集成电路 (IC)(250)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	时钟频率	内存类型	内存大小	内存格式	记忆组织	内存接口	周期写入T - 字、页
GS82582TT20GE-500I	448.5000	询价	3831	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 100°C（太焦）	表面贴装	165-LBGA	GS82582TT20	SRAM - 四端口，同步	1.7V~1.9V	165-FPBGA (15x17)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS82582TT20GE-500I	3A991B2B	8542.32.0041	10	500兆赫	易挥发的	288兆比特	静态随机存储器	16M×18	平行线	-
GS88036CGT-300I	25.2292	询价	6852	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	100-LQFP	GS88036	SRAM-同步，标准	2.3V～2.7V、3V～3.6V	100-TQFP (20x14)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS88036CGT-300I	3A991B2B	8542.32.0041	36	300兆赫	易挥发的	9兆比特	静态随机存储器	256K×36	平行线	-
GS816036DGT-250I	22.0481	询价	7287	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 100°C（太焦）	表面贴装	100-LQFP	GS816036	SRAM-同步，标准	2.3V～2.7V、3V～3.6V	100-TQFP (20x14)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS816036DGT-250I	3A991B2B	8542.32.0041	36	250兆赫	易挥发的	18兆比特	静态随机存储器	512K×36	平行线	-
GS8128236GD-333I	277.5900	询价	10	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 100°C（太焦）	表面贴装	165-LBGA	GS8128236	SRAM-同步，标准	2.3V～2.7V、3V～3.6V	165-FPBGA (13x15)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS8128236GD-333I	EAR99	8542.32.0041	10	333兆赫	易挥发的	144兆比特	静态随机存储器	4M×36	平行线	-
GS81302D37AGD-450I	279.5000	询价	39	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 100°C（太焦）	表面贴装	165-LBGA	GS81302D37	SRAM - 四端口、同步、QDR II+	1.7V~1.9V	165-FPBGA (13x15)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS81302D37AGD-450I	3A991B2B	8542.32.0041	10	450兆赫	易挥发的	144兆比特	静态随机存储器	4M×36	平行线	-
GS8662R36BGD-400I	169.5227	询价	2013年	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 100°C（太焦）	表面贴装	165-LBGA	GS8662R	SRAM - 四端口、同步、DDR II	1.7V~1.9V	165-FPBGA (13x15)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS8662R36BGD-400I	3A991B2B	8542.32.0041	15	400兆赫	易挥发的	72兆比特	静态随机存储器	2M×36	平行线	-
GS8128218GB-250I	212.4680	询价	8400	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 100°C（太焦）	表面贴装	119-BGA	GS8128218	SRAM-同步，标准	2.3V～2.7V、3V～3.6V	119-FPBGA (22x14)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS8128218GB-250I	3A991B2B	8542.32.0041	10	250兆赫	易挥发的	144兆比特	静态随机存储器	8M×18	平行线	-
GS81282Z18GD-333I	277.5900	询价	10	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 100°C（太焦）	表面贴装	165-LBGA	GS81282Z18	SRAM-同步、ZBT	2.3V～2.7V、3V～3.6V	165-FPBGA (13x15)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS81282Z18GD-333I	EAR99	8542.32.0041	10	333兆赫	易挥发的	144兆比特	静态随机存储器	8M×18	平行线	-
GS81302Q36GE-300I	243.5230	询价	7691	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 100°C（太焦）	表面贴装	165-LBGA	GS81302Q36	SRAM - 四端口，同步	1.7V~1.9V	165-FPBGA (15x17)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS81302Q36GE-300I	3A991B2B	8542.32.0041	10	300兆赫	易挥发的	144兆比特	静态随机存储器	4M×36	平行线	-
GS82583EQ18GK-500I	753.0000	询价	10	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 100°C（太焦）	表面贴装	260-BGA	GS82583EQ18	SRAM - 四端口，同步	1.25V～1.35V	260-BGA (22x14)	-	符合ROHS3标准	4（72小时）	REACH 不出行	2364-GS82583EQ18GK-500I	3A991B2B	8542.32.0041	10	500兆赫	易挥发的	288兆比特	静态随机存储器	16M×18	平行线	-
