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（ICS）（847）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词，页面，页面 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GD25Q32CTJGR | - |  | 4890 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | GD25Q32 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,000 | 120 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 50µs，2.4ms | |||
 | GD25LQ16EEAGR | 0.9688 | | 2887 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LQ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜125°C（TA） | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65v〜2.1V | 8-uson（3x2） | - | 1970-GD25LQ16EEAGRTR | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 16mbit | 6 ns | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI | 100µs，4ms | |||||||
| GD25LQ32Sigy | 0.6261 | | 1323 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LQ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 8-sop | 下载 | 1970-GD25LQ32Sigy | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 6 ns | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI | 60µs，2.4ms | |||||||
| GD55LT512WEFIRR | 5.9249 | | 5798 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD55LT | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 16 SOP | - | 1970-GD55LT512WEFIRRTR | 1,000 | 166 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI，Dtr | 50µs，1.2ms | ||||||||
| GD9FU1G8F3AMGI | 2.5452 | | 5540 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 托盘 | 积极的 | 下载 | 1970-GD9FU1G8F3AMGI | 960 | |||||||||||||||||||||
| GD25VE20CSIG | 0.3045 | | 6545 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 管子 | 不适合新设计 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | GD25VE20 | 闪光灯 -也不 | 2.1v〜3.6V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 9,500 | 104 MHz | 非易失性 | 2Mbit | 闪光 | 256K x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | |||
| GD25LF128Wigr | 1.9780 | | 4678 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 8-wson（5x6） | 下载 | 1970-GD25LF128WIGRTR | 3,000 | 166 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI，Dtr | - | ||||||||
| GD25T512Mebiry | 5.1710 | | 6785 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25T | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 24-TBGA | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga（6x8） | - | 1970-GD25T512Mebiry | 4,800 | 200 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O，Dtr | - | ||||||||
| GD25Q40ESIGR | 0.3167 | | 5297 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25Q | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-sop | 下载 | 1970-GD25Q40ESIGRTR | 2,000 | 133 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 7 ns | 闪光 | 512k x 8 | Spi -Quad I/O。 | 70µs，2ms | |||||||
| GD25LB512MEF2RR | 7.0523 | | 3698 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LB | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 16 SOP | - | 1970-GD25LB512MEF2RRTR | 1,000 | 133 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI，Dtr | - | ||||||||
| GD25T512MEB2RY | 8.1396 | | 6294 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25T | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 24-TBGA | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga（6x8） | - | 1970-GD25T512MEB2RY | 4,800 | 200 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O，Dtr | - | ||||||||
| GD55LT512Webiry | 5.4414 | | 5146 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD55LT | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 24-TBGA | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 24-tfbga（6x8） | - | 1970-GD55LT512Webiry | 4,800 | 166 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI，Dtr | 50µs，1.2ms | ||||||||
| GD25F256FB2RY | 3.4593 | | 6033 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25F | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 24-TBGA | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga（6x8） | - | 1970-GD25F256FB2RY | 4,800 | 200 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | ||||||||
| gd25q80etigr | 0.5500 | | 16 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | GD25Q80 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 8mbit | 7 ns | 闪光 | 1m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 70µs，2ms | ||
| GD25LT512Mefirr | 5.6176 | | 8836 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LT | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 16 SOP | - | 1970-GD25LT512Mefirrtr | 1,000 | 200 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI，Dtr | - | ||||||||
