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![]() | GD25LT512MEF2RY | 8.7046 | ![]() | 2275 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25LT | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 闪存-SLC) | 1.65V〜2V | 16 SOP | - | 1970-GD25LT512MEF2RY | 1,760 | 200 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | - | ||||||||
![]() | GD25LB128 eWrigr | 1.4109 | ![]() | 1554年 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25LB | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC) | 1.65V〜2V | 8-wson(5x6) | 下载 | 1970-GD25LB128WIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | - | ||||||||
![]() | GD25LQ20Ekigr | 0.3786 | ![]() | 6749 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25LQ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | 闪存-SLC) | 1.65V〜2V | 8-uson(1.5x1.5) | 下载 | 1970-GD25LQ20EKIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 2Mbit | 6 ns | 闪光 | 256K x 8 | Spi -Quad I/O。 | 60µs,2.4ms | |||||||
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![]() | GD25B512MEYEGR | 6.0164 | ![]() | 5649 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25B | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 8-wson(6x8) | 下载 | 1970-GD25B512MEYEGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | - | ||||||||
![]() | GD25LQ20Ceigr | - | ![]() | 2521 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | GD25LQ20 | 闪光灯 -也不 | 1.65v〜2.1V | 8-uson(2x3) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 2Mbit | 闪光 | 256K x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs,2.4ms | |||
![]() | GD25LQ32EIGR | 0.7020 | ![]() | 8164 | 0.00000000 | gigadevice 半导体(香) | GD25LQ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | 闪存-SLC) | 1.65V〜2V | 8-uson(3x2) | 下载 | 1970-GD25LQ32EEIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 6 ns | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | 60µs,2.4ms |
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