集成电路 (IC)(1550)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	应用领域	安装类型	包装/箱	特征	基本产品编号	输入类型	技术	输出类型	电路数量	其中 - 输入：输出	电压 - 电源	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	-3db带宽	电流 - 输出/通道	电压 - 电源 (Vcc/Vdd)	开关电路	多路复用器/解复用器电路	通态电阻（最大）	通道间匹配 (ΔRon)	电压 - 电源，单路 (V+)	电压 - 电源，双 (V±)	切换T（Ton、Toff）（最大）	引进	通道电容（CS(off)、CD(off)）	电流 -电流（IS（关闭））（顶部）	相声	界面	产出数量	故障保护	输出配置	负载类型	导通电阻（典型值）	当前 - 高峰	电压-负载	开关类型	当前-产出（最大）
DG787DQ-T1-E3	-	询价	7823	威世硅科	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)		表面贴装	10-TFSOP、10-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）		DG787				2			10-MSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	300兆赫			单刀双掷	2:1	2.9欧姆	250mOhm（最大）	1.8V～5.5V	-	45纳秒、42纳秒	1个	12皮法	1nA	-56dB@10MHz
9073101EA	-	询价	3521	威世硅科	-	大部分	过时的				-		90731							-	-	不符合RoHS标准	1（无限制）			过时的	0000.00.0000	25
DG411DY	-	询价	6686	威世硅科	-	管子	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)		表面贴装	16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）		DG411				4			16-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）		DG411DYVSI	EAR99	8542.39.0001	500	-			单刀单掷-数控	1:1	35欧姆	-	5V~44V	±5V～20V	175纳秒、145纳秒	5pC	9pF, 9pF	250pA	-85dB@1MHz
SI1865DDL-T1-GE3	0.4300	询价	9548	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	转换速率受控	SI1865	-		P沟道		1:1		SC-70-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000			-												开/关	1	-	高边		165毫欧		1.8V～12V	通用型	1.1A
DG9433DS-T1-E3	-	询价	3369	威世硅科	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)		表面贴装	SOT-23-8		DG9433				2			SOT-23-8	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	-			单刀单掷 - 否	1:1	30欧姆	300毫欧	2.7V～12V	-	35纳秒、18纳秒	0.36pC	7.5pF、7.8pF	1nA	-96dB@1MHz
DG454EY-T1-E3	4.6800	询价	4861	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)		表面贴装	16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）		DG454				4			16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	2,500人	-			单刀单掷-数控	1:1	5.3欧姆	120毫欧	12V~36V	±5V～15V	118纳秒、97纳秒	22pC	31pF、34pF	500pA	-85dB@1MHz
DG413HSAK/883	-	询价	8628	威世硅科	-	管子	过时的	-55℃～125℃（TA）		表面贴装	16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）		DG413				4			16-SOIC	-	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	25	-			单刀单掷 - 常开/常闭	1:1	35欧姆	-	13V~44V	±5V～20V	105纳秒、80纳秒	22pC	12pF, 12pF	250pA	-88dB@1MHz
DG1412EQ-T1-GE3	-	询价	6736	威世硅科	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C (TA)		表面贴装	16-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）		DG1412				4			16-TSSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	210兆赫			单刀单掷 - 否	1:1	1.8欧姆	80毫欧	4.5V~24V	±4.5V～15V	150纳秒、120纳秒	-20℃	11pF、24pF	550pA	-100dB@1MHz
DG309BDQ-E3	-	询价	4253	威世硅科	-	大部分	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)		表面贴装	16-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）		DG309				4			16-TSSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	360	-			单刀单掷-数控	1:1	85欧姆	1.7欧姆	4V~44V	±4V～22V	200纳秒、150纳秒	1个	5pF, 5pF	500pA	-95dB @ 100kHz
SIC638ACD-T1-GE3	2.8200	询价	2	威世硅科	VRPower®	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)	同步降压转换器	表面贴装	PowerPAK® MLP55-31L	自举电路、层次仿真、状态标志	SIC638		功率MOSFET				4.5V～5.5V	PowerPAK® MLP55-31L	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	3,000		50A													脉宽调节		直通、UVLO	半桥 (2)	电感式、电容式	-	-	4.5V～5.5V
DG2511DN-T1-E4	-	询价	7921	威世硅科	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)		表面贴装	6-UFDFN		DG251				1			6-迷你 QFN (1x1.2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	3,000	-			单刀双掷	2:1	1.3欧姆	150mOhm（最大）	1.8V～5.5V	-	35纳秒、31纳秒	14pC	19皮法	2nA	-64dB@1MHz
DG406BDN-E3	5.8025	询价	8350	威世硅科	-	管子	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)		表面贴装	28-LCC（J导联）		DG406				1			28-PLCC (11.51x11.51)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	400	-			-	16:1	60欧姆	3欧姆	7.5V～44V	±5V～20V	107纳秒、88纳秒	11pC	6pF、108pF	500pA	-
DG9232DQ-T1-E3	-	询价	2831	威世硅科	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)		表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）		DG9232				2			8-MSOP	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	2,500人	-			单刀单掷-数控	1:1	30欧姆	400毫欧	2.7V～12V	-	75纳秒、50纳秒	2pC	7pF、13pF	100pA	-90dB@1MHz
DG2716EDL-T1-GE3	-	询价	5156	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353		DG2716							SC-70-5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000
