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（ICS）（847）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词，页面，页面 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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 | GD25VQ16CTIGR | - | | 5684 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | GD25VQ16 | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 16mbit | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs，3ms | |||
| GD5F2GQ5 | 4.1912 | | 3314 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD5F | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | Flash -nand（slc） | 1.7V〜2V | 8-wson（6x8） | 下载 | 1970-GD5F2GQ5REYIGRTR | 3,000 | 80 MHz | 非易失性 | 2Gbit | 11 ns | 闪光 | 256m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 600µs | |||||||
| GD25B32移民 | 0.6115 | | 2604 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25B | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-sop | 下载 | 1970-GD25B32EIGRTR | 2,000 | 133 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 7 ns | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 70µs，2.4ms | |||||||
| gd25q64eyjgr | 1.0249 | | 8062 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25Q | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-wson（6x8） | 下载 | 1970-GD25Q64EYJGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 64mbit | 7 ns | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 140µs，4ms | |||||||
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| gd25d40ekigr | 0.3318 | | 4259 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25D | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-uson（1.5x1.5） | 下载 | 1970-GD25D40EKIGRTR | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 6 ns | 闪光 | 512k x 8 | spi-双i/o | 50µs，4ms | |||||||
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| GD25LQ20 ESIGR | 0.3167 | | 4317 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LQ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 8-sop | - | 1970-GD25LQ20 Esigrtr | 2,000 | 133 MHz | 非易失性 | 2Mbit | 6 ns | 闪光 | 256K x 8 | Spi -Quad I/O。 | 60µs，2.4ms | |||||||
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| GD25Q128EYIGY | 1.2080 | | 1668年 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25Q | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-wson（6x8） | 下载 | 1970-GD25Q128EYIGY | 4,800 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 7 ns | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 70µs，2.4ms | |||||||
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| GD25LT512Mefirr | 5.6176 | | 8836 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LT | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 16 SOP | - | 1970-GD25LT512Mefirrtr | 1,000 | 200 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI，Dtr | - | ||||||||
| GD25B16CS2GR | 0.7772 | | 3277 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25B | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-sop | - | 1970-GD25B16CS2GRTR | 2,000 | 非易失性 | 16mbit | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | |||||||||
| GD55LT512Webiry | 5.4414 | | 5146 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD55LT | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 24-TBGA | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 24-tfbga（6x8） | - | 1970-GD55LT512Webiry | 4,800 | 166 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI，Dtr | 50µs，1.2ms | ||||||||
| GD25LQ16ETIGR | 0.8200 | | 3644 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | 闪存-SLC） | 1.65v〜2.1V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 16mbit | 6 ns | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI | 60µs，2.4ms | |||||
| gd5f2gm7reyigy | 3.6575 | | 6597 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD5F | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | Flash -nand（slc） | 1.7V〜2V | 8-wson（6x8） | 下载 | 1970-GD5F2GM7Reyigy | 4,800 | 104 MHz | 非易失性 | 2Gbit | 9 ns | 闪光 | 512m x 4 | Spi -Quad I/O，Dtr | 600µs | |||||||
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| GD25LB128 eWrigr | 1.4109 | | 1554年 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LB | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 8-wson（5x6） | 下载 | 1970-GD25LB128WIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI，Dtr | - | ||||||||
| gd25q80etigr | 0.5500 | | 16 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | GD25Q80 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 8mbit | 7 ns | 闪光 | 1m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 70µs，2ms | ||
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| GD25F128迁移 | 1.1590 | | 6397 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | - | 1970-GD25F128ESIGRTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| GD55LX02GEBIRY | 26.2542 | | 8747 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD55LX | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 24-TBGA | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 24-tfbga（6x8） | - | 1970-GD55LX02GEBIRY | 4,800 | 166 MHz | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 256m x 8 | Spi-八分之一，Dtr | - | ||||||||
| GD25F256FB2RY | 3.4593 | | 6033 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25F | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 24-TBGA | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga（6x8） | - | 1970-GD25F256FB2RY | 4,800 | 200 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | ||||||||
| gd25wr256eyigy | 2.6761 | | 6615 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25WR | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65V〜3.6V | 8-wson（6x8） | - | 1970-GD25WR256Eyigy | 4,800 | 104 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - |
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