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GS8662Q36BGD-333I GSI Technology Inc. GS8662Q36BGD-333I 146.0353
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ECAD 第1753章 0.00000000 广盛科技股份有限公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 100°C(太焦) 表面贴装 165-LBGA GS8662Q SRAM - 四端口,同步 1.7V~1.9V 165-FPBGA (15x13) - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 2364-GS8662Q36BGD-333I 3A991B2B 8542.32.0041 15 333兆赫 易挥发的 72兆比特 静态随机存储器 2M×36 平行线 -
GS82582D36GE-375I GSI Technology Inc. GS82582D36GE-375I 423.0000
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ECAD 4379 0.00000000 广盛科技股份有限公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 100°C(太焦) 表面贴装 165-LBGA GS82582D36 SRAM - 四端口,同步 1.7V~1.9V 165-FPBGA (15x17) - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 2364-GS82582D36GE-375I 3A991B2B 8542.32.0041 10 375兆赫 易挥发的 288兆比特 静态随机存储器 8M×36 平行线 -
GS840Z18CGT-250I GSI Technology Inc. GS840Z18CGT-250I 10.4100
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ECAD 144 0.00000000 广盛科技股份有限公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 100°C(太焦) 表面贴装 100-LQFP GS840Z SRAM-同步、ZBT 2.3V~2.7V、3V~3.6V 100-TQFP (20x14) - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 2364-GS840Z18CGT-250I EAR99 8542.32.0041 72 250兆赫 易挥发的 4兆比特 静态随机存储器 256K×18 平行线 -
GS8662R36BGD-350I GSI Technology Inc. GS8662R36BGD-350I 146.0353
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ECAD 2478 0.00000000 广盛科技股份有限公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 100°C(太焦) 表面贴装 165-LBGA GS8662R SRAM - 四端口、同步、DDR II 1.7V~1.9V 165-FPBGA (15x13) - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 2364-GS8662R36BGD-350I 3A991B2B 8542.32.0041 15 350兆赫 易挥发的 72兆比特 静态随机存储器 2M×36 平行线 -
GS8673ED18BGK-675I GSI Technology Inc. GS8673ED18BGK-675I 328.1075
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ECAD 5543 0.00000000 广盛科技股份有限公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 100°C(太焦) 表面贴装 260-BGA GS8673ED SRAM - 四端口,同步 1.3V~1.4V 260-BGA (22x14) - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 2364-GS8673ED18BGK-675I 3A991B2B 8542.32.0041 8 675兆赫 易挥发的 72兆比特 静态随机存储器 4M×18 平行线 -
GS8182T19BGD-400I GSI Technology Inc. GS8182T19BGD-400I 38.2644
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ECAD 8553 0.00000000 广盛科技股份有限公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 165-LBGA GS8182T19 SRAM - 同步 1.7V~1.9V 165-FPBGA (15x13) - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 2364-GS8182T19BGD-400I 3A991B2B 8542.32.0041 18 400兆赫 易挥发的 18兆比特 静态随机存储器 1M×18 平行线 -
GS81282Z18GD-333I GSI Technology Inc. GS81282Z18GD-333I 277.5900
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ECAD 10 0.00000000 广盛科技股份有限公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 100°C(太焦) 表面贴装 165-LBGA GS81282Z18 SRAM-同步、ZBT 2.3V~2.7V、3V~3.6V 165-FPBGA (13x15) - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 2364-GS81282Z18GD-333I EAR99 8542.32.0041 10 333兆赫 易挥发的 144兆比特 静态随机存储器 8M×18 平行线 -
GS81302Q36GE-300I GSI Technology Inc. GS81302Q36GE-300I 243.5230
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ECAD 7691 0.00000000 广盛科技股份有限公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 100°C(太焦) 表面贴装 165-LBGA GS81302Q36 SRAM - 四端口,同步 1.7V~1.9V 165-FPBGA (15x17) - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 2364-GS81302Q36GE-300I 3A991B2B 8542.32.0041 10 300兆赫 易挥发的 144兆比特 静态随机存储器 4M×36 平行线 -
GS81302TT20GE-500I GSI Technology Inc. GS81302TT20GE-500I 243.5230
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ECAD 9893 0.00000000 广盛科技股份有限公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 100°C(太焦) 表面贴装 165-LBGA GS81302TT20 SRAM - 四端口,同步 1.7V~1.9V 165-FPBGA (15x17) - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 2364-GS81302TT20GE-500I 3A991B2B 8542.32.0041 10 500兆赫 易挥发的 144兆比特 静态随机存储器 8M×18 平行线 -
GS8662D18BGD-400I GSI Technology Inc. GS8662D18BGD-400I 194.5700
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ECAD 15 0.00000000 广盛科技股份有限公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 100°C(太焦) 表面贴装 165-LBGA GS8662D SRAM - 四端口、同步、QDR II 1.7V~1.9V 165-FPBGA (13x15) - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 2364-GS8662D18BGD-400I 3A991B2B 8542.32.0041 15 400兆赫 易挥发的 72兆比特 静态随机存储器 4M×18 平行线 -
