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（ICS）（847）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词，页面，页面 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GD25Q64EGR | 0.8424 |  | 6746 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25Q | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-wson（6x8） | 下载 | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 64mbit | 7 ns | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 70µs，2.4ms | ||||||||
| GD25LX512Mebiry | 6.3271 | | 6051 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LX | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 24-TBGA | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 24-tfbga（6x8） | - | 1970-GD25LX512Mebiry | 4,800 | 200 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi-八分之一，Dtr | - | ||||||||
| GD9FS2G8F2AMGI | 4.7315 | | 6368 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD9F | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 48-tfsop （0.724英寸，18.40mm） | Flash -nand（slc） | 1.7V〜1.95V | 48-tsop i | 下载 | 1970-GD9FS2G8F2AMGI | 960 | 非易失性 | 2Gbit | 20 ns | 闪光 | 256m x 8 | onfi | 25ns | ||||||||
| GD25LQ255EGREGR | 2.1896 | | 4579 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LQ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 8-wson（6x8） | 下载 | 1970-GD25LQ255Eyigrtr | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI | - | ||||||||
| GD25D20EIGR | 0.2865 | | 1849年 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25D | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-uson（3x2） | 下载 | 1970-GD25D20EIGRTR | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 2Mbit | 6 ns | 闪光 | 256K x 8 | spi-双i/o | 50µs，4ms | |||||||
| GD25B256WIGY | 2.3163 | | 5527 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25B | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-wson（5x6） | 下载 | 1970-GD25B256WIGY | 5,700 | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | |||||||||
| GD25WQ80EGR | 0.4242 | | 3203 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25WQ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | 闪存-SLC） | 1.65V〜3.6V | 8-sop | 下载 | 1970-GD25WQ80ETIGRTR | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 8mbit | 12 ns | 闪光 | 1m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 120µs，4ms | |||||||
| GD55LB02GEBJRY | 22.0514 | | 5849 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD55磅 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 24-TBGA | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 24-tfbga（6x8） | 下载 | 1970-GD55LB02GEBJRY | 4,800 | 133 MHz | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 256m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI，Dtr | - | ||||||||
| GD9FU4G8F2AMGI | 7.0543 | | 7078 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD9F | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 48-tfsop （0.724英寸，18.40mm） | Flash -nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | 下载 | 1970-GD9FU4G8F2AMGI | 960 | 非易失性 | 4Gbit | 18 ns | 闪光 | 512m x 8 | onfi | 20NS | ||||||||
 | GD25LX256EBIRY | 5.4200 | | 4742 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 24-TBGA | GD25LX256 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜2V | 24-tfbga（6x8） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 4,800 | 200 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | spi -octal I/o | - | |||
| GD25Q128FIRR | 1.3327 | | 4318 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25Q | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 16 SOP | 下载 | 1970-GD25Q128 FEFIRRTR | 1,000 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 7 ns | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 70µs，2.4ms | |||||||
 | gd25q16csigr | 0.8200 | | 40 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | GD25Q16 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 120 MHz | 非易失性 | 16mbit | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs，2.4ms | |||
 | GD25Q256DFIGR | 3.8200 | | 3 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 不适合新设计 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） | GD25Q256 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 16 SOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 104 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs，2.4ms | |||
| GD25Q322摄氏 | 0.9100 | | 5 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | GD25Q32 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 7 ns | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 70µs，2.4ms | ||
| GD25Ve40Ctigr | - | | 2992 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 在sic中停产 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | GD25VE40 | 闪光灯 -也不 | 2.1v〜3.6V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 闪光 | 512k x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | |||
| GD25LD11分数 | 0.2564 | | 6212 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | GD25LD10 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜2V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 50 MHz | 非易失性 | 1Mbit | 闪光 | 128K x 8 | spi-双i/o | 55µs，6ms | |||
| GD25WD20CTIGR | 0.2885 | | 3170 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | GD25WD20 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜3.6V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 非易失性 | 2Mbit | 闪光 | 256K x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | ||||
| GD25LQ32DQIGR | - | | 6828 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-xdfn暴露垫 | GD25LQ32 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜2V | 8-uson （4x4） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,000 | 120 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 2.4ms | |||
| GD25B256EBIRY | 2.3163 | | 1310 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25B | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 24-TBGA | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga（6x8） | 下载 | 1970-GD25B256EBIRY | 4,800 | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | |||||||||
| gd9fu2g8f3algi | 4.5698 | | 4053 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD9F | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 63-VFBGA | Flash -nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 63-fbga（9x11） | 下载 | 1970-GD9FU2G8F3ALGI | 2,100 | 非易失性 | 2Gbit | 18 ns | 闪光 | 256m x 8 | 平行线 | 20NS | ||||||||
| GD25Q128ESJGR | 1.3832 | | 3159 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25Q | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-sop | 下载 | 1970-GD25Q128ESJGRTR | 2,000 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 7 ns | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 140µs，4ms | |||||||
| GD25LE128WIGR | 1.4109 | | 2739 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LE | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 8-wson（5x6） | 下载 | 1970-GD25LE128WIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 6 ns | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI | 60µs，2.4ms | |||||||
| GD55LE511MEYIGR | 4.3805 | | 6491 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | - | 1970-GD55LE511MEYIGRTR | 3,000 | |||||||||||||||||||||
| GD55LB01GEYIGY | 8.5414 | | 9648 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD55磅 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 8-wson（6x8） | 下载 | 1970-GD55LB01GEYIGY | 4,800 | 166 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 6 ns | 闪光 | 128m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI，Dtr | 70µs，1.2ms | |||||||
| GD25Q40EKIGR | 0.3676 | | 5568 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25Q | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-uson（1.5x1.5） | 下载 | 1970-GD25Q40EKIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 7 ns | 闪光 | 512k x 8 | Spi -Quad I/O。 | 70µs，2ms | |||||||
| GD25LB16ETIGR | 0.5242 | | 10000 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LB | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | 闪存-SLC） | 1.65v〜2.1V | 8-sop | 下载 | 1970-GD25LB16ETIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 16mbit | 6 ns | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI | 60µs，2.4ms | |||||||
| GD25WQ128EQIGR | 1.4385 | | 9818 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25WQ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-xdfn暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65V〜3.6V | 8-uson （4x4） | 下载 | 1970-GD25WQ128EQIGRTR | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 128mbit | 8 ns | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 120µs，4ms | |||||||
| GD25LD80CSIGR | 0.3549 | | 8832 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | GD25LD80 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜2V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 50 MHz | 非易失性 | 8mbit | 闪光 | 1m x 8 | spi-双i/o | 60µs，6ms | |||
| GD25Q16CSIG | 0.3366 | | 2646 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 管子 | 不适合新设计 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | GD25Q16 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 9,500 | 120 MHz | 非易失性 | 16mbit | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs，2.4ms | |||
| GD25LE128E3IRR | 1.4524 | | 5134 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LE | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 26-XFBGA，WLCSP | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 26-WLCSP | - | 1970-GD25LE128E3IRRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 6 ns | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI | 60µs，2.4ms |
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