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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 应用领域 | 安装类型 | 包装/箱 | 类型 | 特征 | 基本产品编号 | 输入类型 | 电压 - 输入 | 通道数 | 电压 - 输入(最大) | 规格 | 输出类型 | 电路数量 | 其中 - 输入:输出 | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 功能 | -3db带宽 | 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) | 开关电路 | 多路复用器/解复用器电路 | 通态电阻(最大) | 通道间匹配 (ΔRon) | 电压 - 电源,单路 (V+) | 电压 - 电源,双 (V±) | 切换T(Ton、Toff)(最大) | 引进 | 通道电容(CS(off)、CD(off)) | 电流 -电流(IS(关闭))(顶部) | 相声 | 界面 | 附加费率 | 产出数量 | 电流 - 静态 (Iq) | 拓扑结构 | 频率切换 | 故障保护 | 控制特性 | 输出配置 | 输出相数 | 占空比(最大) | 同步调整器 | 时钟同步 | 串行接口 | 当前-输出 | 导通电阻(典型值) | 电压-负载 | 电压 - 输出 | 开关类型 | 当前-产出(最大) | 电压 - 输出(最小/固定) | 电压 - 输出(最大) | 电压-输入(最小) | 调节器数量 | 电压降幅(最大) | 电源抑制比 | 保护特性 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SI9118DY-T1-E3 | - | ![]() | 2956 | 0.00000000 | 威世硅科 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | SI9118 | 晶体管驱动器 | 16-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.31.0001 | 2,500人 | 升压/降压 | 10V~16.5V | 1 | 正激转换器 | 40kHz~1MHz | 电流限制、使用能、频率控制、软稳定 | 正、隔离能力 | 1 | 80% | 不 | 不 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DG418DJ | - | ![]() | 6904 | 0.00000000 | 威世硅科 | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | DG418 | 1 | 8-PDIP | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | DG418DJVSI | EAR99 | 8542.39.0001 | 500 | - | 单刀单掷 - 否 | 1:1 | 35欧姆 | - | 12V | ±15V | 175纳秒、145纳秒 | 60pC | 8pF, 8pF | 250pA | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DG534ADN-E3 | - | ![]() | 4594 | 0.00000000 | 威世硅科 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 演讲、视频 | 表面贴装 | 20-LCC(J导联) | T 开关配置 | DG534 | 2 | 20-PLCC (9x9) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.33.0001 | 500 | 500兆赫 | 单刀双掷 | 2:1 | 90欧姆 | 10V~21V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SI9113DY-T1-E3 | - | ![]() | 9968 | 0.00000000 | 威世硅科 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40℃~85℃ | 控制器、ISDN电源 | 表面贴装 | 14-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | SI9113 | 23.5V~200V | 14-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.31.0001 | 2,500人 | 1 | 调整至1.3V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DG200AAA/883 | - | ![]() | 5699 | 0.00000000 | 威世硅科 | - | 管子 | 过时的 | -55℃~125℃(TA) | 通孔 | TO-100-10 金属罐 | DG200 | 2 | TO-100-10 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 20 | - | 单刀单掷-数控 | 1:1 | 70欧姆 | - | - | ±15V | 440纳秒、340纳秒 | -10pC | 9pF, 9pF | 2nA | -90dB@1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DG612DJ-E3 | - | ![]() | 7333 | 0.00000000 | 威世硅科 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 通孔 | 16-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | DG612 | 4 | 16-PDIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | DG612DJE3 | EAR99 | 8542.39.0001 | 500 | 500兆赫 | 单刀单掷 - 否 | 1:1 | 45欧姆 | 2欧姆 | 10V~18V | ±10V~15V | 35纳秒、25纳秒 | 4pC | 3pF、2pF | 250pA | -87dB @ 5MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DG417DJ-E3 | 2.9800 | ![]() | 第553章 | 0.00000000 | 威世硅科 | - | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | DG417 | 1 | 8-PDIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | DG417DJE3 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | - | 单刀单掷-数控 | 1:1 | 35欧姆 | - | 12V | ±15V | 175纳秒、145纳秒 | 60pC | 8pF, 8pF | 250pA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DG1412EEQ-T1-GE4 | 7.4000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 威世硅科 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 16-TSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) | DG1412 | 4 | 16-TSSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 150兆赫 | 单刀单掷 - 否 | 1:1 | 1.5欧姆 | 40毫欧 | 4.5V~24V | ±4.5V~15V | 140纳秒、110纳秒 | -41pC | 24pF、23pF | 500pA | -104dB@1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DG201BDY-T1 | - | ![]() | 第1484章 | 0.00000000 | 威世硅科 