GS864236GB-300I	193.7800	询价	84	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	119-BGA	GS864236	SRAM-同步，标准	2.3V～2.7V、3V～3.6V	119-FPBGA (22x14)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS864236GB-300I	3A991B2A	8542.32.0041	14	300兆赫	易挥发的	72兆比特	静态随机存储器	2M×36	平行线	-
GS81302T36GE-350I	220.9200	询价	3137	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 100°C（太焦）	表面贴装	165-LBGA	GS81302T36	SRAM - 四端口、同步、DDR II	1.7V~1.9V	165-FPBGA (15x17)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS81302T36GE-350I	3A991B2B	8542.32.0041	10	350兆赫	易挥发的	144兆比特	静态随机存储器	4M×36	平行线	-
GS82583ED18GK-625I	697.5000	询价	14	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 100°C（太焦）	表面贴装	260-BGA	GS82583ED18	SRAM - 四端口，同步	1.25V～1.35V	260-BGA (22x14)	-	符合ROHS3标准	4（72小时）	REACH 不出行		3A991B2B	8542.32.0041	10	675兆赫	易挥发的	288兆比特	静态随机存储器	16M×18	平行线	-
GS832036AGT-333IV	94.4400	询价	18	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 100°C（太焦）	表面贴装	100-LQFP	GS832036	SRAM-同步，标准	1.7V～2V、2.3V～2.7V	100-TQFP (20x14)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS832036AGT-333IV	EAR99	8542.32.0041	18	333兆赫	易挥发的	36兆比特	静态随机存储器	1M×36	平行线	-
GS8160Z36DGT-250I	23.9300	询价	第542章	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 100°C（太焦）	表面贴装	100-LQFP	GS8160Z36	SRAM-同步、ZBT	2.3V～2.7V、3V～3.6V	100-TQFP (20x14)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS8160Z36DGT-250I	3A991B2B	8542.32.0041	36	250兆赫	易挥发的	18兆比特	静态随机存储器	512K×36	平行线	-
GS81313LQ36GK-800I	511.5000	询价	5	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 100°C（太焦）	表面贴装	260-BGA	GS81313LQ36	SRAM - 四端口、同步、QDR IIIe	1.2V～1.35V	260-BGA (22x14)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS81313LQ36GK-800I	3A991B2B	8542.32.0041	10	800兆赫	易挥发的	144兆比特	静态随机存储器	4M×36	平行线	-
GS81280Z36GT-250I	212.4687	询价	6714	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 100°C（太焦）	表面贴装	100-LQFP	GS81280Z36	SRAM-同步、ZBT	2.3V～2.7V、3V～3.6V	100-TQFP (20x14)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS81280Z36GT-250I	3A991B2B	8542.32.0041	15	250兆赫	易挥发的	144兆比特	静态随机存储器	4M×36	平行线	-
GS882Z36CGD-333I	41.0300	询价	36	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	165-LBGA	GS882Z36	SRAM-同步、ZBT	2.3V～2.7V、3V～3.6V	165-FPBGA (13x15)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS882Z36CGD-333I	EAR99	8542.32.0041	36	333兆赫	易挥发的	9兆比特	静态随机存储器	256K×36	平行线	-
GS8673ED18BGK-675I	328.1075	询价	5543	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 100°C（太焦）	表面贴装	260-BGA	GS8673ED	SRAM - 四端口，同步	1.3V～1.4V	260-BGA (22x14)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS8673ED18BGK-675I	3A991B2B	8542.32.0041	8	675兆赫	易挥发的	72兆比特	静态随机存储器	4M×18	平行线	-
GS8256418GD-250I	448.5000	询价	9070	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 100°C（太焦）	表面贴装	165-LBGA	GS8256418	SRAM-同步，标准	2.3V～2.7V、3V～3.6V	165-FPBGA (15x13)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS8256418GD-250I	3A991B2B	8542.32.0041	10	250兆赫	易挥发的	288兆比特	静态随机存储器	16M×18	平行线	-
