集成电路 (IC)(250)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	电压 - 电源	供应商设备包	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	时钟频率	内存类型	内存大小	内存格式	记忆组织	内存接口	周期写入T - 字、页
GS8662TT38BGD-500I	129.1320	询价	1386	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 100°C（太焦）	表面贴装	165-LBGA	GS8662TT	SRAM - 四端口，同步	1.7V~1.9V	165-FPBGA (15x13)	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS8662TT38BGD-500I	3A991B2B	8542.32.0041	15	500兆赫	易挥发的	72兆比特	静态随机存储器	2M×36	平行线	-
GS8642Z36GB-167IV	145.7400	询价	1418	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	119-BGA	GS8642Z	SRAM-同步、ZBT	1.7V～2V、2.3V～2.7V	119-FPBGA (22x14)	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS8642Z36GB-167IV	3A991B2B	8542.32.0041	14	167兆赫	易挥发的	72兆比特	静态随机存储器	2M×36	平行线	-
GS82564Z18GB-250I	448.5000	询价	6501	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 100°C（太焦）	表面贴装	119-BGA	GS82564Z18	SRAM-同步、ZBT	2.3V～2.7V、3V～3.6V	119-FPBGA (22x14)	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS82564Z18GB-250I	3A991B2B	8542.32.0041	10	250兆赫	易挥发的	288兆比特	静态随机存储器	16M×18	平行线	-
GS81314LT36GK-133I	664.5000	询价	8670	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 100°C（太焦）	表面贴装	260-BGA	GS81314LT36	SRAM - 四端口，同步	1.2V～1.35V	260-BGA (22x14)	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS81314LT36GK-133I	3A991B2B	8542.32.0041	10	1.333GHz	易挥发的	144兆比特	静态随机存储器	4M×36	平行线	-
GS82583ET18GK-675I	753.0000	询价	10	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 100°C（太焦）	表面贴装	260-BGA	GS82583ET18	SRAM - 同步	1.25V～1.35V	260-BGA (22x14)	符合ROHS3标准	4（72小时）	REACH 不出行	2364-GS82583ET18GK-675I	EAR99	8542.32.0041	10	675兆赫	易挥发的	288兆比特	静态随机存储器	16M×18	平行线	-
GS8128236GB-250I	212.4680	询价	8731	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 100°C（太焦）	表面贴装	119-BGA	GS8128236	SRAM-同步，标准	2.3V～2.7V、3V～3.6V	119-FPBGA (22x14)	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS8128236GB-250I	3A991B2B	8542.32.0041	10	250兆赫	易挥发的	144兆比特	静态随机存储器	4M×36	平行线	-
GS82582DT37GE-450I	465.0000	询价	3679	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 100°C（太焦）	表面贴装	165-LBGA	GS82582DT37	SRAM - 四端口，同步	1.7V~1.9V	165-FPBGA (15x17)	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS82582DT37GE-450I	3A991B2B	8542.32.0041	10	450兆赫	易挥发的	288兆比特	静态随机存储器	8M×36	平行线	-
GS81302Q18AGD-300I	279.5000	询价	10	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 100°C（太焦）	表面贴装	165-LBGA	GS81302Q18	SRAM - 四端口、同步、QDR II	1.7V~1.9V	165-FPBGA (13x15)	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS81302Q18AGD-300I	3A991B2B	8542.32.0041	10	300兆赫	易挥发的	144兆比特	静态随机存储器	8M×18	平行线	-
GS8182Q36BGD-300I	27.9022	询价	3475	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	165-LBGA	GS8182Q36	SRAM - 四端口，同步	1.7V~1.9V	165-FPBGA (15x13)	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS8182Q36BGD-300I	3A991B2B	8542.32.0041	18	300兆赫	易挥发的	18兆比特	静态随机存储器	512K×36	平行线	-
GS81314LD37GK-933I	622.5000	询价	5	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 100°C（太焦）	表面贴装	260-BGA	GS81314LD37	SRAM - 四端口、同步、QDR IVe	1.25V～1.35V	260-BGA (22x14)	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS81314LD37GK-933I	3A991B2B	8542.32.0041	10	933兆赫	易挥发的	144兆比特	静态随机存储器	4M×36	平行线	-