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | DG201 | 4 | 16-SOIC | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | - | 单刀单掷-数控 | 1:1 | 85欧姆 | 2欧姆 | 4.5V~25V | ±4.5V~22V | 300纳秒、200纳秒 | 1个 | 5pF, 5pF | 500pA | -95dB @ 100kHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIP5638CS-TR-E3 | - | ![]() | 4608 | 0.00000000 | 威世硅科 | - | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃ | 表面贴装 | 48-LQFP | 小型计算机系统接口 | SIP563 | 2.7V~5.25V | 48-SQFP (7x7) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 15 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIP5628CS-TR-E3 | - | ![]() | 3062 | 0.00000000 | 威世硅科 | - | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃ | - | - | 小型计算机系统接口 | SIP562 | 2.7V~5.25V | - | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 14 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DG9232EDY-T1-GE3 | 2.2100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 威世硅科 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | DG9232 | 2 | 8-SOIC | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | - | 单刀单掷-数控 | 1:1 | 25欧姆 | 400毫欧 | 2.7V~5.5V | - | 75纳秒、50纳秒 | -0.78pC | 3.8pF | 100pA | -108dB@1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DG9232EDQ-T1-GE3 | 2.4500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 威世硅科 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 8-TSSOP、8-MSOP(0.118英寸,3.00毫米宽) | DG9232 | 2 | 8-MSOP | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | - | 单刀单掷-数控 | 1:1 | 25欧姆 | 400毫欧 | 2.7V~5.5V | - | 75纳秒、50纳秒 | -0.78pC | 3.8pF | 100pA | -108dB@1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DG201HSDJ | - | ![]() | 3981 | 0.00000000 | 威世硅科 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 通孔 | 16-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | DG201 | 4 | 16-PDIP | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 500 | - | 单刀单掷-数控 | 1:1 | 50欧姆 | 1.5欧姆 | 13V~36V | ±7V~22V | 60纳秒、50纳秒 | -5pC | 5pF | 1nA | -100dB @ 100kHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DG408LDY-T1-E3 | - | ![]() | 6573 | 0.00000000 | 威世硅科 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | DG408 | 1 | 16-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | - | - | 8:1 | 29欧姆 | 1欧姆 | 2.7V~12V | ±3V~6V | 55纳秒、25纳秒 | 1个 | 7pF、20pF | 1nA | -82dB @ 100kHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DG542DY-T1-E3 | - | ![]() | 8844 | 0.00000000 | 威世硅科 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 视频 | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | RGB、T开关配置 | DG542 | 4 | 16-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 500兆赫 | 单刀单掷 | 1:1 | 60欧姆 | 3V~15V | ±3V~15V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIP21106DVP-30-E3 | - | ![]() | 6737 | 0.00000000 | 威世硅科 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | PowerPAK® TSC-75-6 | SIP211 | 6V | 固定的 | PowerPAK® TSC75-6 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 85微安 | 使用能够 | 的积极 | 150毫安 | 3V | - | 1 | 0.22V@150mA | 75dB~40dB(1kHz~100kHz) | 过温、短路 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DG2592DN-T1-GE4 | 0.5958 | ![]() | 8371 | 0.00000000 | 威世硅科 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 消费类音频 | 表面贴装 | 10-UFQFN | DG2592 | 1 | - | 1.6V~5.5V | 10 微型 QFN (1.4x1.8) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 检测开关 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DG442LDY-T1-E3 | - | ![]() | 5646 | 0.00000000 | 威世硅科 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | DG442 | 4 | 16-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 280兆赫 | 单刀单掷 - 否 | 1:1 | 30欧姆 | 100毫欧 | 2.7V~12V | ±3V~6V | 60纳秒、35纳秒 | 5pC | 5皮法、6皮法 | 1nA | -95dB@1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DG2032DN-T1-E4 | - | ![]() | 8252 | 0.00000000 | 威世硅科 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 12-VFQFN 裸露焊盘 | DG2032 | 2 | 12-QFN (3x3) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | - | 