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（ICS）（847）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词，页面，页面
GD25B16ES2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25b16es2gr 0.7090
RFQ
 ECAD 5594 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25B 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop - 1970-GD25B16ES2GRTR 2,000 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25D10CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D10Ceigr 0.2564
RFQ
 ECAD 9121 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25D10 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-uson（2x3） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 100 MHz 非易失性 1Mbit 闪光 128K x 8 spi-双i/o 50µs，4ms
GD25R64EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25R64WIGR 1.2636
RFQ
 ECAD 4714 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25R 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） - 1970-GD25R64WIGRTR 3,000 200 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25LT512MEBARY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT512Mebary 10.1346
RFQ
 ECAD 4484 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LT 托盘 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 1.65V〜2V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD25LT512Mebary 4,800 200 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25LQ128DSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128DSIGR 2.2000
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25LQ128 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 120 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 2.4ms
GD55LT01GEF2RR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LT01GEF2RR 17.1434
RFQ
 ECAD 6424 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55LT 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 16 SOP - 1970-GD55LT01GEF2RRTR 1,000 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25VE20CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE20Ceigr -
RFQ
 ECAD 1534年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25VE20 闪光灯 -也不 2.1v〜3.6V 8-uson（2x3） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25WQ128EYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ128RIGR 1.4385
RFQ
 ECAD 3490 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD25WQ128EGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 128mbit 8 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 120µs，4ms
GD5F1GQ4UEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ4UEYIGY -
RFQ
 ECAD 6722 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD5F1GQ4 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 120 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O。 700µs
GD25Q32ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32移民 0.9400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25Q32 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 7 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2.4ms
GD25Q64ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64enigr 0.8424
RFQ
 ECAD 2779 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-uson（3x4） 下载 1970-GD25Q64ENIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 7 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2.4ms
GD25Q40ETJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q40ETJGR 0.3640
RFQ
 ECAD 9044 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25Q40ETJGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 4Mbit 7 ns 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD25LF128EQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LF128EQIGR 1.4109
RFQ
 ECAD 5794 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson （4x4） 下载 1970-GD25LF128EQIGRTR 3,000 166 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25WD10CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD10CTIG -
RFQ
 ECAD 5574 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25WD10 闪光灯 -也不 1.65V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 20,000 非易失性 1Mbit 闪光 128K x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25WD40EK6IGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD40EK6IGR 0.4077
RFQ
 ECAD 9951 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WD 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-uson（1.5x1.5） 下载 1970-GD25WD40EK6IGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 4Mbit 6 ns 闪光 512k x 8 spi-双i/o 100µs，6ms
GD25LQ64EWAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64EWAGR 1.6045
RFQ
 ECAD 6739 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（5x6） - 1970-GD25LQ64EWAGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 100µs，4ms
GD25WD80CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD80CEIGR 0.7100
RFQ
 ECAD 81 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25WD80 闪光灯 -也不 1.65V〜3.6V 8-uson（2x3） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD55LT01GEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LT01GEB2RY 16.0875
RFQ
 ECAD 1948年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55LT 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 1.65V〜2V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD55LT01GEB2RY 4,800 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25LQ80CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ80CSIGR -
RFQ
 ECAD 6264 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25LQ80 闪光灯 -也不 1.65v〜2.1V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 104 MHz 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25F128FB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F128FB2RY 2.2364
RFQ
 ECAD 9481 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25F 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD25F128FB2RY 4,800 200 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25LQ32ENEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32Enegr 0.9545
RFQ
 ECAD 9190 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x4） 下载 1970-GD25LQ32Enegrtr 3,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 6 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 100µs，4ms
GD5F1GQ5REWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5 2.3917
RFQ
 ECAD 8991 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 1.7V〜2V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD5F1GQ5REWIGY 5,700 104 MHz 非易失性 1Gbit 9.5 ns 闪光 256m x 4 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 600µs
GD25Q64CBIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25q64cbigy -
RFQ
 ECAD 6626 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-TBGA GD25Q64 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 120 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25LB512MEYJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB512MEYJGR 5.6243
RFQ
 ECAD 8663 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LB 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD25LB512Meyjgrtr 3,000 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25LD05CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD05CTIGR 0.2404
RFQ
 ECAD 1201 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25LD05 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 50 MHz 非易失性 512kbit 闪光 64k x 8 spi-双i/o 55µs，6ms
GD25B32EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B32WIGR 0.7134
RFQ
 ECAD 9009 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25B 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD25B32Wigrtr 3,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 7 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2.4ms
GD9FU4G8F3ALGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd9fu4g8f3algi 6.7226
RFQ
 ECAD 9481 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 托盘 积极的 下载 1970-GD9FU4G8F3ALGI 2,100
GD25Q80ESJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80ESJGR 0.4077
RFQ
 ECAD 2689 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25Q80ESJGRTR 2,000 133 MHz 非易失性 8mbit 7 ns 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD5F1GQ5UEWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5UEWIGR 1.4109
RFQ
 ECAD 8056 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD5F1GQ5UEWIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 1Gbit 7 ns 闪光 256m x 4 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 600µs
GD25Q32EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32WIGR 1.1100
RFQ
 ECAD 5940 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 7 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2.4ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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