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（ICS）（847）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词，页面，页面
GD25Q64CSJG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64CSJG -
RFQ
 ECAD 5785 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25Q64 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 9,500 120 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25D10CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D10分数 0.3300
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25D10 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 100 MHz 非易失性 1Mbit 闪光 128K x 8 spi-双i/o 50µs，4ms
GD25Q32CVIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CVIGR -
RFQ
 ECAD 1931年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25Q32 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-VSOP 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25VE16CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE16CSIG -
RFQ
 ECAD 8920 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25VE16 闪光灯 -也不 2.1v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 9,500 104 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25F256FBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F256FBIRY 2.3163
RFQ
 ECAD 1615年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD25F256FBIRY 4,800 200 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD55B02GEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55B02GEB2RY 26.6125
RFQ
 ECAD 7728 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55B 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD55B02GEB2RY 4,800 133 MHz 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25VQ16CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ16CTIG -
RFQ
 ECAD 9944 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25VQ16 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 20,000 104 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，3ms
GD25LD80CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD80CEIGR 0.4033
RFQ
 ECAD 9208 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25LD80 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-uson（2x3） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 50 MHz 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 spi-双i/o 60µs，6ms
GD25WD40CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD40CTIG -
RFQ
 ECAD 8082 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25WD40 闪光灯 -也不 1.65V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 20,000 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25LQ32EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32EIGR 0.7020
RFQ
 ECAD 8164 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x2） 下载 1970-GD25LQ32EEIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 6 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD55LB01GEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LB01GEB2RY 13.4000
RFQ
 ECAD 9389 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55磅 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 1.65V〜2V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD55LB01GEB2RY 4,800 166 MHz 非易失性 1Gbit 6 ns 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 140µs，2ms
GD25LH16ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LH16enigr 0.6080
RFQ
 ECAD 6672 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 1970-GD25LH16enigrtr 3,000
GD25LQ16ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16ETIGR 0.8200
RFQ
 ECAD 3644 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 1.65v〜2.1V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3,000 133 MHz 非易失性 16mbit 6 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD5F2GM7REYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f2gm7reyigy 3.6575
RFQ
 ECAD 6597 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 1.7V〜2V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD5F2GM7Reyigy 4,800 104 MHz 非易失性 2Gbit 9 ns 闪光 512m x 4 Spi -Quad I/O，Dtr 600µs
GD25LE64CLIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE64Cligr -
RFQ
 ECAD 6812 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 21-XFBGA，WLSCP GD25LE64 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 21-wlcsp 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 2.4ms
GD5F2GM7REWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GM7REWIGY 3.5981
RFQ
 ECAD 5088 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 1.7V〜2V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD5F2GM7REWIGY 5,700 104 MHz 非易失性 2Gbit 9 ns 闪光 512m x 4 Spi -Quad I/O，Dtr 600µs
GD25LQ128EYJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128EYJGR 1.6598
RFQ
 ECAD 3550 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD25LQ128EYJGRTR 3,000 120 MHz 非易失性 128mbit 6 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 60µs，2.4ms
GD25F256FW2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F256FW2GY 3.6402
RFQ
 ECAD 3845 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25F 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） - 1970-GD25F256FW2GY 5,700 200 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25LE32ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25le32enigr 0.7090
RFQ
 ECAD 6615 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x4） 下载 1970-GD25LE32enigrtr 3,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 6 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25Q64CSJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64CSJGR 1.5500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25Q64 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 120 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25Q256EWJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q256EWJGR 2.8771
RFQ
 ECAD 5497 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD25Q256EWJGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25F128ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F128迁移 1.1590
RFQ
 ECAD 6397 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 1970-GD25F128ESIGRTR 2,000
GD9FU4G8F2ALGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd9fu4g8f2algi 6.7226
RFQ
 ECAD 1834年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 托盘 积极的 下载 1970-GD9FU4G8F2ALGI 2,100
GD25D10CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D10CKIGR 0.2885
RFQ
 ECAD 9673 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25D10 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-uson（1.5x1.5） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 100 MHz 非易失性 1Mbit 闪光 128K x 8 spi-双i/o 50µs，4ms
GD25WD05CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD05CEIGR 0.2885
RFQ
 ECAD 1652 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25WD05 闪光灯 -也不 1.65V〜3.6V 8-uson（2x3） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 100 MHz 非易失性 512kbit 闪光 64k x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25Q127CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q127CSIG 1.2501
RFQ
 ECAD 4780 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25Q127 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 9,500 104 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 12µs，2.4ms
GD25LQ32EN2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32EN2GR 1.1092
RFQ
 ECAD 9037 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x4） - 1970-GD25LQ32EN2GRTR 3,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 6 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25Q32CWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CWIGR 0.8900
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD25Q32 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25LB32ES2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB32ES2GR 0.9968
RFQ
 ECAD 1616年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LB 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop - 1970-GD25LB32ES2GRTR 2,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 6 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25Q40CT2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q40CT2GR 0.4949
RFQ
 ECAD 9389 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop - 1970-GD25Q40CT2GRTR 3,000 80 MHz 非易失性 4Mbit 7 ns 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 60µs，4ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

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