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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 内存格式 | 记忆组织 | 内存接口 | 周期写入T - 字、页 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GS8662Q36BGD-333I | 146.0353 | ![]() | 第1753章 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C(太焦) | 表面贴装 | 165-LBGA | GS8662Q | SRAM - 四端口,同步 | 1.7V~1.9V | 165-FPBGA (15x13) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS8662Q36BGD-333I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 333兆赫 | 易挥发的 | 72兆比特 | 静态随机存储器 | 2M×36 | 平行线 | - | |
| GS82582D36GE-375I | 423.0000 | ![]() | 4379 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C(太焦) | 表面贴装 | 165-LBGA | GS82582D36 | SRAM - 四端口,同步 | 1.7V~1.9V | 165-FPBGA (15x17) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS82582D36GE-375I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 375兆赫 | 易挥发的 | 288兆比特 | 静态随机存储器 | 8M×36 | 平行线 | - | ||
![]() | GS840Z18CGT-250I | 10.4100 | ![]() | 144 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C(太焦) | 表面贴装 | 100-LQFP | GS840Z | SRAM-同步、ZBT | 2.3V~2.7V、3V~3.6V | 100-TQFP (20x14) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS840Z18CGT-250I | EAR99 | 8542.32.0041 | 72 | 250兆赫 | 易挥发的 | 4兆比特 | 静态随机存储器 | 256K×18 | 平行线 | - | |
![]() | GS8662R36BGD-350I | 146.0353 | ![]() | 2478 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C(太焦) | 表面贴装 | 165-LBGA | GS8662R | SRAM - 四端口、同步、DDR II | 1.7V~1.9V | 165-FPBGA (15x13) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS8662R36BGD-350I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 350兆赫 | 易挥发的 | 72兆比特 | 静态随机存储器 | 2M×36 | 平行线 | - | |
![]() | GS8673ED18BGK-675I | 328.1075 | ![]() | 5543 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C(太焦) | 表面贴装 | 260-BGA | GS8673ED | SRAM - 四端口,同步 | 1.3V~1.4V | 260-BGA (22x14) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS8673ED18BGK-675I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 8 | 675兆赫 | 易挥发的 | 72兆比特 | 静态随机存储器 | 4M×18 | 平行线 | - | |
![]() | GS8182T19BGD-400I | 38.2644 | ![]() | 8553 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 165-LBGA | GS8182T19 | SRAM - 同步 | 1.7V~1.9V | 165-FPBGA (15x13) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS8182T19BGD-400I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 18 | 400兆赫 | 易挥发的 | 18兆比特 | 静态随机存储器 | 1M×18 | 平行线 | - | |
![]() | GS81282Z18GD-333I | 277.5900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C(太焦) | 表面贴装 | 165-LBGA | GS81282Z18 | SRAM-同步、ZBT | 2.3V~2.7V、3V~3.6V | 165-FPBGA (13x15) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS81282Z18GD-333I | EAR99 | 8542.32.0041 | 10 | 333兆赫 | 易挥发的 | 144兆比特 | 静态随机存储器 | 8M×18 | 平行线 | - | |
| GS81302Q36GE-300I | 243.5230 | ![]() | 7691 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C(太焦) | 表面贴装 | 165-LBGA | GS81302Q36 | SRAM - 四端口,同步 | 1.7V~1.9V | 165-FPBGA (15x17) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS81302Q36GE-300I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 300兆赫 | 易挥发的 | 144兆比特 | 静态随机存储器 | 4M×36 | 平行线 | - | ||
| GS81302TT20GE-500I | 243.5230 | ![]() | 9893 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C(太焦) | 表面贴装 | 165-LBGA | GS81302TT20 | SRAM - 四端口,同步 | 1.7V~1.9V | 165-FPBGA (15x17) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS81302TT20GE-500I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 500兆赫 | 易挥发的 | 144兆比特 | 静态随机存储器 | 8M×18 | 平行线 | - | ||
![]() | GS8662D18BGD-400I | 194.5700 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C(太焦) | 表面贴装 | 165-LBGA | GS8662D | SRAM - 四端口、同步、QDR II | 1.7V~1.9V | 165-FPBGA (13x15) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS8662D18BGD-400I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 400兆赫 | 易挥发的 | 72兆比特 | 静态随机存储器 | 4M×18 | 平行线 | - | |
