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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
GD5F2GQ5UEYJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5UEYJGR 4.6874
RFQ
ECAD 6614 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD5F 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand(slc) 2.7V〜3.6V 8-wson(6x8) 下载 1970-GD5F2GQ5UEYJGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 2Gbit 9 ns 闪光 256m x 8 Spi -Quad I/O。 600µs
GD9FU8G8E2AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FU8G8E2AMGI 14.3117
RFQ
ECAD 9780 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD9F 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) Flash -nand(slc) 2.7V〜3.6V 48-tsop i 下载 1970-GD9FU8G8E2AMGI 960 非易失性 8Gbit 18 ns 闪光 1G x 8 onfi 20NS
GD25VQ20CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ20Ceigr -
RFQ
ECAD 3916 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25VQ20 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-uson(2x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,3ms
GD5F2GQ4UF9IGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ4UF9IGR -
RFQ
ECAD 4326 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-vlga裸露的垫子 GD5F2GQ4 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 8-LGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 Spi -Quad I/O。 700µs
GD25F128FYAGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F128FYAGY 1.8349
RFQ
ECAD 5834 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25F 托盘 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 8-wson(6x8) - 1970-GD25F128FYAGY 4,800 200 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD55LB01GEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LB01GEBIRY 8.5364
RFQ
ECAD 1428 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD55磅 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC) 1.65V〜2V 24-tfbga(6x8) 下载 1970-GD55LB01GEBIRY 4,800 166 MHz 非易失性 1Gbit 6 ns 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 70µs,1.2ms
GD25LQ40EKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ40EKIGR 0.4222
RFQ
ECAD 9794 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25LQ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC) 1.65V〜2V 8-uson(1.5x1.5) 下载 1970-GD25LQ40EKIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 4Mbit 6 ns 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 60µs,2.4ms
GD25Q16ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16ETIGR 0.7500
RFQ
ECAD 26 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) GD25Q16 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 133 MHz 非易失性 16mbit 7 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs,2ms
GD25LQ20CUIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ20Cuigr -
RFQ
ECAD 2134 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-UFDFN暴露垫 GD25LQ20 闪光灯 -也不 1.65v〜2.1V 8-uson(3x2) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
GD25Q256EWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q256WIGY 2.2897
RFQ
ECAD 7620 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25Q 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 8-wson(5x6) 下载 1970-GD25Q256WIGY 5,700 133 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25Q16ETEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16ETEGR 0.6552
RFQ
ECAD 3651 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25Q 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25Q16ETEGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 16mbit 7 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 140µs,4ms
GD25F128FW2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F128FW2GR 2.1627
RFQ
ECAD 6084 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25F 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 8-wson(5x6) - 1970-GD25F128FW2GRTR 3,000 200 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25LT256EFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT256FIRR 2.8704
RFQ
ECAD 5571 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25LT 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) 闪存-SLC) 1.65V〜2V 16 SOP - 1970-GD25LT256FIRRTR 1,000 200 MHz 非易失性 256Mbit 6 ns 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 70µs,1.2ms
GD25LD05CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD05CEIGR 0.2725
RFQ
ECAD 3135 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25LD05 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-uson(2x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 50 MHz 非易失性 512kbit 闪光 64k x 8 spi-双i/o 55µs,6ms
GD25T512MEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25T512Mebiry 5.1710
RFQ
ECAD 6785 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25T 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 24-tfbga(6x8) - 1970-GD25T512Mebiry 4,800 200 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O,Dtr -
GD5F1GQ4RF9IGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ4RF9IGR -
RFQ
ECAD 8267 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-vlga裸露的垫子 GD5F1GQ4 闪存-NAND 1.7V〜2V 8-LGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O。 700µs
GD25D05CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D05CKIGR 0.2725
RFQ
ECAD 6700 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25D05 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-uson(1.5x1.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 100 MHz 非易失性 512kbit 闪光 64k x 8 spi-双i/o 50µs,4ms
GD25VQ16CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ16CSIGR -
RFQ
ECAD 9920 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) GD25VQ16 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 104 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,3ms
GD5F4GQ4RBYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ4RBYIGR -
RFQ
ECAD 8884 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD5F4GQ4 闪存-NAND 1.7V〜2V 8-wson(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 4Gbit 闪光 512m x 8 Spi -Quad I/O。
GD25VE16CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE16CTIGR -
RFQ
ECAD 8137 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) GD25VE16 闪光灯 -也不 2.1v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25LQ32EQEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32EQEGR 0.9828
RFQ
ECAD 3861 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25LQ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-xdfn暴露垫 闪存-SLC) 1.65V〜2V 8-uson (4x4) 下载 1970-GD25LQ32Eqegrtr 3,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 6 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O,QPI 100µs,4ms
GD25WD05CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD05CTIGR -
RFQ
ECAD 9512 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) GD25WD05 闪光灯 -也不 1.65V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 100 MHz 非易失性 512kbit 闪光 64k x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD9FS2G8F2ALGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd9fs2g8f2algi 4.7455
RFQ
ECAD 9013 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD9F 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA Flash -nand(slc) 1.7V〜1.95V 63-fbga(9x11) 下载 1970-GD9FS2G8F2ALGI 2,100 非易失性 2Gbit 20 ns 闪光 256m x 8 onfi 25ns
GD5F4GM8UEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GM8UEYIGY 5.5550
RFQ
ECAD 3581 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD5F 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand(slc) 2.7V〜3.6V 8-wson(6x8) 下载 1970-GD5F4GM8UEYIGY 4,800 133 MHz 非易失性 4Gbit 7 ns 闪光 1G x 4 Spi -Quad I/O,Dtr 600µs
GD5F1GQ5UEYIHR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5UEYIHR 2.3508
RFQ
ECAD 9700 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD5F 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand(slc) 2.7V〜3.6V 8-wson(6x8) - 1970-GD5F1GQ5UEYIHRTR 3,000 133 MHz 非易失性 1Gbit 7 ns 闪光 256m x 4 Spi -Quad I/O,Dtr 600µs
GD25D05CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D05CTIGR 0.3100
RFQ
ECAD 17 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) GD25D05 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 100 MHz 非易失性 512kbit 闪光 64k x 8 spi-双i/o 50µs,4ms
GD25LQ64CQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64CQIGR -
RFQ
ECAD 9390 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-xdfn暴露垫 GD25LQ64 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-uson (4x4) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 2.4ms
GD9FS4G8F3ALGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FS4G8F3ALGI 7.0554
RFQ
ECAD 4942 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 托盘 积极的 下载 1970-GD9FS4G8F3ALGI 2,100
GD25B256EFIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25b256 figigy 2.4461
RFQ
ECAD 6703 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25B 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 16 SOP 下载 1970-GD25B256排名 1,760 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25Q16CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16分数 0.8200
RFQ
ECAD 140 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) GD25Q16 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库