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（ICS）（847）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词，页面，页面
GD25LQ32EQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32EQIGR 0.7020
RFQ
 ECAD 7196 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson （4x4） 下载 1970-GD25LQ32EQIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 6 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25WQ64ENEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ64ENEGR 1.2544
RFQ
 ECAD 1709年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-uson（3x4） 下载 1970-GD25WQ64ENEGRTR 3,000 84 MHz 非易失性 64mbit 12 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 240µs，8ms
GD25Q32ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32移民 0.9400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25Q32 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 7 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2.4ms
GD55LX01GEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LX01GEB2RY 20.5352
RFQ
 ECAD 8135 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55LX 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 1.65V〜2V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD55LX01GEB2RY 4,800 200 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 Spi-八分之一，Dtr -
GD25VQ80CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ80CSIG -
RFQ
 ECAD 7941 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25VQ80 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 9,500 104 MHz 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，3ms
GD25WD40EK6IGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD40EK6IGR 0.4077
RFQ
 ECAD 9951 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WD 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-uson（1.5x1.5） 下载 1970-GD25WD40EK6IGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 4Mbit 6 ns 闪光 512k x 8 spi-双i/o 100µs，6ms
GD25LQ64ENJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64ENJGR 1.0811
RFQ
 ECAD 2294 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x4） 下载 1970-GD25LQ64ENJGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25LR512MEFIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LR512Mefiry 4.9631
RFQ
 ECAD 5294 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LR 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 16 SOP - 1970-GD25LR512Mefiry 1,760 200 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25Q40CEJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q40CEJGR 0.7100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25Q40 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-uson（2x3） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 80 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25LD10CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD10CEIGR 0.2885
RFQ
 ECAD 3687 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25LD10 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-uson（2x3） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 50 MHz 非易失性 1Mbit 闪光 128K x 8 spi-双i/o 55µs，6ms
GD25LQ64CVIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64CVIGR -
RFQ
 ECAD 4094 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25LQ64 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-VSOP 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 2.4ms
GD25LQ40CE2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ40CE2GR 0.6222
RFQ
 ECAD 2683 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65v〜2.1V 8-uson（3x2） - 1970-GD25LQ40CE2GRTR 3,000 90 MHz 非易失性 4Mbit 7 ns 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 80µs，3ms
GD25LQ64EWAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64EWAGR 1.6045
RFQ
 ECAD 6739 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（5x6） - 1970-GD25LQ64EWAGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 100µs，4ms
GD25LQ128DS2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128DS2GR 2.0015
RFQ
 ECAD 7643 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop - 1970-GD25LQ128DS2GRTR 2,000 104 MHz 非易失性 128mbit 6 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 2.4ms
GD25LQ16EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16EWIGR 0.6115
RFQ
 ECAD 2626 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65v〜2.1V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD25LQ16EWIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 16mbit 6 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25LQ64EY2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64EY2GR 1.3970
RFQ
 ECAD 7764 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（6x8） - 1970-GD25LQ64EY2GRTR 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD5F4GQ4RCYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ4RCYIGR -
RFQ
 ECAD 8974 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD5F4GQ4 闪存-NAND 1.7V〜2V 8-wson（6x8） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 120 MHz 非易失性 4Gbit 闪光 512m x 8 Spi -Quad I/O。
GD5F2GQ5REYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5Reyigy 3.9138
RFQ
 ECAD 8997 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 1.7V〜2V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD5F2GQ5Reyigy 4,800 80 MHz 非易失性 2Gbit 11 ns 闪光 256m x 8 Spi -Quad I/O。 600µs
GD25Q256EYJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q256EYJGR 2.7672
RFQ
 ECAD 6615 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD25Q256EYJGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD55LT01GEF2RR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LT01GEF2RR 17.1434
RFQ
 ECAD 6424 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55LT 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 16 SOP - 1970-GD55LT01GEF2RRTR 1,000 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25LQ16ET2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16ET2GR 0.7499
RFQ
 ECAD 3196 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 1.65v〜2.1V 8-sop - 1970-GD25LQ16ET2GRTR 3,000 133 MHz 非易失性 16mbit 6 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD5F1GQ5UEYJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5UEYJGR 2.9324
RFQ
 ECAD 5226 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD5F1GQ5UEYJGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 1Gbit 7 ns 闪光 256m x 4 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 600µs
GD25Q256EFJRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q256EFJRR 2.9266
RFQ
 ECAD 1659年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 16 SOP 下载 1970-GD25Q256EFJRRTR 1,000 133 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25B32EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B32WIGR 0.7134
RFQ
 ECAD 9009 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25B 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD25B32Wigrtr 3,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 7 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2.4ms
GD55B01GEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55B01GEBIRY 8.4011
RFQ
 ECAD 3284 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55B 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） 下载 1970-GD55B01GEBIRY 8542.32.0071 4,800 133 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25WD10CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD10CTIG -
RFQ
 ECAD 5574 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25WD10 闪光灯 -也不 1.65V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 20,000 非易失性 1Mbit 闪光 128K x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25WD10CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD10Ceigr 0.3045
RFQ
 ECAD 6299 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25WD10 闪光灯 -也不 1.65V〜3.6V 8-uson（2x3） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 非易失性 1Mbit 闪光 128K x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25Q256EBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q256EBIRY 2.2897
RFQ
 ECAD 3527 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） 下载 1970-GD25Q256EBIRY 4,800 133 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD55LT01GEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LT01GEB2RY 16.0875
RFQ
 ECAD 1948年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55LT 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 1.65V〜2V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD55LT01GEB2RY 4,800 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25LQ128DVIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128DVIGR -
RFQ
 ECAD 9911 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25LQ128 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-VSOP 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 120 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 2.4ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

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