| GS82582TT19GE-450I | 465.0000 | ![]() | 2804 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C(太焦) | 表面贴装 | 165-LBGA | GS82582TT19 | SRAM - 四端口,同步 | 1.7V~1.9V | 165-FPBGA (15x17) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS82582TT19GE-450I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 450兆赫 | 易挥发的 | 288兆比特 | 静态随机存储器 | 16M×18 | 平行线 | - | ||
| GS82582D20GE-550I | 492.0000 | ![]() | 82 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C(太焦) | 表面贴装 | 165-LBGA | GS82582D20 | SRAM - 四端口、同步、QDR II+ | 1.7V~1.9V | 165-FPBGA (15x17) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS82582D20GE-550I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 550兆赫 | 易挥发的 | 288兆比特 | 静态随机存储器 | 16M×18 | 平行线 | - | ||
![]() | GS88036CGT-300I | 25.2292 | ![]() | 6852 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | GS88036 | SRAM-同步,标准 | 2.3V~2.7V、3V~3.6V | 100-TQFP (20x14) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS88036CGT-300I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 36 | 300兆赫 | 易挥发的 | 9兆比特 | 静态随机存储器 | 256K×36 | 平行线 | - | |
![]() | GS8160Z36DGT-250I | 23.9300 | ![]() | 第542章 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C(太焦) | 表面贴装 | 100-LQFP | GS8160Z36 | SRAM-同步、ZBT | 2.3V~2.7V、3V~3.6V | 100-TQFP (20x14) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS8160Z36DGT-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 36 | 250兆赫 | 易挥发的 | 18兆比特 | 静态随机存储器 | 512K×36 | 平行线 | - | |
![]() | GS880Z36CGT-333I | 36.5900 | ![]() | 36 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | GS880Z | SRAM-同步、ZBT | 2.3V~2.7V、3V~3.6V | 100-TQFP (20x14) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS880Z36CGT-333I | EAR99 | 8542.32.0041 | 36 | 333兆赫 | 易挥发的 | 9兆比特 | 静态随机存储器 | 256K×36 | 平行线 | - | |
![]() | GS8256418GB-250I | 448.5000 | ![]() | 3706 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C(太焦) | 表面贴装 | 119-BGA | GS8256418 | SRAM-同步,标准 | 2.3V~2.7V、3V~3.6V | 119-FPBGA (22x14) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS8256418GB-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 250兆赫 | 易挥发的 | 288兆比特 | 静态随机存储器 | 16M×18 | 平行线 | - | |
![]() | GS8128036GT-333I | 277.5900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C(太焦) | 表面贴装 | 100-LQFP | GS8128036 | SRAM-同步,标准 | 2.3V~2.7V、3V~3.6V | 100-TQFP (20x14) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS8128036GT-333I | EAR99 | 8542.32.0041 | 15 | 333兆赫 | 易挥发的 | 144兆比特 | 静态随机存储器 | 4M×36 | 平行线 | - | |
![]() | GS81282Z18GB-250I | 212.4680 | ![]() | 3871 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C(太焦) | 表面贴装 | 119-BGA | GS81282Z18 | SRAM-同步、ZBT | 2.3V~2.7V、3V~3.6V | 119-FPBGA (22x14) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS81282Z18GB-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 250兆赫 | 易挥发的 | 144兆比特 | 静态随机存储器 | 8M×18 | 平行线 | - | |
![]() | GS81302D37AGD-450I | 279.5000 | ![]() | 39 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C(太焦) | 表面贴装 | 165-LBGA | GS81302D37 | SRAM - 四端口、同步、QDR II+ | 1.7V~1.9V | 165-FPBGA (13x15) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS81302D37AGD-450I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 450兆赫 | 易挥发的 | 144兆比特 | 静态随机存储器 | 4M×36 | 平行线 | - | |
![]() | GS8128218GB-250I | 212.4680 | ![]() | 8400 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C(太焦) | 表面贴装 | 119-BGA | GS8128218 | SRAM-同步,标准 | 2.3V~2.7V、3V~3.6V | 119-FPBGA (22x14) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS8128218GB-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 250兆赫 | 易挥发的 | 144兆比特 | 静态随机存储器 | 8M×18 | 平行线 | - | |
