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（ICS）（848）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词，页面，页面
GD25Q20COIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q20Coigr -
RFQ
 ECAD 7018 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） GD25Q20 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-tssop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25B32EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B32WIGR 0.7134
RFQ
 ECAD 9009 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25B 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD25B32Wigrtr 3,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 7 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2.4ms
GD5F1GQ4UFYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f1gq4ufyigy -
RFQ
 ECAD 2993 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD5F1GQ4 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 120 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O。 700µs
GD25LQ40EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ40EIGR 0.3818
RFQ
 ECAD 4285 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x2） 下载 1970-GD25LQ40EEIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 4Mbit 6 ns 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 60µs，2.4ms
GD25LQ32ENEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32Enegr 0.9545
RFQ
 ECAD 9190 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x4） 下载 1970-GD25LQ32Enegrtr 3,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 6 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 100µs，4ms
GD25LQ80CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ80CSIG 0.3752
RFQ
 ECAD 2893 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25LQ80 闪光灯 -也不 1.65v〜2.1V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 9,500 104 MHz 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25Q80ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80ENERGR 0.4242
RFQ
 ECAD 5279 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-uson（3x4） 下载 1970-GD25Q80ENIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 8mbit 7 ns 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2ms
GD25D10CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D10Ceigr 0.2564
RFQ
 ECAD 9121 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25D10 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-uson（2x3） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 100 MHz 非易失性 1Mbit 闪光 128K x 8 spi-双i/o 50µs，4ms
GD25Q16ESJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16ESJGR 0.5515
RFQ
 ECAD 1990 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25Q16ESJGRTR 2,000 133 MHz 非易失性 16mbit 7 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD5F1GQ4UFYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f1gq4ufyigr 4.8400
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD5F1GQ4 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O。 700µs
GD25Q40CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q40CSIG -
RFQ
 ECAD 4223 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25Q40 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 9,500 104 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25WD10CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD10CTIG -
RFQ
 ECAD 5574 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25WD10 闪光灯 -也不 1.65V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 20,000 非易失性 1Mbit 闪光 128K x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25LQ32EQEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32EQEGR 0.9828
RFQ
 ECAD 3861 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-xdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson （4x4） 下载 1970-GD25LQ32Eqegrtr 3,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 6 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 100µs，4ms
GD5F1GQ4RF9IGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ4RF9IGR -
RFQ
 ECAD 8267 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-vlga裸露的垫子 GD5F1GQ4 闪存-NAND 1.7V〜2V 8-LGA（6x8） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O。 700µs
GD5F1GQ5UEYIHR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5UEYIHR 2.3508
RFQ
 ECAD 9700 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） - 1970-GD5F1GQ5UEYIHRTR 3,000 133 MHz 非易失性 1Gbit 7 ns 闪光 256m x 4 Spi -Quad I/O，Dtr 600µs
GD25WQ64ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ64Sigr 1.3900
RFQ
 ECAD 3498 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 2,000 104 MHz 非易失性 64mbit 12 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 120µs，4ms
GD25LQ128DS2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128DS2GR 2.0015
RFQ
 ECAD 7643 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop - 1970-GD25LQ128DS2GRTR 2,000 104 MHz 非易失性 128mbit 6 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 2.4ms
GD25LQ64ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64enigr 0.8986
RFQ
 ECAD 2770 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x4） 下载 1970-GD25LQ64ENIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25LQ40EKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ40EKIGR 0.4222
RFQ
 ECAD 9794 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（1.5x1.5） 下载 1970-GD25LQ40EKIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 4Mbit 6 ns 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 60µs，2.4ms
GD25Q16ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16季度 0.7100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25Q16 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 133 MHz 非易失性 16mbit 7 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2ms
GD25LQ64ENJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64ENJGR 1.0811
RFQ
 ECAD 2294 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x4） 下载 1970-GD25LQ64ENJGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25LD05CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD05CTIGR 0.2404
RFQ
 ECAD 1201 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25LD05 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 50 MHz 非易失性 512kbit 闪光 64k x 8 spi-双i/o 55µs，6ms
GD25Q64CFIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64CFIGR 1.0164
RFQ
 ECAD 7769 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） GD25Q64 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 16 SOP 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 120 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25Q256EBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q256EBIRY 2.2897
RFQ
 ECAD 3527 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） 下载 1970-GD25Q256EBIRY 4,800 133 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD55LT01GEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LT01GEB2RY 16.0875
RFQ
 ECAD 1948年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55LT 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 1.65V〜2V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD55LT01GEB2RY 4,800 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25Q16ETEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16ETEGR 0.6552
RFQ
 ECAD 3651 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25Q16ETEGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 16mbit 7 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD5F4GM8UEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GM8UEYIGY 5.5550
RFQ
 ECAD 3581 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD5F4GM8UEYIGY 4,800 133 MHz 非易失性 4Gbit 7 ns 闪光 1G x 4 Spi -Quad I/O，Dtr 600µs
GD25Q64EFIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64 Fefigr 0.8641
RFQ
 ECAD 2311 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 16 SOP 下载 1970-GD25Q64 Fefigrtr 1,000 133 MHz 非易失性 64mbit 7 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2.4ms
GD55LB01GEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LB01GEBIRY 8.5364
RFQ
 ECAD 1428 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55磅 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 1.65V〜2V 24-tfbga（6x8） 下载 1970-GD55LB01GEBIRY 4,800 166 MHz 非易失性 1Gbit 6 ns 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 70µs，1.2ms
GD25F64FWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F64FWIGR 0.9688
RFQ
 ECAD 5581 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25F 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） - 1970-GD25F64FWIGRTR 3,000 200 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，Dtr -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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