GS81313LD36GK-625I	424.5000	询价	6933	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 100°C（太焦）	表面贴装	260-BGA	GS81313LD36	SRAM - 四端口，同步	1.2V～1.35V	260-BGA (22x14)	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS81313LD36GK-625I	3A991B2B	8542.32.0041	10	625兆赫	易挥发的	144兆比特	静态随机存储器	4M×36	平行线	-
GS82582Q20GE-500I	465.0000	询价	5	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 100°C（太焦）	表面贴装	165-LBGA	GS82582Q20	SRAM - 四端口、同步、QDR II+	1.7V~1.9V	165-FPBGA (15x17)	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS82582Q20GE-500I	EAR99	8542.32.0041	10	500兆赫	易挥发的	288兆比特	静态随机存储器	16M×18	平行线	-
GS8673ET18BGK-675I	328.1075	询价	4125	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 100°C（太焦）	表面贴装	260-BGA	GS8673ET	SRAM - 四端口，同步	1.3V～1.4V	260-BGA (22x14)	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS8673ET18BGK-675I	3A991B2B	8542.32.0041	8	675兆赫	易挥发的	72兆比特	静态随机存储器	4M×18	平行线	-
GS4288C36GL-18I	46.2519	询价	2384	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 95°C（温控）	表面贴装	144-TFBGA	GS4288C36	LLDRAM2	1.7V~1.9V	144-uBGA (18.5x11)	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS4288C36GL-18I	EAR99	8542.32.0028	36	533兆赫	易挥发的	288兆比特	动态随机存取存储器	8M×36	平行线	-
GS81282Z36GD-200IV	212.4680	询价	第1468章	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 100°C（太焦）	表面贴装	165-LBGA	GS81282Z36	SRAM-同步、ZBT	1.7V～2V、2.3V～2.7V	165-FPBGA (15x13)	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS81282Z36GD-200IV	3A991B2B	8542.32.0041	10	200兆赫	易挥发的	144兆比特	静态随机存储器	4M×36	平行线	-
GS81302Q18GE-300I	243.5230	询价	7361	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 100°C（太焦）	表面贴装	165-LBGA	GS81302Q18	SRAM - 四端口，同步	1.7V~1.9V	165-FPBGA (15x17)	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS81302Q18GE-300I	3A991B2B	8542.32.0041	10	300兆赫	易挥发的	144兆比特	静态随机存储器	8M×18	平行线	-
GS864018GT-300I	190.6200	询价	72	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	100-LQFP	GS864018	SRAM-同步，标准	2.3V～2.7V、3V～3.6V	100-TQFP (20x14)	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS864018GT-300I	EAR99	8542.32.0041	18	300兆赫	易挥发的	72兆比特	静态随机存储器	4M×18	平行线	-
GS8182D36BGD-300I	27.9022	询价	6878	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	165-LBGA	GS8182D36	SRAM - 四端口，同步	1.7V~1.9V	165-FPBGA (15x13)	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS8182D36BGD-300I	3A991B2B	8542.32.0041	18	300兆赫	易挥发的	18兆比特	静态随机存储器	512K×36	平行线	-
GS8128036GT-250I	212.4687	询价	2354	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 100°C（太焦）	表面贴装	100-LQFP	GS8128036	SRAM-同步，标准	2.3V～2.7V、3V～3.6V	100-TQFP (20x14)	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS8128036GT-250I	3A991B2B	8542.32.0041	15	250兆赫	易挥发的	144兆比特	静态随机存储器	4M×36	平行线	-
GS8342D36BGD-400I	69.8600	询价	18	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 100°C（太焦）	表面贴装	165-LBGA	GS8342D	SRAM - 四端口、同步、QDR II	1.7V~1.9V	165-FPBGA (13x15)	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS8342D36BGD-400I	3A991B2B	8542.32.0041	15	400兆赫	易挥发的	36兆比特	静态随机存储器	1M×36	平行线	-
