 周期写入T - 字、页
MR25H40CDF Everspin Technologies Inc. MR25H40CDF 21.0200
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 ECAD 8 0.00000000 Everspin技术公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 MR25H40 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 8-DFN-EP，小旗 (5x6) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 819-1040 EAR99 8542.32.0071 第570章 40兆赫 非活跃性 4兆比特 内存 512K×8 SPI -
MR25H256ACDFR Everspin Technologies Inc. MR25H256ACDFR 4.5000
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 ECAD 7266 0.00000000 Everspin技术公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 MR25H256 MRAM（磁阻RAM） 2.7V~3.6V 8-DFN-EP，小旗 (5x6) - 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 819-MR25H256ACDFRTR EAR99 8542.32.0071 4,000 40兆赫 非活跃性 256Kbit 9纳秒 内存 32K×8 SPI -
MR4A16BCYS35 Everspin Technologies Inc. MR4A16BCYS35 46.7700
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 ECAD 7130 0.00000000 Everspin技术公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 54-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽） MR4A16 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 54-TSOP2 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 819-1017 EAR99 8542.32.0071 108 非活跃性 16兆比特 35纳秒 内存 1M×16 平行线 35纳秒
MR2A16AMA35R Everspin Technologies Inc. MR2A16AMA35R 24.5550
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 ECAD 5908 0.00000000 Everspin技术公司 - 卷带式 (TR) 的积极 0℃～70℃（TA） 表面贴装 48-LFBGA MR2A16 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 48-FBGA (8x8) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.32.0071 2,000 非活跃性 4兆比特 35纳秒 内存 256K×16 平行线 35纳秒
MR25H10MDFR Everspin Technologies Inc. MR25H10MDFR 9.9150
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 ECAD 9546 0.00000000 Everspin技术公司 汽车，AEC-Q100 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 MR25H10 MRAM（磁阻RAM） 2.7V~3.6V 8-DFN-EP，小旗 (5x6) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.32.0071 4,000 40兆赫 非活跃性 1兆比特 内存 128K×8 SPI -
MR25H256APDF Everspin Technologies Inc. MR25H256APDF 7.1663
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 ECAD 5076 0.00000000 Everspin技术公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 MR25H256 MRAM（磁阻RAM） 2.7V~3.6V 8-DFN-EP，小旗 (5x6) - 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 819-MR25H256APDF EAR99 8542.32.0071 第570章 40兆赫 非活跃性 256Kbit 9纳秒 内存 32K×8 SPI -
MR256A08BYS35R Everspin Technologies Inc. MR256A08BYS35R 7.3228
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 ECAD 8516 0.00000000 Everspin技术公司 - 卷带式 (TR) 的积极 0℃～70℃（TA） 表面贴装 44-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽） MR256A08 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 44-TSOP2 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.32.0071 1,500人 非活跃性 256Kbit 35纳秒 内存 32K×8 平行线 35纳秒
MR4A08BUYS45R Everspin Technologies Inc. MR4A08购买45R 48.8400
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 ECAD 5792 0.00000000 Everspin技术公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 44-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽） MR4A08 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 44-TSOP2 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 819-MR4A08购买45RTR EAR99 8542.32.0071 1,500人 非活跃性 16兆比特 45纳秒 内存 2M×8 平行线 45纳秒
MR2A08AMA35 Everspin Technologies Inc. MR2A08AMA35 24.0600
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 ECAD 1906年 0.00000000 Everspin技术公司 - 托盘 的积极 0℃～70℃（TA） 表面贴装 48-LFBGA MR2A08 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 48-FBGA (8x8) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 819-1029 EAR99 8542.32.0071 第348章 非活跃性 4兆比特 35纳秒 内存 512K×8 平行线 35纳秒
MR0A16AMYS35 Everspin Technologies Inc. MR0A16AMYS35 17.2924
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 ECAD 7524 0.00000000 Everspin技术公司 - 管子 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 44-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽） MR0A16 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 44-TSOP2 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.32.0071 135 非活跃性 1兆比特 35纳秒 内存 64K×16 平行线 35纳秒
