集成电路 (IC)(1550)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	应用领域	安装类型	包装/箱	特征	基本产品编号	输入类型	技术	当前 - 供应	电压 - 输入	电压 - 输入（最大）	输出类型	SIC	电路数量	其中 - 输入：输出	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	功能	-3db带宽	电流 - 输出/通道	电压 - 电源 (Vcc/Vdd)	开关电路	多路复用器/解复用器电路	通态电阻（最大）	通道间匹配 (ΔRon)	电压 - 电源，单路 (V+)	电压 - 电源，双 (V±)	切换T（Ton、Toff）（最大）	引进	通道电容（CS(off)、CD(off)）	电流 -电流（IS（关闭））（顶部）	相声	界面	产出数量	拓扑结构	频率切换	故障保护	输出配置	同步调整器	当前-输出	负载类型	导通电阻（典型值）	当前 - 高峰	电压-负载	开关类型	当前-产出（最大）	电压 - 输出（最小/固定）	电压 - 输出（最大）	电压-输入（最小）
SJM187BCC01	-	询价	9837	威世硅科	-	管子	过时的	-			-		SJM18											-	-	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	25		-			-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
DG9233EDQ-T1-GE3	2.4500	询价	3032	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)		表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）		DG9233								2			8-MSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	2,500人		-			单刀单掷 - 否	1:1	25欧姆	400毫欧	2.7V～5.5V	-	75纳秒、50纳秒	-0.78pC	3.8pF	100pA	-108dB@1MHz
DG3015DB-T2-E1	-	询价	3834	威世硅科	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)		表面贴装	16-WFBGA		DG3015								2			16-微脚™ (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000		-			DPDT	2:2	1.2欧姆	150毫欧	2.7V~3.3V	-	65纳秒、60纳秒	7pC	67皮法	2nA	-70dB@1MHz
DG445BDJ-E3	-	询价	1338	威世硅科	-	管子	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)		通孔	16-DIP（0.300英寸，7.62毫米）		DG445								4			16-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	500		-			单刀单掷 - 否	1:1	80欧姆	-	13V~36V	±7V～22V	300纳秒、200纳秒	1个	5pF, 5pF	500pA	-95dB @ 100kHz
DG442LEDY-T1-GE3	1.5300	询价	19号	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)		表面贴装	16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）		DG442								4			16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	2,500人		-			单刀单掷 - 否	1:1	26欧姆	100毫欧	3V～16V	±3V～8V	60纳秒、35纳秒	6.6pC	5皮法、6皮法	1nA	-114dB@1MHz
DG442LDQ-E3	-	询价	8096	威世硅科	-	大部分	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)		表面贴装	16-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）		DG442								4			16-TSSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	360		280兆赫			单刀单掷 - 否	1:1	30欧姆	100毫欧	2.7V～12V	±3V～6V	60纳秒、35纳秒	5pC	5皮法、6皮法	1nA	-95dB@1MHz
DG444DY-T1	-	询价	2548	威世硅科	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)		表面贴装	16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）		DG444								4			16-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人		-			单刀单掷-数控	1:1	85欧姆	-	5V～36V	±5V～20V	250纳秒、140纳秒	-1个	4pF, 4pF	500pA	-100dB@1MHz
SIP11204DLP-T1-E3	-	询价	8723	威世硅科	-	卷带式 (TR)	过时的	-40℃～85℃	次级调节器、同步调节器	表面贴装	PowerPAK® MLP44-16		SIP11204			15.5毫安	-			未验证			5.5V～13V	PowerPAK® MLP44-16	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人
SI9105DN02-T1-E3	-	询价	6053	威世硅科	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)		表面贴装	20-LCC（J导联）		SI9105					120V	-					20-PLCC (9x9)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	1,000	升压/降压																1	反激式	40kHz～1MHz		正负，隔离能力	不	-							-	-	10V
SIC610ACD-T1-GE3	-	询价	8116	威世硅科	-	大部分	过时的																		-	符合ROHS3标准			742-SIC610ACD-T1-GE3			1
DG418BDQ-T1-E3	3.0500	询价	1	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)		表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）		DG418								1			8-MSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	2,500人		-			单刀单掷 - 否	1:1	25欧姆	-	13V~36V	±7V～22V	89纳秒、80纳秒	38pC	12pF, 12pF	250pA	-
DG300ABA	-	询价	6661	威世硅科	-	大部分	过时的	-25°C ~ 85°C (TA)		通孔	TO-100-10 金属罐		DG300								2			TO-100-10	-	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	100		-			单刀单掷 - 否	1:1	50欧姆	-	-	±15V	300纳秒、250纳秒	8pC	14pF, 14pF	1nA	-74dB @ 500kHz
DG419BDJ	-	询价	4583	威世硅科	-	管子	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)		通孔	8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）		DG419								1			8-PDIP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	500		-			单刀双掷	2:1	25欧姆	-	13V~36V	±7V～22V	89纳秒、80纳秒	38pC	12pF, 12pF	250pA	-88dB@1MHz
DG2535EDQ-T1-GE3	1.8000	询价	4	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)		表面贴装	10-TFSOP、10-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）		DG2535								2			10-MSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	2,500人		120兆赫			单刀双掷	2:1	500毫欧	60毫欧	1.65V～5.5V	-	78纳秒、58纳秒	-	-	-	-90dB @ 100kHz
DG408LEDN-T1-GE4	1.9800	询价	4	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)		表面贴装	16-VFQFN 裸露焊盘		DG408								1			16-QFN (3x3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	2,500人		-			-	8:1	23欧姆	1欧姆	3V～16V	±3V～8V	72纳秒、47纳秒	11pC	5.5pF、25pF	1nA	-98dB @ 100kHz
