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（ICS）（847）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词，页面，页面
GD25LQ32DLIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32DLIGR 0.9136
RFQ
 ECAD 4028 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 10-XFBGA，WLCSP GD25LQ32 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 10-wlcsp 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 2.4ms
GD25Q16EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16EIGR 0.8200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25Q16 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-uson（2x3） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 133 MHz 非易失性 16mbit 7 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2ms
GD25LQ64ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64Sigr 1.3200
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25LQ64 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 非易失性 64mbit 7 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 60µs，2.4ms
GD25LQ16ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16ETIGR 0.8200
RFQ
 ECAD 3644 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 1.65v〜2.1V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3,000 133 MHz 非易失性 16mbit 6 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25WQ32ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ32移民 1.1100
RFQ
 ECAD 8604 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 2,000 104 MHz 非易失性 32Mbit 8 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 120µs，4ms
GD25LQ255EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ255Wigr 3.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（5x6） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 133 MHz 非易失性 256Mbit 6 ns 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25F128FS2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F128FS2GR 1.9881
RFQ
 ECAD 7794 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25F 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop - 1970-GD25F128FS2GRTR 2,000 200 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD55LT01GEBARY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LT01GEBARY 18.5000
RFQ
 ECAD 6306 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55LT 托盘 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 1.65V〜2V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD55LT01GEBARY 4,800 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr -
GD9FS1G8F2DMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FS1G8F2DMGI 2.3472
RFQ
 ECAD 5433 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD9F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 48-tfsop （0.724英寸，18.40mm） Flash -nand（slc） 1.7V〜1.95V 48-tsop i 下载 1970-GD9FS1G8F2DMGI 960 非易失性 1Gbit 16 ns 闪光 128m x 8 onfi 20n，600µs
GD25X512MEFARR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25X512MEFARR 11.5349
RFQ
 ECAD 2693 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25X 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 16 SOP - 1970-GD25X512MEFARRTR 1,000 200 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 spi -octal I/o -
GD25F256FWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F256FWIGR 2.3373
RFQ
 ECAD 4694 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25F 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） - 1970-GD25F256FWIGRTR 3,000 200 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25LE16ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25le16etigr 0.5242
RFQ
 ECAD 5143 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop - 1970-GD25LE16ETIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 16mbit 6 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD55X01GEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55X01GEB2RY 20.2027
RFQ
 ECAD 9611 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55X 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 24-tfbga（6x8） - 1970-GD55X01GEB2RY 4,800 200 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 Spi-八分之一，Dtr -
GD25LB256EBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB256EBIRY 2.3562
RFQ
 ECAD 9106 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LB 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC） 1.65V〜2V 24-tfbga（6x8） 下载 1970-GD25LB256EBIRY 4,800 166 MHz 非易失性 256Mbit 6 ns 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 70µs，1.2ms
GD25F128FWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F128FWIGR 1.3702
RFQ
 ECAD 9867 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25F 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） - 1970-GD25F128FWIGRTR 3,000 200 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25R128ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25R128迁移 1.5448
RFQ
 ECAD 3775 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25R 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop - 1970-GD25R128ESIGRTR 2,000 200 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25LE64EQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE64EQIGR 0.9126
RFQ
 ECAD 6575 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson （4x4） 下载 1970-GD25LE64EQIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25WD40COIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD40COIGR 0.3167
RFQ
 ECAD 9397 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WD 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-tssop 下载 1970-GD25WD40COIGRTR 3,000 100 MHz 非易失性 4Mbit 12 ns 闪光 512k x 8 spi-双i/o 97µs，6ms
GD55LE511MEWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LE511MEWIGR 4.3329
RFQ
 ECAD 6027 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 1970-GD55LE511-MEWIGRTR 3,000
GD5F2GQ5REYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5 4.1912
RFQ
 ECAD 3314 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 1.7V〜2V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD5F2GQ5REYIGRTR 3,000 80 MHz 非易失性 2Gbit 11 ns 闪光 256m x 8 Spi -Quad I/O。 600µs
GD25LE64ENEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE64ENEGR 1.2636
RFQ
 ECAD 5828 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x4） 下载 1970-GD25LE64ENEGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 100µs，4ms
GD5F1GQ5REYIHR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5REYIHR 2.4898
RFQ
 ECAD 9529 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 1.7V〜2V 8-wson（6x8） - 1970-GD5F1GQ5REYIHRTR 3,000 104 MHz 非易失性 1Gbit 9.5 ns 闪光 256m x 4 Spi -Quad I/O，Dtr 600µs
GD25LQ128DSAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128DSAGR 2.3653
RFQ
 ECAD 9810 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop - 1970-GD25LQ128DSAGRTR 2,000 104 MHz 非易失性 128mbit 6 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 4ms
GD25LB256ELIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB256Eligr 2.6281
RFQ
 ECAD 7016 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LB 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 32-XFBGA，WLCSP 闪存-SLC） 1.65V〜2V 32-wlcsp 下载 1970-GD25LB256ELIGRTR 3,000 166 MHz 非易失性 256Mbit 6 ns 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 70µs，1.2ms
GD25LQ40EEAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ40EEAGR 0.6929
RFQ
 ECAD 8244 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x2） - 1970-GD25LQ40EEAGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 4Mbit 6 ns 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 100µs，4ms
GD5F1GQ5REYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5Reyigy 2.3962
RFQ
 ECAD 1854年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 1.7V〜2V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD5F1GQ5Reyigy 4,800 104 MHz 非易失性 1Gbit 9.5 ns 闪光 256m x 4 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 600µs
GD25F256FW2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F256FW2GY 3.6402
RFQ
 ECAD 3845 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25F 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） - 1970-GD25F256FW2GY 5,700 200 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD9FS4G8F3AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FS4G8F3AMGI 6.9852
RFQ
 ECAD 8654 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD9F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 48-tfsop （0.724英寸，18.40mm） Flash -nand（slc） 1.7V〜1.95V 48-tsop i 下载 1970-GD9FS4G8F3AMGI 960 非易失性 4Gbit 22 ns 闪光 512m x 8 onfi 25ns
GD55T01GEY2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55T01GEY2GR 16.7580
RFQ
 ECAD 7366 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD55T 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） - 1970-GD55T01GEY2GRTR 3,000 200 MHz 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O，Dtr -
GD25LQ256DWAGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ256DWAGY 4.2161
RFQ
 ECAD 5956 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 托盘 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-wson（5x6） - 1970-GD25LQ256DWAGY 5,700 104 MHz 非易失性 256Mbit 6 ns 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 4ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

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