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（ICS）（847）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
GD9FS2G6F2AMGI	4.7450	RFQ	2141	gigadevice 半导体（香）	GD9F	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）		Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	48-tsop i	下载				1970-GD9FS2G6F2AMGI			960		非易失性	2Gbit	20 ns	闪光	128m x 16	onfi	25ns
GD25F64FSIGR	0.8424	RFQ	1873年	gigadevice 半导体（香）	GD25F	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	8-sop	-				1970-GD25F64FSIGRTR			2,000	200 MHz	非易失性	64mbit		闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O，Dtr	-
GD9AU8G8E3AMGI	14.6400	RFQ	3554	gigadevice 半导体（香）	GD9A	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）		Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	48-tsop i	下载				1970-GD9AU8G8E3AMGI			960		非易失性	8Gbit	18 ns	闪光	1G x 8	平行线	20NS
GD25B512MEF2RR	6.7701	RFQ	1028	gigadevice 半导体（香）	GD25B	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	16 SOP	-				1970-GD25B512MEF2RRTR			1,000	133 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	-
GD25Q20CSIG	-	RFQ	6991	gigadevice 半导体（香）	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	GD25Q20	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	9,500	120 MHz	非易失性	2Mbit		闪光	256K x 8	Spi -Quad I/O。	50µs，2.4ms
GD25B16Sigr	0.4805	RFQ	6163	gigadevice 半导体（香）	GD25B	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	8-sop	下载				1970-GD25B16EIGRTR			2,000	133 MHz	非易失性	16mbit	7 ns	闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O。	70µs，2ms
GD55LE511MEYIGY	4.3092	RFQ	8110	gigadevice 半导体（香）	-	托盘	积极的								-				1970-GD55LE511MEYIGY			4,800
GD25LE16 SIGR	0.5090	RFQ	7144	gigadevice 半导体（香）	GD25LE	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）		闪存-SLC）	1.65V〜2V	8-sop	下载				1970-GD25LE16ESIGRTR			2,000	133 MHz	非易失性	16mbit	6 ns	闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	60µs，2.4ms
GD5F2GQ5UEYIGY	3.9235	RFQ	6089	gigadevice 半导体（香）	GD5F	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	8-wson（6x8）	下载				1970-GD5F2GQ5UEYIGY			4,800	104 MHz	非易失性	2Gbit	9 ns	闪光	256m x 8	Spi -Quad I/O。	600µs
GD25VQ80CTIGR	-	RFQ	2523	gigadevice 半导体（香）	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	GD25VQ80	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	3,000	104 MHz	非易失性	8mbit		闪光	1m x 8	Spi -Quad I/O。	50µs，3ms
GD25LQ16EEAGR	0.9688	RFQ	2887	gigadevice 半导体（香）	GD25LQ	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-xfdfn暴露垫		闪存-SLC）	1.65v〜2.1V	8-uson（3x2）	-				1970-GD25LQ16EEAGRTR			3,000	133 MHz	非易失性	16mbit	6 ns	闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	100µs，4ms
gd25wq64etigy	0.8564	RFQ	1444	gigadevice 半导体（香）	GD25WQ	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		闪存-SLC）	1.65V〜3.6V	8-sop	-				1970-GD25WQ64ETIGY			4,320	104 MHz	非易失性	64mbit	12 ns	闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O。	120µs，4ms
GD25LD80CKIGR	0.3676	RFQ	1652	gigadevice 半导体（香）	GD25LD	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-xfdfn暴露垫		闪存-SLC）	1.65V〜2V	8-uson（1.5x1.5）	下载				1970-GD25LD80CKIGRTR			3,000	50 MHz	非易失性	8mbit	12 ns	闪光	1m x 8	spi-双i/o	97µs，6ms
GD25Q80ETEGR	0.4525	RFQ	2591	gigadevice 半导体（香）	GD25Q	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	8-sop	下载				1970-GD25Q80ETEGRTR			3,000	133 MHz	非易失性	8mbit	7 ns	闪光	1m x 8	Spi -Quad I/O。	140µs，4ms
GD25LQ16enigr	0.5939	RFQ	6464	gigadevice 半导体（香）	GD25LQ	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-udfn裸露的垫子		闪存-SLC）	1.65v〜2.1V	8-uson（3x4）	下载				1970-GD25LQ16enigrtr			3,000	133 MHz	非易失性	16mbit	6 ns	闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	60µs，2.4ms
