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（ICS）（847）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词，页面，页面
GD5F4GQ4RBYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ4RBYIGY -
RFQ
 ECAD 7820 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 托盘 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD5F4GQ4 闪存-NAND 1.7V〜2V 8-wson（6x8） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 120 MHz 非易失性 4Gbit 闪光 512m x 8 Spi -Quad I/O。
GD25WD05CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD05CTIG -
RFQ
 ECAD 7306 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25WD05 闪光灯 -也不 1.65V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 20,000 100 MHz 非易失性 512kbit 闪光 64k x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25WD80CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD80CEIGR 0.7100
RFQ
 ECAD 81 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25WD80 闪光灯 -也不 1.65V〜3.6V 8-uson（2x3） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD5F1GQ4UEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ4UEYIGY -
RFQ
 ECAD 6722 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD5F1GQ4 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 120 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O。 700µs
GD25D20CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D20CKIGR 0.3016
RFQ
 ECAD 7918 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25D 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-uson（1.5x1.5） 下载 1970-GD25D20CKIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 2Mbit 6 ns 闪光 256K x 8 spi-双i/o 50µs，4ms
GD25LQ16EEAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16EEAGR 0.9688
RFQ
 ECAD 2887 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65v〜2.1V 8-uson（3x2） - 1970-GD25LQ16EEAGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 16mbit 6 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 100µs，4ms
GD25WQ64ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ64Sigr 1.3900
RFQ
 ECAD 3498 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 2,000 104 MHz 非易失性 64mbit 12 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 120µs，4ms
GD25WQ80ETJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ80ETJGR 0.5242
RFQ
 ECAD 9287 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25WQ80ETJGRTR 3,000 84 MHz 非易失性 8mbit 12 ns 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 240µs，8ms
GD9FU1G8F2AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FU1G8F2AMGI 4.3100
RFQ
 ECAD 8723 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 托盘 积极的 表面安装 48-TFSOP （0.173“，4.40mm宽度） GD9FU1G8 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 1970-1084 3A991B1A 8542.32.0071 960 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8
GD25Q20EEAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q20EEAGR 0.5656
RFQ
 ECAD 4992 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-uson（3x2） - 1970-GD25Q20EEAGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 2Mbit 7 ns 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD9FU4G8F3AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FU4G8F3AMGI 7.0543
RFQ
 ECAD 4103 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD9F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 48-tfsop （0.724英寸，18.40mm） Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 48-tsop i 下载 1970-GD9FU4G8F3AMGI 960 非易失性 4Gbit 18 ns 闪光 512m x 8 onfi 20NS
GD25LQ80CN2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ80CN2GR 0.6818
RFQ
 ECAD 5726 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 1.65v〜2.1V 8-uson（3x4） - 1970-GD25LQ80CN2GRTR 3,000 90 MHz 非易失性 8mbit 6 ns 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 80µs，3ms
GD25Q32CTJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CTJGR -
RFQ
 ECAD 4890 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25Q32 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25LD80CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD80CSIG -
RFQ
 ECAD 1543年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25LD80 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 9,500 50 MHz 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 spi-双i/o 60µs，6ms
GD25LQ80CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ80CTIG 0.3686
RFQ
 ECAD 6654 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25LQ80 闪光灯 -也不 1.65v〜2.1V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 20,000 104 MHz 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25LQ64CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64CSIGR 1.4100
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25LQ64 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 120 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 2.4ms
GD25Q128EQEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q128EQEGR 1.7194
RFQ
 ECAD 9428 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-xdfn暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-uson （4x4） 下载 1970-GD25Q128EQEGRTTR 3,000 133 MHz 非易失性 128mbit 7 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD25Q64ESJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64ESJGR 0.8705
RFQ
 ECAD 3820 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25Q64ESJGRTR 2,000 133 MHz 非易失性 64mbit 7 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD25LE16EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE16EIGR 0.5678
RFQ
 ECAD 4022 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x2） 下载 1970-GD25LE16Eigrtr 3,000 133 MHz 非易失性 16mbit 6 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25LQ256DYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ256Dyigr -
RFQ
 ECAD 3379 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD25LQ256 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-wson（6x8） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 2.4ms
GD25B512MEYJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25b512meyjgr 5.0813
RFQ
 ECAD 7468 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25B 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD25B512MEYJGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD55WB512MEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55WB512MEYIGY 4.6816
RFQ
 ECAD 4786 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55WB 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-wson（6x8） - 1970-GD55WB512MEYIGY 4,800 104 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25Q80ESJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80ESJGR 0.4077
RFQ
 ECAD 2689 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25Q80ESJGRTR 2,000 133 MHz 非易失性 8mbit 7 ns 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD25LR256EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LR256EWIGR 2.8079
RFQ
 ECAD 7360 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LR 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（5x6） - 1970-GD25LR256WIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 256Mbit 9 ns 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 70µs，1.2ms
GD25Q64ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64enigr 0.8424
RFQ
 ECAD 2779 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-uson（3x4） 下载 1970-GD25Q64ENIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 7 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2.4ms
GD25D80CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D80CTIGR 0.2783
RFQ
 ECAD 2411 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25D 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25D80CTIGRTR 3,000 100 MHz 非易失性 8mbit 6 ns 闪光 1m x 8 spi-双i/o 50µs，4ms
GD9FU2G8F3AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FU2G8F3AMGI 4.5630
RFQ
 ECAD 6291 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD9F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 48-tfsop （0.724英寸，18.40mm） Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 48-tsop i 下载 1970-GD9FU2G8F3AMGI 960 非易失性 2Gbit 18 ns 闪光 256m x 8 平行线 20NS
GD25LQ32DWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32DWIGR 0.8494
RFQ
 ECAD 7584 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD25LQ32 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-wson（5x6） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 2.4ms
GD25LQ32DNIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32DNIGR 1.2300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 GD25LQ32 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-uson （4x3） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 2.4ms
GD25WD40ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25wd40etigr 0.3167
RFQ
 ECAD 8823 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WD 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25WD40ETIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 4Mbit 6 ns 闪光 512k x 8 spi-双i/o 100µs，6ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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