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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MR4A16BCYS35 Everspin Technologies Inc. MR4A16BCYS35 46.7700
RFQ
ECAD 7130 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MR4A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 54-TSOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-1017 Ear99 8542.32.0071 108 非易失性 16mbit 35 ns 内存 1m x 16 平行线 35ns
MR5A16ACMA35 Everspin Technologies Inc. MR5A16ACMA35 80.3300
RFQ
ECAD 5224 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-LFBGA MR5A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 48-fbga(10x10) - rohs3符合条件 6(6) 到达不受影响 819-MR5A16ACMA35 Ear99 8542.32.0071 240 非易失性 32Mbit 35 ns 内存 2m x 16 平行线 35ns
MR5A16AUMA45 Everspin Technologies Inc. MR5A16AUMA45 77.7900
RFQ
ECAD 2907 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 48-LFBGA MR5A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 48-fbga(10x10) - rohs3符合条件 6(6) 到达不受影响 819-MR5A16AUMA45 Ear99 8542.32.0071 240 非易失性 32Mbit 45 ns 内存 2m x 16 平行线 45ns
MR3A16AUYS45 Everspin Technologies Inc. MR3A16AUYS45 38.6700
RFQ
ECAD 8305 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MR3A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 54-TSOP2 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR3A16AUYS45 Ear99 8542.32.0071 108 非易失性 8mbit 45 ns 内存 512k x 16 平行线 35ns
MR3A16ACMA35 Everspin Technologies Inc. MR3A16ACMA35 40.7800
RFQ
ECAD 334 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-LFBGA MR3A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 48-fbga(10x10) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR3A16ACMA35 Ear99 8542.32.0071 240 非易失性 8mbit 35 ns 内存 512k x 16 平行线 35ns
MR1A16AYS35R Everspin Technologies Inc. MR1A16AYS35R 17.2350
RFQ
ECAD 6299 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) MR1A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 44-TSOP2 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-mr1a 16ays35rtr Ear99 8542.32.0071 1,500 非易失性 2Mbit 35 ns 内存 128K x 16 平行线 35ns
MR25H128APDFR Everspin Technologies Inc. MR25H128APDFR 7.3200
RFQ
ECAD 8547 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 MR25H128 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 4,000
MR25H128APDF Everspin Technologies Inc. MR25H128APDF 7.0792
RFQ
ECAD 8788 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 托盘 积极的 MR25H128 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 570
MR1A16ACMA35 Everspin Technologies Inc. MR1A16ACMA35 23.3400
RFQ
ECAD 1738年 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-LFBGA MR1A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 48-fbga(8x8) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR1A​​ 16ACMA35 Ear99 8542.32.0071 348 非易失性 2Mbit 35 ns 内存 128K x 16 spi 35ns
MR1A16AMA35 Everspin Technologies Inc. MR1A16AMA35 15.3663
RFQ
ECAD 7734 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-LFBGA MR1A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 48-fbga(8x8) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR1A​​ 16AMA35 Ear99 8542.32.0071 348 非易失性 2Mbit 35 ns 内存 128K x 16 平行线 35ns
MR25H128AMDFR Everspin Technologies Inc. MR25H128AMDFR 8.8200
RFQ
ECAD 2186 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 MR25H128 MRAM (磁磁性 RAM) 2.7V〜3.6V 8-DFN-EP,小国旗(5x6) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR25H128AMDFRTR Ear99 8542.32.0071 4,000 40 MHz 非易失性 128kbit 内存 16k x 8 spi -
MR1A16AMYS35 Everspin Technologies Inc. MR1A16AMYS35 22.4606
RFQ
ECAD 2309 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) MR1A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 44-TSOP2 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR1A​​ 16AMYS35 Ear99 8542.32.0071 135 非易失性 2Mbit 35 ns 内存 128K x 16 平行线 35ns
MR5A16AMA35 Everspin Technologies Inc. MR5A16AMA35 63.9000
RFQ
ECAD 8661 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-LFBGA MR5A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 48-fbga(10x10) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR5A16AMA35 Ear99 8542.32.0071 240 非易失性 32Mbit 35 ns 内存 2m x 16 平行线 35ns
MR3A16ACYS35 Everspin Technologies Inc. MR3A16ACYS35 39.7500
RFQ
ECAD 2040 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MR3A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 54-TSOP2 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR3A16ACYS35 Ear99 8542.32.0071 108 非易失性 8mbit 35 ns 内存 512k x 16 平行线 35ns
MR3A16AMA35R Everspin Technologies Inc. MR3A16AMA35R 28.0050
RFQ
ECAD 2006 0.00000000 Everspin Technologies Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 48-LFBGA MR3A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 48-fbga(10x10) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR3A16AMA35RTR Ear99 8542.32.0071 2,500 非易失性 8mbit 35 ns 内存 512k x 16 平行线 35ns
MR25H256APDF Everspin Technologies Inc. MR25H256APDF 7.1663
RFQ
