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（ICS）（848）
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| gd25d40ctegr | 0.3640 | | 6764 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25D | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜125°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-sop | 下载 | 1970-GD25D40CTEGRTR | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 6 ns | 闪光 | 512k x 8 | spi-双i/o | 80µs，4ms | |||||||
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| GD25LB512MEF2RR | 7.0523 | | 3698 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LB | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 16 SOP | - | 1970-GD25LB512MEF2RRTR | 1,000 | 133 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI，Dtr | - | ||||||||
| GD25LE64ETIGR | 0.8045 | | 1377年 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LE | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 8-sop | 下载 | 1970-GD25LE64ETIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 64mbit | 6 ns | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI | 60µs，2.4ms | |||||||
| GD25Q256DYIGR | 3.9100 | | 7 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | GD25Q256 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-wson（6x8） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs，2.4ms |
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