SIC638ACD-T1-GE3	2.8200	询价	2	威世硅科	VRPower®	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	同步降压转换器	表面贴装	PowerPAK® MLP55-31L	自举电路、层次仿真、状态标志	SIC638		功率MOSFET								4.5V~5.5V	PowerPAK® MLP55-31L	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	3,000			50A													脉宽调节				直通、UVLO	半桥 (2)			电感式、电容式	-	-	4.5V~5.5V
DG333ALDJ-E3	-	询价	2866	威世硅科	-	管子	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)		通孔	20-DIP（0.300英寸，7.62毫米）		DG333								4			20-PDIP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	第495章		-			单刀双掷	2:1	45欧姆	2欧姆（最大）	5V～40V	±4V～22V	175纳秒、145纳秒	10pC	8皮法	250pA	-80dB@1MHz
DG9232DQ-T1-E3	-	询价	2831	威世硅科	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)		表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）		DG9232								2			8-MSOP	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人		-			单刀单掷-数控	1:1	30欧姆	400毫欧	2.7V～12V	-	75纳秒、50纳秒	2pC	7pF、13pF	100pA	-90dB@1MHz
SIP4282ADVP2-T1GE3	-	询价	7121	威世硅科	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C（太焦）		表面贴装	PowerPAK® SC-75-6L	负载预测，转换速率受控	SIP4282	非反相					P沟道			1:1		PowerPAK® SC-75-6L	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	3,000				不需要												开/关	1			-	高边				350毫欧		1.5V～5.5V	通用型	1.4A
DG4157DN-T1-E4	-	询价	2191	威世硅科	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)		表面贴装	6-UFDFN		DG4157								1			6-迷你 QFN (1x1.2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	6,000		117兆赫			单刀双掷	2:1	1.2欧姆	120mOhm（最大）	1.65V～5.5V	-	37纳秒、23纳秒	50pC	20pF	2nA	-63dB@1MHz
SI1865DDL-T1-GE3	0.4300	询价	9548	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	转换速率受控	SI1865	-					P沟道			1:1		SC-70-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000				-												开/关	1			-	高边				165毫欧		1.8V～12V	通用型	1.1A
DG3516DB-T5-E1	-	询价	9561	威世硅科	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)		表面贴装	10-WFBGA		DG3516								2			10-微脚® (2x1.5)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000		300兆赫			单刀双掷	2:1	2.9欧姆	250mOhm（最大）	1.8V～5.5V	-	45纳秒、42纳秒	1个	12皮法	2nA	-78dB@1MHz
DG411DY	-	询价	6686	威世硅科	-	管子	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)		表面贴装	16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）		DG411								4			16-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）		DG411DYVSI	EAR99	8542.39.0001	500		-			单刀单掷-数控	1:1	35欧姆	-	5V~44V	±5V～20V	175纳秒、145纳秒	5pC	9pF, 9pF	250pA	-85dB@1MHz
DG454EY-T1-E3	4.6800	询价	4861	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)		表面贴装	16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）		DG454								4			16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	2,500人		-			单刀单掷-数控	1:1	5.3欧姆	120毫欧	12V~36V	±5V～15V	118纳秒、97纳秒	22pC	31pF、34pF	500pA	-85dB@1MHz
DG309BDQ-E3	-	询价	4253	威世硅科	-	大部分	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)		表面贴装	16-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）		DG309								4			16-TSSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	360		-			单刀单掷-数控	1:1	85欧姆	1.7欧姆	4V~44V	±4V～22V	200纳秒、150纳秒	1个	5pF, 5pF	500pA	-95dB @ 100kHz
DG9433DS-T1-E3	-	询价	3369	威世硅科	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)		表面贴装	SOT-23-8		DG9433								2			SOT-23-8	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000		-			单刀单掷 - 否	1:1	30欧姆	300毫欧	2.7V～12V	-	35纳秒、18纳秒	0.36pC	7.5pF、7.8pF	1nA	-96dB@1MHz
DG303BDY	-	询价	8115	威世硅科	-	管子	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)		表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）		DG303								2			14-SOIC	-	不符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	550		-			双刀单掷 - 常开/常闭	2:1	50欧姆	-	-	±15V	300纳秒、250纳秒	8pC	14pF, 14pF	1nA	-74dB @ 500kHz
DG2511DN-T1-E4	-	询价	7921	威世硅科	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)		表面贴装	6-UFDFN		DG251								1			6-迷你 QFN (1x1.2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	3,000		-			单刀双掷	2:1	1.3欧姆	150mOhm（最大）	1.8V～5.5V	-	35纳秒、31纳秒	14pC	19皮法	2nA	-64dB@1MHz
DG9233EDS-T1-GE3	-	询价	3750	威世硅科	*	卷带式 (TR)	的积极						DG9233												-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000									2.7V～5.5V
DG406BDN-E3	5.8025	询价	8350	威世硅科	-	管子	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)		表面贴装	28-LCC（J导联）		DG406								1			28-PLCC (11.51x11.51)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	400		-			-	16:1	60欧姆	3欧姆	7.5V～44V	±5V～20V	107纳秒、88纳秒	11pC	6pF、108pF	500pA	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

集成电路 (IC)(1550)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²