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![]() | GD5F2GQ4RF9IGY | - | ![]() | 6035 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-vlga裸露的垫子 | GD5F2GQ4 | 闪存-NAND | 1.7V〜2V | 8-LGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,800 | 120 MHz | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 256m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 700µs | |||
GD25LQ20Coigr | - | ![]() | 1997 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) | GD25LQ20 | 闪光灯 -也不 | 1.65v〜2.1V | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 2Mbit | 闪光 | 256K x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs,2.4ms | ||||
![]() | GD25Q16CSJGR | 0.6937 | ![]() | 9373 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | GD25Q16 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 120 MHz | 非易失性 | 16mbit | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs,2.4ms | |||
![]() | GD25R128Egrigr | 1.6388 | ![]() | 3645 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25R | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 8-wson(6x8) | - | 1970-GD25R128EGRTR | 3,000 | 200 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | ||||||||
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![]() | GD25LQ80CEIGR | - | ![]() | 4175 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | GD25LQ80 | 闪光灯 -也不 | 1.65v〜2.1V | 8-uson(2x3) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 8mbit | 闪光 | 1m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs,2.4ms | |||
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![]() | GD25LQ128DWIGR | 2.2900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | GD25LQ128 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜2V | 8-wson(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,000 | 120 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 2.4ms | |||
![]() | GD25LQ16enagr | 1.0670 | ![]() | 2163 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25LQ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-udfn裸露的垫子 | 闪存-SLC) | 1.65v〜2.1V | 8-uson(3x4) | - | 1970-GD25LQ16ENAGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 16mbit | 6 ns | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | 100µs,4ms | |||||||
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![]() | gd9fs1g8f3algi | 2.6557 | ![]() | 4718 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | - | 托盘 | 积极的 | - | 1970-GD9FS1G8F3ALGI | 2,100 | |||||||||||||||||||||
![]() | gd25le80etigr | 0.3959 | ![]() | 1385 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25LE | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 闪存-SLC) | 1.65V〜2V | 8-sop | 下载 | 1970-GD25LE80ETIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 8mbit | 6 ns | 闪光 | 1m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | 60µs,2.4ms | |||||||
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![]() | GD25D40CKIGR | 0.3368 | ![]() | 1826年 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25D | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 8-uson(1.5x1.5) | 下载 | 1970-GD25D40CKIGRTR | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 6 ns | 闪光 | 512k x 8 | spi-双i/o | 50µs,4ms | |||||||
![]() | GD25LX512MEB2RY | 10.5735 | ![]() | 4718 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25LX | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | 闪存-SLC) | 1.65V〜2V | 24-tfbga(6x8) | - | 1970-GD25LX512MEB2RY | 4,800 | 200 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi-八分之一,Dtr | - | ||||||||
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![]() | GD25LE64 Esigy | 0.8284 | ![]() | 5971 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25LE | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | 闪存-SLC) | 1.65V〜2V | 8-sop | 下载 | 1970-GD25LE64 | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 64mbit | 6 ns | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | 60µs,2.4ms | |||||||
![]() | GD25R64Sigr | 1.1044 | ![]() | 1322 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25R | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 8-sop | - | 1970-GD25R64 Esigrtr | 2,000 | 200 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | ||||||||
![]() | GD25Q32CSJG | - | ![]() | 4813 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | GD25Q32 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 9,500 | 120 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs,2.4ms | |||
![]() | GD25WD20CKIGR | 0.3619 | ![]() | 9413 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25WD | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | 闪存-SLC) | 1.65V〜3.6V | 8-uson(1.5x1.5) | 下载 | 1970-GD25WD20CKIGRTR | 3,000 | 100 MHz | 非易失性 | 2Mbit | 12 ns | 闪光 | 256K x 8 | spi-双i/o | 97µs,6ms | |||||||
![]() | GD25LQ16LIGR | 0.7052 | ![]() | 3049 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-XFBGA,WLCSP | GD25LQ16 | 闪光灯 -也不 | 1.65v〜2.1V | 8-wlcsp | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 16mbit | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs,2.4ms |
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