ECAD 5076 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 MR25H256 MRAM (磁磁性 RAM) 2.7V〜3.6V 8-DFN-EP,小国旗(5x6) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR25H256APDF Ear99 8542.32.0071 570 40 MHz 非易失性 256kbit 9 ns 内存 32K x 8 spi -
MR10Q010SCR Everspin Technologies Inc. MR10Q010SCR 7.0944
RFQ
ECAD 5497 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) MR10Q010 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR10Q010SCRTR Ear99 8542.32.0071 1,000 40 MHz 非易失性 1Mbit 7 ns 内存 128K x 8 Spi -Quad I/O,QPI -
MR10Q010VMB Everspin Technologies Inc. MR10Q010VMB 8.6100
RFQ
ECAD 5203 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 24-LBGA MR10Q010 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 24-BGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR10Q010VMB Ear99 8542.32.0071 480 40 MHz 非易失性 1Mbit 7 ns 内存 128K x 8 Spi -Quad I/O,QPI -
MR10Q010SC Everspin Technologies Inc. MR10Q010SC 6.7595
RFQ
ECAD 1005 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) MR10Q010 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR10Q010SC Ear99 8542.32.0071 480 40 MHz 非易失性 1Mbit 7 ns 内存 128K x 8 Spi -Quad I/O,QPI -
MR10Q010CSCR Everspin Technologies Inc. MR10Q010CSCR 7.1939
RFQ
ECAD 9696 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) MR10Q010 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR10Q010CSCRTR Ear99 8542.32.0071 1,000 40 MHz 非易失性 1Mbit 7 ns 内存 128K x 8 Spi -Quad I/O,QPI -
MR25H256AMDFR Everspin Technologies Inc. MR25H256AMDFR 8.5386
RFQ
ECAD 9234 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 MR25H256 MRAM (磁磁性 RAM) 2.7V〜3.6V 8-DFN-EP,小国旗(5x6) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR25H256AMDFRTR Ear99 8542.32.0071 4,000 40 MHz 非易失性 256kbit 9 ns 内存 32K x 8 spi -
MR4A16BUYS45 Everspin Technologies Inc. MR4A16BUYS45 46.6050
RFQ
ECAD 9488 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 托盘 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MR4A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 54-TSOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR4A16BUYS45 Ear99 8542.32.0071 108 非易失性 16mbit 45 ns 内存 1m x 16 平行线 45ns
MR10Q010MBR Everspin Technologies Inc. MR10Q010MBR 7.0944
RFQ
ECAD 8048 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 24-LBGA MR10Q010 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 24-BGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR10Q010MBRTR Ear99 8542.32.0071 1,000 40 MHz 非易失性 1Mbit 7 ns 内存 128K x 8 Spi -Quad I/O,QPI -
MR4A16BUYS45R Everspin Technologies Inc. MR4A16BUYS45R 47.0550
RFQ
ECAD 3140 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MR4A16 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 54-TSOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR4A16BUYS45RTR Ear99 8542.32.0071 1,000 非易失性 16mbit 45 ns 内存 1m x 16 平行线 45ns
MR4A08BUYS45R Everspin Technologies Inc. MR4A08BUYS45R 48.8400
RFQ
ECAD 5792 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) MR4A08 MRAM (磁磁性 RAM) 3v〜3.6V 44-TSOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR4A08BUYS45RTR Ear99 8542.32.0071 1,500 非易失性 16mbit 45 ns 内存 2m x 8 平行线 45ns
MR25H256ACDFR Everspin Technologies Inc. MR25H256ACDFR 4.5000
RFQ
ECAD 7266 0.00000000 Everspin Technologies Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 MR25H256 MRAM (磁磁性 RAM) 2.7V〜3.6V 8-DFN-EP,小国旗(5x6) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 819-MR25H256ACDFRTR Ear99 8542.32.0071 4,000 40 MHz 非易失性 256kbit 9 ns 内存 32K x 8 spi -
EM008LXQADG13CS1T Everspin Technologies Inc. EM008LXQADG13CS1T 16.3999
RFQ
ECAD 7382 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 托盘 积极的 0°C〜70°C 表面安装 8-vdfn暴露垫 MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 8-DFN(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM008LXQADG13CS1T Ear99 8542.32.0071 290 200 MHz 非易失性 8mbit 内存 1m x 8 spi -octal I/o -
EM008LXQADG13IS1T Everspin Technologies Inc. EM008LXQADG13IS1T 19.0500
RFQ
ECAD 3932 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 托盘 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 8-vdfn暴露垫 MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 8-DFN(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM008LXQADG13IS1T Ear99 8542.32.0071 290 200 MHz 非易失性 8mbit 内存 1m x 8 spi -octal I/o -
EM064LXOAB320IS1R Everspin Technologies Inc. EM064LXOAB320IS1R 47.2500
RFQ
ECAD 3653 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 24-TBGA MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 24-tbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM064LXOAB320IS1RTR Ear99 8542.32.0071 4,000 200 MHz 非易失性 64mbit 内存 8m x 8 spi -octal I/o -
EM016LXQAB313CS1T Everspin Technologies Inc. EM016LXQAB313CS1T 26.3900
RFQ
ECAD 480 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx 托盘 积极的 0°C〜70°C 表面安装 24-TBGA MRAM (磁磁性 RAM) 1.65V〜2V 24-tbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 819-EM016LXQAB313CS1T Ear99 8542.32.0071 480 200 MHz 非易失性 16mbit 内存 2m x 8 spi -octal I/o -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库