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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 内存格式 | 记忆组织 | 内存接口 | 周期写入T - 字、页 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GS81302D36GE-350I | 220.9200 | ![]() | 5988 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C(太焦) | 表面贴装 | 165-LBGA | GS81302D36 | SRAM - 四端口,同步 | 1.7V~1.9V | 165-FPBGA (15x17) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS81302D36GE-350I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 350兆赫 | 易挥发的 | 144兆比特 | 静态随机存储器 | 4M×36 | 平行线 | - | ||
| GS82582Q18GE-333I | 423.0000 | ![]() | 1702 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C(太焦) | 表面贴装 | 165-LBGA | GS82582Q18 | SRAM - 四端口,同步 | 1.7V~1.9V | 165-FPBGA (15x17) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS82582Q18GE-333I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 333兆赫 | 易挥发的 | 288兆比特 | 静态随机存储器 | 16M×18 | 平行线 | - | ||
| GS82582TT37GE-450I | 465.0000 | ![]() | 7455 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C(太焦) | 表面贴装 | 165-LBGA | GS82582TT37 | SRAM - 四端口,同步 | 1.7V~1.9V | 165-FPBGA (15x17) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS82582TT37GE-450I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 450兆赫 | 易挥发的 | 288兆比特 | 静态随机存储器 | 8M×36 | 平行线 | - | ||
![]() | GS8256418GD-250I | 448.5000 | ![]() | 9070 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C(太焦) | 表面贴装 | 165-LBGA | GS8256418 | SRAM-同步,标准 | 2.3V~2.7V、3V~3.6V | 165-FPBGA (15x13) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS8256418GD-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 250兆赫 | 易挥发的 | 288兆比特 | 静态随机存储器 | 16M×18 | 平行线 | - | |
| GS82582Q38GE-500I | 465.0000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C(太焦) | 表面贴装 | 165-LBGA | GS82582Q38 | SRAM - 四端口、同步、QDR II+ | 1.7V~1.9V | 165-FPBGA (15x17) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS82582Q38GE-500I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 500兆赫 | 易挥发的 | 288兆比特 | 静态随机存储器 | 8M×36 | 平行线 | - | ||
![]() | GS8342T36BGD-300I | 45.6607 | ![]() | 4940 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C(太焦) | 表面贴装 | 165-LBGA | GS8342T | SRAM - 四端口、同步、DDR II | 1.7V~1.9V | 165-FPBGA (15x13) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS8342T36BGD-300I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 300兆赫 | 易挥发的 | 36兆比特 | 静态随机存储器 | 1M×36 | 平行线 | - | |
| GS82582DT20GE-500I | 448.5000 | ![]() | 6369 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C(太焦) | 表面贴装 | 165-LBGA | GS82582DT20 | SRAM - 四端口,同步 | 1.7V~1.9V | 165-FPBGA (15x17) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS82582DT20GE-500I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 500兆赫 | 易挥发的 | 288兆比特 | 静态随机存储器 | 16M×18 | 平行线 | - | ||
![]() | GS8662T36BGD-400I | 194.5700 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C(太焦) | 表面贴装 | 165-LBGA | GS8662T | SRAM - 四端口、同步、DDR II | 1.7V~1.9V | 165-FPBGA (13x15) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS8662T36BGD-400I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 400兆赫 | 易挥发的 | 72兆比特 | 静态随机存储器 | 2M×36 | 平行线 | - | |
![]() | GS832136AGD-250I | 46.9467 | ![]() | 5162 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C(太焦) | 表面贴装 | 165-LBGA | GS832136 | SRAM-同步,标准 | 2.3V~2.7V、3V~3.6V | 165-FPBGA (15x13) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS832136AGD-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 18 | 250兆赫 | 易挥发的 | 36兆比特 | 静态随机存储器 | 1M×36 | 平行线 | - | |
| GS81302DT37GE-450I | 243.5230 | ![]() | 7991 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C(太焦) | 表面贴装 | 165-LBGA | GS81302DT37 | SRAM - 四端口,同步 | 1.7V~1.9V | 165-FPBGA (15x17) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS81302DT37GE-450I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 450兆赫 | 易挥发的 | 144兆比特 | 静态随机存储器 | 4M×36 | 平行线 | - | ||