GD25WQ16EIGR	0.5824	RFQ	6087	gigadevice 半导体（香）	GD25WQ	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-xfdfn暴露垫		闪存-SLC）	1.65V〜3.6V	8-uson（3x2）	下载				1970-GD25WQ16EIGRTR			3,000	104 MHz	非易失性	16mbit	12 ns	闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O。	120µs，4ms
gd25wb256eyigy	2.2883	RFQ	2561	gigadevice 半导体（香）	GD25WB	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		闪存-SLC）	1.65V〜3.6V	8-wson（6x8）	下载				1970-GD25WB256EYIGY			4,800	104 MHz	非易失性	256Mbit	7.5 ns	闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O。	150µs，4ms
GD25LQ40CEIGR	-	RFQ	6319	gigadevice 半导体（香）	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-xfdfn暴露垫	GD25LQ40	闪光灯 -也不	1.65v〜2.1V	8-uson（2x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	3,000	104 MHz	非易失性	4Mbit		闪光	512k x 8	Spi -Quad I/O。	50µs，2.4ms
GD25LT512Mebary	10.1346	RFQ	4484	gigadevice 半导体（香）	GD25LT	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	24-TBGA		闪存-SLC）	1.65V〜2V	24-tfbga（6x8）	-				1970-GD25LT512Mebary			4,800	200 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	-
GD9FU1G8F3AMGI	2.5452	RFQ	5540	gigadevice 半导体（香）	-	托盘	积极的								下载				1970-GD9FU1G8F3AMGI			960
gd25q64cbigy	-	RFQ	6626	gigadevice 半导体（香）	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	GD25Q64	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-tfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	4,800	120 MHz	非易失性	64mbit		闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O。	50µs，2.4ms
GD25Q80ESJGR	0.4077	RFQ	2689	gigadevice 半导体（香）	GD25Q	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	8-sop	下载				1970-GD25Q80ESJGRTR			2,000	133 MHz	非易失性	8mbit	7 ns	闪光	1m x 8	Spi -Quad I/O。	140µs，4ms
GD25LQ32enigr	1.0900	RFQ	871	gigadevice 半导体（香）	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-udfn裸露的垫子	GD25LQ32	闪光灯 -也不	1.65V〜2V	8-uson （4x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	3,000	133 MHz	非易失性	32Mbit	7 ns	闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	60µs，2.4ms
GD25Q16ESJGR	0.5515	RFQ	1990	gigadevice 半导体（香）	GD25Q	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	8-sop	下载				1970-GD25Q16ESJGRTR			2,000	133 MHz	非易失性	16mbit	7 ns	闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O。	140µs，4ms
GD25LT256EY2GY	4.7723	RFQ	2063	gigadevice 半导体（香）	GD25LT	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		闪存-SLC）	1.65V〜2V	8-wson（6x8）	-				1970-GD25LT256EY2GY			4,800	200 MHz	非易失性	256Mbit	6 ns	闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	140µs，2ms
GD55B01GEFIRR	13.0800	RFQ	6702	gigadevice 半导体（香）	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	16 SOP	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响				1,000	133 MHz	非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	-
GD25Q32WIGR	1.1100	RFQ	5940	gigadevice 半导体（香）	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	8-wson（5x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响				3,000	133 MHz	非易失性	32Mbit	7 ns	闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O。	70µs，2.4ms
GD25LQ32Sigy	0.6261	RFQ	1323	gigadevice 半导体（香）	GD25LQ	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）		闪存-SLC）	1.65V〜2V	8-sop	下载				1970-GD25LQ32Sigy			3,000	133 MHz	非易失性	32Mbit	6 ns	闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	60µs，2.4ms
GD25LQ80CSIG	0.3752	RFQ	2893	gigadevice 半导体（香）	-	管子	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	GD25LQ80	闪光灯 -也不	1.65v〜2.1V	8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	9,500	104 MHz	非易失性	8mbit		闪光	1m x 8	Spi -Quad I/O。	50µs，2.4ms
GD25VQ80CTIG	-	RFQ	5033	gigadevice 半导体（香）	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	GD25VQ80	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	20,000	104 MHz	非易失性	8mbit		闪光	1m x 8	Spi -Quad I/O。	50µs，3ms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（847）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²