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集成电路 (IC)(312)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 当前-供应 电压 - 输入 SIC 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 通道类型 传感方式 准确性 当前-输出 驱动配置 司机X 闸门类型 逻辑电压 - VIL、VIH 电流 - 热输出（拉电流、灌电流） 上升/下降T（典型值） 高侧电压 - 顶部（自举）
IXDE514D1 IXYS IXDE514D1 -
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 ECAD 5148 0.00000000 IXYS - 盒子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 6-VDFN 裸露焊盘 IXDE514 反相 未验证 4.5V～30V 6-DFN (4x5) 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 56 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 1V、2.5V 14A, 14A 25纳秒、22纳秒
IXDD430MYI IXYS IXDD430MYI -
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 ECAD 8395 0.00000000 IXYS - 盒子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 TO-263-6、D²Pak（5引脚+焊片）、TO-263BA IXDD430 非反相 未验证 8.5V～35V TO-263-5 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3.5V 30A、30A 18纳秒、16纳秒
IXH611P1 IXYS IXH611P1 -
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 ECAD 8259 0.00000000 IXYS - 盒子 过时的 - 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） IXH611 - 未验证 - 8-DIP - 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 450 - - - - - -
IXCP30M35A IXYS IXCP30M35A -
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 ECAD 8289 0.00000000 IXYS IXC 管子 过时的 -55℃～150℃ 通孔 TO-220-3 IXCP30 - TO-220-3 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 电流调节器 - - 30毫安
IXDD514D1T/R IXYS IXDD514D1T/R -
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 ECAD 2764 0.00000000 IXYS - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 6-VDFN 裸露焊盘 IXDD514 非反相 未验证 4.5V～30V 6-DFN (4x5) 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 1V、2.5V 14A, 14A 25纳秒、22纳秒
IXDF504SIA IXYS IXDF504SIA -
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 ECAD 9731 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IXDF504 反相、同相 未验证 4.5V～30V 8-SOIC 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 94 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3V 4A, 4A 9纳秒、8纳秒
IXDN409PI IXYS IXDN409PI -
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 ECAD 2898 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） IXDN409 非反相 未验证 4.5V～35V 8-DIP 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3.5V 9A, 9A 10纳秒，10纳秒
IXA531S10T/R IXYS IXA531S10T/R -
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 ECAD 4030 0.00000000 IXYS - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 48-TFQFN 裸露焊盘 IXA531 反相 未验证 8V～35V 48-MLP (7x7) 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 500 土耳其 半桥 6 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3V 600毫安，600毫安 125纳秒、50纳秒 650伏
IX2A11P1 IXYS IX2A11P1 -
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 ECAD 7203 0.00000000 IXYS - 盒子 过时的 - 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） IX2A11 - 未验证 - 8-DIP - 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 300 - - - - - -
IXDI514D1T/R IXYS IXDI514D1T/R -
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 ECAD 9391 0.00000000 IXYS - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 6-VDFN 裸露焊盘 IXDI514 反相 未验证 4.5V～30V 6-DFN (4x5) 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 1V、2.5V 14A, 14A 25纳秒、22纳秒
IXDI504D1 IXYS IXDI504D1 -
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 ECAD 7874 0.00000000 IXYS - 盒子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 6-VDFN 裸露焊盘 IXDI504 反相 未验证 4.5V～30V 6-DFN (4x5) 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 56 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3V 4A, 4A 9纳秒、8纳秒
IXCP10M35A IXYS IXCP10M35A -
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 ECAD 8761 0.00000000 IXYS IXC 管子 过时的 -55℃～150℃ 通孔 TO-220-3 IXCP10 - TO-220-3 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 电流调节器 - - 10毫安
IXDD414PI IXYS IXDD414PI -
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 ECAD 6645 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） IXDD414 非反相 未验证 4.5V～35V 8-DIP 下载 不适用 REACH 不出行 IXDD414PI-NDR EAR99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3.5V 14A, 14A 25纳秒、22纳秒
IXCY20M35A IXYS IXCY20M35A -
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 ECAD 8418 0.00000000 IXYS IXC 管子 过时的 -55℃～150℃ 表面贴装 TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63 IXCY20 - TO-252AA 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 电流调节器 - - 20毫安
IXBF14N250 IXYS IXBF14N250 -
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 ECAD 1270 0.00000000 IXYS - 管子 的积极 - 通孔 i4-Pac™-5（3导联） IXBF14 - 未验证 - ISOPLUS i4-PAC™ - 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 25 - - - - - -
