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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 特征 基本产品编号 输入类型 电压 - 输入 电压 - 输入(最大) 输出类型 电路数量 其中 - 输入:输出 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 -3db带宽 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) 开关电路 多路复用器/解复用器电路 通态电阻(最大) 通道间匹配 (ΔRon) 电压 - 电源,单路 (V+) 电压 - 电源,双 (V±) 切换T(Ton、Toff)(最大) 引进 通道电容(CS(off)、CD(off)) 电流 -电流(IS(关闭))(最大) 相声 界面 产出数量 电流 - 静态 (Iq) 拓扑结构 频率切换 故障保护 控制特性 输出配置 输出相数 占空比(最大) 同步调整器 时钟同步 串行接口 当前-输出 导通电阻(典型值) 电压-负载 电压 - 输出 开关类型 当前-产出(最大) 电压 - 输出(最小/固定) 电压 - 输出(最大) 电压-输入(最小) 调节器数量 电压降幅(最大) 电源抑制比 保护特性
SIP21107DT-46-E3 Vishay Siliconix SIP21107DT-46-E3 -
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ECAD 8021 0.00000000 威世硅科 - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃~85℃ 表面贴装 SOT-23-5薄型、TSOT-23-5 SIP211 6V 固定的 TSOT-23-5 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 85微安 启用、电源正常 的积极 150毫安 4.6V - 1 0.22V@150mA 72dB~38dB(1kHz~100kHz) 过温、短路
SIP21107DVP-285-E3 Vishay Siliconix SIP21107DVP-285-E3 -
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ECAD 7248 0.00000000 威世硅科 - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃~85℃ 表面贴装 PowerPAK® TSC-75-6 SIP211 6V 固定的 PowerPAK® TSC75-6 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 85微安 启用、电源正常 的积极 150毫安 2.85V - 1 0.22V@150mA 72dB~38dB(1kHz~100kHz) 过温、短路
SIP32441DNP-T1-GE4 Vishay Siliconix SIP32441DNP-T1-GE4 0.2657
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ECAD 5422 0.00000000 威世硅科 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 4-UFDFN 裸露焊盘 转换速率受控 SIP32441 非反相 N沟道 1:1 4-TDFN (1.2x1.6) 下载 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 3,000 不需要 开/关 1 逆向电流,UVLO 高边 38毫欧 1.7V~5.5V 通用型 3A
SI9121DY-5-E3 Vishay Siliconix SI9121DY-5-E3 -
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ECAD 1399 0.00000000 威世硅科 - 大部分 过时的 -40℃~85℃ 转换器、ISDN电源 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) SI9121 -10V~-60V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 500 1 5V
SIP2800DY-T1-E3 Vishay Siliconix SIP2800DY-T1-E3 1.0436
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ECAD 9950 0.00000000 威世硅科 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) SIP2800 晶体管驱动器 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 2,500人 升压、降压、升压/降压 6.9V~12V 1 降压、升压、降压-升压 46kHz - 正、隔离能力 1 99% -
DG441LEDY-GE3 Vishay Siliconix DG441LEDY-GE3 1.5700
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ECAD 250 0.00000000 威世硅科 - 管子 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) DG441 4 16-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 50 - 单刀单掷-数控 1:1 26欧姆 100毫欧 3V~16V ±3V~8V 60纳秒、35纳秒 6.6pC 5皮法、6皮法 1nA -114dB@1MHz
DG201ACK Vishay Siliconix DG201ACK -
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ECAD 5080 0.00000000 威世硅科 - 管子 过时的 -55℃~125℃(TA) 通孔 16-CDIP(0.300英寸,7.62毫米) DG201 4 16-CERDIP - 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 25 - 单刀单掷-数控 1:1 175欧姆 - - ±15V 600纳秒、450纳秒 20pC 5pF, 5pF 1nA -90dB @ 100kHz
SI9118DY-E3 Vishay Siliconix SI9118DY-E3 -
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ECAD 4787 0.00000000 威世硅科 - 大部分 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) SI9118 晶体管驱动器 16-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.31.0001 500 升压/降压 10V~16.5V 1 正激转换器 40kHz~1MHz 电流限制、使用能、频率控制、软稳定 正、隔离能力 1 80% -
SIC437BED-T1-GE3 Vishay Siliconix SIC437BED-T1-GE3 3.2300
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ECAD 17号 0.00000000 威世硅科 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 24-PowerWFQFN SIC437 28V 可调节的 PowerPAK® MLP44-24 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 3,000 降压 1 巴克 300kHz~1MHz 的积极 是的 12A 0.6V 20V 3V
DG301AAK Vishay Siliconix DG301AAK -