GS82582TT19GE-450I GSI Technology Inc. GS82582TT19GE-450I 465.0000
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ECAD 2804 0.00000000 广盛科技股份有限公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 100°C(太焦) 表面贴装 165-LBGA GS82582TT19 SRAM - 四端口,同步 1.7V~1.9V 165-FPBGA (15x17) - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 2364-GS82582TT19GE-450I 3A991B2B 8542.32.0041 10 450兆赫 易挥发的 288兆比特 静态随机存储器 16M×18 平行线 -
GS82582D20GE-550I GSI Technology Inc. GS82582D20GE-550I 492.0000
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ECAD 82 0.00000000 广盛科技股份有限公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 100°C(太焦) 表面贴装 165-LBGA GS82582D20 SRAM - 四端口、同步、QDR II+ 1.7V~1.9V 165-FPBGA (15x17) - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 2364-GS82582D20GE-550I 3A991B2B 8542.32.0041 10 550兆赫 易挥发的 288兆比特 静态随机存储器 16M×18 平行线 -
GS88036CGT-300I GSI Technology Inc. GS88036CGT-300I 25.2292
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ECAD 6852 0.00000000 广盛科技股份有限公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 100-LQFP GS88036 SRAM-同步,标准 2.3V~2.7V、3V~3.6V 100-TQFP (20x14) - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 2364-GS88036CGT-300I 3A991B2B 8542.32.0041 36 300兆赫 易挥发的 9兆比特 静态随机存储器 256K×36 平行线 -
GS8160Z36DGT-250I GSI Technology Inc. GS8160Z36DGT-250I 23.9300
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ECAD 第542章 0.00000000 广盛科技股份有限公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 100°C(太焦) 表面贴装 100-LQFP GS8160Z36 SRAM-同步、ZBT 2.3V~2.7V、3V~3.6V 100-TQFP (20x14) - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 2364-GS8160Z36DGT-250I 3A991B2B 8542.32.0041 36 250兆赫 易挥发的 18兆比特 静态随机存储器 512K×36 平行线 -
GS880Z36CGT-333I GSI Technology Inc. GS880Z36CGT-333I 36.5900
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ECAD 36 0.00000000 广盛科技股份有限公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 100-LQFP GS880Z SRAM-同步、ZBT 2.3V~2.7V、3V~3.6V 100-TQFP (20x14) - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 2364-GS880Z36CGT-333I EAR99 8542.32.0041 36 333兆赫 易挥发的 9兆比特 静态随机存储器 256K×36 平行线 -
GS8256418GB-250I GSI Technology Inc. GS8256418GB-250I 448.5000
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ECAD 3706 0.00000000 广盛科技股份有限公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 100°C(太焦) 表面贴装 119-BGA GS8256418 SRAM-同步,标准 2.3V~2.7V、3V~3.6V 119-FPBGA (22x14) - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 2364-GS8256418GB-250I 3A991B2B 8542.32.0041 10 250兆赫 易挥发的 288兆比特 静态随机存储器 16M×18 平行线 -
GS8128036GT-333I GSI Technology Inc. GS8128036GT-333I 277.5900
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ECAD 10 0.00000000 广盛科技股份有限公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 100°C(太焦) 表面贴装 100-LQFP GS8128036 SRAM-同步,标准 2.3V~2.7V、3V~3.6V 100-TQFP (20x14) - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 2364-GS8128036GT-333I EAR99 8542.32.0041 15 333兆赫 易挥发的 144兆比特 静态随机存储器 4M×36 平行线 -
GS81282Z18GB-250I GSI Technology Inc. GS81282Z18GB-250I 212.4680
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ECAD 3871 0.00000000 广盛科技股份有限公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 100°C(太焦) 表面贴装 119-BGA GS81282Z18 SRAM-同步、ZBT 2.3V~2.7V、3V~3.6V 119-FPBGA (22x14) - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 2364-GS81282Z18GB-250I 3A991B2B 8542.32.0041 10 250兆赫 易挥发的 144兆比特 静态随机存储器 8M×18 平行线 -
GS81302D37AGD-450I GSI Technology Inc. GS81302D37AGD-450I 279.5000
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ECAD 39 0.00000000 广盛科技股份有限公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 100°C(太焦) 表面贴装 165-LBGA GS81302D37 SRAM - 四端口、同步、QDR II+ 1.7V~1.9V 165-FPBGA (13x15) - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 2364-GS81302D37AGD-450I 3A991B2B 8542.32.0041 10 450兆赫 易挥发的 144兆比特 静态随机存储器 4M×36 平行线 -
GS8128218GB-250I GSI Technology Inc. GS8128218GB-250I 212.4680
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ECAD 8400 0.00000000 广盛科技股份有限公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 100°C(太焦) 表面贴装 119-BGA GS8128218 SRAM-同步,标准 2.3V~2.7V、3V~3.6V 119-FPBGA (22x14) - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 2364-GS8128218GB-250I 3A991B2B 8542.32.0041 10 250兆赫 易挥发的 144兆比特 静态随机存储器 8M×18 平行线 -
