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（ICS）（847）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词，页面，页面
GD25Q20ETJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q20ETJGR 0.3468
RFQ
 ECAD 7610 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25Q20ETJGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 2Mbit 7 ns 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD25Q32CSJG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CSJG -
RFQ
 ECAD 4813 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25Q32 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 9,500 120 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25WQ32ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ32移民 1.1100
RFQ
 ECAD 8604 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 2,000 104 MHz 非易失性 32Mbit 8 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 120µs，4ms
GD25WQ64ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ64enigr 0.8999
RFQ
 ECAD 8486 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-uson（3x4） 下载 1970-GD25WQ64Enigrtr 3,000 104 MHz 非易失性 64mbit 12 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 120µs，4ms
GD25LQ255EBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ255EBIRY 2.2364
RFQ
 ECAD 6673 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 1.65V〜2V 24-tfbga（6x8） 下载 1970-GD25LQ255EBIRY 4,800 133 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O，QPI -
GD5F2GQ5REY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f2gq5rey2gy 6.4904
RFQ
 ECAD 4881 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 1.7V〜2V 8-wson（6x8） - 1970-GD5F2GQ5REY2GY 4,800 80 MHz 非易失性 2Gbit 11 ns 闪光 512m x 4 Spi -Quad I/O，Dtr 600µs
GD9FU4G8F2ALGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd9fu4g8f2algi 6.7226
RFQ
 ECAD 1834年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 托盘 积极的 下载 1970-GD9FU4G8F2ALGI 2,100
GD25LQ64CWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64CWIGR 1.5800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD25LQ64 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-wson（5x6） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 2.4ms
GD25B512MEYEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B512MEYEGR 6.0164
RFQ
 ECAD 5649 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25B 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD25B512MEYEGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25Q127CSJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q127CSJGR -
RFQ
 ECAD 4258 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25Q127 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 104 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 12µs，2.4ms
GD25VQ20CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ20分数 -
RFQ
 ECAD 6230 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25VQ20 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，3ms
GD25WD20ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25wd20etigr 0.2490
RFQ
 ECAD 4515 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WD 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25WD20ETIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 2Mbit 6 ns 闪光 256K x 8 spi-双i/o 100µs，6ms
GD25S512MDBIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25S512MDBIGY -
RFQ
 ECAD 3215 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-TBGA GD25S512 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 104 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25LQ32EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32EIGR 0.7020
RFQ
 ECAD 8164 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x2） 下载 1970-GD25LQ32EEIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 6 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25F256FW2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F256FW2GY 3.6402
RFQ
 ECAD 3845 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25F 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） - 1970-GD25F256FW2GY 5,700 200 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25LQ20CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ20Ceigr -
RFQ
 ECAD 2521 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25LQ20 闪光灯 -也不 1.65v〜2.1V 8-uson（2x3） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25WD05CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD05CEIGR 0.2885
RFQ
 ECAD 1652 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25WD05 闪光灯 -也不 1.65V〜3.6V 8-uson（2x3） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 100 MHz 非易失性 512kbit 闪光 64k x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25LQ128DSAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128DSAGR 2.3653
RFQ
 ECAD 9810 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop - 1970-GD25LQ128DSAGRTR 2,000 104 MHz 非易失性 128mbit 6 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 4ms
GD25Q80ES2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80ES2GR 0.5090
RFQ
 ECAD 5610 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop - 1970-GD25Q80ES2GRTR 2,000 133 MHz 非易失性 8mbit 7 ns 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD25VQ40CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ40CTIG 0.3366
RFQ
 ECAD 3374 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25VQ40 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 20,000 104 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，3ms
GD25B64EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25b64 wigr 1.4100
RFQ
 ECAD 2128 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 7 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2.4ms
GD9FS1G8F2DMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FS1G8F2DMGI 2.3472
RFQ
 ECAD 5433 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD9F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 48-tfsop （0.724英寸，18.40mm） Flash -nand（slc） 1.7V〜1.95V 48-tsop i 下载 1970-GD9FS1G8F2DMGI 960 非易失性 1Gbit 16 ns 闪光 128m x 8 onfi 20n，600µs
GD25LQ32DSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32DSIG 0.5485
RFQ
 ECAD 1330 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25LQ32 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 9,500 120 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 2.4ms
GD25WD40CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD40CEIGR 0.3752
RFQ
 ECAD 7679 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25WD40 闪光灯 -也不 1.65V〜3.6V 8-uson（2x3） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25T512MEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25T512MEYIGR 5.2458
RFQ
 ECAD 5902 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25T 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） - 1970-GD25T512Meyigrtr 3,000 200 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O，Dtr -
GD25LH32ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LH32enigr 0.7301
RFQ
 ECAD 2833 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 1970-GD25LH32enigrtr 3,000
GD5F2GQ5RFBIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5RFBIGY 4.3225
RFQ
 ECAD 7761 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 托盘 积极的 - 1970-GD5F2GQ5RFBIGY 4,800
GD25LE32ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25le32enigr 0.7090
RFQ
 ECAD 6615 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x4） 下载 1970-GD25LE32enigrtr 3,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 6 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD5F1GQ5REY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5REY2GY 3.7639
RFQ
 ECAD 1158 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 1.7V〜2V 8-wson（6x8） - 1970-GD5F1GQ5REY2GY 4,800 104 MHz 非易失性 1Gbit 9.5 ns 闪光 256m x 4 Spi -Quad I/O，Dtr 600µs
GD25Q32CHIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CHIGR -
RFQ
 ECAD 8915 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-UFDFN暴露垫 GD25Q32 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-uson （3x3） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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