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（ICS）（847）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词，页面，页面
GD25Q16ETJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16ETJGR 0.5515
RFQ
 ECAD 7734 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 1970-GD25Q16ETJGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 16mbit 7 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD25LQ40ET2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ40ET2GY 0.5373
RFQ
 ECAD 4717 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop - 1970-GD25LQ40ET2GY 4,320 133 MHz 非易失性 4Mbit 6 ns 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 60µs，2.4ms
GD25VQ16CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ16CTIGR -
RFQ
 ECAD 5684 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25VQ16 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，3ms
GD5F2GQ4RF9IGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ4RF9IGY -
RFQ
 ECAD 6035 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 托盘 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-vlga裸露的垫子 GD5F2GQ4 闪存-NAND 1.7V〜2V 8-LGA（6x8） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 120 MHz 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 Spi -Quad I/O。 700µs
GD25Q16CSJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16CSJGR 0.6937
RFQ
 ECAD 9373 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25Q16 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 120 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25R128EYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25R128Egrigr 1.6388
RFQ
 ECAD 3645 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25R 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） - 1970-GD25R128EGRTR 3,000 200 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25LE64ELIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE64 ELIGR 0.9266
RFQ
 ECAD 4265 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-XFBGA，WLCSP 闪存-SLC） 1.65V〜2V 16-wlcsp 下载 1970-GD25LE64ELIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD55T02GEBARY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55T02GEBARY 39.0754
RFQ
 ECAD 6092 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55T 托盘 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD55T02GEBARY 4,800 200 MHz 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 Spi -Quad I/O，Dtr -
GD25LQ40EEAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ40EEAGR 0.6929
RFQ
 ECAD 8244 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x2） - 1970-GD25LQ40EEAGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 4Mbit 6 ns 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 100µs，4ms
GD25LX256EB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LX256EB2RY 5.3333
RFQ
 ECAD 1633年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LX 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 1.65V〜2V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD25LX256EB2RY 4,800 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi-八分之一，Dtr -
GD25LQ80CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ80CEIGR -
RFQ
 ECAD 4175 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25LQ80 闪光灯 -也不 1.65v〜2.1V 8-uson（2x3） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25LQ16ENAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16enagr 1.0670
RFQ
 ECAD 2163 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 1.65v〜2.1V 8-uson（3x4） - 1970-GD25LQ16ENAGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 16mbit 6 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 100µs，4ms
GD25B16CSAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B16CSAGR 0.9266
RFQ
 ECAD 2242 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25B 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop - 1970-GD25B16CSAGRTR 2,000 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD9FS1G8F3ALGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd9fs1g8f3algi 2.6557
RFQ
 ECAD 4718 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 托盘 积极的 - 1970-GD9FS1G8F3ALGI 2,100
GD25LE80ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25le80etigr 0.3959
RFQ
 ECAD 1385 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop 下载 1970-GD25LE80ETIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 8mbit 6 ns 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25LQ64ES2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64ES2GR 1.2272
RFQ
 ECAD 9109 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop - 1970-GD25LQ64ES2GRTR 2,000 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25D40CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D40CKIGR 0.3368
RFQ
 ECAD 1826年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25D 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-uson（1.5x1.5） 下载 1970-GD25D40CKIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 4Mbit 6 ns 闪光 512k x 8 spi-双i/o 50µs，4ms
GD25LX512MEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LX512MEB2RY 10.5735
RFQ
 ECAD 4718 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LX 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 1.65V〜2V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD25LX512MEB2RY 4,800 200 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi-八分之一，Dtr -
GD9FS4G8F3AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FS4G8F3AMGI 6.9852
RFQ
 ECAD 8654 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD9F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 48-tfsop （0.724英寸，18.40mm） Flash -nand（slc） 1.7V〜1.95V 48-tsop i 下载 1970-GD9FS4G8F3AMGI 960 非易失性 4Gbit 22 ns 闪光 512m x 8 onfi 25ns
GD25LB16EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB16EIGR 0.5678
RFQ
 ECAD 6008 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LB 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65v〜2.1V 8-uson（3x2） 下载 1970-GD25LB16Eigrtr 3,000 133 MHz 非易失性 16mbit 6 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25LE16ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25le16etigr 0.5242
RFQ
 ECAD 5143 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop - 1970-GD25LE16ETIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 16mbit 6 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25LE64ESIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE64 Esigy 0.8284
RFQ
 ECAD 5971 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LE 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop 下载 1970-GD25LE64 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25R64ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25R64Sigr 1.1044
RFQ
 ECAD 1322 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25R 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop - 1970-GD25R64 Esigrtr 2,000 200 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD5F4GQ6REY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ6REY2GY 10.6666
RFQ
 ECAD 5405 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 1.7V〜2V 8-wson（6x8） - 1970-GD5F4GQ6REY2GY 4,800 80 MHz 非易失性 4Gbit 11 ns 闪光 1G x 4 Spi -Quad I/O，Dtr 600µs
GD5F2GQ5REYJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5REYJGR 4.9238
RFQ
 ECAD 1026 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 1.7V〜2V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD5F2GQ5REYJGRTR 3,000 80 MHz 非易失性 2Gbit 11 ns 闪光 256m x 8 Spi -Quad I/O。 600µs
GD25WD20CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD20CKIGR 0.3619
RFQ
 ECAD 9413 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WD 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-uson（1.5x1.5） 下载 1970-GD25WD20CKIGRTR 3,000 100 MHz 非易失性 2Mbit 12 ns 闪光 256K x 8 spi-双i/o 97µs，6ms
GD25LD20CUIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD20座席 -
RFQ
 ECAD 7417 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25LD20 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-uson（2x3） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 50 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 spi-双i/o 97µs，6ms
GD25LQ16ETJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16ETJGR 0.6115
RFQ
 ECAD 2224 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 1.65v〜2.1V 8-sop 下载 1970-GD25LQ16ETJGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 16mbit 6 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25LB256ELIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB256Eligr 2.6281
RFQ
 ECAD 7016 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LB 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 32-XFBGA，WLCSP 闪存-SLC） 1.65V〜2V 32-wlcsp 下载 1970-GD25LB256ELIGRTR 3,000 166 MHz 非易失性 256Mbit 6 ns 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 70µs，1.2ms
GD25VQ20CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ20分数 -
RFQ
 ECAD 6230 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25VQ20 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，3ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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