![]() | GS8640Z18GT-300I | 190.6200 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | GS8640Z | SRAM-同步、ZBT | 2.3V~2.7V、3V~3.6V | 100-TQFP (20x14) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS8640Z18GT-300I | EAR99 | 8542.32.0041 | 18 | 300兆赫 | 易挥发的 | 72兆比特 | 静态随机存储器 | 4M×18 | 平行线 | - | |
![]() | GS82564Z36GB-250I | 448.5000 | ![]() | 7988 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C(太焦) | 表面贴装 | 119-BGA | GS82564Z36 | SRAM-同步、ZBT | 2.3V~2.7V、3V~3.6V | 119-FPBGA (22x14) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS82564Z36GB-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 250兆赫 | 易挥发的 | 288兆比特 | 静态随机存储器 | 8M×36 | 平行线 | - | |
![]() | GS8662D36BGD-400I | 194.5700 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C(太焦) | 表面贴装 | 165-LBGA | GS8662D | SRAM - 四端口、同步、QDR II | 1.7V~1.9V | 165-FPBGA (13x15) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS8662D36BGD-400I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 400兆赫 | 易挥发的 | 72兆比特 | 静态随机存储器 | 2M×36 | 平行线 | - | |
![]() | GS880Z36CGT-250IV | 29.6905 | ![]() | 8147 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | GS880Z | SRAM-同步、ZBT | 1.7V~2V、2.3V~2.7V | 100-TQFP (20x14) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS880Z36CGT-250IV | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 66 | 250兆赫 | 易挥发的 | 9兆比特 | 静态随机存储器 | 256K×36 | 平行线 | - | |
![]() | GS8162Z36DGD-250IV | 43.5167 | ![]() | 5898 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C(太焦) | 表面贴装 | 165-LBGA | GS8162Z36 | SRAM-同步、ZBT | 1.7V~2V、2.3V~2.7V | 165-FPBGA (15x13) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS8162Z36DGD-250IV | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 18 | 250兆赫 | 易挥发的 | 18兆比特 | 静态随机存储器 | 512K×36 | 平行线 | - | |
![]() | GS8342D36BGD-300I | 45.6607 | ![]() | 9709 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C(太焦) | 表面贴装 | 165-LBGA | GS8342D | SRAM - 四端口,同步 | 1.7V~1.9V | 165-FPBGA (15x13) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS8342D36BGD-300I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 300兆赫 | 易挥发的 | 36兆比特 | 静态随机存储器 | 1M×36 | 平行线 | - | |
![]() | GS816036DGT-333I | 38.9400 | ![]() | 36 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C(太焦) | 表面贴装 | 100-LQFP | GS816036 | SRAM-同步,标准 | 2.3V~2.7V、3V~3.6V | 100-TQFP (20x14) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS816036DGT-333I | EAR99 | 8542.32.0041 | 36 | 333兆赫 | 易挥发的 | 18兆比特 | 静态随机存储器 | 512K×36 | 平行线 | - | |
![]() | GS8662Q36BGD-357I | 194.5700 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C(太焦) | 表面贴装 | 165-LBGA | GS8662Q | SRAM - 四端口、同步、QDR II | 1.7V~1.9V | 165-FPBGA (13x15) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS8662Q36BGD-357I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 357兆赫 | 易挥发的 | 72兆比特 | 静态随机存储器 | 2M×36 | 平行线 | - | |
| GS82582QT37GE-400I | 465.0000 | ![]() | 9854 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C(太焦) | 表面贴装 | 165-LBGA | GS82582QT37 | SRAM - 四端口,同步 | 1.7V~1.9V | 165-FPBGA (15x17) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS82582QT37GE-400I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 400兆赫 | 易挥发的 | 288兆比特 | 静态随机存储器 | 8M×36 | 平行线 | - | ||
| GS82582D38GE-550I | 492.0000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C(太焦) | 表面贴装 | 165-LBGA | GS82582D38 | SRAM - 四端口、同步、QDR II+ | 1.7V~1.9V | 165-FPBGA (15x17) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS82582D38GE-550I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 550兆赫 | 易挥发的 | 288兆比特 | 静态随机存储器 | 8M×36 | 平行线 | - | ||