EM032LXOAB320CS1T Everspin Technologies Inc. EM032LXOAB320CS1T 30.9000
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 ECAD 9584 0.00000000 Everspin技术公司 EMxxLX 托盘 的积极 0℃～70℃ 表面贴装 24-TBGA MRAM（磁阻RAM） 1.65V～2V 24-TBGA (6x8) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） 819-EM032LXOAB320CS1T EAR99 8542.32.0071 第480章 200兆赫 非活跃性 32兆比特 内存 4M×8 SPI-八路I/O -
MR25H256ACDF Everspin Technologies Inc. MR25H256ACDF 5.9100
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 ECAD 16 0.00000000 Everspin技术公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 MR25H256 MRAM（磁阻RAM） 2.7V~3.6V 8-DFN (5x6) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 819-1064 EAR99 8542.32.0071 第570章 40兆赫 非活跃性 256Kbit 内存 32K×8 SPI -
MR10Q010SCR Everspin Technologies Inc. MR10Q010SCR 7.0944
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 ECAD 5497 0.00000000 Everspin技术公司 - 卷带式 (TR) 的积极 0℃～70℃（TA） 表面贴装 16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） MR10Q010 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 16-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 819-MR10Q010SCRTR EAR99 8542.32.0071 1,000 40兆赫 非活跃性 1兆比特 7纳秒 内存 128K×8 SPI - 四路I/O、QPI -
EM008LXQAB313CS1R Everspin Technologies Inc. EM008LXQAB313CS1R 15.8270
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 ECAD 1066 0.00000000 Everspin技术公司 EMxxLX 卷带式 (TR) 的积极 0℃～70℃ 表面贴装 24-TBGA MRAM（磁阻RAM） 1.65V～2V 24-TBGA (6x8) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） 819-EM008LXQAB313CS1RTR EAR99 8542.32.0071 4,000 200兆赫 非活跃性 8兆比特 内存 1M×8 SPI-八路I/O -
MR10Q010MBR Everspin Technologies Inc. MR10Q010MBR 7.0944
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 ECAD 8048 0.00000000 Everspin技术公司 - 卷带式 (TR) 的积极 0℃～70℃（TA） 表面贴装 24-LBGA MR10Q010 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 24-BGA (6x8) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 819-MR10Q010MBRTR EAR99 8542.32.0071 1,000 40兆赫 非活跃性 1兆比特 7纳秒 内存 128K×8 SPI - 四路I/O、QPI -
EM008LXOAB320CS1T Everspin Technologies Inc. EM008LXOAB320CS1T 18.7500
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 ECAD 5006 0.00000000 Everspin技术公司 EMxxLX 托盘 的积极 0℃～70℃ 表面贴装 24-TBGA MRAM（磁阻RAM） 1.65V～2V 24-TBGA (6x8) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） 819-EM008LXOAB320CS1T EAR99 8542.32.0071 第480章 200兆赫 非活跃性 8兆比特 内存 1M×8 SPI-八路I/O -
MR5A16ACMA35 Everspin Technologies Inc. MR5A16ACMA35 80.3300
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 ECAD 5224 0.00000000 Everspin技术公司 汽车，AEC-Q100 托盘 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 48-LFBGA MR5A16 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 48-FBGA (10x10) - 符合ROHS3标准 6（标签上的T） REACH 不出行 819-MR5A16ACMA35 EAR99 8542.32.0071 240 非活跃性 32兆比特 35纳秒 内存 2M×16 平行线 35纳秒
MR4A16BYS35R Everspin Technologies Inc. MR4A16BYS35R 34.8000
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 ECAD 8072 0.00000000 Everspin技术公司 - 卷带式 (TR) 的积极 0℃～70℃（TA） 表面贴装 54-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽） MR4A16 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 54-TSOP2 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.32.0071 1,000 非活跃性 16兆比特 35纳秒 内存 1M×16 平行线 35纳秒
MR2A16ACYS35 Everspin Technologies Inc. MR2A16ACYS35 31.7400
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 ECAD 第684章 0.00000000 Everspin技术公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 44-TSOP（0.400英寸，10.16毫米宽） MR2A16 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 44-TSOP2 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.32.0071 135 非活跃性 4兆比特 35纳秒 内存 256K×16 平行线 35纳秒
EM008LXQAB313IS1T Everspin Technologies Inc. EM008LXQAB313IS1T 19.0500
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 ECAD 5387 0.00000000 Everspin技术公司 EMxxLX 托盘 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 24-TBGA MRAM（磁阻RAM） 1.65V～2V 24-TBGA (6x8) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） 819-EM008LXQAB313IS1T EAR99 8542.32.0071 第480章 200兆赫 非活跃性 8兆比特 内存 1M×8 SPI-八路I/O -
MR256D08BMA45R Everspin Technologies Inc. MR256D08BMA45R 7.2300
