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（ICS）（847）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词，页面，页面 |
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 | GD25LQ40CTIG | 0.3366 |  | 2162 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 管子 | 不适合新设计 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | GD25LQ40 | 闪光灯 -也不 | 1.65v〜2.1V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 20,000 | 104 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 闪光 | 512k x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs，2.4ms | |||
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 | GD25Q256DYIGR | 3.9100 | | 7 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | GD25Q256 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-wson（6x8） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs，2.4ms | |||
| GD25LQ64CSIGR | 1.4100 | | 19 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | GD25LQ64 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜2V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 120 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 2.4ms | |||
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| GD25F64FWIGR | 0.9688 | | 5581 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25F | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-wson（5x6） | - | 1970-GD25F64FWIGRTR | 3,000 | 200 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O，Dtr | - | ||||||||
| GD25LQ80CSIG | 0.3752 | | 2893 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 管子 | 不适合新设计 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | GD25LQ80 | 闪光灯 -也不 | 1.65v〜2.1V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 9,500 | 104 MHz | 非易失性 | 8mbit | 闪光 | 1m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs，2.4ms | |||
| GD25LQ128EQIGR | 1.3900 | | 5298 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LQ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-xdfn暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 8-uson （4x4） | 下载 | 1970-GD25LQ128EQIGRTR | 3,000 | 120 MHz | 非易失性 | 128mbit | 6 ns | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 60µs，2.4ms | |||||||
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| GD25VE20CSIG | 0.3045 | | 6545 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 管子 | 不适合新设计 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | GD25VE20 | 闪光灯 -也不 | 2.1v〜3.6V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 9,500 | 104 MHz | 非易失性 | 2Mbit | 闪光 | 256K x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | |||
| GD25F128FSIGR | 1.3198 | | 2850 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25F | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-sop | - | 1970-GD25F128FSIGRTR | 2,000 | 200 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | ||||||||
 | GD5F2GQ4UF9IGR | - | | 4326 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-vlga裸露的垫子 | GD5F2GQ4 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 8-LGA（6x8） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,000 | 120 MHz | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 256m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 700µs | |||
| GD9FS2G6F2AMGI | 4.7450 | | 2141 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD9F | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 48-tfsop （0.724英寸，18.40mm） | Flash -nand（slc） | 1.7V〜1.95V | 48-tsop i | 下载 | 1970-GD9FS2G6F2AMGI | 960 | 非易失性 | 2Gbit | 20 ns | 闪光 | 128m x 16 | onfi | 25ns | ||||||||
 | GD25D10Ceigr | 0.2564 | | 9121 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | GD25D10 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-uson（2x3） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 100 MHz | 非易失性 | 1Mbit | 闪光 | 128K x 8 | spi-双i/o | 50µs，4ms | |||
| GD25R64WIGR | 1.2636 | | 4714 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25R | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-wson（5x6） | - | 1970-GD25R64WIGRTR | 3,000 | 200 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | ||||||||
| gd5f2gm7ueyigy | 3.2825 | | 6646 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD5F | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | Flash -nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 8-wson（6x8） | 下载 | 1970-GD5F2GM7UEYIGY | 4,800 | 133 MHz | 非易失性 | 2Gbit | 7 ns | 闪光 | 256m x 8 | Spi -Quad I/O，Dtr | 600µs | |||||||
| GD25UF64EQIGR | 1.0390 | | 6007 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25UF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-xdfn暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.14v〜1.26v | 8-uson （4x4） | - | 1970-GD25UF64EQIGRTR | 3,000 | 120 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O，Dtr | - | ||||||||
| GD55WR512MEYIGY | 4.8228 | | 7672 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD55WR | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65V〜3.6V | 8-wson（6x8） | - | 1970-GD55WR512MEYIGY | 4,800 | 104 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | ||||||||
| GD25Q64ESJGR | 0.8705 | | 3820 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25Q | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-sop | 下载 | 1970-GD25Q64ESJGRTR | 2,000 | 133 MHz | 非易失性 | 64mbit | 7 ns | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 140µs，4ms | |||||||
| GD25LQ128DVIGR | - | | 9911 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | GD25LQ128 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜2V | 8-VSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 120 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 2.4ms | |||
| GD5F4GQ4ucyigr | - | | 4519 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | GD5F4GQ4 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 8-wson（6x8） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,000 | 120 MHz | 非易失性 | 4Gbit | 闪光 | 512m x 8 | Spi -Quad I/O。 | ||||
| GD55T01GEB2RY | 16.8378 | | 8172 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD55T | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 24-TBGA | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga（6x8） | - | 1970-GD55T01GEB2RY | 4,800 | 200 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | Spi -Quad I/O，Dtr | - | ||||||||
| GD9FU1G8F3AMGI | 2.5452 | | 5540 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 托盘 | 积极的 | 下载 | 1970-GD9FU1G8F3AMGI | 960 | |||||||||||||||||||||
| GD25Q20CEAGR | 0.6080 | | 6661 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25Q | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜125°C（TA） | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-uson（3x2） | - | 1970-GD25Q20CEAGRTR | 3,000 | 80 MHz | 非易失性 | 2Mbit | 7 ns | 闪光 | 256K x 8 | Spi -Quad I/O。 | 60µs，4ms |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
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