DG9233EDS-T1-GE3	-	询价	3750	威世硅科	*	卷带式 (TR)	的积极						DG9233								-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000								2.7V～5.5V
DG1408EN-T1-GE4	-	询价	8383	威世硅科	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 125°C (TA)		表面贴装	16-VQFN 裸露焊盘		DG1408				1			16-QFN (4x4)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	2,500人	46兆赫			-	8:1	4.7欧姆	200毫欧	4.5V~24V	±4.5V～16.5V	150纳秒、120纳秒	100pC	14pF、89pF	200pA	-64dB@1MHz
DG202BDQ-T1-E3	3.0600	询价	23	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)		表面贴装	16-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）		DG202				4			16-TSSOP	-	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	3,000	-			单刀单掷 - 否	1:1	85欧姆	2欧姆	4.5V～25V	±4.5V～22V	300纳秒、200纳秒	1个	5pF, 5pF	500pA	-95dB @ 100kHz
DG403BDJ	-	询价	3622	威世硅科	-	管子	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)		通孔	16-DIP（0.300英寸，7.62毫米）		DG403				4			16-PDIP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	500	-			单刀单掷 - 常开/常闭	1:1	45欧姆	-	13V~36V	±7V～22V	150纳秒、100纳秒	60pC	12pF, 12pF	500pA	-94.8dB@1MHz
DG9236DN-T1-E4	-	询价	2931	威世硅科	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)		表面贴装	10-UFQFN		DG9236				2			10 微型 QFN (1.4x1.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	800兆赫			单刀双掷	2:1	145欧姆	2欧姆	2.7V～16V	-	70纳秒、55纳秒	6pC	2皮法	1nA	-70dB @ 10MHz
DG413LDJ	-	询价	2627	威世硅科	-	管子	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)		通孔	16-DIP（0.300英寸，7.62毫米）		DG413				4			16-PDIP	-	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	500	280兆赫			单刀单掷 - 常开/常闭	1:1	17欧姆	-	2.7V～12V	±3V～6V	19纳秒、12纳秒	5pC	5皮法、6皮法	250pA	-95dB@1MHz
DG2711DL-T1-GE3	-	询价	9046	威世硅科	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363		DG2711				1			SC-70-6	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	-			单刀双掷	2:1	600毫欧	70mOhm（最大）	1.6V~3.6V	-	46纳秒、38纳秒	28pC	70pF	1nA	-56dB@1MHz
DG611EEQ-T1-GE4	1.6100	询价	3	威世硅科	-	卷带式 (TR)	的积极	-40°C ~ 125°C (TA)		表面贴装	16-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）		DG611				4			16-TSSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	3,000	1GHz			单刀单掷-数控	1:1	115欧姆	2.5欧姆	3V～12V	±3V～5V	50纳秒、35纳秒	1.4pC	3pF, 3pF	100pA	-74dB@10MHz
DG309BDY-E3	2.7700	询价	第494章	威世硅科	-	管子	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)		表面贴装	16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）		DG309				4			16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	50	-			单刀单掷-数控	1:1	85欧姆	1.7欧姆	4V~44V	±4V～22V	200纳秒、150纳秒	1个	5pF, 5pF	500pA	-95dB @ 100kHz
8976301EA	-	询价	9359	威世硅科	-	大部分	过时的	-			-		897630							-	-	不符合RoHS标准	1（无限制）			过时的	0000.00.0000	25	-			-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
DG201BAK	-	询价	9382	威世硅科	-	管子	过时的	-55℃～125℃（TA）		通孔	16-CDIP（0.300英寸，7.62毫米）		DG201				4			16-CERDIP	-	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	25	-			单刀单掷-数控	1:1	85欧姆	2欧姆	4.5V～25V	±4.5V～22V	300纳秒、200纳秒	1个	5pF, 5pF	500pA	-95dB @ 100kHz
DG2002DL-T1-GE3	-	询价	6882	威世硅科	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363		DG2002				1			SC-70-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	-			单刀双掷	2:1	7.8欧姆	-	1.8V～5.5V	-	8纳秒、6纳秒	5pC	5pF	1nA	-69dB@1MHz
DG406BDW	-	询价	4650	威世硅科	-	管子	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)		表面贴装	28-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）		DG406				1			28-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	250	-			-	16:1	60欧姆	3欧姆	7.5V～44V	±5V～20V	107纳秒、88纳秒	11pC	6pF、108pF	500pA	-
DG429DN	-	询价	3079	威世硅科	-	大部分	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)		表面贴装	20-LCC（J导联）		DG429				2			20-PLCC (9x9)	-	不符合RoHS标准	1（无限制）		Q7165861EE	EAR99	8542.39.0001	500	-			SP4T	4:1	100欧姆	5欧姆	12V	±15V	150纳秒, 150纳秒	1个	11pF、20pF	500pA	-
DG442LEDY-GE3	1.5700	询价	2	威世硅科	-	管子	的积极	-40°C ~ 85°C (TA)		表面贴装	16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）		DG442				4			16-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8542.39.0001	50	-			单刀单掷 - 否	1:1	26欧姆	100毫欧	3V～16V	±3V～8V	60纳秒、35纳秒	6.6pC	5皮法、6皮法	1nA	-114dB@1MHz
DG2307DL-T1-E3	-	询价	9094	威世硅科	-	卷带式 (TR)	过时的	-40°C ~ 85°C (TA)		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363		DG2307				1			SC-70-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8542.39.0001	3,000	250兆赫			单刀双掷	2:1	12欧姆	320毫欧	2V～5.5V	-	2.6纳秒、2.6纳秒	7pC	6.5pF	100纳安	-58.7dB @ 10MHz

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

集成电路 (IC)(1550)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²