SIC
close

（ICS）（847）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词，页面，页面
GD5F1GQ5UEY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5UEY2GY 3.6575
RFQ
 ECAD 7204 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） - 1970-GD5F1GQ5UEY2GY 4,800 133 MHz 非易失性 1Gbit 7 ns 闪光 256m x 4 Spi -Quad I/O，Dtr 600µs
GD25LE64ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25le64enigr 0.8863
RFQ
 ECAD 9284 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x4） 下载 1970-GD25LE64enigrtr 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD5F1GQ5UEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5Ueyigr 2.3508
RFQ
 ECAD 2789 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD5F1GQ5UEYIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 1Gbit 7 ns 闪光 256m x 4 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 600µs
GD25LQ128ESJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128ESJGR 1.2408
RFQ
 ECAD 7176 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop 下载 1970-GD25LQ128ESJGRTR 2,000 120 MHz 非易失性 128mbit 6 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 60µs，2.4ms
GD25X512MEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25x512mebiry 6.2111
RFQ
 ECAD 7004 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25X 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD25X512Mebiry 4,800 200 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 spi -octal I/o -
GD25Q32ETJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32ETJGR 0.6989
RFQ
 ECAD 5631 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25Q32ETJGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 7 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD55X01GEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55X01GEBIRY 12.8478
RFQ
 ECAD 1606 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55X 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD55X01GEBIRY 4,800 200 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 Spi-八分之一，Dtr -
GD25LD10CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD10CKIGR 0.2929
RFQ
 ECAD 4889 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LD 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（1.5x1.5） 下载 1970-GD25LD10CKIGRTR 3,000 50 MHz 非易失性 1Mbit 12 ns 闪光 128K x 8 spi-双i/o 55µs，6ms
GD25B16ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25b16etigr 0.4666
RFQ
 ECAD 2793 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25B 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25B16ETIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 16mbit 7 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2ms
GD25VE16CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE16CSIGR -
RFQ
 ECAD 9938 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25VE16 闪光灯 -也不 2.1v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 104 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD9FS1G8F2AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FS1G8F2AMGI 3.2171
RFQ
 ECAD 2836 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 托盘 积极的 表面安装 48-TFSOP （0.173“，4.40mm宽度） GD9FS1G8 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 48-tsop i 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 960 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8
GD25LE128DLIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE128DLIGR -
RFQ
 ECAD 7670 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 21-XFBGA，WLSCP GD25LE128 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 21-wlcsp 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 2.4ms
GD25WQ64EQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ64EQIGR 0.9266
RFQ
 ECAD 5857 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-uson （4x4） 下载 1970-GD25WQ64EQIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 64mbit 12 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 120µs，4ms
GD25Q80EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80WIGR 0.6700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD25Q80 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 133 MHz 非易失性 8mbit 7 ns 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2ms
GD25WQ128EQEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ128EQEGR 1.9478
RFQ
 ECAD 2726 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-xdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-uson （4x4） 下载 1970-GD25WQ128EQEGRTTR 3,000 84 MHz 非易失性 128mbit 8 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 240µs，8ms
GD25Q20CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25q20csigr -
RFQ
 ECAD 7895 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25Q20 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 120 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25LR256EYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LR256Egrigr 2.8079
RFQ
 ECAD 5271 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LR 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（6x8） - 1970-GD25LR256EGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 256Mbit 9 ns 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 70µs，1.2ms
GD25VE20CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE20CTIG 0.3045
RFQ
 ECAD 7104 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25VE20 闪光灯 -也不 2.1v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 20,000 104 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25LB64ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB64Sigr 0.8045
RFQ
 ECAD 5543 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LB 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop 下载 1970-GD25LB64 ESIGRTR 2,000 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25LE128EQEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE128EQEGR 1.9780
RFQ
 ECAD 4946 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-xdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson （4x4） 下载 1970-GD25LE128EQEGRTTR 3,000 133 MHz 非易失性 128mbit 6 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 100µs，4ms
GD25Q20CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q20CTIG 0.2564
RFQ
 ECAD 8326 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25Q20 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 20,000 120 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25LQ40CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ40CTIGR 0.5000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25LQ40 闪光灯 -也不 1.65v〜2.1V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD9FU2G6F2AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FU2G6F2AMGI 4.7034
RFQ
 ECAD 6944 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD9F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 48-tfsop （0.724英寸，18.40mm） Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 48-tsop i 下载 1970-GD9FU2G6F2AMGI 960 非易失性 2Gbit 18 ns 闪光 128m x 16 onfi 20NS
GD25LT256EBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT256EBIRY 3.1800
RFQ
 ECAD 5306 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-TBGA GD25LT256 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 24-tfbga（6x8） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 4,800 200 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25LQ16CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16CTIGR 0.6100
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25LQ16 闪光灯 -也不 1.65v〜2.1V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25Q40CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q40CTIG -
RFQ
 ECAD 3395 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25Q40 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 20,000 104 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25LQ20EEAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ20EEAGR 0.6080
RFQ
 ECAD 7088 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x2） - 1970-GD25LQ20EEAGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 2Mbit 6 ns 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 100µs，4ms
GD25Q256EYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q256EYIGY 2.2630
RFQ
 ECAD 6652 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD25Q256EYIGY 4,800 133 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25LD80CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD80CTIG -
RFQ
 ECAD 1510 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25LD80 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 20,000 50 MHz 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 spi-双i/o 60µs，6ms
GD25Q127CYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q127 Coigr 2.1900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD25Q127 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 12µs，2.4ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