单刀双掷 | 2:1 | 5欧姆 | 400mOhm(最大) | 1.8V~5.5V | - | 53纳秒、38纳秒 | 38pC | 15皮法 | 1nA | -82dB@1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIP32462DB-T2-GE1 | 0.6400 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 威世硅科 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 4-UFBGA、CSPBGA | 转换速率受控 | SIP32462 | 非反相 | N沟道 | 1:1 | 4-WCSP (0.76x0.76) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 不需要 | 开/关 | 1 | 逆流 | 高边 | 50毫欧 | 1.2V~5.5V | 通用型 | 1.2A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DG2513DN-T1-E4 | - | ![]() | 3931 | 0.00000000 | 威世硅科 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 6-UFDFN | DG251 | 1 | 6-迷你 QFN (1x1.2) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | 单刀单掷 - 否 | 1:1 | 1.3欧姆 | 150mOhm(最大) | 1.8V~5.5V | - | 35纳秒、31纳秒 | 14pC | 19皮法 | 2nA | -64dB@1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DG413HSDJ | - | ![]() | 1535 | 0.00000000 | 威世硅科 | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 通孔 | 16-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | DG413 | 4 | 16-PDIP | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 500 | - | 单刀单掷 - 常开/常闭 | 1:1 | 35欧姆 | - | 13V~44V | ±5V~20V | 105纳秒、80纳秒 | 22pC | 12pF, 12pF | 250pA | -88dB@1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DG2591DN-T1-GE4 | - | ![]() | 6836 | 0.00000000 | 威世硅科 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 6-UFDFN | DG2591 | 1 | 6-迷你 QFN (1x1.2) | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | - | 1:1 | - | - | - | - | - | - | - | 1微安 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DG201BDY-T1-E3 | 2.8800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 威世硅科 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | DG201 | 4 | 16-SOIC | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | - | 单刀单掷-数控 | 1:1 | 85欧姆 | 2欧姆 | 4.5V~25V | ±4.5V~22V | 300纳秒、200纳秒 | 1个 | 5pF, 5pF | 500pA | -95dB @ 100kHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DG413HSDY-E3 | 2.7318 | ![]() | 9680 | 0.00000000 | 威世硅科 | - | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | DG413 | 4 | 16-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | DG413HS染料3 | EAR99 | 8542.39.0001 | 500 | - | 单刀单掷 - 常开/常闭 | 1:1 | 35欧姆 | - | 13V~44V | ±5V~20V | 105纳秒、80纳秒 | 22pC | 12pF, 12pF | 250pA | -88dB@1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DG409LEDN-T1-GE4 | 1.0436 | ![]() | 4360 | 0.00000000 | 威世硅科 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 16-VFQFN 裸露焊盘 | DG409 | 2 | 16-QFN (3x3) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | - | SP4T | 4:1 | 23欧姆 | 1欧姆 | 3V~16V | ±3.3V~8V | 72纳秒、47纳秒 | -10pC | 5.5pF、13.5pF | 1nA | -109dB @ 100kHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DG612EEY-T1-GE3 | - | ![]() | 4313 | 0.00000000 | 威世硅科 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | DG612 | 4 | 16-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 1GHz | 单刀单掷 - 否 | 1:1 | 115欧姆 | 600毫欧 | 3V~12V | ±3V~5V | 50纳秒、35纳秒 | 1.4pC | 3pF, 3pF | 100pA | -74dB@10MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIC931BED-T1-GE3 | 17.4100 | ![]() | 2016年 | 0.00000000 | 威世硅科 | microBUCK® | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~105℃(TA) | 表面贴装 | 60-PowerBFQFN | SIC931 | 18V | 可调节的 | PowerPAK® MLP60-A6C | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 742-SIC931BED-T1-GE3DKR | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 降压 | 1 | 巴克 | 600kHz、1MHz、1.5MHz、2MHz | 的积极 | 是的 | 20A | 0.6V | 5.5V | 4.5V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DG9431DV-T1-E3 | - | ![]() | 2663 | 0.00000000 | 威世硅科 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | SOT-23-6薄型、TSOT-23-6 | DG9431 | 1 | 6-TSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | 单刀双掷 | 2:1 | 30欧姆 | 400毫欧 | 2.7V~5V | - | 75纳秒、50纳秒 | 2pC | 7皮法 | 100pA | - |

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