![]() | GS8128436GB-250I | 269.6500 | ![]() | 63 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 119-BGA | GS8128436 | SRAM-同步,标准 | 2.3V~2.7V、3V~3.6V | 119-FPBGA (22x14) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS8128436GB-250I | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 10 | 250兆赫 | 易挥发的 | 144兆比特 | 静态随机存储器 | 4M×36 | 平行线 | - | |
| GS81302QT37GE-300I | 220.9200 | ![]() | 1841年 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C(太焦) | 表面贴装 | 165-LBGA | GS81302QT37 | SRAM - 四端口,同步 | 1.7V~1.9V | 165-FPBGA (15x17) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS81302QT37GE-300I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 300兆赫 | 易挥发的 | 144兆比特 | 静态随机存储器 | 4M×36 | 平行线 | - | ||
![]() | GS8342D18BGD-400I | 69.8600 | ![]() | 18 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C(太焦) | 表面贴装 | 165-LBGA | GS8342D | SRAM - 四端口、同步、QDR II | 1.7V~1.9V | 165-FPBGA (13x15) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS8342D18BGD-400I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 400兆赫 | 易挥发的 | 36兆比特 | 静态随机存储器 | 2M×18 | 平行线 | - | |
![]() | GS881Z36CGD-300I | 27.8919 | ![]() | 3328 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 165-LBGA | GS881Z | SRAM-同步、ZBT | 2.3V~2.7V、3V~3.6V | 165-FPBGA (15x13) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS881Z36CGD-300I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 36 | 300兆赫 | 易挥发的 | 9兆比特 | 静态随机存储器 | 256K×36 | 平行线 | - | |
![]() | GS8182T18BGD-300I | 27.9022 | ![]() | 4609 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 165-LBGA | GS8182T18 | SRAM-同步、DDR II | 1.7V~1.9V | 165-FPBGA (15x13) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS8182T18BGD-300I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 18 | 300兆赫 | 易挥发的 | 18兆比特 | 静态随机存储器 | 1M×18 | 平行线 | - | |
![]() | GS864018GT-250I | 105.7100 | ![]() | 9391 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | GS864018 | SRAM-同步,标准 | 2.3V~2.7V、3V~3.6V | 100-TQFP (20x14) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS864018GT-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 18 | 250兆赫 | 易挥发的 | 72兆比特 | 静态随机存储器 | 4M×18 | 平行线 | - | |
![]() | GS8342D18BGD-300I | 45.6607 | ![]() | 8285 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C(太焦) | 表面贴装 | 165-LBGA | GS8342D | SRAM - 四端口,同步 | 1.7V~1.9V | 165-FPBGA (15x13) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS8342D18BGD-300I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 300兆赫 | 易挥发的 | 36兆比特 | 静态随机存储器 | 2M×18 | 平行线 | - | |
![]() | GS81280Z18GT-333I | 277.5900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C(太焦) | 表面贴装 | 100-LQFP | GS81280Z18 | SRAM-同步、ZBT | 2.3V~2.7V、3V~3.6V | 100-TQFP (20x14) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS81280Z18GT-333I | EAR99 | 8542.32.0041 | 15 | 333兆赫 | 易挥发的 | 144兆比特 | 静态随机存储器 | 8M×18 | 平行线 | - | |
| GS82582QT19GE-400I | 465.0000 | ![]() | 8630 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C(太焦) | 表面贴装 | 165-LBGA | GS82582QT19 | SRAM - 四端口,同步 | 1.7V~1.9V | 165-FPBGA (15x17) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS82582QT19GE-400I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 400兆赫 | 易挥发的 | 288兆比特 | 静态随机存储器 | 16M×18 | 平行线 | - | ||
![]() | GS816136DGD-333I | 38.9500 | ![]() | 36 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 165-LBGA | GS816136 | SRAM-同步,标准 | 2.3V~2.7V、3V~3.6V | 165-FPBGA (13x15) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS816136DGD-333I | EAR99 | 8542.32.0041 | 36 | 333兆赫 | 易挥发的 | 18兆比特 | 静态随机存储器 | 512K×36 | 平行线 | - |

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