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（ICS）（847）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词，页面，页面
GD25B256EFIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25b256 figigy 2.4461
RFQ
 ECAD 6703 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25B 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 16 SOP 下载 1970-GD25B256排名 1,760 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD5F2GQ5UEYIHR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5UEYIHR 3.9884
RFQ
 ECAD 8162 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） - 1970-GD5F2GQ5UEYIHRTR 3,000 104 MHz 非易失性 2Gbit 9 ns 闪光 512m x 4 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 600µs
GD25Q80ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80ENERGR 0.4242
RFQ
 ECAD 5279 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-uson（3x4） 下载 1970-GD25Q80ENIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 8mbit 7 ns 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2ms
GD25WQ128EWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ128WIGY 1.3445
RFQ
 ECAD 6874 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WQ 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD25WQ128WIGY 5,700 104 MHz 非易失性 128mbit 8 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 120µs，4ms
GD25D40CTEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25d40ctegr 0.3640
RFQ
 ECAD 6764 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25D 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25D40CTEGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 4Mbit 6 ns 闪光 512k x 8 spi-双i/o 80µs，4ms
GD25X512MEF2RR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25X512MEF2RR 12.9053
RFQ
 ECAD 2768 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25X 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 16 SOP - 1970-GD25X512MEF2RRTR 1,000 200 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 spi -octal I/o -
GD25B32ENAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25b32enagr 1.2215
RFQ
 ECAD 9839 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25B 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-uson（3x4） - 1970-GD25B32ENAGRTR 3,000 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25D20CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D20CKIGR 0.3016
RFQ
 ECAD 7918 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25D 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-uson（1.5x1.5） 下载 1970-GD25D20CKIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 2Mbit 6 ns 闪光 256K x 8 spi-双i/o 50µs，4ms
GD25LE16ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE16 SIGR 0.5090
RFQ
 ECAD 7144 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop 下载 1970-GD25LE16ESIGRTR 2,000 133 MHz 非易失性 16mbit 6 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25LQ40EKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ40EKIGR 0.4222
RFQ
 ECAD 9794 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（1.5x1.5） 下载 1970-GD25LQ40EKIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 4Mbit 6 ns 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 60µs，2.4ms
GD25LE16CLIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE16CLIGR -
RFQ
 ECAD 2519 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 21-XFBGA，WLSCP GD25LE16 闪光灯 -也不 1.65v〜2.1V 21-wlcsp 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25WD10CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD10Ceigr 0.3045
RFQ
 ECAD 6299 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25WD10 闪光灯 -也不 1.65V〜3.6V 8-uson（2x3） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 非易失性 1Mbit 闪光 128K x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD5F2GQ4UFYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f2gq4ufyigy -
RFQ
 ECAD 5750 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 托盘 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD5F2GQ4 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 120 MHz 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 Spi -Quad I/O。 700µs
GD25LQ80CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ80CTIG 0.3686
RFQ
 ECAD 6654 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25LQ80 闪光灯 -也不 1.65v〜2.1V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 20,000 104 MHz 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25LR512MEFIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LR512Mefiry 4.9631
RFQ
 ECAD 5294 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LR 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 16 SOP - 1970-GD25LR512Mefiry 1,760 200 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD5F1GM7REYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f1gm7reyigy 2.1331
RFQ
 ECAD 2861 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 1.7V〜2V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD5F1GM7Reyigy 4,800 104 MHz 非易失性 1Gbit 9 ns 闪光 256m x 4 Spi -Quad I/O，Dtr 600µs
GD25LT256EYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT256RIGR 3.2239
RFQ
 ECAD 4000 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LT 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（6x8） - 1970-GD25LT256EYIGRTR 3,000 200 MHz 非易失性 256Mbit 6 ns 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 70µs，1.2ms
GD25VQ16CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ16CSIG -
RFQ
 ECAD 3531 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25VQ16 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 9,500 104 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，3ms
GD25LQ16ET2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16ET2GR 0.7499
RFQ
 ECAD 3196 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 1.65v〜2.1V 8-sop - 1970-GD25LQ16ET2GRTR 3,000 133 MHz 非易失性 16mbit 6 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25WD05CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD05CTIGR -
RFQ
 ECAD 9512 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25WD05 闪光灯 -也不 1.65V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 100 MHz 非易失性 512kbit 闪光 64k x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25LQ40CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ40CEIGR -
RFQ
 ECAD 6319 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25LQ40 闪光灯 -也不 1.65v〜2.1V 8-uson（2x3） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25LD05CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD05CEIGR 0.2725
RFQ
 ECAD 3135 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25LD05 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-uson（2x3） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 50 MHz 非易失性 512kbit 闪光 64k x 8 spi-双i/o 55µs，6ms
GD25LQ256DYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ256Dyigr -
RFQ
 ECAD 3379 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD25LQ256 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-wson（6x8） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 2.4ms
GD25LQ64ESAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64ESAGR 1.4385
RFQ
 ECAD 9558 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop - 1970-GD25LQ64ESAGRTR 2,000 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 100µs，4ms
GD25LE32DLIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE32DLIGR -
RFQ
 ECAD 4768 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 21-XFBGA，WLSCP GD25LE32 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 21-wlcsp 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 2.4ms
GD25Q16CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16分数 0.8200
RFQ
 ECAD 140 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25Q16 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD5F4GM8REYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f4gm8reyigr 5.9085
RFQ
 ECAD 2453 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 1.7V〜2V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD5F4GM8REYIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 4Gbit 9 ns 闪光 512m x 8 Spi -Quad I/O，Dtr 600µs
GD25Q64CQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64CQIGR -
RFQ
 ECAD 3614 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xdfn暴露垫 GD25Q64 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-uson （4x4） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25B32ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25b3222etigr 0.9900
RFQ
 ECAD 1707年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 7 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2.4ms
GD55LX01GEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LX01GEB2RY 20.5352
RFQ
 ECAD 8135 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55LX 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 1.65V〜2V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD55LX01GEB2RY 4,800 200 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 Spi-八分之一，Dtr -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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