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（ICS）（847）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词，页面，页面
GD25Q32CBIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25q32cbigy -
RFQ
 ECAD 1367 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-TBGA GD25Q32 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 120 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25LD40ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25ld40etigr 0.2865
RFQ
 ECAD 6302 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LD 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop 下载 1970-GD25LD40ETIGRTR 3,000 50 MHz 非易失性 4Mbit 12 ns 闪光 512k x 8 spi-双i/o 100µs，6ms
GD5F2GQ4UEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ4UEYIGY -
RFQ
 ECAD 2825 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 托盘 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD5F2GQ4 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 120 MHz 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 Spi -Quad I/O。 700µs
GD25LF255ELIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LF2555555 2.3876
RFQ
 ECAD 7722 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x2） 下载 1970-GD25LF255LF255LIGRTR 3,000 166 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25LE255ELIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE2555555 2.4585
RFQ
 ECAD 4956 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x2） 下载 1970-GD25LE255LIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 256Mbit 6 ns 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25VQ20CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ20分数 -
RFQ
 ECAD 6230 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25VQ20 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，3ms
GD25LQ16CWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16CWIGR -
RFQ
 ECAD 8392 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD25LQ16 闪光灯 -也不 1.65v〜2.1V 8-wson（5x6） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25Q16CNIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16CNIGR -
RFQ
 ECAD 7715 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 GD25Q16 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-uson （4x3） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25B64EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25b64 wigr 1.4100
RFQ
 ECAD 2128 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 7 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2.4ms
GD25LF64ENEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LF64ENEGR 1.2636
RFQ
 ECAD 5534 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x4） 下载 1970-GD25LF64ENEGRTR 3,000 166 MHz 非易失性 64mbit 5.5 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 100µs，4ms
GD55LX02GEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LX02GEB2RY 41.2965
RFQ
 ECAD 8222 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55LX 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 1.65V〜2V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD55LX02GEB2RY 4,800 166 MHz 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 Spi-八分之一，Dtr -
GD25Q128ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q128迁移 1.9300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25Q128 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 非易失性 128mbit 7 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2.4ms
GD55B01GEY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55B01GEY2GY 13.1250
RFQ
 ECAD 2399 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55B 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） - 1970-GD55B01GEY2GY 8542.32.0071 4,800 133 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25B256EFIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B256FIRY 2.4461
RFQ
 ECAD 9293 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25B 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 16 SOP 下载 1970-GD25B256Fifiry 1,760 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25LQ128EYJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128EYJGR 1.6598
RFQ
 ECAD 3550 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD25LQ128EYJGRTR 3,000 120 MHz 非易失性 128mbit 6 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 60µs，2.4ms
GD25D10CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D10CKIGR 0.2885
RFQ
 ECAD 9673 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25D10 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-uson（1.5x1.5） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 100 MHz 非易失性 1Mbit 闪光 128K x 8 spi-双i/o 50µs，4ms
GD25F256FW2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F256FW2GY 3.6402
RFQ
 ECAD 3845 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25F 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） - 1970-GD25F256FW2GY 5,700 200 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25LQ20EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ200EIGR 0.3515
RFQ
 ECAD 2521 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x2） 下载 1970-GD25LQ20Eigrtr 3,000 133 MHz 非易失性 2Mbit 6 ns 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 60µs，2.4ms
GD25F64FQ2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F64FQ2GR 1.5077
RFQ
 ECAD 3349 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25F 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-xdfn暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-uson （4x4） - 1970-GD25F64FQ2GRTR 3,000 200 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，Dtr -
GD25Q32CVIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CVIGR -
RFQ
 ECAD 1931年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25Q32 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-VSOP 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD55B02GEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55B02GEB2RY 26.6125
RFQ
 ECAD 7728 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55B 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD55B02GEB2RY 4,800 133 MHz 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD25LD80CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD80CEIGR 0.4033
RFQ
 ECAD 9208 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25LD80 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-uson（2x3） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 50 MHz 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 spi-双i/o 60µs，6ms
GD25VQ16CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ16CTIG -
RFQ
 ECAD 9944 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25VQ16 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 20,000 104 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，3ms
GD25LQ32EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32EIGR 0.7020
RFQ
 ECAD 8164 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x2） 下载 1970-GD25LQ32EEIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 6 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25WD40CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD40CTIG -
RFQ
 ECAD 8082 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25WD40 闪光灯 -也不 1.65V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 20,000 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD55LB01GEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LB01GEB2RY 13.4000
RFQ
 ECAD 9389 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55磅 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 1.65V〜2V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD55LB01GEB2RY 4,800 166 MHz 非易失性 1Gbit 6 ns 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 140µs，2ms
GD25LH16ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LH16enigr 0.6080
RFQ
 ECAD 6672 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 1970-GD25LH16enigrtr 3,000
GD25LQ16ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16ETIGR 0.8200
RFQ
 ECAD 3644 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 1.65v〜2.1V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3,000 133 MHz 非易失性 16mbit 6 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD5F2GM7REYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f2gm7reyigy 3.6575
RFQ
 ECAD 6597 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 1.7V〜2V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD5F2GM7Reyigy 4,800 104 MHz 非易失性 2Gbit 9 ns 闪光 512m x 4 Spi -Quad I/O，Dtr 600µs
GD25WQ128EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ128EGR 1.4385
RFQ
 ECAD 7179 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD25WQ128WIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 128mbit 8 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 120µs，4ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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