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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
GD25LF128EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LF128Wigr 1.9780
RFQ
ECAD 4678 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25LF 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC) 1.65V〜2V 8-wson(5x6) 下载 1970-GD25LF128WIGRTR 3,000 166 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr -
GD5F4GM8UEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GM8UEYIGY 5.5550
RFQ
ECAD 3581 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD5F 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand(slc) 2.7V〜3.6V 8-wson(6x8) 下载 1970-GD5F4GM8UEYIGY 4,800 133 MHz 非易失性 4Gbit 7 ns 闪光 1G x 4 Spi -Quad I/O,Dtr 600µs
GD5F4GQ4RBYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ4RBYIGR -
RFQ
ECAD 8884 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD5F4GQ4 闪存-NAND 1.7V〜2V 8-wson(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 4Gbit 闪光 512m x 8 Spi -Quad I/O。
GD25Q16ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16enigr 0.8700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-udfn裸露的垫子 GD25Q16 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-uson (4x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 133 MHz 非易失性 16mbit 7 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs,2ms
GD25LB512MEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB512Mefirr 4.5486
RFQ
ECAD 3154 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25LB 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) 闪存-SLC) 1.65V〜2V 16 SOP 下载 1970-GD25LB512Mefirrtr 1,000 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr -
GD25Q16ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16季度 0.7100
RFQ
ECAD 7 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) GD25Q16 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 133 MHz 非易失性 16mbit 7 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs,2ms
GD25VE16CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE16CTIGR -
RFQ
ECAD 8137 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) GD25VE16 闪光灯 -也不 2.1v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25WQ64ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ64Sigr 1.3900
RFQ
ECAD 3498 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) 闪存-SLC) 1.65V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 2,000 104 MHz 非易失性 64mbit 12 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 120µs,4ms
GD9FS2G8F2ALGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd9fs2g8f2algi 4.7455
RFQ
ECAD 9013 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD9F 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA Flash -nand(slc) 1.7V〜1.95V 63-fbga(9x11) 下载 1970-GD9FS2G8F2ALGI 2,100 非易失性 2Gbit 20 ns 闪光 256m x 8 onfi 25ns
GD55LX01GEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LX01GEFIRR 18.7900
RFQ
ECAD 5406 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) 闪存-SLC) 1.65V〜2V 16 SOP - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 1,000 200 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 Spi-八分之一,Dtr -
GD25VQ20CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ20CTIG 0.2885
RFQ
ECAD 6283 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 管子 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) GD25VQ20 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 20,000 104 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,3ms
GD5F1GM7UEWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GM7UEWIGY 2.0685
RFQ
ECAD 9754 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD5F 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand(slc) 2.7V〜3.6V 8-wson(5x6) 下载 1970-GD5F1GM7UEWIGY 5,700 133 MHz 非易失性 1Gbit 7 ns 闪光 256m x 4 Spi -Quad I/O,Dtr 600µs
GD25LB32ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB32Sigr 0.6363
RFQ
ECAD 2319 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25LB 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) 闪存-SLC) 1.65V〜2V 8-sop 下载 1970-GD25LB32Eigrtr 2,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 6 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O,QPI 60µs,2.4ms
GD25LQ32DNIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32DNIGR 1.2300
RFQ
ECAD 7 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-udfn裸露的垫子 GD25LQ32 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-uson (4x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 2.4ms
GD25LR256EFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LR256FIRR 2.8974
RFQ
ECAD 4907 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25LR 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) 闪存-SLC) 1.65V〜2V 16 SOP - 1970-GD25LR256FIRRTR 1,000 104 MHz 非易失性 256Mbit 9 ns 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 70µs,1.2ms
GD25Q64EFIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64 Fefigr 0.8641
RFQ
ECAD 2311 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25Q 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 16 SOP 下载 1970-GD25Q64 Fefigrtr 1,000 133 MHz 非易失性 64mbit 7 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs,2.4ms
GD25Q256EYJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q256EYJGR 2.7672
RFQ
ECAD 6615 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25Q 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 8-wson(6x8) 下载 1970-GD25Q256EYJGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25VQ80CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ80CTIG -
RFQ
ECAD 5033 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) GD25VQ80 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 20,000 104 MHz 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,3ms
GD25T512MEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25T512Mebiry 5.1710
RFQ
ECAD 6785 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25T 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 24-tfbga(6x8) - 1970-GD25T512Mebiry 4,800 200 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O,Dtr -
GD25Q40ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q40ESIGR 0.3167
RFQ
ECAD 5297 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25Q 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25Q40ESIGRTR 2,000 133 MHz 非易失性 4Mbit 7 ns 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 70µs,2ms
GD55LT02GEBARY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LT02GEBARY 37.1750
RFQ
ECAD 2866 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD55LT 托盘 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC) 1.65V〜2V 24-tfbga(6x8) - 1970-GD55LT02GEBARY 4,800 166 MHz 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr -
GD5F1GQ5UEYIHR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5UEYIHR 2.3508
RFQ
ECAD 9700 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD5F 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand(slc) 2.7V〜3.6V 8-wson(6x8) - 1970-GD5F1GQ5UEYIHRTR 3,000 133 MHz 非易失性 1Gbit 7 ns 闪光 256m x 4 Spi -Quad I/O,Dtr 600µs
GD25LB256EYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB256Egrigr 2.3929
RFQ
ECAD 2509 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25LB 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC) 1.65V〜2V 8-wson(6x8) 下载 1970-GD25LB256EGRTR 3,000 166 MHz 非易失性 256Mbit 6 ns 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 70µs,1.2ms
GD25Q127CWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q127CWIGR 2.2300
RFQ
ECAD 11 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD25Q127 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-wson(5x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 12µs,2.4ms
GD25B512MEF2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B512MEF2RY 6.7702
RFQ
ECAD 9276 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25B 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 16 SOP - 1970-GD25B512MEF2RY 1,760 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr -
GD25S512MDYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25S512MDYIGR 6.6100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD25S512 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-wson(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
GD25Q16CTEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25q16ctegr 1.2500
RFQ
ECAD 14 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) GD25Q16 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
GD5F1GM7UEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f1gm7Ueyigy 2.0634
RFQ
ECAD 8752 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD5F 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand(slc) 2.7V〜3.6V 8-wson(6x8) 下载 1970-GD5F1GM7UEYIGY 4,800 133 MHz 非易失性 1Gbit 7 ns 闪光 256m x 4 Spi -Quad I/O,Dtr 600µs
GD25LQ64CVIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64CVIGR -
RFQ
ECAD 4094 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) GD25LQ64 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-VSOP 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 2.4ms
GD25WD40EKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25wd40ekigr 0.3676
RFQ
ECAD 3820 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25WD 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC) 1.65V〜3.6V 8-uson(1.5x1.5) 下载 1970-GD25WD40EKIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 4Mbit 6 ns 闪光 512k x 8 spi-双i/o 100µs,6ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库