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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
GD25LQ256DWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ256DWIGR 3.8600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD25LQ256 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-wson(5x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 2.4ms
GD25LQ32DSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32DSIG 0.5485
RFQ
ECAD 1330 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 管子 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) GD25LQ32 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 9,500 120 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 2.4ms
GD25R256EFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25R256FIRR 2.8829
RFQ
ECAD 4734 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25R 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 16 SOP - 1970-GD25R256 Efirrtr 1,000 200 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25F128ESIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F128 Esigy 1.1934
RFQ
ECAD 7509 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 托盘 积极的 - 1970-GD25F128Sigy 3,000
GD25LQ40ET2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ40ET2GY 0.5373
RFQ
ECAD 4717 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25LQ 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) 闪存-SLC) 1.65V〜2V 8-sop - 1970-GD25LQ40ET2GY 4,320 133 MHz 非易失性 4Mbit 6 ns 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 60µs,2.4ms
GD25Q128EYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q128EYIGY 1.2080
RFQ
ECAD 1668年 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25Q 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 8-wson(6x8) 下载 1970-GD25Q128EYIGY 4,800 133 MHz 非易失性 128mbit 7 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs,2.4ms
GD25D80CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D80CKIGR 0.5700
RFQ
ECAD 23 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25D80 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-uson(1.5x1.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 100 MHz 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 spi-双i/o 50µs,4ms
GD25Q16EEJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16EEJGR 0.5939
RFQ
ECAD 8216 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25Q 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 8-uson(3x2) 下载 1970-GD25Q16EEJGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 16mbit 7 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 140µs,4ms
GD25LQ64CWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64CWIGR 1.5800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 GD25LQ64 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-wson(5x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 2.4ms
GD25LT512MEY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT512MEY2GY 8.3285
RFQ
ECAD 2372 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25LT 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC) 1.65V〜2V 8-wson(6x8) - 1970-GD25LT512MEY2GY 4,800 200 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr -
GD25Q80CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80CTIG 0.3045
RFQ
ECAD 6659 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 管子 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) GD25Q80 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 20,000 120 MHz 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
GD25LQ64ES2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64ES2GR 1.2272
RFQ
ECAD 9109 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25LQ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) 闪存-SLC) 1.65V〜2V 8-sop - 1970-GD25LQ64ES2GRTR 2,000 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O,QPI 60µs,2.4ms
GD25LE80ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25le80etigr 0.3959
RFQ
ECAD 1385 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25LE 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) 闪存-SLC) 1.65V〜2V 8-sop 下载 1970-GD25LE80ETIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 8mbit 6 ns 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O,QPI 60µs,2.4ms
GD25Q32EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32EEIGR 0.6843
RFQ
ECAD 7928 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25Q 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 8-uson(3x2) 下载 1970-GD25Q32EEIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 7 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs,2.4ms
GD25Q128EWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q128WIGY 1.2438
RFQ
ECAD 9372 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25Q 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 8-wson(5x6) 下载 1970-GD25Q128WIGY 5,700 133 MHz 非易失性 128mbit 7 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs,2.4ms
GD55WB512MEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55WB512MEYIGR 4.6218
RFQ
ECAD 8554 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD55WB 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC) 1.65V〜3.6V 8-wson(6x8) - 1970-GD55WB512Meyigrtr 3,000 104 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD5F2GM7REWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GM7REWIGY 3.5981
RFQ
ECAD 5088 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD5F 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand(slc) 1.7V〜2V 8-wson(5x6) 下载 1970-GD5F2GM7REWIGY 5,700 104 MHz 非易失性 2Gbit 9 ns 闪光 512m x 4 Spi -Quad I/O,Dtr 600µs
GD25R128EYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25R128Egrigr 1.6388
RFQ
ECAD 3645 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25R 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 8-wson(6x8) - 1970-GD25R128EGRTR 3,000 200 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25LQ20ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25lq20etigr 0.3167
RFQ
ECAD 8227 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25LQ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) 闪存-SLC) 1.65V〜2V 8-sop 下载 1970-GD25LQ20ETIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 2Mbit 6 ns 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 60µs,2.4ms
GD5F4GQ6UEYJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ6UEYJGR 8.0538
RFQ
ECAD 9780 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD5F 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand(slc) 2.7V〜3.6V 8-wson(6x8) 下载 1970-GD5F4GQ6UEYJGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 4Gbit 9 ns 闪光 512m x 8 Spi -Quad I/O。 600µs
GD25T512MEY2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25T512MEY2GR 8.1203
RFQ
ECAD 4811 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25T 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 8-wson(6x8) - 1970-GD25T512MEY2GRTR 3,000 200 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O,Dtr -
GD25LT512MEF2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT512MEF2RY 8.7046
RFQ
ECAD 2275 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25LT 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) 闪存-SLC) 1.65V〜2V 16 SOP - 1970-GD25LT512MEF2RY 1,760 200 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr -
GD25LB128EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB128 eWrigr 1.4109
RFQ
ECAD 1554年 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25LB 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC) 1.65V〜2V 8-wson(5x6) 下载 1970-GD25LB128WIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr -
GD25LQ20EKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ20Ekigr 0.3786
RFQ
ECAD 6749 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25LQ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC) 1.65V〜2V 8-uson(1.5x1.5) 下载 1970-GD25LQ20EKIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 2Mbit 6 ns 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 60µs,2.4ms
GD25B512MEY2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B512MEY2GR 6.5028
RFQ
ECAD 1666年 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25B 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 8-wson(6x8) - 1970-GD25B512MEY2GRTR 3,000 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr -
GD25F256FYAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F256FYAGR 4.2182
RFQ
ECAD 5862 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25F 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 8-wson(6x8) - 1970-GD25F256FYAGRTR 3,000 200 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25Q80EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80EIGR 0.6300
RFQ
ECAD 35 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25Q80 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-uson(2x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 1970-GD25Q80EIGRTR Ear99 8542.32.0071 3,000 133 MHz 非易失性 8mbit 7 ns 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs,2ms
GD25B512MEYEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B512MEYEGR 6.0164
RFQ
ECAD 5649 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25B 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 8-wson(6x8) 下载 1970-GD25B512MEYEGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr -
GD25LQ20CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ20Ceigr -
RFQ
ECAD 2521 0.00000000 gigadevice 半导体(香) - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25LQ20 闪光灯 -也不 1.65v〜2.1V 8-uson(2x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 50µs,2.4ms
GD25LQ32EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32EIGR 0.7020
RFQ
ECAD 8164 0.00000000 gigadevice 半导体(香) GD25LQ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC) 1.65V〜2V 8-uson(3x2) 下载 1970-GD25LQ32EEIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 6 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O,QPI 60µs,2.4ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库