IX6S11S6T/R IXYS IX6S11S6T/R -
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 ECAD 3675 0.00000000 IXYS - 卷带式 (TR) 过时的 - 表面贴装 18-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）裸露焊盘 IX6S11 - 未验证 - 18-SOIC-EP - 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 - - - - - -
IXDD504D2T/R IXYS IXDD504D2T/R -
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 ECAD 5634 0.00000000 IXYS - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 IXDD504 非反相 未验证 4.5V～30V 8-DFN (4x5) 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3V 4A, 4A 9纳秒、8纳秒
IXDI404SI IXYS IXDI404SI -
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 ECAD 1568 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IXDI404 反相 未验证 4.5V～35V 8-SOIC 下载 1（无限制） REACH 不出行 IXDI404SI-NDR EAR99 8542.39.0001 95 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.5V 4A, 4A 16纳秒、13纳秒
IXDI514SIA IXYS IXDI514SIA -
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 ECAD 6413 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IXDI514 反相 未验证 4.5V～30V 8-SOIC 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 94 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 1V、2.5V 14A, 14A 25纳秒、22纳秒
IXJ611S1 IXYS IXJ611S1 -
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 ECAD 2989 0.00000000 IXYS - 盒子 过时的 - 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IXJ611 - 未验证 - 8-SOIC - 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 第470章 - - - - - -
IXDI414CI IXYS IXDI414CI -
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 ECAD 4303 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 通孔 TO-220-5 IXDI414 反相 未验证 4.5V～35V TO-220-5 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3.5V 14A, 14A 22纳秒、20纳秒
IXDI409SI IXYS IXDI409SI -
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 ECAD 3843 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IXDI409 反相 未验证 4.5V～35V 8-SOIC 下载 1（无限制） REACH 不出行 Q3203874 EAR99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3.5V 9A, 9A 10纳秒，10纳秒
IXA531S10 IXYS IXA531S10 -
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 ECAD 5297 0.00000000 IXYS - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 48-TFQFN 裸露焊盘 IXA531 反相 未验证 8V～35V 48-MLP (7x7) 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 500 土耳其 半桥 6 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3V 600毫安，600毫安 125纳秒、50纳秒 650伏
IX6610T IXYS IX6610T 6.6200
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 ECAD 165 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -40℃～85℃ 变压器驱动器 表面贴装 28-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽） IX6610 1毫安 14V~15.5V 28-TSSOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 -IX6610T EAR99 8542.39.0001 50
IXCY02M45A IXYS IXCY02M45A -
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 ECAD 2958 0.00000000 IXYS IXC 管子 过时的 -55℃～150℃ 表面贴装 TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63 IXCY02 - TO-252AA 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 电流调节器 - - 2毫安
IXDN504D1T/R IXYS IXDN504D1T/R -
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 ECAD 4161 0.00000000 IXYS - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 6-VDFN 裸露焊盘 IXDN504 非反相 未验证 4.5V～30V 6-DFN (4x5) 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3V 4A, 4A 9纳秒、8纳秒
IXC611S1T/R IXYS IXC611S1T/R -
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 ECAD 1319 0.00000000 IXYS - 卷带式 (TR) 过时的 - 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IXC611 - 未验证 - 8-SOIC - 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 - - - - - -
IX4310NTR IXYS IX4310NTR 0.4023
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 ECAD 5564 0.00000000 IXYS - 卷带式 (TR) 的积极 IX4310 未验证 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 238-IX4310NTR 4,000
IXCP30M45A IXYS IXCP30M45A -
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 ECAD 8422 0.00000000 IXYS IXC 管子 过时的 -55℃～150℃ 通孔 TO-220-3 IXCP30 - TO-220-3 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 电流调节器 - - 30毫安
IXDD514SIA IXYS IXDD514SIA -
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 ECAD 8605 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IXDD514 非反相 未验证 4.5V～30V 8-SOIC 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 94 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 1V、2.5V 14A, 14A 25纳秒、22纳秒
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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