GS832136AGD-250I	46.9467	询价	5162	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 100°C（太焦）	表面贴装	165-LBGA	GS832136	SRAM-同步，标准	2.3V～2.7V、3V～3.6V	165-FPBGA (15x13)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS832136AGD-250I	3A991B2B	8542.32.0041	18	250兆赫	易挥发的	36兆比特	静态随机存储器	1M×36	平行线	-
GS8662QT19BGD-333I	122.9187	询价	1247	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 100°C（太焦）	表面贴装	165-LBGA	GS8662Q	SRAM - 四端口，同步	1.7V~1.9V	165-FPBGA (15x13)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS8662QT19BGD-333I	3A991B2B	8542.32.0041	15	333兆赫	易挥发的	72兆比特	静态随机存储器	4M×18	平行线	-
GS81302D20AGD-633I	301.4400	询价	107	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 100°C（太焦）	表面贴装	165-LBGA	GS81302D20	SRAM - 四端口、同步、QDR II+	1.7V~1.9V	165-FPBGA (13x15)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS81302D20AGD-633I	3A991B2B	8542.32.0041	10	633兆赫	易挥发的	144兆比特	静态随机存储器	8M×18	平行线	-
GS8640Z18GT-167IV	142.3006	询价	1518	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	100-LQFP	GS8640Z	SRAM-同步、ZBT	1.7V～2V、2.3V～2.7V	100-TQFP (20x14)	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS8640Z18GT-167IV	3A991B2B	8542.32.0041	18	167兆赫	易挥发的	72兆比特	静态随机存储器	4M×18	平行线	-
GS8662TT20BGD-500I	129.1320	询价	3213	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 100°C（太焦）	表面贴装	165-LBGA	GS8662TT	SRAM - 四端口，同步	1.7V~1.9V	165-FPBGA (15x13)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS8662TT20BGD-500I	3A991B2B	8542.32.0041	15	500兆赫	易挥发的	72兆比特	静态随机存储器	4M×18	平行线	-
GS832118AGD-333I	74.8700	询价	18	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 100°C（太焦）	表面贴装	165-LBGA	GS832118	SRAM-同步，标准	2.3V～2.7V、3V～3.6V	165-FPBGA (13x15)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS832118AGD-333I	EAR99	8542.32.0041	18	333兆赫	易挥发的	36兆比特	静态随机存储器	2M×18	平行线	-
GS8342Q36BGD-250I	45.6607	询价	4197	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 100°C（太焦）	表面贴装	165-LBGA	GS8342Q	SRAM - 四端口，同步	1.7V~1.9V	165-FPBGA (15x13)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS8342Q36BGD-250I	3A991B2B	8542.32.0041	15	250兆赫	易挥发的	36兆比特	静态随机存储器	1M×36	平行线	-
GS81302D38AGD-633I	301.4400	询价	107	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 100°C（太焦）	表面贴装	165-LBGA	GS81302D38	SRAM - 四端口、同步、QDR II+	1.7V~1.9V	165-FPBGA (13x15)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS81302D38AGD-633I	3A991B2B	8542.32.0041	10	633兆赫	易挥发的	144兆比特	静态随机存储器	4M×36	平行线	-
GS8642Z72GC-250I	118.8214	询价	1022	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	209-LBGA	GS8642Z	SRAM-同步、ZBT	2.3V～2.7V、3V～3.6V	209-BGA (14x22)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS8642Z72GC-250I	3A991B2B	8542.32.0041	14	250兆赫	易挥发的	72兆比特	静态随机存储器	1M×72	平行线	-
GS82582DT38GE-500I	448.5000	询价	7343	广盛科技股份有限公司	-	托盘	的积极	-40°C ~ 100°C（太焦）	表面贴装	165-LBGA	GS82582DT38	SRAM - 四端口，同步	1.7V~1.9V	165-FPBGA (15x17)	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	2364-GS82582DT38GE-500I	3A991B2B	8542.32.0041	10	500兆赫	易挥发的	288兆比特	静态随机存储器	8M×36	平行线	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

集成电路 (IC)(250)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²