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集成电路 (IC)(250)
| 参考图片 | 产品编号 | 价格（美元） | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量（公斤） | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级（MSL） | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 内存格式 | 记忆组织 | 内存接口 | 周期写入T - 字、页 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GS8662D20BGD-550I | 167.5000 |  | 15 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C（太焦） | 表面贴装 | 165-LBGA | GS8662D | SRAM - 四端口、同步、QDR II+ | 1.7V~1.9V | 165-FPBGA (13x15) | 符合ROHS3标准 | 3（168小时） | REACH 不出行 | 2364-GS8662D20BGD-550I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 550兆赫 | 易挥发的 | 72兆比特 | 静态随机存储器 | 4M×18 | 平行线 | - | |
 | GS84018CGT-250I | 11.0200 | | 36 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C（太焦） | 表面贴装 | 100-LQFP | GS84018 | SRAM-同步，标准 | 2.3V～2.7V、3V～3.6V | 100-TQFP (20x14) | 符合ROHS3标准 | 3（168小时） | REACH 不出行 | 2364-GS84018CGT-250I | EAR99 | 8542.32.0041 | 72 | 250兆赫 | 易挥发的 | 4兆比特 | 静态随机存储器 | 256K×18 | 平行线 | - | |
| GS8160Z36DGT-333IV | 54.3200 | | 18 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C（太焦） | 表面贴装 | 100-LQFP | GS8160Z36 | SRAM-同步、ZBT | 1.7V～2V、2.3V～2.7V | 100-TQFP (20x14) | 符合ROHS3标准 | 3（168小时） | REACH 不出行 | 2364-GS8160Z36DGT-333IV | EAR99 | 8542.32.0041 | 18 | 333兆赫 | 易挥发的 | 18兆比特 | 静态随机存储器 | 512K×36 | 平行线 | - | |
| GS8342T18BGD-400I | 70.7400 | | 18 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C（太焦） | 表面贴装 | 165-LBGA | GS8342T | SRAM - 四端口、同步、DDR II | 1.7V~1.9V | 165-FPBGA (13x15) | 符合ROHS3标准 | 3（168小时） | REACH 不出行 | 2364-GS8342T18BGD-400I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 400兆赫 | 易挥发的 | 36兆比特 | 静态随机存储器 | 2M×18 | 平行线 | - | |
 | GS8642Z36GB-250IV | 211.8300 | | 19 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 119-BGA | GS8642Z | SRAM-同步、ZBT | 1.7V～2V、2.3V～2.7V | 119-FPBGA (22x14) | 符合ROHS3标准 | 3（168小时） | REACH 不出行 | 2364-GS8642Z36GB-250IV | EAR99 | 8542.32.0041 | 14 | 250兆赫 | 易挥发的 | 72兆比特 | 静态随机存储器 | 2M×36 | 平行线 | - | |
| GS8662Q37BGD-357I | 219.5000 | | 15 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C（太焦） | 表面贴装 | 165-LBGA | GS8662Q | SRAM - 四端口、同步、QDR II+ | 1.7V~1.9V | 165-FPBGA (13x15) | 符合ROHS3标准 | 3（168小时） | REACH 不出行 | 2364-GS8662Q37BGD-357I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 357兆赫 | 易挥发的 | 72兆比特 | 静态随机存储器 | 2M×36 | 平行线 | - | |
| GS82564Z36GD-400I | 538.5000 | | 5 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C（太焦） | 表面贴装 | 165-LBGA | GS82564Z36 | SRAM-同步、ZBT | 2.3V～2.7V、3V～3.6V | 165-FPBGA (13x15) | 符合ROHS3标准 | 3（168小时） | REACH 不出行 | 2364-GS82564Z36GD-400I | EAR99 | 8542.32.0041 | 10 | 400兆赫 | 易挥发的 | 288兆比特 | 静态随机存储器 | 8M×36 | 平行线 | - | |
 | GS8662QT37BGD-333I | 122.9187 | | 6219 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C（太焦） | 表面贴装 | 165-LBGA | GS8662Q | SRAM - 四端口，同步 | 1.7V~1.9V | 165-FPBGA (15x13) | 符合ROHS3标准 | 3（168小时） | REACH 不出行 | 2364-GS8662QT37BGD-333I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 333兆赫 | 易挥发的 | 72兆比特 | 静态随机存储器 | 2M×36 | 平行线 | - | |
| GS8642Z36GB-300I | 193.7800 | | 15 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 119-BGA | GS8642Z | SRAM-同步、ZBT | 2.3V～2.7V、3V～3.6V | 119-FPBGA (22x14) | 符合ROHS3标准 | 3（168小时） | REACH 不出行 | 2364-GS8642Z36GB-300I | EAR99 | 8542.32.0041 | 14 | 300兆赫 | 易挥发的 | 72兆比特 | 静态随机存储器 | 2M×36 | 平行线 | - | |
| GS816018DGT-250I | 22.0481 | | 9886 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C（太焦） | 表面贴装 | 100-LQFP | GS816018 | SRAM-同步，标准 | 2.3V～2.7V、3V～3.6V | 100-TQFP (20x14) | 符合ROHS3标准 | 3（168小时） | REACH 不出行 | 2364-GS816018DGT-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 36 | 250兆赫 | 易挥发的 | 18兆比特 | 静态随机存储器 | 1M×18 | 平行线 | - |
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