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（ICS）（847）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词，页面，页面
GD9FS8G8E2AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FS8G8E2AMGI 14.9396
RFQ
 ECAD 3046 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD9F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 48-tfsop （0.724英寸，18.40mm） Flash -nand（slc） 1.7V〜1.95V 48-tsop i 下载 1970-GD9FS8G8E2AMGI 960 非易失性 8Gbit 22 ns 闪光 1G x 8 onfi 25ns
GD25LB256EFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB256FIRR 2.4606
RFQ
 ECAD 7001 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LB 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 16 SOP 下载 1970-GD25LB256FIRRTR 1,000 166 MHz 非易失性 256Mbit 6 ns 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 70µs，1.2ms
GD25LB512MEY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB512MEY2GY 7.1953
RFQ
 ECAD 5315 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LB 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（6x8） - 1970-GD25LB512MEY2GY 4,800 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25WQ80ETJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ80ETJGR 0.5242
RFQ
 ECAD 9287 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25WQ80ETJGRTR 3,000 84 MHz 非易失性 8mbit 12 ns 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 240µs，8ms
GD25B256EFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B256FIRR 2.4461
RFQ
 ECAD 8258 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25B 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 16 SOP 下载 1970-GD25B256FIRRTR 1,000 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25LQ32DWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32DWIGR 0.8494
RFQ
 ECAD 7584 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD25LQ32 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-wson（5x6） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 2.4ms
GD25WB256EYJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25wb256eyjgr 2.9601
RFQ
 ECAD 2941 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WB 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD25WB256EYJGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 256Mbit 7.5 ns 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 300µs，8ms
GD25Q20CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q20CSIG -
RFQ
 ECAD 6991 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25Q20 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 9,500 120 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25LQ32EWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32WIGY 0.6760
RFQ
 ECAD 2202 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD25LQ32WIGY 5,700 133 MHz 非易失性 32Mbit 6 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25LQ64CQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64CQIGR -
RFQ
 ECAD 9390 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xdfn暴露垫 GD25LQ64 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-uson （4x4） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 2.4ms
GD25LQ64CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64CSIGR 1.4100
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25LQ64 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 120 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 2.4ms
GD25LR256EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LR256EWIGR 2.8079
RFQ
 ECAD 7360 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LR 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（5x6） - 1970-GD25LR256WIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 256Mbit 9 ns 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 70µs，1.2ms
GD25LQ40CE2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ40CE2GR 0.6222
RFQ
 ECAD 2683 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65v〜2.1V 8-uson（3x2） - 1970-GD25LQ40CE2GRTR 3,000 90 MHz 非易失性 4Mbit 7 ns 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 80µs，3ms
GD25LR256EB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LR256EB2RY 4.2826
RFQ
 ECAD 6794 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LR 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 1.65V〜2V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD25LR256EB2RY 4,800 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25Q20EEAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q20EEAGR 0.5656
RFQ
 ECAD 4992 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-uson（3x2） - 1970-GD25Q20EEAGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 2Mbit 7 ns 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD25LB512MEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB512MEYIGY 4.5752
RFQ
 ECAD 9443 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LB 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD25LB512MEYIGY 4,800 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25LQ128DS2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128DS2GR 2.0015
RFQ
 ECAD 7643 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop - 1970-GD25LQ128DS2GRTR 2,000 104 MHz 非易失性 128mbit 6 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 2.4ms
GD25LQ32EQEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32EQEGR 0.9828
RFQ
 ECAD 3861 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-xdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson （4x4） 下载 1970-GD25LQ32Eqegrtr 3,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 6 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 100µs，4ms
GD25LQ128EFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128FIRR 1.4778
RFQ
 ECAD 3146 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 16 SOP 下载 1970-GD25LQ128 Efirrtr 1,000 120 MHz 非易失性 128mbit 6 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 60µs，2.4ms
GD25B128EYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B128EYIGY 1.2709
RFQ
 ECAD 5180 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25B 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD25B128EYIGY 4,800 133 MHz 非易失性 128mbit 7 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2.4ms
GD25WD20EKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25wd20ekigr 0.3167
RFQ
 ECAD 1678年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WD 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-uson（1.5x1.5） 下载 1970-GD25WD20EKIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 2Mbit 6 ns 闪光 256K x 8 spi-双i/o 100µs，6ms
GD25LE80ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE80SIGR 0.4077
RFQ
 ECAD 1722年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop - 1970-GD25LE80ESIGRTR 2,000 133 MHz 非易失性 8mbit 6 ns 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD9FU1G8F2DMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd9fu1g8f2dmgi 2.3296
RFQ
 ECAD 1747年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD9F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 48-tfsop （0.724英寸，18.40mm） Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 48-tsop i 下载 1970-GD9FU1G8F2DMGI 960 非易失性 1Gbit 9 ns 闪光 128m x 8 onfi 12ns，600µs
GD25WQ64ENEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ64ENEGR 1.2544
RFQ
 ECAD 1709年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-uson（3x4） 下载 1970-GD25WQ64ENEGRTR 3,000 84 MHz 非易失性 64mbit 12 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 240µs，8ms
GD25LQ128DW2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128DW2GR 2.2408
RFQ
 ECAD 8751 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（5x6） - 1970-GD25LQ128DW2GRTR 3,000 104 MHz 非易失性 128mbit 6 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 2.4ms
GD5F2GQ5UEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5UEYIGY 3.9235
RFQ
 ECAD 6089 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD5F2GQ5UEYIGY 4,800 104 MHz 非易失性 2Gbit 9 ns 闪光 256m x 8 Spi -Quad I/O。 600µs
GD25B512MEYJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25b512meyjgr 5.0813
RFQ
 ECAD 7468 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25B 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD25B512MEYJGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD5F2GQ5UEYJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5UEYJGR 4.6874
RFQ
 ECAD 6614 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD5F2GQ5UEYJGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 2Gbit 9 ns 闪光 256m x 8 Spi -Quad I/O。 600µs
GD25WB256EYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25wb256eyigy 2.2883
RFQ
 ECAD 2561 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WB 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD25WB256EYIGY 4,800 104 MHz 非易失性 256Mbit 7.5 ns 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 150µs，4ms
GD25WQ40EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ40EIGR 0.4222
RFQ
 ECAD 3181 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-uson（3x2） 下载 1970-GD25WQ40EEIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 4Mbit 7 ns 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 120µs，4ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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