GS8342Q18BGD-250I	45.6607	询价	第1470章	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 100°C（太焦）	表面贴装	165-LBGA	GS8342Q	SRAM - 四端口，同步	1.7V~1.9V	165-FPBGA (15x13)	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS8342Q18BGD-250I	3A991B2B	8542.32.0041	15	250兆赫	易挥发的	36兆比特	静态随机存储器	2M×18	平行线	-
GS8320Z36AGT-250I	44.5883	询价	7682	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 100°C（太焦）	表面贴装	100-LQFP	GS8320Z	SRAM-同步、ZBT	2.3V～2.7V、3V～3.6V	100-TQFP (20x14)	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS8320Z36AGT-250I	3A991B2B	8542.32.0041	18	250兆赫	易挥发的	36兆比特	静态随机存储器	1M×36	平行线	-
GS8128218GD-333I	277.5900	询价	10	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 100°C（太焦）	表面贴装	165-LBGA	GS8128218	SRAM-同步，标准	2.3V～2.7V、3V～3.6V	165-FPBGA (13x15)	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS8128218GD-333I	EAR99	8542.32.0041	10	333兆赫	易挥发的	144兆比特	静态随机存储器	8M×18	平行线	-
GS82582D19GE-450I	465.0000	询价	5	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 100°C（太焦）	表面贴装	165-LBGA	GS82582D19	SRAM - 四端口、同步、QDR II+	1.7V~1.9V	165-FPBGA (15x17)	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS82582D19GE-450I	EAR99	8542.32.0041	10	450兆赫	易挥发的	288兆比特	静态随机存储器	16M×18	平行线	-
GS8320Z36AGT-333I	72.1400	询价	18	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 100°C（太焦）	表面贴装	100-LQFP	GS8320Z	SRAM-同步、ZBT	2.3V～2.7V、3V～3.6V	100-TQFP (20x14)	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS8320Z36AGT-333I	EAR99	8542.32.0041	18	333兆赫	易挥发的	36兆比特	静态随机存储器	1M×36	平行线	-
GS8322Z36AGD-333I	74.8700	询价	18	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 100°C（太焦）	表面贴装	165-LBGA	GS8322Z	SRAM-同步、ZBT	2.3V～2.7V、3V～3.6V	165-FPBGA (13x15)	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS8322Z36AGD-333I	EAR99	8542.32.0041	14	333兆赫	易挥发的	36兆比特	静态随机存储器	1M×36	平行线	-
GS8256436GB-250I	448.5000	询价	5234	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 100°C（太焦）	表面贴装	119-BGA	GS8256436	SRAM-同步，标准	2.3V～2.7V、3V～3.6V	119-FPBGA (22x14)	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS8256436GB-250I	3A991B2B	8542.32.0041	10	250兆赫	易挥发的	288兆比特	静态随机存储器	8M×36	平行线	-
GS81302Q36AGD-300I	279.5000	询价	10	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 100°C（太焦）	表面贴装	165-LBGA	GS81302Q36	SRAM - 四端口、同步、QDR II	1.7V~1.9V	165-FPBGA (13x15)	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS81302Q36AGD-300I	3A991B2B	8542.32.0041	10	300兆赫	易挥发的	144兆比特	静态随机存储器	4M×36	平行线	-
GS882Z36CGD-300I	27.8919	询价	9456	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	165-LBGA	GS882Z36	SRAM-同步、ZBT	2.3V～2.7V、3V～3.6V	165-FPBGA (15x13)	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS882Z36CGD-300I	3A991B2B	8542.32.0041	36	300兆赫	易挥发的	9兆比特	静态随机存储器	256K×36	平行线	-
GS81313LQ18GK-800I	511.5000	询价	5	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 100°C（太焦）	表面贴装	260-BGA	GS81313LQ18	SRAM - 四端口、同步、QDR IIIe	1.2V～1.35V	260-BGA (22x14)	符合ROHS3标准	4（72小时）	REACH 不出行	2364-GS81313LQ18GK-800I	3A991B2B	8542.32.0041	10	800兆赫	易挥发的	144兆比特	静态随机存储器	8M×18	平行线	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

集成电路 (IC)(250)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²