- RFQ
- bom
- 联系我们
电话： +86-0755-83501345
电子邮件：sales@swxic.com
- 中文
- 英语
- 法语
- 德语
- 葡萄牙语
- 西班牙语
- 俄语
- 日本人
- 韩国人
- 阿拉伯
- 爱尔兰人
- 希腊语
- 土耳其
- 意大利人
- 丹麦语
- 罗马尼亚人
- 印度尼西亚
- 捷克
- 南非荷兰语
- 瑞典
- 抛光
- 巴斯克
- 加泰罗尼亚
- 世界语
- 印地语
- 老挝
- 阿尔巴尼亚人
- 阿姆哈拉语
- 亚美尼亚人
- 阿塞拜疆
- 白俄罗斯人
- 孟加拉
- 波斯尼亚
- 保加利亚语
- 宿务
- Chichewa
- 科西嘉
- 克罗地亚人
- 荷兰
- 爱沙尼亚人
- 菲律宾
- 芬兰
- 弗里斯安
- 加利西亚人
- 格鲁吉亚人
- 古吉拉特语
- 海地
- 豪萨
- 夏威夷人
- 希伯来语
- 苗族
- 匈牙利
- 冰岛
- 伊博
- 爪哇人
- 卡纳达语
- 哈萨克
- 高棉
- 库尔德
- 吉尔吉斯
- 拉丁
- 拉脱维亚
- 立陶宛语
- Luxembou ..
- 马其顿
- 马尔加什
- 马来语
- 马拉雅拉姆语
- 马耳他
- 毛利人
- 马拉地语
- 蒙
- 缅甸
- 尼泊尔
- 挪威
- Pashto
- 波斯语
- 旁遮普
- 塞尔维亚
- 塞索托
- 僧伽罗
- 斯洛伐克
- 斯洛文尼亚人
- 索马里
- 萨摩亚
- 苏格兰盖尔语
- 肖纳
- 信德
- 圣丹尼斯
- 斯W希里语
- 塔吉克
- 泰米尔人
- 泰卢固语
- 泰国
- 乌克兰
- 乌尔都语
- 乌兹别克
- 越南人
- 威尔士语
- xhosa
- 意第绪
- 约鲁巴
- 祖鲁
- Kinyarwanda
- 塔塔尔
- 奥里亚
- 土库曼
- Uyghur
（ICS）（847）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词，页面，页面 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GD25Q20Coigr | - |  | 7018 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） | GD25Q20 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 120 MHz | 非易失性 | 2Mbit | 闪光 | 256K x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs，2.4ms | |||
 | GD55T01GEF2RR | 16.4782 | | 6100 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD55T | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 16 SOP | - | 1970-GD55T01GEF2RRTR | 1,000 | 200 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | Spi -Quad I/O，Dtr | - | ||||||||
| GD25LQ128DVIGR | - | | 9911 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | GD25LQ128 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜2V | 8-VSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 120 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 2.4ms | |||
 | GD5F4GQ4ucyigr | - | | 4519 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | GD5F4GQ4 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 8-wson（6x8） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,000 | 120 MHz | 非易失性 | 4Gbit | 闪光 | 512m x 8 | Spi -Quad I/O。 | ||||
| GD5F4GQ6Reyigy | 6.7830 | | 9848 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD5F | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | Flash -nand（slc） | 1.7V〜2V | 8-wson（6x8） | 下载 | 1970-GD5F4GQ6Reyigy | 4,800 | 80 MHz | 非易失性 | 4Gbit | 11 ns | 闪光 | 512m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 600µs | |||||||
 | GD25Q16CTJGR | - | | 1159 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | GD25Q16 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 120 MHz | 非易失性 | 16mbit | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs，2.4ms | |||
| GD55LT02GEBARY | 37.1750 | | 2866 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD55LT | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C（TA） | 表面安装 | 24-TBGA | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 24-tfbga（6x8） | - | 1970-GD55LT02GEBARY | 4,800 | 166 MHz | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 256m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI，Dtr | - | ||||||||
| GD25Q64 Fefigr | 0.8641 | | 2311 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25Q | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 16 SOP | 下载 | 1970-GD25Q64 Fefigrtr | 1,000 | 133 MHz | 非易失性 | 64mbit | 7 ns | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 70µs，2.4ms | |||||||
| GD25Q64CQIGR | - | | 3614 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-xdfn暴露垫 | GD25Q64 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-uson （4x4） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,000 | 120 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs，2.4ms | |||
| gd25b3222etigr | 0.9900 | | 1707年 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 7 ns | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 70µs，2.4ms | |||||
 | GD25WD80CEIGR | 0.7100 | | 81 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | GD25WD80 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜3.6V | 8-uson（2x3） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 非易失性 | 8mbit | 闪光 | 1m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | ||||
| GD9FS8G8E2AMGI | 14.9396 | | 3046 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD9F | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 48-tfsop （0.724英寸，18.40mm） | Flash -nand（slc） | 1.7V〜1.95V | 48-tsop i | 下载 | 1970-GD9FS8G8E2AMGI | 960 | 非易失性 | 8Gbit | 22 ns | 闪光 | 1G x 8 | onfi | 25ns | ||||||||
| gd5f1gq4ufyigy | - | | 2993 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | GD5F1GQ4 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 8-wson（6x8） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,800 | 120 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 700µs | |||
