RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

（ICS）（847）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
GD25R128Egrigr	1.6388	RFQ	3645	gigadevice 半导体（香）	GD25R	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	8-wson（6x8）	-				1970-GD25R128EGRTR			3,000	200 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O。	-
GD25WD40COIGR	0.3167	RFQ	9397	gigadevice 半导体（香）	GD25WD	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）		闪存-SLC）	1.65V〜3.6V	8-tssop	下载				1970-GD25WD40COIGRTR			3,000	100 MHz	非易失性	4Mbit	12 ns	闪光	512k x 8	spi-双i/o	97µs，6ms
GD25F128FWIGR	1.3702	RFQ	9867	gigadevice 半导体（香）	GD25F	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	8-wson（5x6）	-				1970-GD25F128FWIGRTR			3,000	200 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O。	-
GD25Q80ES2GR	0.5090	RFQ	5610	gigadevice 半导体（香）	GD25Q	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	8-sop	-				1970-GD25Q80ES2GRTR			2,000	133 MHz	非易失性	8mbit	7 ns	闪光	1m x 8	Spi -Quad I/O。	140µs，4ms
GD25WD40CKIGR	0.3640	RFQ	5690	gigadevice 半导体（香）	GD25WD	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-xfdfn暴露垫		闪存-SLC）	1.65V〜3.6V	8-uson（1.5x1.5）	下载				1970-GD25WD40CKIGRTR			3,000	100 MHz	非易失性	4Mbit	12 ns	闪光	512k x 8	spi-双i/o	97µs，6ms
gd25d20etigr	0.2257	RFQ	1882年	gigadevice 半导体（香）	GD25D	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	8-sop	下载				1970-GD25D20ETIGRTR			3,000	104 MHz	非易失性	2Mbit	6 ns	闪光	256K x 8	spi-双i/o	50µs，4ms
GD25Q16EQIGR	0.5678	RFQ	2315	gigadevice 半导体（香）	GD25Q	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-xdfn暴露垫		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	8-uson （4x4）	下载				1970-GD25Q16EQIGRTR			3,000	133 MHz	非易失性	16mbit	7 ns	闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O。	70µs，2ms
GD25F128 Esigy	1.1934	RFQ	7509	gigadevice 半导体（香）	-	托盘	积极的								-				1970-GD25F128Sigy			3,000
GD25LD05CKIGR	0.2865	RFQ	1092	gigadevice 半导体（香）	GD25LD	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-xfdfn暴露垫		闪存-SLC）	1.65V〜2V	8-uson（1.5x1.5）	下载				1970-GD25LD05CKIGRTR			3,000	50 MHz	非易失性	512kbit	12 ns	闪光	64k x 8	spi-双i/o	55µs，6ms
GD25Q20ETR	0.4500	RFQ	4655	gigadevice 半导体（香）	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响				3,000	133 MHz	非易失性	2Mbit	7 ns	闪光	256K x 8	Spi -Quad I/O。	70µs，2ms
GD25Q80CTIG	0.3045	RFQ	6659	gigadevice 半导体（香）	-	管子	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	GD25Q80	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	20,000	120 MHz	非易失性	8mbit		闪光	1m x 8	Spi -Quad I/O。	50µs，2.4ms
GD55LF511mewigr	4.3329	RFQ	5111	gigadevice 半导体（香）	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				1970-GD55LF511-Mewigrtr			3,000
GD25F256FYAGR	4.2182	RFQ	5862	gigadevice 半导体（香）	GD25F	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	8-wson（6x8）	-				1970-GD25F256FYAGRTR			3,000	200 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O。	-
gd9fu4g8f2algi	6.7226	RFQ	1834年	gigadevice 半导体（香）	-	托盘	积极的								下载				1970-GD9FU4G8F2ALGI			2,100
gd25le40etigr	0.3640	RFQ	7755	gigadevice 半导体（香）	GD25LE	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		闪存-SLC）	1.65V〜2V	8-sop	下载				1970-GD25LE40ETIGRTR			3,000	133 MHz	非易失性	4Mbit	6 ns	闪光	512k x 8	Spi -Quad I/O。	60µs，2.4ms
GD25Q64ETJGR	0.8705	RFQ	5697	gigadevice 半导体（香）	GD25Q	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	8-sop	下载				1970-GD25Q64ETJGRTR			3,000	133 MHz	非易失性	64mbit	7 ns	闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O。	140µs，4ms
GD25LH32enigr	0.7301	RFQ	2833	gigadevice 半导体（香）	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				1970-GD25LH32enigrtr			3,000