GS864236GB-300I GSI Technology Inc. GS864236GB-300I 193.7800
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ECAD 84 0.00000000 广盛科技股份有限公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 119-BGA GS864236 SRAM-同步,标准 2.3V~2.7V、3V~3.6V 119-FPBGA (22x14) - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 2364-GS864236GB-300I 3A991B2A 8542.32.0041 14 300兆赫 易挥发的 72兆比特 静态随机存储器 2M×36 平行线 -
GS8662R36BGD-400I GSI Technology Inc. GS8662R36BGD-400I 169.5227
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ECAD 2013年 0.00000000 广盛科技股份有限公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 100°C(太焦) 表面贴装 165-LBGA GS8662R SRAM - 四端口、同步、DDR II 1.7V~1.9V 165-FPBGA (13x15) - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 2364-GS8662R36BGD-400I 3A991B2B 8542.32.0041 15 400兆赫 易挥发的 72兆比特 静态随机存储器 2M×36 平行线 -
GS8160Z36DGT-250IV GSI Technology Inc. GS8160Z36DGT-250IV 42.2306
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ECAD 1750 0.00000000 广盛科技股份有限公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 100°C(太焦) 表面贴装 100-LQFP GS8160Z36 SRAM-同步、ZBT 1.7V~2V、2.3V~2.7V 100-TQFP (20x14) - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 2364-GS8160Z36DGT-250IV 3A991B2B 8542.32.0041 18 250兆赫 易挥发的 18兆比特 静态随机存储器 512K×36 平行线 -
GS832236AGD-333I GSI Technology Inc. GS832236AGD-333I 74.8700
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ECAD 18 0.00000000 广盛科技股份有限公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 100°C(太焦) 表面贴装 165-LBGA GS832236 SRAM-同步,标准 2.3V~2.7V、3V~3.6V 165-FPBGA (13x15) - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 2364-GS832236AGD-333I EAR99 8542.32.0041 18 333兆赫 易挥发的 36兆比特 静态随机存储器 1M×36 平行线 -
GS81282Z36GB-200IV GSI Technology Inc. GS81282Z36GB-200IV 212.4680
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ECAD 3352 0.00000000 广盛科技股份有限公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 100°C(太焦) 表面贴装 119-BGA GS81282Z36 SRAM-同步、ZBT 1.7V~2V、2.3V~2.7V 119-FPBGA (22x14) - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 2364-GS81282Z36GB-200IV 3A991B2B 8542.32.0041 10 200兆赫 易挥发的 144兆比特 静态随机存储器 4M×36 平行线 -
GS81282Z36GD-250I GSI Technology Inc. GS81282Z36GD-250I 212.4680
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ECAD 5789 0.00000000 广盛科技股份有限公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 100°C(太焦) 表面贴装 165-LBGA GS81282Z36 SRAM-同步、ZBT 2.3V~2.7V、3V~3.6V 165-FPBGA (15x13) - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 2364-GS81282Z36GD-250I 3A991B2B 8542.32.0041 10 250兆赫 易挥发的 144兆比特 静态随机存储器 4M×36 平行线 -
GS816236DGD-250I GSI Technology Inc. GS816236DGD-250I 22.3772
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ECAD 6028 0.00000000 广盛科技股份有限公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 100°C(太焦) 表面贴装 165-LBGA GS816236 SRAM-同步,标准 2.3V~2.7V、3V~3.6V 165-FPBGA (15x13) - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 2364-GS816236DGD-250I 3A991B2B 8542.32.0041 36 250兆赫 易挥发的 18兆比特 静态随机存储器 512K×36 平行线 -
GS81314LQ37GK-933I GSI Technology Inc. GS81314LQ37GK-933I 622.5000
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ECAD 5 0.00000000 广盛科技股份有限公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 100°C(太焦) 表面贴装 260-BGA GS81314LQ37 SRAM - 四端口、同步、QDR IVe 1.25V~1.35V 260-BGA (22x14) - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 2364-GS81314LQ37GK-933I 3A991B2B 8542.32.0041 10 933兆赫 易挥发的 144兆比特 静态随机存储器 4M×36 平行线 -
GS8640Z36GT-250I GSI Technology Inc. GS8640Z36GT-250I 105.7100
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ECAD 2427 0.00000000 广盛科技股份有限公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 100-LQFP GS8640Z SRAM-同步、ZBT 2.3V~2.7V、3V~3.6V 100-TQFP (20x14) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 2364-GS8640Z36GT-250I 3A991B2B 8542.32.0041 18 250兆赫 易挥发的 72兆比特 静态随机存储器 2M×36 平行线 -
GS882Z36CGD-333I GSI Technology Inc. GS882Z36CGD-333I 41.0300
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ECAD 36 0.00000000 广盛科技股份有限公司 - 托盘 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 165-LBGA GS882Z36 SRAM-同步、ZBT 2.3V~2.7V、3V~3.6V 165-FPBGA (13x15) - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 2364-GS882Z36CGD-333I EAR99 8542.32.0041 36 333兆赫 易挥发的 9兆比特 静态随机存储器 256K×36 平行线 -
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