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 ECAD 8464 0.00000000 Everspin技术公司 - 卷带式 (TR) 的积极 0℃～70℃（TA） 表面贴装 48-LFBGA MR256D08 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 48-FBGA (8x8) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.32.0071 2,000 非活跃性 256Kbit 45纳秒 内存 32K×8 平行线 45纳秒
EM064LXOAB320IS1R Everspin Technologies Inc. EM064LXOAB320IS1R 47.2500
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 ECAD 3653 0.00000000 Everspin技术公司 EMxxLX 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 24-TBGA MRAM（磁阻RAM） 1.65V～2V 24-TBGA (6x8) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） 819-EM064LXOAB320IS1RTR EAR99 8542.32.0071 4,000 200兆赫 非活跃性 64兆比特 内存 8M×8 SPI-八路I/O -
EM016LXQAB313CS1T Everspin Technologies Inc. EM016LXQAB313CS1T 26.3900
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 ECAD 第480章 0.00000000 Everspin技术公司 EMxxLX 托盘 的积极 0℃～70℃ 表面贴装 24-TBGA MRAM（磁阻RAM） 1.65V～2V 24-TBGA (6x8) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） 819-EM016LXQAB313CS1T EAR99 8542.32.0071 第480章 200兆赫 非活跃性 16兆比特 内存 2M×8 SPI-八路I/O -
EM064LXOAB320IS1T Everspin Technologies Inc. EM064LXOAB320IS1T 60.6700
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 ECAD 第475章 0.00000000 Everspin技术公司 EMxxLX 托盘 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 24-TBGA MRAM（磁阻RAM） 1.65V～2V 24-TBGA (6x8) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） 819-EM064LXOAB320IS1T EAR99 8542.32.0071 第480章 200兆赫 非活跃性 64兆比特 内存 8M×8 SPI-八路I/O -
MR5A16AMA35R Everspin Technologies Inc. MR5A16AMA35R 64.0950
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 ECAD 6044 0.00000000 Everspin技术公司 汽车，AEC-Q100 卷带式 (TR) 的积极 0℃～70℃（TA） 表面贴装 48-LFBGA MR5A16 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 48-FBGA (10x10) - 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 819-MR5A16AMA35RTR EAR99 8542.32.0071 2,500人 非活跃性 32兆比特 35纳秒 内存 2M×16 平行线 35纳秒
MR10Q010CSCR Everspin Technologies Inc. MR10Q010CSCR 7.1939
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 ECAD 9696 0.00000000 Everspin技术公司 - 卷带式 (TR) 的积极 0℃～70℃（TA） 表面贴装 16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） MR10Q010 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 16-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 819-MR10Q010CSCRTR EAR99 8542.32.0071 1,000 40兆赫 非活跃性 1兆比特 7纳秒 内存 128K×8 SPI - 四路I/O、QPI -
MR2A16ACMA35 Everspin Technologies Inc. MR2A16ACMA35 31.7700
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 ECAD 7621 0.00000000 Everspin技术公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 48-LFBGA MR2A16 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 48-FBGA (8x8) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 819-1020 EAR99 8542.32.0071 第348章 非活跃性 4兆比特 35纳秒 内存 256K×16 平行线 35纳秒
MR10Q010SC Everspin Technologies Inc. MR10Q010SC 6.7595
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 ECAD 1005 0.00000000 Everspin技术公司 - 托盘 的积极 0℃～70℃（TA） 表面贴装 16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） MR10Q010 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 16-SOIC 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 819-MR10Q010SC EAR99 8542.32.0071 第480章 40兆赫 非活跃性 1兆比特 7纳秒 内存 128K×8 SPI - 四路I/O、QPI -
MR0A16AVMA35 Everspin Technologies Inc. MR0A16AVMA35 15.8700
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 ECAD 8376 0.00000000 Everspin技术公司 - 托盘 的积极 -40℃～105℃（TA） 表面贴装 48-LFBGA MR0A16 MRAM（磁阻RAM） 3V～3.6V 48-FBGA (8x8) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 819-1023 EAR99 8542.32.0071 第348章 非活跃性 1兆比特 35纳秒 内存 64K×16 平行线 35纳秒
MR25H256MDC Everspin Technologies Inc. MR25H256MDC 15.0800
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 ECAD 8182 0.00000000 Everspin技术公司 汽车，AEC-Q100 托盘 不适合新设计 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 8-TDFN 裸露焊盘 MR25H256 MRAM（磁阻RAM） 2.7V~3.6V 8-DFN (5x6) 下载 符合ROHS3标准 3（168小时） REACH 不出行 EAR99 8542.32.0071 第570章 40兆赫 非活跃性 256Kbit 内存 32K×8 SPI -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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