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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
GD25LD20CUIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD20座席 -
RFQ
ECAD 7417 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25LD20 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-uson(2x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 50 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 spi-双i/o 97µs,6ms
GD55LE511MEWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LE511MEWIGR 4.3329
RFQ
ECAD 6027 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 1970-GD55LE511-MEWIGRTR 3,000
GD25LB256ELIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB256Eligr 2.6281
RFQ
ECAD 7016 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25LB 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 32-XFBGA,WLCSP 闪存-SLC) 1.65V〜2V 32-wlcsp 下载 1970-GD25LB256ELIGRTR 3,000 166 MHz 非易失性 256Mbit 6 ns 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 70µs,1.2ms
GD25Q64ETIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25q64etigy 0.7441
RFQ
ECAD 3710 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25Q 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25Q64ETIGY 4,320 133 MHz 非易失性 64mbit 7 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs,2.4ms
GD25B512MEY2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B512MEY2GR 6.5028
RFQ
ECAD 1666年 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25B 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 8-wson(6x8) - 1970-GD25B512MEY2GRTR 3,000 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr -
GD25B16EEAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B16EEAGR 0.8845
RFQ
ECAD 5550 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25B 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 8-uson(3x2) - 1970-GD25B16EEAGRTR 3,000 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25Q80CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80CTIG 0.3045
RFQ
ECAD 6659 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 管子 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) GD25Q80 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 20,000 120 MHz 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
GD25VQ16CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ16CTIGR -
RFQ
ECAD 5684 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) GD25VQ16 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,3ms
GD5F2GQ4RF9IGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ4RF9IGY -
RFQ
ECAD 6035 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-vlga裸露的垫子 GD5F2GQ4 闪存-NAND 1.7V〜2V 8-LGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 120 MHz 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 Spi -Quad I/O。 700µs
GD25LQ20COIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ20Coigr -
RFQ
ECAD 1997 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) GD25LQ20 闪光灯 -也不 1.65v〜2.1V 8-tssop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
GD25Q16CSJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16CSJGR 0.6937
RFQ
ECAD 9373 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) GD25Q16 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 120 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
GD25R128EYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25R128Egrigr 1.6388
RFQ
ECAD 3645 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25R 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 8-wson(6x8) - 1970-GD25R128EGRTR 3,000 200 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25LE64ELIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE64 ELIGR 0.9266
RFQ
ECAD 4265 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25LE 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-XFBGA,WLCSP 闪存-SLC) 1.65V〜2V 16-wlcsp 下载 1970-GD25LE64ELIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O,QPI 60µs,2.4ms
GD25LX256EB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LX256EB2RY 5.3333
RFQ
ECAD 1633年 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25LX 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC) 1.65V〜2V 24-tfbga(6x8) - 1970-GD25LX256EB2RY 4,800 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi-八分之一,Dtr -
GD25LQ80CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ80CEIGR -
RFQ
ECAD 4175 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25LQ80 闪光灯 -也不 1.65v〜2.1V 8-uson(2x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
GD25Q32CHIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CHIGR -
RFQ
ECAD 8915 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-UFDFN暴露垫 GD25Q32 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-uson (3x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
GD25LQ128DWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128DWIGR 2.2900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD25LQ128 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-wson(5x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 2.4ms
GD25LQ16ENAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16enagr 1.0670
RFQ
ECAD 2163 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25LQ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC) 1.65v〜2.1V 8-uson(3x4) - 1970-GD25LQ16ENAGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 16mbit 6 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O,QPI 100µs,4ms
GD25B16CSAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B16CSAGR 0.9266
RFQ
ECAD 2242 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25B 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 8-sop - 1970-GD25B16CSAGRTR 2,000 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD9FS1G8F3ALGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd9fs1g8f3algi 2.6557
RFQ
ECAD 4718 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 托盘 积极的 - 1970-GD9FS1G8F3ALGI 2,100
GD25LE80ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25le80etigr 0.3959
RFQ
ECAD 1385 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25LE 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) 闪存-SLC) 1.65V〜2V 8-sop 下载 1970-GD25LE80ETIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 8mbit 6 ns 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O,QPI 60µs,2.4ms
GD25LQ64ES2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64ES2GR 1.2272
RFQ
ECAD 9109 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25LQ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) 闪存-SLC) 1.65V〜2V 8-sop - 1970-GD25LQ64ES2GRTR 2,000 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O,QPI 60µs,2.4ms
GD25D40CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D40CKIGR 0.3368
RFQ
ECAD 1826年 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25D 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 8-uson(1.5x1.5) 下载 1970-GD25D40CKIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 4Mbit 6 ns 闪光 512k x 8 spi-双i/o 50µs,4ms
GD25LX512MEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LX512MEB2RY 10.5735
RFQ
ECAD 4718 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25LX 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC) 1.65V〜2V 24-tfbga(6x8) - 1970-GD25LX512MEB2RY 4,800 200 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi-八分之一,Dtr -
GD9FS4G8F3AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FS4G8F3AMGI 6.9852
RFQ
ECAD 8654 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD9F 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) Flash -nand(slc) 1.7V〜1.95V 48-tsop i 下载 1970-GD9FS4G8F3AMGI 960 非易失性 4Gbit 22 ns 闪光 512m x 8 onfi 25ns
GD25LE64ESIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE64 Esigy 0.8284
RFQ
ECAD 5971 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25LE 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) 闪存-SLC) 1.65V〜2V 8-sop 下载 1970-GD25LE64 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O,QPI 60µs,2.4ms
GD25R64ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25R64Sigr 1.1044
RFQ
ECAD 1322 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25R 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 8-sop - 1970-GD25R64 Esigrtr 2,000 200 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25Q32CSJG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CSJG -
RFQ
ECAD 4813 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 管子 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) GD25Q32 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 9,500 120 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
GD25WD20CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD20CKIGR 0.3619
RFQ
ECAD 9413 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25WD 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC) 1.65V〜3.6V 8-uson(1.5x1.5) 下载 1970-GD25WD20CKIGRTR 3,000 100 MHz 非易失性 2Mbit 12 ns 闪光 256K x 8 spi-双i/o 97µs,6ms
GD25LQ16LIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16LIGR 0.7052
RFQ
ECAD 3049 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-XFBGA,WLCSP GD25LQ16 闪光灯 -也不 1.65v〜2.1V 8-wlcsp 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库