| GD25LQ80CN2GR | 0.6818 | | 5726 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LQ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 8-udfn裸露的垫子 | 闪存-SLC） | 1.65v〜2.1V | 8-uson（3x4） | - | 1970-GD25LQ80CN2GRTR | 3,000 | 90 MHz | 非易失性 | 8mbit | 6 ns | 闪光 | 1m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 80µs，3ms | |||||||
| GD25B32CS2GR | 0.9688 | | 7690 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25B | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-sop | - | 1970-GD25B32CS2GRTR | 2,000 | 80 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 7 ns | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 60µs，4ms | |||||||
| GD25LD20天赋 | 0.3205 | | 4961 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | GD25LD20 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜2V | 8-uson（2x3） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 50 MHz | 非易失性 | 2Mbit | 闪光 | 256K x 8 | spi-双i/o | 97µs，6ms | |||
| GD9FS1G8F3AMGI | 2.7082 | | 5884 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 托盘 | 积极的 | - | 1970-GD9FS1G8F3AMGI | 960 | |||||||||||||||||||||
| gd5f4gm8reyigr | 5.9085 | | 2453 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD5F | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | Flash -nand（slc） | 1.7V〜2V | 8-wson（6x8） | 下载 | 1970-GD5F4GM8REYIGRTR | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 4Gbit | 9 ns | 闪光 | 512m x 8 | Spi -Quad I/O，Dtr | 600µs | |||||||
| gd5f1gm7Ueyigy | 2.0634 | | 8752 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD5F | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | Flash -nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 8-wson（6x8） | 下载 | 1970-GD5F1GM7UEYIGY | 4,800 | 133 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 7 ns | 闪光 | 256m x 4 | Spi -Quad I/O，Dtr | 600µs | |||||||
| GD5F1GQ5REGR | 2.4851 | | 5290 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD5F | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | Flash -nand（slc） | 1.7V〜2V | 8-wson（5x6） | 下载 | 1970-GD5F1GQ5REGRTR | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 9.5 ns | 闪光 | 256m x 4 | Spi -Quad I/O，QPI，Dtr | 600µs | |||||||
| GD25UF64EQIGR | 1.0390 | | 6007 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25UF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-xdfn暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.14v〜1.26v | 8-uson （4x4） | - | 1970-GD25UF64EQIGRTR | 3,000 | 120 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O，Dtr | - | ||||||||
| gd9fu1g8f2dmgi | 2.3296 | | 1747年 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD9F | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 48-tfsop （0.724英寸，18.40mm） | Flash -nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | 下载 | 1970-GD9FU1G8F2DMGI | 960 | 非易失性 | 1Gbit | 9 ns | 闪光 | 128m x 8 | onfi | 12ns，600µs | ||||||||
| GD55T01GEB2RY | 16.8378 | | 8172 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD55T | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 24-TBGA | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga（6x8） | - | 1970-GD55T01GEB2RY | 4,800 | 200 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | Spi -Quad I/O，Dtr | - | ||||||||
| GD25LQ16C8IGR | - | | 5487 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-xflga裸露的垫子 | GD25LQ16 | 闪光灯 -也不 | 1.65v〜2.1V | 8-lga | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 16mbit | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs，2.4ms | |||
| GD25VE32CSIGR | - | | 3345 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | GD25VE32 | 闪光灯 -也不 | 2.1v〜3.6V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | |||
| GD25LR128Egrigr | 1.8135 | | 5749 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LR | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 8-wson（6x8） | - | 1970-GD25LR128EGRTR | 3,000 | 200 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | ||||||||
| GD25LE16CLIGR | - | | 2519 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 21-XFBGA，WLSCP | GD25LE16 | 闪光灯 -也不 | 1.65v〜2.1V | 21-wlcsp | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 16mbit | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs，2.4ms | |||
| GD5F1GQ5 | 2.3917 | | 8991 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD5F | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | Flash -nand（slc） | 1.7V〜2V | 8-wson（5x6） | 下载 | 1970-GD5F1GQ5REWIGY | 5,700 | 104 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 9.5 ns | 闪光 | 256m x 4 | Spi -Quad I/O，QPI，Dtr | 600µs | |||||||
| gd9fu4g8f3algi | 6.7226 | | 9481 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 托盘 | 积极的 | 下载 | 1970-GD9FU4G8F3ALGI | 2,100 | |||||||||||||||||||||
| GD25LB512MEY2GY | 7.1953 | | 5315 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LB | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 8-wson（6x8） | - | 1970-GD25LB512MEY2GY | 4,800 | 133 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI，Dtr | - |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m2
智能仓库
愿望清单（0个项目）