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（ICS）（847）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词，页面，页面
GD25LE255ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE255SIGR 2.1993
RFQ
 ECAD 1072 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop - 1970-GD25LE255Sigrtr 2,000 133 MHz 非易失性 256Mbit 6 ns 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25B64EWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B64WIGY 0.8247
RFQ
 ECAD 7928 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25B 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） 下载 1970-GD25B64WIGY 5,700 133 MHz 非易失性 64mbit 7 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2.4ms
GD25F128FWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F128FWIGR 1.3702
RFQ
 ECAD 9867 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25F 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） - 1970-GD25F128FWIGRTR 3,000 200 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25R128ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25R128迁移 1.5448
RFQ
 ECAD 3775 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25R 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-sop - 1970-GD25R128ESIGRTR 2,000 200 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25LE64EQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE64EQIGR 0.9126
RFQ
 ECAD 6575 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson （4x4） 下载 1970-GD25LE64EQIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25WD40COIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD40COIGR 0.3167
RFQ
 ECAD 9397 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25WD 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-tssop 下载 1970-GD25WD40COIGRTR 3,000 100 MHz 非易失性 4Mbit 12 ns 闪光 512k x 8 spi-双i/o 97µs，6ms
GD55LE511MEWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LE511MEWIGR 4.3329
RFQ
 ECAD 6027 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 1970-GD55LE511-MEWIGRTR 3,000
GD5F2GQ5REYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5 4.1912
RFQ
 ECAD 3314 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 1.7V〜2V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD5F2GQ5REYIGRTR 3,000 80 MHz 非易失性 2Gbit 11 ns 闪光 256m x 8 Spi -Quad I/O。 600µs
GD25LE64ENEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE64ENEGR 1.2636
RFQ
 ECAD 5828 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-udfn裸露的垫子 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x4） 下载 1970-GD25LE64ENEGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 100µs，4ms
GD5F1GQ5REYIHR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5REYIHR 2.4898
RFQ
 ECAD 9529 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 1.7V〜2V 8-wson（6x8） - 1970-GD5F1GQ5REYIHRTR 3,000 104 MHz 非易失性 1Gbit 9.5 ns 闪光 256m x 4 Spi -Quad I/O，Dtr 600µs
GD25LQ128DSAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128DSAGR 2.3653
RFQ
 ECAD 9810 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-sop - 1970-GD25LQ128DSAGRTR 2,000 104 MHz 非易失性 128mbit 6 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 4ms
GD25LB256ELIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB256Eligr 2.6281
RFQ
 ECAD 7016 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LB 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 32-XFBGA，WLCSP 闪存-SLC） 1.65V〜2V 32-wlcsp 下载 1970-GD25LB256ELIGRTR 3,000 166 MHz 非易失性 256Mbit 6 ns 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 70µs，1.2ms
GD25LQ40EEAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ40EEAGR 0.6929
RFQ
 ECAD 8244 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson（3x2） - 1970-GD25LQ40EEAGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 4Mbit 6 ns 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 100µs，4ms
GD5F1GQ5REYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5Reyigy 2.3962
RFQ
 ECAD 1854年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD5F 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 Flash -nand（slc） 1.7V〜2V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD5F1GQ5Reyigy 4,800 104 MHz 非易失性 1Gbit 9.5 ns 闪光 256m x 4 Spi -Quad I/O，QPI，Dtr 600µs
GD25F256FW2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F256FW2GY 3.6402
RFQ
 ECAD 3845 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25F 托盘 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（5x6） - 1970-GD25F256FW2GY 5,700 200 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25Q16EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16EIGR 0.8200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25Q16 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-uson（2x3） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 133 MHz 非易失性 16mbit 7 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 70µs，2ms
GD25LQ64ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64Sigr 1.3200
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） GD25LQ64 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 非易失性 64mbit 7 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 60µs，2.4ms
GD25LQ32DLIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32DLIGR 0.9136
RFQ
 ECAD 4028 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 10-XFBGA，WLCSP GD25LQ32 闪光灯 -也不 1.65V〜2V 10-wlcsp 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 120 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 2.4ms
GD25LQ16ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16ETIGR 0.8200
RFQ
 ECAD 3644 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 闪存-SLC） 1.65v〜2.1V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3,000 133 MHz 非易失性 16mbit 6 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25WQ32ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ32移民 1.1100
RFQ
 ECAD 8604 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） 闪存-SLC） 1.65V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 2,000 104 MHz 非易失性 32Mbit 8 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 120µs，4ms
GD25D05CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D05天才 0.2404
RFQ
 ECAD 3862 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 GD25D05 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-uson（2x3） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 100 MHz 非易失性 512kbit 闪光 64k x 8 spi-双i/o 50µs，4ms
GD25Q32CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CTIG 0.5149
RFQ
 ECAD 9200 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25Q32 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 20,000 120 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O。 50µs，2.4ms
GD25WD20CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD20CTIG -
RFQ
 ECAD 4305 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 管子 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） GD25WD20 闪光灯 -也不 1.65V〜3.6V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 20,000 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25LE32E3IGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25le32e3igr 0.7363
RFQ
 ECAD 6882 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 10-XFBGA，WLCSP 闪存-SLC） 1.65V〜2V 10-wlcsp 下载 1970-GD25LE32E3IGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 6 ns 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
GD25D40CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D40Ceigr 0.3167
RFQ
 ECAD 8682 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25D 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xfdfn暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-uson（3x2） 下载 1970-GD25D40CEIGRTR 3,000 104 MHz 非易失性 4Mbit 6 ns 闪光 512k x 8 spi-双i/o 50µs，4ms
GD25F256FY2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F256FY2GR 3.6639
RFQ
 ECAD 5791 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25F 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） - 1970-GD25F256FY2GRTR 3,000 200 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O。 -
GD25LH32ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LH32enigr 0.7301
RFQ
 ECAD 2833 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 1970-GD25LH32enigrtr 3,000
GD25Q64EYJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25q64eyjgr 1.0249
RFQ
 ECAD 8062 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25Q 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC） 2.7V〜3.6V 8-wson（6x8） 下载 1970-GD25Q64EYJGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 7 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O。 140µs，4ms
GD9FU4G8F2ALGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd9fu4g8f2algi 6.7226
RFQ
 ECAD 1834年 0.00000000 gigadevice 半导体（香） - 托盘 积极的 下载 1970-GD9FU4G8F2ALGI 2,100
GD25LQ64EQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64EQIGR 0.8986
RFQ
 ECAD 9691 0.00000000 gigadevice 半导体（香） GD25LQ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-xdfn暴露垫 闪存-SLC） 1.65V〜2V 8-uson （4x4） 下载 1970-GD25LQ64EQIGRTR 3,000 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O，QPI 60µs，2.4ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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