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（ICS）（847）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词，页面，页面 |
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| GD25LQ80CTIG | 0.3686 | | 6654 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 管子 | 不适合新设计 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | GD25LQ80 | 闪光灯 -也不 | 1.65v〜2.1V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 20,000 | 104 MHz | 非易失性 | 8mbit | 闪光 | 1m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs，2.4ms | |||
| GD25LR128SIGR | 1.6523 | | 7709 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LR | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 8-sop | - | 1970-GD25LR128ESIGRTR | 2,000 | 200 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | ||||||||
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| GD25LQ255YEGY | 2.1699 | | 6520 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LQ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 8-wson（6x8） | 下载 | 1970-gd25lq255555555 | 4,800 | 133 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI | - | ||||||||
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 | GD25Q80CNIGR | - | | 3847 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-udfn裸露的垫子 | GD25Q80 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-uson （4x3） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 120 MHz | 非易失性 | 8mbit | 闪光 | 1m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs，2.4ms | |||
| GD25Q16ETIGR | 0.7500 | | 26 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | GD25Q16 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 16mbit | 7 ns | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 70µs，2ms | ||
| GD25S512MDYEGR | 6.0164 | | 9308 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25S | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜125°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-wson（6x8） | 下载 | 1970-GD25S512MDYEGRTR | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 7 ns | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 60µs，2.5ms | |||||||
| GD25WD20EK6IGR | 0.3368 | | 6405 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25WD | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65V〜3.6V | 8-uson（1.5x1.5） | 下载 | 1970-GD25WD20EK6IGRTR | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 2Mbit | 6 ns | 闪光 | 256K x 8 | spi-双i/o | 100µs，6ms | |||||||
| GD9FU2G8F3AMGI | 4.5630 | | 6291 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD9F | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 48-tfsop （0.724英寸，18.40mm） | Flash -nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | 下载 | 1970-GD9FU2G8F3AMGI | 960 | 非易失性 | 2Gbit | 18 ns | 闪光 | 256m x 8 | 平行线 | 20NS | ||||||||
| GD25LQ32ESAGR | 1.0635 | | 1076 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LQ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜125°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 8-sop | - | 1970-GD25LQ32ESAGRTR | 2,000 | 133 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 6 ns | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI | 100µs，4ms | |||||||
| GD5F1GQ5REYJGR | 3.0154 | | 8057 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD5F | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | Flash -nand（slc） | 1.7V〜2V | 8-wson（6x8） | 下载 | 1970-GD5F1GQ5REYJGRTR | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 9.5 ns | 闪光 | 256m x 4 | Spi -Quad I/O，QPI，Dtr | 600µs |
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