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（ICS）（847）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 重量（ kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词，页面，页面
GD25LQ80CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ80CSIG 0.3752
RFQ
 ECAD 2893 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25LQ80 闪光灯 -也不 1.65v〜2.1V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 9,500 104 MHz 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25LQ32ESIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32Sigy 0.6261
RFQ
 ECAD 1323 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop 下载 1970-GD25LQ32Sigy 3,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 6 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25Q64CYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64 Coigr 1.2300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD25Q64 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25D10CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D10Ceigr 0.2564
RFQ
 ECAD 9121 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25D10 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-uson（2x3） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 100 MHz 非易失性 1Mbit 闪光 128K x 8 spi-双i/o 50µs，4ms
GD25B512MEF2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B512MEF2RY 6.7702
RFQ
 ECAD 9276 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25B 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 16 SOP - 1970-GD25B512MEF2RY 1,760 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25Q128EYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q128RIGR 2.1300
RFQ
 ECAD 8352 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3,000 133 MHz 非易失性 128mbit 7 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2.4ms
GD25VQ16CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ16CSIG -
RFQ
 ECAD 3531 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25VQ16 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 9,500 104 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，3ms
GD25LQ16EWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16WIGY 0.5642
RFQ
 ECAD 5262 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65v〜2.1V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD25LQ16WIGY 5,700 133 MHz 非易失性 16mbit 6 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25LF128EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LF128Wigr 1.9780
RFQ
 ECAD 4678 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD25LF128WIGRTR 3,000 166 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD5F2GQ5REYIHY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5REYIHY 3.9138
RFQ
 ECAD 4288 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 1.7V〜2V 8-wson（6x8） - 1970-GD5F2GQ5REYIHY 4,800 80 MHz 非易失性 2Gbit 11 ns 闪光 512m x 4 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 600µs
GD25LB64EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB64WIGR 0.9126
RFQ
 ECAD 8288 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LB 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD25LB64WIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25VE20CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE20CSIG 0.3045
RFQ
 ECAD 6545 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25VE20 闪光灯 -也不 2.1v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 9,500 104 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25B32ENAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25b32enagr 1.2215
RFQ
 ECAD 9839 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25B 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-uson（3x4） - 1970-GD25B32ENAGRTR 3,000 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25Q16ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16季度 0.7100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25Q16 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 133 MHz 非易失性 16mbit 7 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2ms
GD25LT512MEFIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT512Mefiry 5.7957
RFQ
 ECAD 6463 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LT 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 16 SOP - 1970-GD25LT512Mefiry 1,760 200 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD5F2GQ5UEYIHR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5UEYIHR 3.9884
RFQ
 ECAD 8162 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） - 1970-GD5F2GQ5UEYIHRTR 3,000 104 MHz 非易失性 2Gbit 9 ns 闪光 512m x 4 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 600µs
GD25WB256EYJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25wb256eyjgr 2.9601
RFQ
 ECAD 2941 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WB 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD25WB256EYJGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 256Mbit 7.5 ns 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 300µs，8ms
GD25LQ16CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16CTIG 0.4057
RFQ
 ECAD 5669 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25LQ16 闪光灯 -也不 1.65v〜2.1V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 20,000 104 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25Q40CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q40CSIG -
RFQ
 ECAD 4223 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25Q40 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 9,500 104 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25Q80ETEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80ETEGR 0.4525
RFQ
 ECAD 2591 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25Q80ETEGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 8mbit 7 ns 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD25VQ20CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ20CTIG 0.2885
RFQ
 ECAD 6283 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25VQ20 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 20,000 104 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，3ms
GD25LD80CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD80CKIGR 0.3676
RFQ
 ECAD 1652 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LD 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（1.5x1.5） 下载 1970-GD25LD80CKIGRTR 3,000 50 MHz 非易失性 8mbit 12 ns 闪光 1m x 8 spi-双i/o 97µs，6ms
GD5F2GQ5UEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5UEYIGY 3.9235
RFQ
 ECAD 6089 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD5F2GQ5UEYIGY 4,800 104 MHz 非易失性 2Gbit 9 ns 闪光 256m x 8 Spi -Quad I/O。 600µs
GD25LE16ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE16 SIGR 0.5090
RFQ
 ECAD 7144 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop 下载 1970-GD25LE16ESIGRTR 2,000 133 MHz 非易失性 16mbit 6 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25WQ64ETIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25wq64etigy 0.8564
RFQ
 ECAD 1444 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WQ 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-sop - 1970-GD25WQ64ETIGY 4,320 104 MHz 非易失性 64mbit 12 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 120µs，4ms
GD25LT512MEBARY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT512Mebary 10.1346
RFQ
 ECAD 4484 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LT 托盘 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 1.65V〜2V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD25LT512Mebary 4,800 200 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25Q20EEAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q20EEAGR 0.5656
RFQ
 ECAD 4992 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-uson（3x2） - 1970-GD25Q20EEAGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 2Mbit 7 ns 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD25WD40EKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25wd40ekigr 0.3676
RFQ
 ECAD 3820 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WD 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-uson（1.5x1.5） 下载 1970-GD25WD40EKIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 4Mbit 6 ns 闪光 512k x 8 spi-双i/o 100µs，6ms
GD25Q64CBIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25q64cbigy -
RFQ
 ECAD 6626 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-TBGA GD25Q64 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 120 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25WQ16EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ16EIGR 0.5824
RFQ
 ECAD 6087 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-uson（3x2） 下载 1970-GD25WQ16EIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 16mbit 12 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 120µs，4ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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