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ECAD 5074 0.00000000 威世硅科 - 大部分 过时的 -55℃~125℃(TA) 通孔 14-CDIP(0.300英寸,7.62毫米) DG301 1 14-CERDIP 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 25 - 单刀双掷 2:1 50欧姆 - - ±15V 300纳秒、250纳秒 8pC 14pF, 14pF 1nA -74dB @ 500kHz
SIP32455DB-T2-GE1 Vishay Siliconix SIP32455DB-T2-GE1 0.8200
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ECAD 1113 0.00000000 威世硅科 微型脚® 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 4-UFBGA、CSPBGA 转换速率受控 SIP32455 非反相 N沟道 1:1 4-WCSP (0.76x0.76) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 3,000 不需要 开/关 1 逆流 高边 28毫欧 0.8V~2.5V 通用型 1.2A
DG613AEN-T1-E4 Vishay Siliconix DG613AEN-T1-E4 -
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ECAD 9906 0.00000000 威世硅科 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 16-WFQFN DG613 4 16-迷你QFN (1.8x2.6) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 3,000 720兆赫 单刀单掷 - 常开/常闭 1:1 115欧姆 700毫欧 2.7V~12V ±2.7V~5V 55纳秒、35纳秒 1个 2pF、3pF 100pA -90dB @ 10MHz
DG442LDJ-E3 Vishay Siliconix DG442LDJ-E3 -
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ECAD 4735 0.00000000 威世硅科 - 管子 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 通孔 16-DIP(0.300英寸,7.62毫米) DG442 4 16-PDIP - 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 500 280兆赫 单刀单掷 - 否 1:1 30欧姆 100毫欧 2.7V~12V ±3V~6V 60纳秒、35纳秒 5pC 5皮法、6皮法 1nA -95dB@1MHz
SI9183DT-285-T1-E3 Vishay Siliconix SI9183DT-285-T1-E3 -
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ECAD 5895 0.00000000 威世硅科 - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃~85℃ 表面贴装 SOT-23-5薄型、TSOT-23-5 SI9183 6V 固定的 TSOT-23-5 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 900微安 使用能够 的积极 150毫安 2.85V - 1 0.22V@150mA 60dB~30dB(1kHz~100kHz) 过温、短路
DG452EQ-T1-E3 Vishay Siliconix DG452EQ-T1-E3 4.6800
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ECAD 11 0.00000000 威世硅科 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 16-TSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) DG452 4 16-TSSOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 3,000 - 单刀单掷 - 否 1:1 5.3欧姆 120毫欧 12V~36V ±5V~15V 118纳秒、97纳秒 22pC 31pF、34pF 500pA -85dB@1MHz
SI9111DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI9111DY-T1-E3 -
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ECAD 2922 0.00000000 威世硅科 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 14-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) SI9111 晶体管驱动器 14-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 升压/降压 9.5V~13.5V 1 Cuk、反激式、正激式转换器、推挽式 40kHz~1MHz 启用、重置 的积极 1 - -
DG412LDQ-T1 Vishay Siliconix DG412LDQ-T1 -
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ECAD 4811 0.00000000 威世硅科 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 16-TSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) DG412 4 16-TSSOP 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 280兆赫 单刀单掷 - 否 1:1 17欧姆 - 2.7V~12V ±3V~6V 19纳秒、12纳秒 5pC 5皮法、6皮法 250pA -95dB@1MHz
SI1865DL-T1-E3 Vishay Siliconix SI1865DL-T1-E3 -
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ECAD 3783 0.00000000 威世硅科 - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 转换速率受控 SI1865 - P沟道 1:1 SC-70-6 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 3,000 - 开/关 1 - 高边 180毫欧 1.8V~8V 通用型 1.2A
SIP21106DVP-12-E3 Vishay Siliconix SIP21106DVP-12-E3 -
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ECAD 2903 0.00000000 威世硅科 - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃~85℃ 表面贴装 PowerPAK® TSC-75-6 SIP211 6V 固定的 PowerPAK® TSC75-6 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 85微安 使用能够 的积极 150毫安 1.2V - 1 - 75dB~40dB(1kHz~100kHz) 过温、短路
SIP21106DR-26-E3 Vishay Siliconix SIP21106DR-26-E3 -