| GD25WD10CKIGR | 0.3167 | | 2603 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25WD | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65V〜3.6V | 8-uson（1.5x1.5） | 下载 | 1970-GD25WD10CKIGRTR | 3,000 | 100 MHz | 非易失性 | 1Mbit | 12 ns | 闪光 | 128K x 8 | spi-双i/o | 55µs，6ms | |||||||
| GD25B16CS2GR | 0.7772 | | 3277 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25B | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 8-sop | - | 1970-GD25B16CS2GRTR | 2,000 | 非易失性 | 16mbit | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | |||||||||
| GD25LQ128EQEGR | 1.8538 | | 3854 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LQ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜125°C（TA） | 表面安装 | 8-xdfn暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 8-uson （4x4） | 下载 | 1970-GD25LQ128EQEGRTTR | 3,000 | 120 MHz | 非易失性 | 128mbit | 6 ns | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 100µs，4ms | |||||||
| GD25Q20ETR | 0.4500 | | 4655 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | Flash -nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 2Mbit | 7 ns | 闪光 | 256K x 8 | Spi -Quad I/O。 | 70µs，2ms | |||||
| GD25F128 Esigy | 1.1934 | | 7509 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 托盘 | 积极的 | - | 1970-GD25F128Sigy | 3,000 | |||||||||||||||||||||
| GD25LD05CKIGR | 0.2865 | | 1092 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LD | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 8-uson（1.5x1.5） | 下载 | 1970-GD25LD05CKIGRTR | 3,000 | 50 MHz | 非易失性 | 512kbit | 12 ns | 闪光 | 64k x 8 | spi-双i/o | 55µs，6ms | |||||||
| GD5F2GM7REWIGY | 3.5981 | | 5088 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD5F | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | Flash -nand（slc） | 1.7V〜2V | 8-wson（5x6） | 下载 | 1970-GD5F2GM7REWIGY | 5,700 | 104 MHz | 非易失性 | 2Gbit | 9 ns | 闪光 | 512m x 4 | Spi -Quad I/O，Dtr | 600µs | |||||||
| GD25LQ16Sigr | 0.8200 | | 8095 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-SOIC（0.209英寸，5.30mm） | 闪存-SLC） | 1.65v〜2.1V | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | 2,000 | 133 MHz | 非易失性 | 16mbit | 6 ns | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI | 60µs，2.4ms | |||||
| GD25Q256 Fefiry | 2.3472 | | 2565 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25Q | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） | 闪存-SLC） | 2.7V〜3.6V | 16 SOP | 下载 | 1970-GD25Q256 Fefiry | 1,760 | 133 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | ||||||||
| GD25Q16EIGR | 0.8200 | | 3 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 8-xfdfn暴露垫 | GD25Q16 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-uson（2x3） | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 133 MHz | 非易失性 | 16mbit | 7 ns | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 70µs，2ms | ||
| GD9FS2G8F3ALGI | 4.7455 | | 9598 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD9F | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 63-VFBGA | Flash -nand（slc） | 1.7V〜1.95V | 63-fbga（9x11） | 下载 | 1970-GD9FS2G8F3ALGI | 2,100 | 非易失性 | 2Gbit | 20 ns | 闪光 | 256m x 8 | 平行线 | 25ns | ||||||||
| GD25LT512MEF2RY | 8.7046 | | 2275 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LT | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 16 SOP | - | 1970-GD25LT512MEF2RY | 1,760 | 200 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI，Dtr | - | ||||||||
| GD25LX256EB2RY | 5.3333 | | 1633年 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25LX | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C（TA） | 表面安装 | 24-TBGA | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 24-tfbga（6x8） | - | 1970-GD25LX256EB2RY | 4,800 | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi-八分之一，Dtr | - | |||||||||
| GD55LB01GEBARY | 16.3989 | | 9185 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD55磅 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C（TA） | 表面安装 | 24-TBGA | 闪存-SLC） | 1.65V〜2V | 24-tfbga（6x8） | - | 1970-GD55LB01GEBARY | 4,800 | 133 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 6 ns | 闪光 | 128m x 8 | Spi -Quad I/O，QPI，Dtr | 140µs，2ms | |||||||
| GD25WQ64E3IGR | 0.9547 | | 5510 | 0.00000000 | gigadevice 半导体（香） | GD25WQ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C（TA） | 表面安装 | 14-XFBGA，WLCSP | 闪存-SLC） | 1.65V〜3.6V | 14-wlcsp | 下载 | 1970-GD25WQ64E3IGRTR | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 64mbit | 12 ns | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 120µs，4ms |
2000+
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