![]() | GS864236GB-300I | 193.7800 | ![]() | 84 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 119-BGA | GS864236 | SRAM-同步,标准 | 2.3V~2.7V、3V~3.6V | 119-FPBGA (22x14) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS864236GB-300I | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 14 | 300兆赫 | 易挥发的 | 72兆比特 | 静态随机存储器 | 2M×36 | 平行线 | - | |
![]() | GS8662R36BGD-400I | 169.5227 | ![]() | 2013年 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C(太焦) | 表面贴装 | 165-LBGA | GS8662R | SRAM - 四端口、同步、DDR II | 1.7V~1.9V | 165-FPBGA (13x15) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS8662R36BGD-400I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 15 | 400兆赫 | 易挥发的 | 72兆比特 | 静态随机存储器 | 2M×36 | 平行线 | - | |
![]() | GS8160Z36DGT-250IV | 42.2306 | ![]() | 1750 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C(太焦) | 表面贴装 | 100-LQFP | GS8160Z36 | SRAM-同步、ZBT | 1.7V~2V、2.3V~2.7V | 100-TQFP (20x14) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS8160Z36DGT-250IV | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 18 | 250兆赫 | 易挥发的 | 18兆比特 | 静态随机存储器 | 512K×36 | 平行线 | - | |
![]() | GS832236AGD-333I | 74.8700 | ![]() | 18 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C(太焦) | 表面贴装 | 165-LBGA | GS832236 | SRAM-同步,标准 | 2.3V~2.7V、3V~3.6V | 165-FPBGA (13x15) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS832236AGD-333I | EAR99 | 8542.32.0041 | 18 | 333兆赫 | 易挥发的 | 36兆比特 | 静态随机存储器 | 1M×36 | 平行线 | - | |
![]() | GS81282Z36GB-200IV | 212.4680 | ![]() | 3352 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C(太焦) | 表面贴装 | 119-BGA | GS81282Z36 | SRAM-同步、ZBT | 1.7V~2V、2.3V~2.7V | 119-FPBGA (22x14) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS81282Z36GB-200IV | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 200兆赫 | 易挥发的 | 144兆比特 | 静态随机存储器 | 4M×36 | 平行线 | - | |
![]() | GS81282Z36GD-250I | 212.4680 | ![]() | 5789 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C(太焦) | 表面贴装 | 165-LBGA | GS81282Z36 | SRAM-同步、ZBT | 2.3V~2.7V、3V~3.6V | 165-FPBGA (15x13) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS81282Z36GD-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 250兆赫 | 易挥发的 | 144兆比特 | 静态随机存储器 | 4M×36 | 平行线 | - | |
![]() | GS816236DGD-250I | 22.3772 | ![]() | 6028 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C(太焦) | 表面贴装 | 165-LBGA | GS816236 | SRAM-同步,标准 | 2.3V~2.7V、3V~3.6V | 165-FPBGA (15x13) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS816236DGD-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 36 | 250兆赫 | 易挥发的 | 18兆比特 | 静态随机存储器 | 512K×36 | 平行线 | - | |
![]() | GS81314LQ37GK-933I | 622.5000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 100°C(太焦) | 表面贴装 | 260-BGA | GS81314LQ37 | SRAM - 四端口、同步、QDR IVe | 1.25V~1.35V | 260-BGA (22x14) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS81314LQ37GK-933I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 933兆赫 | 易挥发的 | 144兆比特 | 静态随机存储器 | 4M×36 | 平行线 | - | |
![]() | GS8640Z36GT-250I | 105.7100 | ![]() | 2427 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | GS8640Z | SRAM-同步、ZBT | 2.3V~2.7V、3V~3.6V | 100-TQFP (20x14) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS8640Z36GT-250I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 18 | 250兆赫 | 易挥发的 | 72兆比特 | 静态随机存储器 | 2M×36 | 平行线 | - | |
![]() | GS882Z36CGD-333I | 41.0300 | ![]() | 36 | 0.00000000 | 广盛科技股份有限公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 165-LBGA | GS882Z36 | SRAM-同步、ZBT | 2.3V~2.7V、3V~3.6V | 165-FPBGA (13x15) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 2364-GS882Z36CGD-333I | EAR99 | 8542.32.0041 | 36 | 333兆赫 | 易挥发的 | 9兆比特 | 静态随机存储器 | 256K×36 | 平行线 | - |

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