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ECAD 1840年 0.00000000 威世硅科 - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃~85℃ 表面贴装 5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353 SIP211 6V 固定的 SC-70-5 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 85微安 使用能够 的积极 150毫安 2.6V - 1 0.22V@150mA 75dB~40dB(1kHz~100kHz) 过温、短路
DG643DY-E3 Vishay Siliconix DG643DY-E3 -
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ECAD 2528 0.00000000 威世硅科 - 管子 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) DG643 2 16-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 DG643DYE3 EAR99 8542.39.0001 500 500兆赫 单刀双掷 2:1 15欧姆 1欧姆 3V~15V ±3V~15V 70纳秒、50纳秒 19pC 12pF, 12pF 10纳安 -87dB @ 5MHz
SIC451ED-T1-GE3 Vishay Siliconix SIC451ED-T1-GE3 5.8100
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ECAD 10 0.00000000 威世硅科 microBUCK® 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 34-PowerWFQFN SIC451 20V 可调节的 PowerPAK® MLP34-57 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 742-SIC451ED-T1-GE3CT EAR99 8542.39.0001 3,000 降压 1 巴克 300kHz~1.5MHz 的积极 是的 25A 0.3V 12V 4.5V
DG2788ADN-T1-GE4 Vishay Siliconix DG2788ADN-T1-GE4 0.8700
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ECAD 27号 0.00000000 威世硅科 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 16-UFQFN DG2788 2 16-迷你QFN (1.8x2.6) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 3,000 338兆赫 DPDT 2:1 500毫欧 50毫欧 1.8V~5.5V - 50μs、1μs -245pC - 100纳安 -61dB@1MHz
SIP32409DNP-T1-GE4 Vishay Siliconix SIP32409DNP-T1-GE4 0.6400
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ECAD 40 0.00000000 威世硅科 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 4-UFDFN 裸露焊盘 负载预测,转换速率受控 SIP32409 非反相 N沟道 1:1 4-TDFN (1.2x1.6) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 3,000 不需要 开/关 1 逆流 高边 44毫欧 1.1V~5.5V 通用型 3.5A
DG508BEY-T1-E3 Vishay Siliconix DG508BEY-T1-E3 2.8800
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ECAD 5 0.00000000 威世硅科 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) DG508 1 16-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 2,500人 250兆赫 - 8:1 380欧姆 10欧姆 12V~44V ±5V~20V 250纳秒、240纳秒 2pC 3pF、13pF 1nA -88dB@1MHz
DG408AK-E3 Vishay Siliconix DG408AK-E3 -
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ECAD 2108 0.00000000 威世硅科 - 管子 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) 通孔 16-DIP(0.300英寸,7.62毫米) DG408 1 16-DIP - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 25 - - 8:1 100欧姆 15欧姆(最大) 13V~44V ±7V~22V 150纳秒, 150纳秒 20pC 3pF、26pF 500pA -
DG411LDJ Vishay Siliconix DG411LDJ -
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ECAD 7617 0.00000000 威世硅科 - 管子 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) 通孔 16-DIP(0.300英寸,7.62毫米) DG411 4 16-PDIP - 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 500 280兆赫 单刀单掷-数控 1:1 17欧姆 - 2.7V~12V ±3V~6V 19纳秒、12纳秒 5pC 5皮法、6皮法 250pA -95dB@1MHz
DG9426DQ-T1-E3 Vishay Siliconix DG9426DQ-T1-E3 -
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ECAD 4180 0.00000000 威世硅科 - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 16-TSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) DG9426 4 16-TSSOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 - 单刀单掷 - 常开/常闭 1:1 3欧姆 - 3V~16V ±3V~8V 51纳秒、35纳秒 38pC 49pF、37pF 1nA -77dB@1MHz
DG333ALDW-T1-E3 Vishay Siliconix DG333ALDW-T1-E3 6.9500
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ECAD 4 0.00000000 威世硅科 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 20-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) DG333 4 20-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8542.39.0001 1,500人 - 单刀双掷 2:1 45欧姆 2欧姆(最大) 5V~40V ±4V~22V 175纳秒、145纳秒 10pC 8皮法 250pA -80dB@1MHz
86716022A Vishay Siliconix 86716022A -
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ECAD 1999年 0.00000000 威世硅科 - 大部分 过时的 - - 867160 - - 不符合 RoHS 指令 1(无限制) 过时的 0000.00.0000 25 - - - - - - - - - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库