gd25le16etigr	0.5242	RFQ	5143	gigadevice 半导体（香）	GD25LE	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		闪存-SLC）	1.65V〜2V	8-sop	-				1970-GD25LE16ETIGRTR			3,000	133 MHz	非易失性	16mbit	6 ns	闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	60µs，2.4ms
GD25LE32 ELIGR	0.7582	RFQ	7661	gigadevice 半导体（香）	GD25LE	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	10-XFBGA，WLCSP		闪存-SLC）	1.65V〜2V	10-wlcsp	下载				1970-GD25LE32ELIGRTR			3,000	133 MHz	非易失性	32Mbit	6 ns	闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	60µs，2.4ms
GD25LB256Eligr	2.6281	RFQ	7016	gigadevice 半导体（香）	GD25LB	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-XFBGA，WLCSP		闪存-SLC）	1.65V〜2V	32-wlcsp	下载				1970-GD25LB256ELIGRTR			3,000	166 MHz	非易失性	256Mbit	6 ns	闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	70µs，1.2ms
GD25LQ32EIGR	0.7020	RFQ	8164	gigadevice 半导体（香）	GD25LQ	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-xfdfn暴露垫		闪存-SLC）	1.65V〜2V	8-uson（3x2）	下载				1970-GD25LQ32EEIGRTR			3,000	133 MHz	非易失性	32Mbit	6 ns	闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	60µs，2.4ms
gd25q64ebigy	0.8923	RFQ	9886	gigadevice 半导体（香）	GD25Q	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	24-tfbga（6x8）	下载				1970-GD25Q64EBIGY			4,800	133 MHz	非易失性	64mbit	7 ns	闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O。	70µs，2.4ms
GD5F1GQ5Reyigy	2.3962	RFQ	1854年	gigadevice 半导体（香）	GD5F	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		Flash -nand（slc）	1.7V〜2V	8-wson（6x8）	下载				1970-GD5F1GQ5Reyigy			4,800	104 MHz	非易失性	1Gbit	9.5 ns	闪光	256m x 4	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	600µs
GD55LX512Webiry	7.2778	RFQ	5998	gigadevice 半导体（香）	GD55LX	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA		闪存-SLC）	1.65V〜2V	24-tfbga（6x8）	-				1970-GD55LX512Webiry			4,800	166 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	Spi-八分之一，Dtr	50µs，1.2ms
GD25LE255SIGR	2.1993	RFQ	1072	gigadevice 半导体（香）	GD25LE	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）		闪存-SLC）	1.65V〜2V	8-sop	-				1970-GD25LE255Sigrtr			2,000	133 MHz	非易失性	256Mbit	6 ns	闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	60µs，2.4ms
GD25LQ80ESIGR	0.3786	RFQ	2065	gigadevice 半导体（香）	GD25LQ	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）		闪存-SLC）	1.65V〜2V	8-sop	下载				1970-GD25LQ80ESIGRTR			2,000	133 MHz	非易失性	8mbit	6 ns	闪光	1m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	60µs，2.4ms
gd25wd80etigy	0.3640	RFQ	4418	gigadevice 半导体（香）	GD25WD	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		闪存-SLC）	1.65V〜3.6V	8-sop	下载				1970-GD25WD80ETIGY			4,320	104 MHz	非易失性	8mbit	6 ns	闪光	1m x 8	spi-双i/o	100µs，6ms
gd25ld80etigy	0.3167	RFQ	7655	gigadevice 半导体（香）	GD25LD	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		闪存-SLC）	1.65V〜2V	8-sop	下载				1970-GD25LD80ETIGY			4,320	50 MHz	非易失性	8mbit	12 ns	闪光	1m x 8	spi-双i/o	100µs，6ms
GD25S512MDBIGY	-	RFQ	3215	gigadevice 半导体（香）	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	GD25S512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-tfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	4,800	104 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O。	50µs，2.4ms
GD25LQ64WIGR	1.4800	RFQ	5696	gigadevice 半导体（香）	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		闪存-SLC）	1.65V〜2V	8-wson（5x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响				3,000	133 MHz	非易失性	64mbit	6 ns	闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O。	60µs，2.4ms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（847）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²